Previo 5 Respuesta de Alta Frecuencia

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS (Universidad

del Perú, Decana de América)

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELECTRÍCA

RESPUESTA DE ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA (Informe Previo) Curso

:

Laboratorio de Circuitos Electrónicos II

Integrante : KEVIN OSORIO MIRANDA

2014

10190082

a) Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, Cb’e, Cb’c, gm, f β y fT. rb’b: Para esta resistencia se toma en cuenta la resistencia de contacto (conexión real de la base), la del volumen (incluye la resistencia desde el terminal externo hasta la región activa de los transistores) y la resistencia de propagación de la base(resistencia real dentro de la base). Su valor está entre 10 y 50  . rb’e: (Solo cuando el ckto esta en la región activa)Resistencia entre los terminales b’ y e. rb’c: Resistencia entre los terminales b’ y c. rce: Resistencia entre los terminales c y e. Cb’e: O capacitancia de difusión. Capacitancia entre los terminales b’ y e. Es el resultado del retardo, ocasionado por un hueco al pasar a través de la base del emisor al colector. Cb’c: O capacitancia de transición. Capacitancia entre los terminales b’ y c. Su valor es empieza desde los 30pF para transistores en baja frecuencia hasta 1 pF para transistores en alta frecuencia. gm: Conductancia dinámica. Ic . gm  26mV fβ : Frecuencia de corte en corto circuito para la configuración emisor común.

f 

1  2 med re Cb' e  Cb' c 

fT : producto ganancia-anchura de banda del amplificador.

f T  hfef 

b) En el circuito del experimento (fig 5) de acuerdo al modelo en altas frecuencias, encontrar una expresión para f β / fT.

del transistor

Haciendo el análisis en continua:

med  100 9.882k  0.69k )  0.7  Ic  1.648mA 100 26mV re   15.77  re  1577.65 Icc

2.12  Ic(

Según el manual de dispositivos: Cb’e= 25 pF y Cb’c=8 pF Entonces, con lo anterior:l

f  f 

1 2 med re Cb' e  Cb' c 

1  3096252 .08 Hz 2.1577 .65 25 pF  8 pF 

c) Considerando que Cbc <0.1-50pF>, Cbe <100-1000pF> y rbe=Vihfe)/IEQ, encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito. Entonces, con estas consideraciones, se tiene:

f 

1  1020742 .446 Hz 21577 .65 100 pF  0.1 pF 

d) En altas frecuencias ¿Cuál de las configuraciones del transistor será más conveniente?¿Porqué? La configuración más conveniente será la de emisor común. Ya que la capacitancia de efecto millar al depender de Cce en base común es muy pequeño. Por lo tanto, ésta desaparece. De modo que Ci y Co, serán mucho mas pequeñas, y la frecuencia de corte sería más alta. Veamos: Ci  Cwi  Cbe  Cmi  Cwi  Cbe  (1  Av)Cce Co  Cwo  Cce  Cmo  Cwi  Cbc  (1  1 / Av)Cce