CAPITULO 8 FLOYD EXAMEN DE VERDADERO/FALSO 1. El JFET siempre opera con una unión PN de compuerta a fuente polarizada en inversa. (VERDADERO) 2. La resistencia del canal de un JFET es una constante. ( FALSO) 3. El voltaje de compuerta a fuente de un JFET de canal n debe ser negativo. (VERDADERO) 4. se vuelve cero al voltaje de estrangulamiento. ( FALSO) 5. no tiene ningún efecto en . (FALSO) 6.
y
siempre son iguales en magnitud, pero de polaridad opuesta.
(VERDADERO) 7. El JFET es un dispositivo de ley cuadrática debido a la expresión matemática de su curva de característica de transferencia. (VERDADERO ) 8. La transconductancia en directa es el cambio del voltaje en el drenaje para un cambio dado del voltaje en la compuerta. ( FALSO) 9. Los parámetros y son los mismos. ( VERDADERO )
10. El D-MOSFET puede ser operado en dos modos. ( VERDADERO) 11. Un E-MOSFET opera en el modo de empobrecimiento. ( FALSO) 12. Un D-MOSFET tiene un canal físico y un E-MOSFET tiene un canal inducido. (VERDADERO) 13. ESD significa dispositivo semiconductor electrónico. ( FALSO) 14. Los MOSFET deben ser manejados con c on cuidado. ( VERDADERO )
EXAMEN DE ACCIÓN DE CIRCUITO. 1. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8 -17, (a) incrementa
(b) reduce
(c) no cambia
2. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8 -17, (a) incrementa
(b) reduce
V DS DS se
V GS GS se
(c) no cambia
3. Si se incrementa el valor de RD en la figura 8-24, ID se (a) incrementa
(b) reduce
(c) no cambia
4. El valor de R2 se reduce en la figura 8-24, VG se (a) incrementa
(b) reduce
(c) no cambia
5. Si VGS se incrementa en la figura 8-47, ID se
(a) incrementa
(b) reduce
(c) no cambia
6. Si R2 se abre en la figura 8-47, VGS se
(a) incrementa
(b) reduce
(c) no cambia
7. Si RG se incrementa en la figura 8-50, VG se (a) incrementa
(b) reduce
(c) no cambia
8. Si el valor de IDSS se incrementa en la figura f igura 8-50, VDS se (a) incrementa
(b) reduce
(c) no cambia
AUTOEVALUACIÓN 1. El JFET es: (a) un dispositivo unipolar. (b) un dispositivo controlado por voltaje. (c) un dispositivo controlado por corriente. (d) respuestas a) y c).
(e) respuestas a) y b). 2. El canal de un JFET se encuentra entre: (a) la compuerta y el drenaje.
(b) el drenaje y la fuente. f uente. (c) la compuerta y la fuente. (d) la entrada y la salida. 3. Un JFET siempre opera con:
(a) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en inversa. (b) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en directa. (c) el drenaje conectado a tierra. (d) el drenaje conectado a la fuente.
4. Con
= 0 V, la corriente en el drenaje se vuelve constante cuando
(a) el voltaje de corte (b)
(c)
(d) 0 V
5. La región de corriente constante de un FET queda entre : (a) el corte y la saturación (b) el corte y el estrangulamiento
sobrepasa:
6. Si R2 se abre en la figura 8-47, VGS se
(a) incrementa
(b) reduce
(c) no cambia
7. Si RG se incrementa en la figura 8-50, VG se (a) incrementa
(b) reduce
(c) no cambia
8. Si el valor de IDSS se incrementa en la figura f igura 8-50, VDS se (a) incrementa
(b) reduce
(c) no cambia
AUTOEVALUACIÓN 1. El JFET es: (a) un dispositivo unipolar. (b) un dispositivo controlado por voltaje. (c) un dispositivo controlado por corriente. (d) respuestas a) y c).
(e) respuestas a) y b). 2. El canal de un JFET se encuentra entre: (a) la compuerta y el drenaje.
(b) el drenaje y la fuente. f uente. (c) la compuerta y la fuente. (d) la entrada y la salida. 3. Un JFET siempre opera con:
(a) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en inversa. (b) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en directa. (c) el drenaje conectado a tierra. (d) el drenaje conectado a la fuente.
4. Con
= 0 V, la corriente en el drenaje se vuelve constante cuando
(a) el voltaje de corte (b)
(c)
(d) 0 V
5. La región de corriente constante de un FET queda entre : (a) el corte y la saturación (b) el corte y el estrangulamiento
sobrepasa:
(c) 0 e
(d) el estrangulamiento y la ruptura 6. IDSS es: (a) la corriente en el drenaje con la fuente en cortocircuito. (b) la corriente en el drenaje en corte.
(c) la corriente máxima máxima posible en el drenaje. (d) La corriente en drenaje del punto medio. 7. La corriente en el drenaje en e n la región de corriente constante se incrementa cuando:
(a) el voltaje de polarización de compuerta a fuente se reduce. (b) el voltaje de polarización de compuerta a fuente se incrementa. (c) el voltaje de drenaje a fuente se incrementa. (d) el voltaje de drenaje a fuente se reduce.
8. En un cierto circuito FET, Si se reduce a 330 ꭥ, es: (a) 19.5 mA
= 0 V,
= 15 V,
= 15 mA y
= 470
(b) 10.5 mA
(c) 15 mA
(d) 1 mA
9. En corte, el canal de un JFET está: (a) en su punto más ancho.
(b) completamente cerrado por la región de empobrecimiento. (c) extremadamente angosto. (d) polarizado en inversa. 10. La hoja de datos de cierto JFET da vgs(corte)4 V. El voltaje de est rangulamiento, VP, (a) no puede ser determinado. (b) es de -4 V. (c) depende de
(d) es de +4 V.
.
11. El JFET de la pregunta 10:
(a) es un canal n. (b) es un canal p. (c) puede ser uno u otro. 12. Para un cierto JFET, (a) 100 M
= 10 nA con (b) 1M
= 10 V. La resistencia de entrada es
.
ꭥ
(c) 1000 M
(d) 100 m
13. Para cierto JFET de canal p, medio aproximada es:
(a) 4 V
(b) 0 V
(c) 1.25 V
(d) 2.34 V
= 8 V. El valor de
para polarización de punto
14. En un JFET autopolarizado, la compuerta está a: (a) un voltaje positivo.
(b) 0 V. (c) un voltaje negativo. (d) conectada a tierra. 15. La resistencia de drenaje a fuente en la región óhmica depende de: (a)
.
(b) los valores del punto Q. (c) la pendiente de la curva en el punto Q.
(d) todos los anteriores. 16. Para utilizarlo como resistor variable, un JFET debe: (a) ser un dispositivo de canal n. (b) ser un dispositivo de canal p.
(c) estar polarizado en la región óhmica. (d) estar polarizado en saturación. 17. Cuando se polariza un JFET en el origen, la resistencia de ca del canal está determinada por: (a) los valores del punto Q.
(b) VGS.
(c) la transconductancia.
(d) las respuestas (b) y (c).
18. Un MOSFET difiere de un JFET principalmente: (a) debido a la capacidad de potencia. (b) porque el MOSFET tiene dos compuertas.
(c) el JFET tiene una unión pn. (d) porque los MOSFET no tienen un canal físico. 19. Un D-MOSFET opera: (a) sólo en el modo de empobrecimiento. (b) sólo en el modo de enriquecimiento.
(c) sólo en la región óhmica.
(d) en los modos de empobrecimiento y de enriquecimiento. 20. Un D-MOSFET de canal n con VGS positivo opera: (a) en el modo de empobrecimiento.
(b) en el modo de enriquecimiento. (c) en corte. (d) en saturación. 21. Cierto E-MOSFET de canal p tiene un el drenaje es
(a) 0 A
(b)
(c) máxima
(d)
(umbral)= -2 V. Si
22. En un E-MOSFET no hay corriente en el drenaje hasta que
(a) alcanza
(c) es negativo
(b) es positivo
= 0 V, la corriente en
:
(d) es igual a 0 V
23. Todos los dispositivos MOS son propensos a sufrir daños a consecuencia de: (a) calor excesivo (b) descarga electrostática (c) voltaje excesivo
(d) todas las respuestas anteriores
24. Cierto D-MOSFET se polariza con = 0 V. Su hoja de datos especifica y =5 V. El valor de la corriente en el drenaje: (a) es de 0 A (b) no puede ser determinada
(c) es de 20 mA 25. Un IGBT en general se utiliza en: (a) aplicaciones de baja potencia. (b) aplicaciones de radiofrecuencia.
(c) aplicaciones de alto voltaje. (d) aplicación de baja corriente.
=20 mA
PROBLEMAS BASICOS. El JFET 1. El
de un JFET de canal p se incrementa desde 1 V hasta 3 V.
(a) ¿Se estrecha o ensancha la región de empobrecimiento?
Se estrecha
(b) ¿Se incrementa o reduce la resistencia del canal?
Se incrementa
2. ¿Por qué el voltaje de la compuerta a la fuente de un JFET de canal n siempre debe ser cero 0 o negativo? El voltaje de compuerta a fuente de un JFET de canal n debe ser cero o negativo para mantener la condición de polarización inversa requerida.
3. Trace los diagramas esquemáticos de un JFET de canal p y uno de cana l n. Identifique las terminales.
4. Muestre cómo se conectan los voltajes de polarización entre la compuerta y la fuente de los JFET de la figura.
CARACTERÍSTICA Y PARÁMETROS DEL JFET. 5. Un JFET tiene un voltaje de estrangulamiento especificado de 5 V. Cuando
= = = = es
en el punto donde la corriente en el drenaje se vuelve constante?
6. Un cierto JFET de canal n se polariza de tal forma que si
es de 6 V? ¿Está prendido del dispositivo?
= 0, ¿cuál
= -2 V. ¿Cuál es el valor de
=2 = =0 > = > =
El dispositivo esta prendido, porque
7. La hoja de datos de cierto JFET da
= -8 V e
= 10 mA. Cuando
= 0,
¿cuál es ID con valores de VDS por encima del valor de estrangulamiento? VDD = 15 V. Por definición,
cuando
para valores de
.
Por lo tanto,
8. Cierto JFET de canal p tiene un Ya que
= 6 V. ¿Cuál es ID cuando
, El JFET está apagado y
= 8 V?
9. El JFET de la figura 8-65 tiene un
= -4 V. Suponga que incrementa el voltaje
de alimentación , desde cero hasta que el amperímetro alcanza un valor constante. ¿Qué lee el voltímetro en este momento?
= =4 =4 = =
El voltímetro lee . A medida que aumenta que alcanza un valor constante es
,
también aumenta. El punto en el
10. Se obtienen los siguientes parámetros de cierta hoja de datos de un JFET:
= -8
Ve = 5 mA. Determine los valores de ID con cada uno de los valores de desde 0 V hasta -8 V en incrementos de 1 V. Trace la curva de la característica de transferencia con estos datos.
= 1 0 =0 =5 1 8 =5 1 =1 =5 1 8 =3,83 2 =2 =5 1 8 =2,81 3 =3 =5 1 8 =1,95 4 =4 =5 1 8 =1,25 5 =5 =5 1 8 =0,703 6 =6 =5 1 8 =0,313 7 =7 =5 1 8 =0,078 8 =8 =5 1 8 =0
Curva de la característica de transferencia
11. Para el JFET del problema 10, ¿qué valor de en el drenaje de 2.25 mA?
se requiere para establecer una corriente
= 1 =√ 1 = 1√ =8 1 √ 2,525=8 ,329 =, =3200 1 48 = = 1 =2000 1 27 = = 1 = = 12. Para un JFET particular,
= 3200 mS. ¿Cuál es
cuando
= -4 V, dado que
= -8 V?
13. Determine la transconductancia en directa de un JFET polarizado con hojas de datos,
= -7 V y
= -2000 mS con
conductancia de transferencia en directa
= 0 V. Determine también la
.
14. La hoja de datos de un JFET de canal p muestra que Determine la resistencia de entrada.
= -2 V. En las
= 5 nA con
= 10 V.
= = 105 = = 1 0 =0 =8 1 8 = 1 =1 =8 1 5 =, 2 =2 =8 1 5 =, 3 =3 =8 1 5 =, 4 =4 =8 1 5 =, 5 =5 =8 1 5 =
15. Con la ecuación 8-1, trace la curva de la característica de transferencia de un JFET con = 8 mA y
= -5 V. Use por lo menos cuatro puntos.
9 8 7 6 5
D I
4 3 2 1 0
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
-VGS
Curva de la característica de transferencia
Polarización de un JFET 16. Un JFET autopolarizado de canal n tiene una corriente en el drenaje de 12 mA y una resistencia de fuente de 100Ω. ¿Cuál es el valor de
= =12 0,1 =.
?
17. Determine el valor de RS requerido para que un JFET autopolarizado produzca un de -4 V cuando
= 5 mA.
= =54 = = =2,35 =, = = =
18. Determine el valor de RS requerido para que un JFET autopolarizado produzca una 2.5 mA cuando
19.
= -3 V.
= 20 mA y
(a) ¿Cuál es
= -6 V para un JFET particular.
cuando
= 0 V?
cuando
=
(b) ¿Cuál es
?
(c) Si
se incrementa desde = 4 V hasta 1 V, ¿se incrementa o reduce la se incrementa
20. Para cada uno de los circuitos de la figura 8-66, determine
(a)
(b)
==121 1.10 4,=17 =7.3 =0= =0 1 = =7,3 1 =, ==9550,1 0, =0,47 5 =6,65
y
.
?
=
=0= =0 0,5 =, =6,65 0,5 =, 3 0,347 2, =1, ==15 4 1 2 =8, 4 =0= =0 1,41 =, =8,4 1,41 =, ≅2 =, = =9,25 = = 2 = 142 = 10 = = 3,414 3,414 =, =0 , = (c)
21. Con la curva que aparece en la figura 8-67, determine el valor de RS requerido para una corriente en el drenaje de 9.5 mA. El grafico dice que:
a
22. Establezca una polarización del punto medio para un JFET con
= 14 mA y
= -10 V. Use una fuente de cd de 24 V. Muestre los valores de circuito y resistores. Indique los valores de , y .
Ya que
= =−, = = − = − =
419 Ω (El valor estándar más cercano es 430
)
1,7 kΩ (El valor estándar más cercano es 1,8 k )
23. Determine la resistencia de entrada total en la figura.
= 20 nA con
= -10 V.
= ∥ ==2010= =10 ∥500 =,
24. Determine gráficamente el punto Q para el circuito de la figura 8-69(a) con la curva de la característica de transferencia de la figura.
=0 = = ==50330 =0 = =5 330 =1,64 ≅, ≅, Para
Para
Para el grafico de la figura 8-69, el punto Q es: y
25. Localice el punto Q para el circuito de JFET de canal p mostrado en la figura.
=0 =0 = =10 Para
Para
TRANSISTORES DE CAMPO FET
= ==3,109 390 ≅, ≅,
Para el grafico de la figura 8-69, el punto Q es: y
26. Dado que el voltaje de drenaje a tierra en la figura 8-71 es de 5 V, determine el punto Q del circuito.
=9 5 =4 = = 4,47 =0,85 = = 0,85 3,3 =2,81 =+ =12,2,229 =1,62 = =1,62 2,81 =1,19 =, =, =0 = =+ =2,5,25 12 =4,8 =0 , =4,8 = = | | = 3,4,38 =1,45 ≅, , =, Ya que
Punto Q:
,
27. Determine los valores del punto Q para el JFET con polarización mediante divisor de voltaje en la figura 8-72. Para
Para
Los valores del punto Q para el JFET del grafico 8-72 son:
LA REGIÓN ÓHMICA
28. Cierto JFET se polariza en la región óhmica con la resistencia del drenaje a la fuente?
= 0.8 V e
= 0.20 mA. ¿Cuál es
= 1 ≅ = 0,0,208 = ; = = 0,0,456 =, ; = = 0,0,154 =, =1.5 mS1 3,15=, = 1 = 1 = 1,071mS =0,935 → 29. El punto Q de un JFET cambia de
= 0.4 V e mA. Determine el intervalo de valores de RDS.
= 0.15 mA a
= 0.6 V e
Los intervalos son de 1.33 Ω a 2.67 kΩ
30. Determine la transconductancia de un JFET polarizado en el origen dado que mS,
= -1 V y
= -3.5 V.
= 0.45
= 1.5
31. Determine la resistencia de ca del drenaje a la fuente del JFET del problema 30.
El MOSFET
32. Trace los símbolos esquemáticos para los E-MOSFET y los D-MOSFET de canal n y canal p. Marque las terminales.
33. ¿En qué modo opera un D-MOSFET de canal n con un
Esta en modo de mejora o enriquecimiento.
positivo?
34. Describa la diferencia básica entre un E-MOSFET y un D-MOSFET.
Un E-MOSFET no tiene canal físico ni modo de empobrecimiento. Un D-MOSFET tiene un canal físico y puede ser operado en modos de empobrecimiento o enriquecimiento.
35. Explique por qué ambos tipos de MOSFET tienen una resistencia de entrada extremadamente alta en la compuerta.
Porque la compuerta está aislada del canal.
Características y parámetros de MOSFET
10 10 = 12 ⁄ = = =0, 1 2 3 81 = =0,12 ⁄ 6 3 =0,12 ⁄ 3 =0,12 ⁄ 9 = 36. La hoja de datos de un E-MOSFET revela que = -3 V. Determine
cuando
= 10 mA con
= -6 V.
Solución
1,08 mA
37. Determine Solución
dada
= 3 mA,
= -2 V y
= -10 V.
= -12V y
≅ 1 ≅ 1 = 1 32 = 30,64 =, 10 38. La hoja de datos de un cierto D-MOSFET da
= -5 V e
= 8 mA.
(a) ¿Es este dispositivo de canal p o de canal n?
El dispositivo tiene un VGS (corte) negativo; así que
es un MOSFET de canal n.
5 =5 ≅ 1 = 8 1 5 =0 4 =4 ≅ 1 = 8 1 5 =0,32 3 =3 ≅ 1 = 8 1 5 =1,28 2 =2 ≅ 1 = 8 1 5 =2,88 1 =1 ≅ 1 = 8 1 5 =5,12 0 =0 ≅ 1 = 8 1 5 =8 1 =1 ≅ 1 = 8 1 5 =11,52 2 =2 ≅ 1 = 8 1 5 =15,68 3 =3 ≅ 1 = 8 1 5 =20,48 4 =4 ≅ 1 = 8 1 5 =25,92 5 =5 ≅ 1 = 8 1 5 =32 (b) Determine
con valores de
desde -5 V hasta +5 V en incrementos de 1V.
(c) Trace la curva de la característica de transferencia con los datos de la parte b).
Curva de la característica de transferencia
POLARIZACIÓN DE UN MOSFET 39. Determine en qué modo (empobrecimiento, de enriquecimiento o ninguno) se polariza cada uno de los MOSFET mostrados en la figura 8-73.
(a) Empobrecimiento (b) Ninguno (Realimentación del drenaje) (c) Ninguno (Polarización en cero) (d) Empobrecimiento
40. Cada E-MOSFET que aparece en la figura 8-74 tiene un
de -5 V o +5 V,
dependiendo de si es un dispositivo de canal n o uno de canal p. Determine cada uno de los MOSFET está encendido o apagado.
(a) El MOSFET está encendido.
=+ =4700 10000 +10000 10 =, =+ =100001000 +1000 25 =,
(b) El MOSFET está apagado.
41. Determine el
para cada uno de los circuitos de la figura 8-75.
=0 = = =8 =12 8 1 = == =15 8 1, 2 =, =9 8 0,56 =,
= 8 mA.
(a) (b) (c)
42. Determine
y para los E-MOSFET de la figura. La información dada en la hoja de datos aparece con cada circuito.
=3 4700=4 =2 = + =10000 +4700 10 =, 3 3 = 4 2 ⁄ = = =0, 7 5 4 = = 0, 7 5⁄ 3,2 2 =1,08 mA = =10 1,08 1 =, =2 10000=3 =1,5 = + =10000 +10000 5 =, 2 2 = 3 1, ⁄ = = =0, 8 9 5 2, 2 5 = = 0, 8 9⁄ 2,5 1,5 =0,89 mA = =5 0,89 1,5 =, (a)
(b)
43. Basado en las mediciones de
, determine la corriente en el drenaje y el voltaje del drenaje a la fuente para cada uno de los circuitos de la figura.
(a)
(b)
== 12 5 = = 2,2 =, ==, 8 3,2 = = 4,7 =,
44. Determine el voltaje real de la compuerta a la fuente en la figura 8-78 teniendo en cuenta la corriente de fuga en la compuerta . Asuma que las condiciones de polarización existentes.
es de 50 pA e ID es de 1 mA en
= =15 1 8,− 2 =6,8 = =6,8 5 10 22000 =, 45. Explique por qué el
tiene una resistencia de entrada muy alta.
La resistencia de entrada de un IGBT es muy alta a causa de la estructura de compuerta aislada.
46. Explique cómo puede producir una corriente excesiva en el colector para una condición de enganche en un
.
SOLUCIÓN DE FALLAS
47. La lectura de corriente en la figura 8-66(a) repentinamente se reduce a cero. ¿Cuáles son las posibles fallas?
RD o RS abierto, JFET abierto de D a S, VDD = 0 V o conexión a tierra abierta.
48. La lectura de corriente en la figura 8-66(b) repentinamente salta aproximadamente a 16 mA. ¿Cuáles son las posibles fallas?
El JFET está cortocircuitado desde el drenaje (D) a la fuente (S) o VDD ha aumentado.
49. Si el voltaje de la fuente en la figura 8-66(c) se cambia a -20 V, ¿cuál sería la lectura en el amperímetro?
Cambiará muy poco o nada porque le dispositivo está funcionando en la región de corriente constante de la curva característica.
50. Usted obtiene una medición de +10 V en el drenaje del MOSFET de la figura 8-74(a). El transistor está en buen estado y las conexiones a tierra están bien hechas. ¿Cuál puede ser el problema?
El dispositivo está apagado. El voltaje de polarización de puerta debe ser menor que VGS (umbral). La puerta podría estar cortocircuitada o par cialmente en cortocircuito a tierra.
51. Usted obtiene una medición de aproximadamente 0 V en el drenaje del MOSFET de la figura 8-74(b). No hay cortos y el transistor está en buen estado. ¿Cuál es el problema más probable?
El resistor de polarización de 1.0 MΩ está abierto
PROBLEMAS DE LA ACTIVIDAD DE APLICACIÓN
52. Consulte la figura 8-58 y determine el voltaje en el sensor con cada uno de los siguientes valores. (a) 2
(b) 5
(c) 7
(d) 11
53. Consultando las curvas de transconductancia del BF998 mostrado en la figura 8-79,
determine el cambio de cuando la polarización en la segunda compuerta cambia de 6V a 1V y es de 0.0 V. Cada curva representa un valor de diferente.
54. Consulte la figura 8-61 y trace la curva de transconductancia ( vs.
).
55. Consulte la figura 8-79. Determine el voltaje de salida del circuito de la figura 8-61 si
=
= 0 V y R2 se cambia a 50 kΩ.
PROBLEMAS RESUELTOS CON HOJA DE DATOS 56. ¿Qué tipo de FET es el 2N5457?
El 2N5457 es un FET de canal n.
57. Consulte la hoja de datos de la figura 8-14 para determinar lo siguiente:
=, = ax = =
a) El
mínimo para el 2N5457.
b) El voltaje máximo del drenaje a la fuente para el 2N5457. c)
Disipación de potencia máxima para el 2N5458 a una temperatura ambiente de 25°C.
d) El voltaje en inversa de la compuerta a la fuente máxima para el 2N5459.
58. Consulte la figura 8-14 para determinar la disipación de potencia máxima para un 2N5457 a una temperatura ambiente de 65°C.
ax =310 2,82⁄°65°25° = in = = = = ≅, ≅, ≅
59. Consultando la figura 8-14, determine la gm0 mínima para el 2N5459 a una frecuencia de 1 kHz.
60. Consultando la figura 8-14, ¿cuál es la corriente típica en el drenaje en un 2N5459 con = 0 V?
La corriente típica es
61. Consultando la hoja de datos del 2N3796 en la figura 8-80, determine la corriente en el drenaje con
= 0 V.
62. Consultando la figura 8-80, ¿cuál es la corriente en el drenaje para un 2N3796 cuando = 6 V?
63. Consultando la hoja de datos de la figura 8-80, determine = +3 V. Determine
= +3 V,
= -2 V,
cuando
= -2 V.
en un 2N3797 cuando
64. Consultando la figura 8-80, ¿cuánto cambio la transconductancia en directa máxima de un 2N3796 dentro de un intervalo de frecuencias de señal desde 1 kHz hasta 1 MHz?
65. Consultando la figura 8-80, determine el valor típico del voltaje de la compuerta a la fuente la cual el 2N3796 se irá a corte.
=.
PROBLEMAS AVANZADOS 66. Determine datos.
y
en la figura 8-81 utilizando valores mínimos tomados de la hoja de
= 1 = =1.0 =0,5 =66,=366,3 5,6 =, =12 66,3 10 +5,6 = De la hoja de datos del 2N5457
67. Determine la ID y el VGS máximos para el circuito de la figura 8-82.
=13,3,339 = 0,2489 =2,23 = 1 = =16 =8.0 =, =2,23 3,58 1,8 =2,23 6,45 =, De la ecuación
es máximo para
max , así que
68. Determine el intervalo de posibles valores del punto Q desde el mínimo hasta el máximo para el circuito de la figura 8-81. De la hoja de datos del 2N5457
=1.0 =0,5 =, =12 66,3 15,6 =. =5.0 =6.0 = =12 667 15,6 =, Y
69. Determine el voltaje del drenaje a la fuente para el circuito sensor de pH de la figura 859 cuando se mide un pH de 5. Suponga que el reóstato está ajustado para producir 4 V en el drenaje cuando se mide un pH de 7.
=300 = 2,9 1+0,3 ⁄5.0 = 2,9 1,06 =3,26 =15 3,26 2,76 =15 8,99 =, 1 1 = 1 1 1 =2,9 1 5 1 0,345=1 0,5 0,587=1 10,5 0,413= 10,5 =2, =, 06 =963 2,2 5=6, =2,6129 = = =2,96319 +4, 6 2 = 9 6, 963=,=2, 47 =9 963 4,6 =4,57
70. Diseñe un circuito de MOSFET con polarización en cero utilizando un 2N3797 que opere con una fuente de +9 V de cd y produzca un la fuente tiene que ser de 1 mA.
de 4.5 V. La corriente máxima extraída de
Utilizar
Entonces
Así que,
Utilizar
Así que
71. Diseñe un circuito utilizando E-MOSFET de canal n con las siguientes especificaciones incluidas en la hoja de datos:
= 500 mA con
=10V y
= 1 V. Use
un voltaje de alimentación de cd de +12 V con polarización mediante divisor de voltaje. El voltaje en el drenaje con respecto a tierra tiene que ser de +8 V. La corriente máxima suministrada por la fuente tiene que ser de 20 mA.
