Fuerzas de dispersión de London Las fuerzas de dispersión de London son un tipo de fuerza intermolecular, denominadas así por el físico alemán Fritz London, London, quien las investigó en 1930. urgen entre mol!culas no polares, en las que pueden aparecer dipolos instantáneos. on más intensas cuanto ma"or es la mol!cula, "a que los dipolos se pueden producir con más facilidad. #ipolo$dipolo% consiste en la atracción electrostática entre el e&tremo positivo de una mol!cula polar " el negativo de otra. 'l enlace de (idrógeno es un tipo especial de interacción dipolo$dipolo. ólo son eficaces a distancias mu" cortas) además son fuerzas más d!*iles que en el caso ion$ion porque q+ " q$ representan cargas parciales. sí como las mol!culas polares presentan alg-n tipo de fuerzas intermoleculares como las "a mencionadas, tam*i!n las sustancia conformadas por mol!culas no polares " los átomos que constitu"en los gases no*les e&perimentan atracciones mu" d!*iles llamadas fuerzas de london. La intensidad de la fuerza de dispersión depende de cierto n-mero de factores. in em*argo, dar un enfoque cualitativo " predictivo de*e considerar que las fuerzas de dispersión se relacionan con el n-mero de electrones que se encuentren en el átomo o en la mol!cula. sí, *ao dic(a *ase, es el n-mero de electrones el que determinará la facilidad con la que se puede polarizar la densidad del d el electrón " a ma"or polarización, son más intensas las fuerzas de dispersión. su vez, la intensidad de estas fuerzas intermoleculares determina el punto de fusión " el punto de e*ullición de la sustancia% cuando más intensas son las fuerzas intermoleculares, más altos son los puntos de fusión y de ebullición.
Véase también/editar
Fuerzas de Van der Waals
Los lagartos geco pueden geco pueden ad(erirse a las paredes " tec(os, de*ido a las fuerzas de 2a 2an n der aals.
'n fisicoquímica fisicoquímica,, las fuerzas de Van der Waals o interacciones de Van der Waals, son las fuerzas atractivas o repulsivas entre mol!culas 4o entre partes de una misma mol!cula5 distintas a aquellas de*idas a un enlace intramolecular 4'nlace 4 'nlace iónico, iónico, 'nlace metálico " enlace covalente de tipo reticular 5 o a la interacción electrostática de iones iones con con 1 otros o con mol!culas neutras. 'l t!rmino inclu"e%
•
•
•
Fuerza entre dos dipolos permanentes. i las interacciones son entre mol!culas que están polarizadas de manera permanente 4por eemplo, las mol!culas de agua que atraen otras mol!culas de agua u otras mol!culas polares5, se conocen como fuerzas de 6eesom. Fuerza entre un dipolo permanente " un dipolo inducido. 7uando un dipolo inducido 4esto es, un dipolo que se induce en un átomo o una mol!cula que de otra manera sería no polar5 interact-a con una mol!cula que tiene un momento dipolar permanente, esta interacción se conoce como fuerza de #e*"e. 8n eemplo de esta interacción serían las fuerzas entre las mol!culas de agua " las de tetracloruro de car*ono. Fuerza entre dos dipolos inducidos instantáneamente. i las interacciones son entre dos dipolos que están inducidos en los átomos o mol!culas, se conocen como fuerzas de London 4por eemplo, el tetracloruro de car*ono5.
am*i!n se usa en ocasiones como un sinónimo para la totalidad de las fuerzas intermoleculares. 'stas fuerzas fueron nom*radas en (onor al físico neerland!s :o(annes #ideri van der aals 41;3<=19>35, premio ?o*el de Física en 1910, que en 1;<3 fue el primero en introducir sus efectos en las ecuaciones de estado de un gas 4v!ase ecuación de 2an der aals5.
Llevo ya una temporadita leyendo, tanto en blogs de divulgación científica y escepticismo como en noticias relacionadas con los recortes que ha sufrido la financiación de la iencia en !spa"a, que los que nos dedicamos a la investigación vivimos en una torre de marfil y que es esencial que nos comuniquemos con el p#blico$ %sí, la sociedad entender& y valorar& nuestro traba'o y podremos convencerla de que no est& tirando el dinero pagando por investigación científica y tecnológica (y así pagar& con m&s alegría, se entiende)$ omo podréis imaginar, estas llamadas a la divulgación han llegado a mi corazoncito y, con toda la modestia del mundo, voy a intentar participar$ on este artículo comienzo una serie en la que voy a tratar de e*plicar, con un lengua'e lo m&s sencillo posible, para todos los p#blicos, sin casi ecuaciones, y con muchos dibu'itos, cu&l es mi traba'o+ a qué me dedico ahora y a qué proyectos me he dedicado en el pasado$ La cosa debería dar para tres o cuatro artículos, porque, en principio, no quisiera entrar en demasiado detalle, sino m&s bien dar una visión general de mi campo, aunque todo se ver& seg#n vayan pasando los días$
ara que se entienda todo esto que quiero escribrir, sin embargo, es necesario que primero os ense"e los principios b&sicos de Física del !stado -ólido y Física de -emiconductores en los que se basa mi traba'o, y a los que luego voy a hacer referencia todo el rato$ .e eso trata el artículo de hoy$ /ue nadie se asuste porque, insisto, est& escrito para todos los p#blicos y asumiendo que no tenéis conocimientos previos del tema$ or otra parte, espero que los entendidos sep&is perdonar los gambazos que pueda meter intentando simplificar el asunto$ Empezando por lo más sencillo: el átomo.
omo todos sabréis, la materia, absolutamente todo lo que nos rodea, est& hecho a base de unos ladrillos fundamentales que son los &tomos$ !stos constituyentes fundamentales est&n a su vez compuestos por un n#cleo, que tiene carga positiva, y que concentra casi toda la masa del &tomo, y uno o m&s electrones, que tienen carga negativa y muy poquita masa, y que se encuentran dando vueltas, formando una nube alrededor del n#celo, a una cierta distancia$ !l n#cleo, a su vez, est& formado por protones, con carga positiva, y neutrones, que no tienen carga eléctrica, y que sirven para que el n#cleo no se desintegre (ya sabéis, las cargas iguales se repelen, y el n#cleo est& lleno de cargas positivas)$ -i miramos dentro de estas partículas, podemos ver que est&n compuestas de otras m&s fundamentales, pero eso ya est& fuera de mi campo, y no me voy a meter en camisas de once varas$
Figura 0$ !squema de niveles de energía de un &tomo imaginario$
!s el n#mero de electrones lo que le da sus propiedades al &tomo a la hora de combinarse con otros y formar sólidos, que es lo que nos ocupa$ ara mantener la neutralidad de carga eléctrica del &tomo (es decir, para que la carga eléctrica total del &tomo en su con'unto sea cero), tiene que haber tantos protones como electrones$ !s relativamente f&cil, sin embargo, quitar o a"adir electones a un &tomo, de modo que acabe teniendo m&s electrones que protones, o al revés+ en ese caso se dice que el &tomo est& ionizado o se le llama ión$ omo el n#mero de protones no se puede cambiar tan f&cilmente, se utiliza para etiquetar al &tomo y darle un nombre$ %sí, si un &tomo tiene un protón en el n#cleo decimos que es un &tomo de hidrógeno, y si tiene 01 protones, decimos que es un &tomo de silicio .esde que se empezó a desarrolar la física cu&ntica, a principios del siglo 22, sabemos que la energía total de los electrones no puede tener cualquier valor, sino sólo unos pocos determinados$ % estos valores se les suele llamar niveles de energía discretos, por oposición a contínuos$ !n la Figura 0 he dibu'ado un esquemita de niveles de energía de un &tomo imaginario$ Los electrones (que son las bolitas verdes con un signo menos de la figura) sólo pueden tener los valores de energía indicados con líneas en la escala, pero no los valores intermedios$ % la temperatura del cero absoluto (que es la temperatura m&s ba'a posible y es igual a m&s o menos 3456 7, es decir, muy frío), los electrones que formen parte del &tomo siempre se distriburi&n en los niveles m&s ba'os disponibles, sin de'ar huecos libres$ -in embargo, para temperaturas mayores, hay electrones e*citados que tienen una energía algo m&s alta de lo que uno se esperaría, aunque siempre una energía de las permitidas, claro$ ara que un electrón cambie de energía, tiene que dar o recibir 'usto (y de un golpe) la energía que le separa de su nivel actual al nivel al que queremos que llegue$ !sta energía puede darse o recibirse de diversas maneras+ en forma de luz, de energía térmica, de energía eléctrica8 Muchos átomos juntos: el sólido
9odo esto es v&lido para electrones aislados, pero, :qué pasa cuando ponemos muchos &tomos 'untos para que formen un sólido; ara estudiar los sólidos, se suelen considerar por un lado los n#celos de los &tomos 'unto con los electrones de menos energía que est&n muy fuertemente ligados al n#celo, y por otro lado los electrones menos ligados, los que est&n en las capas m&s le'anas al n#celo, a los que se llama
los &tomos de nuestro sólido entre sí para formar un cristal (es decir, un arreglo de atómos ordenados de una determinada manera), los niveles de energía de los electrones de valencia comienzan a desplazarse y a agruparse, formando bandas de energía$ .ichas bandas est&n, en realidad, compuestas por muchos niveles energéticos muy 'untitos$ .e nuevo, los electrones pueden tener cualquier energía dentro de una banda, pero no puede tener los valores de energía que hay entre banda y banda$ % esta bandas de energía prohibida, en inglés se les llama band gap, algo así como el hueco entre las bandas , y de hecho, en espa"ol se suele utilizar la palabra gap también$
Figura 4$ .iagrama que muestra cómo los níveles energéticos para los electrones de &tomos aislados se combinan formando bandas de energía para los electrones en un sólido$
.e una manera parecida a lo que pasaba con los electrones aislados, a > ? (que se lee cero Kelvin, y es la temperatura m&s ba'a posible de la que hablaba antes) los electrones del sólidos van ocupando los niveles m&s ba'os (recuerda que las bandas, al fin y al cabo, estan compuestas por niveles muy 'untos) sin de'ar ninguno libre$ -i subimos la temperatura un poco, los electrones m&s energéticos (los de la superficie de esta especie de mar de electrones) pueden ganar energía y ocupar niveles algo m&s altos dentro de su banda, si es que hay alguno libre$ !n la Figura 4, he representado cómo los niveles electrónicos de los &tomos aislados se convierten en bandas de energía cuando los &tomos forman un sólido$ 9enemos una banda de poca energía (que se suele llamar banda de valencia) que est& llena de electrones (y por eso la
he pintado de color verde) y una banda de m&s energía, que en este caso est& vacía de electrones (y por eso la he pintado de color gris)$ % esta banda inmediatamente superior a la de valencia se le suele llamar banda de conducción$ Conductores, semiconductores aislantes
%hora viene una distinción importante$ @asta ahora hemos hablado de materiales que tienen unas bandas de energías permitidas para los electrones, y que estas bandas est&n separadas por bandas de energía prohibida (es decir, los electrones no pueden tener esas energías)$ 9ambién hemos dicho que los electrones se distribuyen por estas bandas del mismo modo que el agua en el mar+ de aba'o a arriba sin de'ar huecos$ !l caso es que, seg#n cu&nta energía tengan los electrones que m&s energía tengan (es decir, los de la superficie de ese mar), en relación con la estructura de las bandas, podemos diferenciar a los materiales en tres tipos generales+ conductores, semiconductores y aislantes$ !n los conductores, la banda de m&s energía en la que hay electrones est& sólo parcialmente ocupada, de modo que, como di'e m&s arriba, los electrones m&s energéticos tienen niveles de energía disponibles para poder f&cilmente ganar a#n m&s energía (simplemente por estar el cristal a una temperatura mayor que > ?) y moverse por el cristal y transportar su carga+ conducir electricidad, vaya$ !n los semiconductores, la banda ocupada con mayor energía est& llena hasta arriba, de modo que los electrones no lo tienen tan f&cil para ganar un poquito de energía y moverse por el cristal$ -in embargo, la siguiente banda de energía no est& muy le'os energéticamente hablando (la energía de banda prohibida es muy estrechita) y en el fondo no es tan difícil que puedan saltar a la siguiente banda y moverse por ahí, con lo que el material conduciría la electricidad$ or #ltimo, en los materiales aislantes, la banda de valencia, y la banda de conducción est&n tan separadas que los electrones no pueden salvar la energía prohibida que las separa, y no pueden conseguir energía para moverse por el cristal+ estos materiales no conducen la electricidad$
Figura 6$ .iagrama de bandas de energía para materiales conductores, semiconductores y aislantes$
!n la Figura 6 he representado estos tres casos$ ara los semiconductores y aislantes veréis que hay un numerito al lado de la banda de energía prohibida$ !ste n#merito representa la anchura de la banda de energía prohibida en electronvoltios$ Los electronvoltios (eV) son una unidad de energía que utilizamos porque así los n#meros que mane'amos son8 eso, mane'ables, como podéis ver+ 0, 6, 18 cosas así$ -e suele considerar semiconductor a los materiales cuya banda de energía prohibida est& entre > y unos 1 eV$ Aateriales con band gap mayor se suelen considerar aislantes$ (%h, y el simbolito que sale antes del n#mero y que es como lo de encima de la letra B siginfica
La mayoría de las cosas que hecho en mi vida de investigador han estado relacionadas con los semiconductores, y por eso voy a decir un par de cosas m&s sobre ellos, que ser&n necesarias para lo que e*plicaré en futuros artículos$ % los semiconductores que, para poder conducir la electricidad, dependen de que los electrones de la banda de valencia puedan llegar a la banda de conducción se les suele llamar intrínsecos$ !n la Figura 1 (izquierda) podéis ver que, una vez que los electrones alcanzan la banda de conducción, de'an un hueco libre en la banda de valencia$ Cna situación como la de la figura, en vez de describirla como
pr&cticos, los huecos se consideran partículas reales, tal y como los electrones, pero con carga positiva$
Figura 1$ Deacción de electrones y huecos al aplicar un campo eléctrico en un material semiconductor$
-i aplicamos un campo eléctrico al material, nos encontramos con una situación como la de la parte derecha de la Figura 1+ las bandas se inclinan, tanto m&s cuanto m&s intenso sea el campo eléctrico que se aplica$ %nte este campo eléctrico, :cómo reaccionan electrones y huecos; ues de una forma que se entiende muy bien utilizando una analogía muy intuitiva$ Los electrones se comportan como unas canicas en una cuesta, y ruedan cuesta aba'o$ Los huecos reaccionan como las burbu'as de un refresco (o de una cerveza, sí, también) y van subiendo hacia arriba en el diagrama$ -in embargo, este sistema para que los semiconductores consigan portadores de carga (es decir, electrones y huecos) que se pueden mover por el material y así conducir la electricidad, no es muy conveniente desde el punto de vista pr&ctico$ ara empezar, la temperatura necesaria para que haya suficientes electrones que salten de la banda de valencia a la banda de conducción es muy alta (mayor que la temperatura ambiente), y adem&s, la cantidad de electrones que tengamos ahí arriba, en la banda de conducción (y huecos ahí aba'o, en la de valencia), depende fuertemente de la temperatura, con lo que no tenemos mucho control$ ara superar este problema se hace un truco bastante ingenioso$ omo e'emplo, lo e*plicaré con el semiconductor por e*celencia+ el silicio$
Semiconductores tipo n ! tipo p "estos son los e#trnsecos, claro$
Los &tomos de silicio (símbolo químico -i) tienen cuatro electrones de valencia, que son los electrones que utiliza el &tomo para formar enlaces y 'untarse con otros &tomos para formar materiales$ !n un cristal de -i, cada &tomo comparte uno de esos cuatro electrones de valencia con un &tomo de -i vecino$ %sí, cada &tomo tiene ocho electrones que es algo muy estable y que a los &tomos les gusta mucho$
Figura E$ .escripción de un s emiconductor tipo n$
%hora viene el truco$ maginemos (con ayuda de la Figura E) que sustituímos unos pocos &tomos de -i de nuestro cristal por &tomos, por e'emplo, de antimonio (símbolo químico -b) que tiene cinco electrones de valencia$ gual que antes, el &tomo de -b comparte cuatro de sus cinco electrones de valencia con los cuatro &tomos de -i que lo rodean$ :/ué pasa; ues que al &tomo de -b le sobra un electrón, y ese electrón tiene cierta libertad para moverse por el cristal, siempre y cuando le demos suficiente energía como para que se separe del &tomo de -b$ !sto, e*plicado con un diagrama de bandas como los que he puesto m&s arriba, significa que, una vez que tenemos nuestras impurezas en el cristal, los electrones sobrantes se sit#an, energéticamente hablando, en niveles localizados que est&n dentro de la banda prohibida, pero muy cerquita de la banda de conducción, así que con muy poquita energía (la que tienen por
estar el sólido a temperatura ambiente, por e'emplo), pueden saltar a la banda de conducción y bueno, ya sabéis, moverse por ahí$ .e este modo, dopando el -i con -b (es decir, introduciendo en el cristal de -i impurezas de -b) conseguimos un material rico en electrones que son libres de moverse ba'o la influencia de un campo eléctrico$ % semiconductores dopados de esta manera, se les llama tipo n$ -i os acord&is, m&s arriba hablamos del concepto de hueco$ G&sicamente consiste en quitar un electrón de la banda de valencia del semiconductor, de modo que los electrones son libres de moverse$ ero a todos los efectos, lo que tenemos es una carga positiva (el hueco de'ado por el electrón que se fue a la banda de conducción) que se mueve en dirección contraria a los electrones$ ues bueno, también hay otro truco para dopar los semiconductores para que la conducción de la electricidad, en lugar de ser por electrones, como en los semiconductores tipo n, sea por huecos$
Figura H$ .escripción de un semiconductor tipo p$
Lo que se hace es algo muy parecido al caso anterior (ver Figura H)+ sustituir algunos &tomos de -i por otros de otro elemento, esta vez por uno con tres electones de valencia, como el boro (símbolo G)$ !l &tomo de la impuerza comparte sus tres electrones de valencia con tres de sus &tomos de -i vecinos, pero no tiene nada que ofrecer al cuarto en discordia$ !n este brazo del &tomo de G, queda un hueco que puede ser llenado por un electrón del &tomo de -i vecino
(:veis;, ya salen los huecos a relucir) siempre y cuando a dicho electrón se le comunique suficiente energía como para abandonar su &tomo original $ %sí, el hueco puede ir saltando de &tomo en &tomo, y transportar su carga (rigurosamente, su falta de carga negativa, que es como si fuera una carga positiva en el material neutro)$ !n un diagrama de bandas como el que ense"é antes, la cosa se ve así (parte derecha de la Figura H)+ los &tomos de impureza introducen unos niveles energéticos que e st&n vacíos, y que est&n localizados en la banda de energía prohibida, un poco por encima del borde de la banda de valencia$ !s f&cil, para los electrones en la banda de valencia, adquirir suficiente energía (por estar el material a temperatura ambiente, de nuevo), llenar esos niveles, y de'ar un hueco atr&s, que es el que se encarga de conducir la electricidad$ %ara saber más&
on estos mimbres creo que ya hay suficiente para entender lo que venga en el futuro, pero como es posible que algunos de los que le&is esto quer&is saber un poco m&s (o no os fiéis de mí), os recomiendo mirar la WiIipedia (sobre todo la versión en inglé s) y alguno de estos libros que menciono a continuación$ A&s o menos lo que yo he contado, con m&s detalles, pero sin ser un nivel muy, muy alto+ rimer capítulo de 'undamentos de Electrónica 'sica ! Microelectrónica $ J$ A$ %bella y J$ A$ Aartínez3.uart$ %ddison3Wesley beroamericana, 0KKH$ (.isponible en pdf aquí)$ si ya queréis ir a por todas8 -egundo capítulo de 'sica de los Semiconductores, ?$ V$ -halímova$ !ditorial Air, 0K5E$ rimer capítulo de %h!sics o( Semiconductor )evices , -$ A$ -ze y ?$ ?$ Mg$ nterscience 4>>H$ m&s en general, sobre Física del !stado -ólido+ Solid State %h!sics, M$ W$ %shcroft y M$ .$ Aermin$ GrooIsNole, 0K5H$ *ntroducción a la 'sica del Estado Sólido, $ ?ittel$ Deverte, 0KK6$
esto es todo de momento$ !spero no haber espantado a muchos lectores$
9agged Oith+ diagrama de bandas, Física de -emiconductores, física del estado sólido, semiconductores intrínsecos, semiconductores tipo n, semiconductores tipo p
.opa'e (semiconductores) Para otros usos de este término, véase Dopaje (desambiguación).
'squema del campo el!ctrico creado en una c!lula fotovoltaica mediante la unión pnentre dos capas de semiconductores dopados.
'n la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor e&tremadamente puro 4tam*i!n referido como intrínseco5 con el fin de cam*iar sus propiedades el!ctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. los semiconductores con dopaes ligeros " moderados se los conoce como e&trínsecos. 8n semiconductor altamente dopado, que act-a más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado. 'l n-mero de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es mu" peque@a. 7uando se agregan un peque@o n-mero de átomos dopantes 4en el orden de 1 cada 100.000.000 de átomos5 entonces se dice que el dopae es *ao o ligero. 7uando se agregan muc(os más átomos 4en el orden de 1 cada 10.000 átomos5 entonces se dice que el dopae es alto o pesado. 'ste dopae pesado se representa con la nomenclatura ?+ para material de tipo ?, o A+ para material de tipo A. Bndice /ocultar •
1Cistoria
>'lementos dopantes
•
o
>.1emiconductores de Drupo E2 3ipos de materiales dopantes
•
o
3.1ipo ?
o
3.>ipo A
•
#opae en conductores orgánicos
•
G2!ase tam*i!n
•
HIeferencias
Historia[editar ] 'l dopae fue desarrollado originalmente por :o(n Io*ert ood"ard mientras tra*aa*a para la perr" D"roscope 7ompan" durante la egunda Duerra Jundial.1 La demanda de su tra*ao so*re el radar durante la guerra no le permitió desarrollar más profundamente la investigación so*re el dopae, pero durante la posguerra se generó una gran demanda iniciada por la compa@ía perr" Iand, al conocerse su importante aplicación en la fa*ricación de transistores.>
Elementos dopantes[editar ] emiconductores de Drupo E2[editar ] Aara los semiconductores del Drupo E2 como ilicio, Dermanio " 7ar*uro de silicio, los dopantes más comunes son elementos del Drupo EEE o del Drupo 2. Koro, rs!nico, Fósforo, " ocasionalmente Dalio, son utilizados para dopar al ilicio.
Tipos de materiales dopantes[editar ] ipo ?[editar ] e llama material tipo ? al que posee átomos de impurezas que permiten la aparición de electrones sin (uecos asociados a los mismos semiconductores. Los átomos de este tipo se llaman donantes "a que donan o entregan electrones. uelen ser de valencia cinco, como el rs!nico " el Fósforo. #e esta forma, no se (a des*alanceado la neutralidad el!ctrica, "a que el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos que conforman l a estructura original, por lo que la energía necesaria para separarlo del átomo será menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio 4o del semiconductor original5. Finalmente, e&istirán más electrones que (uecos, por lo que los primeros serán los portadores ma"oritarios " los -ltimos los minoritarios. La cantidad de portadores ma"oritarios será función directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.
'l siguiente es un eemplo de dopae de ilicio por el Fósforo 4dopae ?5. 'n el caso del Fósforo, se dona un electrón.
Dopaje de tipo N
ipo A[editar ] e llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la formación de (uecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una lig adura. Los átomos de este tipo se llaman aceptores, "a que aceptan o toman un electrón. uelen ser de valencia tres, como el luminio, el Endio o el Dalio. ?uevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no modificará la neutralidad el!ctrica del cristal, pero de*ido a que solo tiene tres electrones en su -ltima capa de valencia, aparecerá una ligadura rota, que tenderá a tomar electrones de los átomos pró&imos, generando finalmente más (uecos que electrones, por lo que los primeros serán los portadores ma"oritarios " los segundos los minoritarios. l igual que en el material tipo ?, la cantidad de portadores ma"oritarios será función directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos. 'l siguiente es un eemplo de dopae de ilicio por el Koro 4A dopae5. 'n el caso del *oro le falta un electrón ", por tanto, es donado un (ueco de electrón.
Dopaje de tipo P
Dopaje en conductores orgánicos [editar ] Artículo principal
Aolímero conductor
Los polímeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos químicos que o&iden 4o algunas veces reduzcan5 el sistema, para ceder el ectrones a las ór*itas conductoras dentro de un sistema potencialmente conductor. '&isten dos formas principales de dopar un polímero conductor, am*as mediante un proceso de reducción$o&idación. 'n el primer m!todo, dopado químico, se e&pone un polímero, como la melanina 4típicamente una película delgada5, a un o&idante 4típicamente "odo o *romo5 o a un agente reductor 4típicamente se utilizan metales alcalinos, aunque esta e&posición es *astante menos com-n5. 'l segundo m!todo es el dopae electroquímico, en la cual un electrodo de tra*ao, revestido con un p olímero, es suspendido en una solución electrolítica, en la cual el polímero es insolu*le, unto al electrodo opuesto, separados am*os. e crea una diferencia de potencial el!ctrico entre los electrodos, la cual (ace que una carga 4" su correspondiente ion del electrolito5 entren en el polímero en la forma de electrones agregados 4dopae tipo ?5 o salgan del polímero 4dopae tipo A5, seg-n la polarización utilizada. La razón por la cual el dopae tipo ? es muc(o menos com-n es que la atmósfera de la tierra, la cual es rica en o&ígeno, crea un am*iente o&idante. 8n polímero tipo ? rico en electrones reaccionaría inmediatamente con el o&ígeno am*iental " se desdoparía 4o reo&idaría5 nuevamente el polímero, volviendo a su estado natural.
