Informe Previo Del Laboratorio N° 12: Universidad Nacional De Ingeniería

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

INFORME PREVIO DEL LABORATORIO N° 12 TEMA

: TRANSISTORES BIPOLARES EN CORTE Y SATURACIÓN

CURSO

: LABORATORIO DE ELÉCTRONICA I

PROFESOR: TOKUMORI KIYOTA SERGIO SECCIÓN: “P” NOMBRE : ÑIQUE ÑIQUE ANGELES JERCY ADOLFO CODIGO : 20130201K 2017

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TRANSISTORES BIPOLARES EN CORTE Y SATURACIÓN 

OBJETIVO Mostrar al alumno las características de los transistores bipolares en estado de conmutación, las operaciones en las zonas de corte y saturación así como la identificación de las rectas de carga y  punto de operación.



MATERIAL Y EQUIPO  

02 Condensadores electrolíticos de 47µF 01 Resistor de 180KΩ, 56KΩ, 22KΩ,

 

15KΩ,3.3KΩ





02 Resistor de 1KΩ





02 Resistor de 47KΩ





02 Transistores BJT iguales



01 Multímetro FLUKE 02 Fuentes de Alimentación Programables Cables de conexión 01 protoboard 02 Diodos LED

PROCEDIMIENTO 1. Armar

el circuito de la figura 1:

V1 R2 1k

12Vdc

V o R1

Q1

BC548A V3

180k

VOFF = 0 VAMPL = 10V FREQ = 60Hz

Figura 1

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2. Polarizar el dispositivo y midiendo

 0 117.224 144.559 155 160.452 163.584 165.336 166.667 166.667 167.142 165.822

 (μA) 0 0.418 1.93 3.6 5.31 7.03 8.77 10.5 12.3 14 15.8

V C   y V  B

 (mA) 0 0.049 0.279 0.558 0.852 1.15 1.45 1.75 2.05 2.34 2.62

ob

stener la siguiente tabla:

 (V) 0.00000293 -0.0752 -0.347 -0.647 -0.995 -1.27 -1.58 -1.89 -2.21 -2.52 -2.84

 (V) 12 11.9 11.7 11.4 11.1 10.8 10.5 10.2 9.95 9.66 9.38

 (V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

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3.  A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida

V C   vs V in . Si es

necesario, tomar medidas de puntos intermedios.

VC(V) vs Vin(V) 14 12 10 8 6 4 2 0 0

4.

2

4

6

8

Graficar la curva de transferencia de corrientes (  I C   vs vs

10

 I  B )

12

y el beta de las mismas (BETA

 I C  ).

IC(mA) vs IB(uA) 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

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β vs IC(mA) 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

5.  Armar el circuito de la figura 2

R3

R4

47k

1k

V4 12Vdc

Q2

BC548A

R6 56K

R5 1k

Figura 2

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6. Medir las tensiones

2  (V)  (V)  (V)  (mA)  (μA)  Zona

V C  , V  E   y V  B  para

56K 5.72 7.02 5.01 4.98 31.4 saturación

trazar la recta de carga del circuito, variando R 2.

47K 5.32 7.41 4.52 4.59 28.8 activa

22K 3.56 9.15 2.87 2.85 17.9 activa

15K 2.75 9.94 2.07 2.06 13.1 activa

7. Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano

3.3K 0.783 11.8 0.167 0.166 1.43 corte

 I C   vs V CE   del

transistor.

Indicar la zona de operación correspondiente

 = 0  = 1   = 3.3

 (mA) 5.33 4.98 2.74

 (V) 12 7.02 2.96

 (V)  5.05 5.01 2.86

Zona

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8. Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, i ndicando las zonas de operación. Adjuntar las fotocopias de los manuales con los datos de los transistores utilizados.

IC vs VCE 7 6 5 4 3 2 1 0 0

2

4

6

8

10

12

14

-1

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