Respuesta en Baja y Alta Frecuencia Amplificadores Bjt

Equipo 5

RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA DE AMPLIFICADOR CON BJT 

El análisis de esta sección empleará la configuración de polarización por medio del divisor de voltaje para el BJT, aunque los resultados se pueden aplicar a cualquier configuración de BJT. basta encontrar la resistencia equivalente apropiada para la combinación RC. Los capacitores Cs, CC y CE determinarán la respuesta en baja frecuencia de la red de la f igura 9.23.

Formulas Principales 

 Aplicando la regla del divisor de voltaje:

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE AMPLIFICADOR CON BJT 

En la región de alta frecuencia, la red RC de interés tiene la configuración que aparece en la figu- ra 9.52. A medida que la frecuencia se incrementa, la magnitud de la reactancia XC se reduce, con el resultado de un efecto de cortocircuito a través de la salida y una reducción de la ganancia. La derivación que conduce a la frecuencia de corte de esta configuración RC sigue líneas semejan- tes a las encontradas para la región de baja frecuencia. La diferencia más significativa radica en la siguiente forma general de Av:

En la figura 9.54 se incluyen las diversas capacitancias parásitas (Cbe, Cbc, Cce) del transistor junto con las capacitancias de alambrado introducidas durante la construcción. El modelo equivalente de alta frecuencia de la red de la figura 9.54 aparece en la figura 9.55. Observe que faltan los capacitores Cs, CC y CE los cuales se supone que se encuentran en estado de cortocircuito en estas frecuencias. La capacitancia Ci incluye la capacitancia de alambrado de entrada , la capacitancia de transición Cbe y la capacitancia Miller . La capacitancia Co incluye la capacitancia de alambrado de salida , la capacitancia parásita Cce y la capacitancia de efecto Miller de salida . En general, la capacitancia Cbe es la más grande de las capacitancias parásitas, con Cce como la más pequeña. En realidad, la mayoría de las hojas de especificaciones simplemente dan los niveles de Cbe y Cbc y no incluyen Cce a menos que afecte la respuesta de un tipo particular de transistor en un área de aplicación específica. Al determinar el circuito equivalente de Thévenin de las redes de entrada y salida de la figura 9.55 obtenemos las configuraciones de la figura 9.56. Para la red de entrada, la frecuencia de -3 dB se define como

Formulas Principales