Makalah Junction Field Effect Transistor KATA PENGANTAR Segala puji atas kepada Tuhan, karena atas limpahan Rahmat dan Kasih-Nyalah sehingga saya diberikan kesempatan dan kesehatan untuk dapat menyelesaikan makalah “JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR” yang terlaksana dengan baik. Makalah ini membahas tentang apa itu JFET,simbol,sruktur,karakteristik serta prinsip dan cara kerja Junction Field Effect Resistor. Saya menyadari sepenuhnya,dalam penyusunan makalah ini tidak lepas da ri tantangan dan hambatan. Namun berkat kerja keras dan motivasi dari pihak-pihak langsung maupun tidak langsung yang memperlancar jalannya penyusunan makalah ini. Olehnya itu, secara mendalam kami ucapkan banyak terimah kasih atas bantuan dan motivasi yang diberikan sehingga Penyusun dapat menyelesaikan makalah ini. Akhirnya dengan segala kerendahan hati kami menyadari bahwa makalah ini tidak sepenuhnya sempurna. Oleh karena kami dengan lapang menerima saran dan kritikan demi perbaikan kedepannya. Terima kasih.
Medan, 11 Desember 2014
Rafles Sinaga
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Junction Field Effect Transistor (JFET) adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, JFET digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, JFET digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa JFET juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya. Pada masa kini JFET ada dalam setiap peralatan elektronika. Jika memahami dasar kerja transistor maka akan lebih mudah mempelajari cara kerja bebagai peralatan elektronika. JFET merupakan suatu komponen aktif yang dibuat dari bahan semikonduktor yang berfungsi sebagai penguat arus maupun tegangan, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. 1.2 Tujuan
1. 2. 3. 4. 5.
Adapun Tujuan dari pembahasan JFET adalah agar mahasiswa mengetahui lebih dalam tentang JFET,seperti: Memahami defenisi Junction Field Effect Transistor Memahami simbol dan struktur Junction Field Effect Transistor Memahami simbol dan struktur Junction Field Effect Transistor Memahami karakteristik Junction Field Effect Transistor Memahami prinsip dan cara kerja Field Effect Transistor
1.3 Rumusan Masalah Dalam makalah ini membahas tentang: 1. Defenisi dan pegenalan JFET
2. Simbol dan struktur JFET 3. Karakteristik JFET 4. Prinsip dan kerja JFET 5. Soal soal tentang JFET
BAB II PEMBAHASAN 2.1 Pengertian Junction field-effect transistor ( JFET) JFET (junction field effect transistor ) atau yang disebut juga dengantransistor efek medan persambungan merupakan salah satu jenis transistorunipolar yang pengoperasiannya dikendalikan oleh tegangan (voltage-controlled device), tentu hal tersebut sangat berbeda dengan sebuah transistor yangpengoperasiannya dikendalikan oleh arus listrik ( current -controlled device).JFET adalah perangkat semikonduktor tiga terminal yang dapat digunakan sebagai saklar elektronik dikontrol , amplifier , atau resistor tegangan dikendalikan . Tidak seperti transistor bipolar , JFET secara eksklusif tegangan - dikontrol dalam bahwa mereka tidak membutuhkan arus biasing . Muatan listrik mengalir melalui saluran semikonduktor antara sumber dan tiriskan terminal . Dengan menerapkan tegangan bias balik ke terminal gerban g , saluran tersebut " terjepit " , sehingga arus listrik terhambat atau dimatikan sama sekali . Sebuah JFET biasanya pada saat tidak ada perbedaan potensial antara gerbang dan sumber terminal . Jika perbedaan potensial dari polaritas yang tepat diterapkan antara gerbang dan sumber terminal , JFET akan lebih resistif terhadap aliran arus , yang berarti lebih sedikit saat ini akan mengalir dalam saluran antara sumber dan tiriskan terminal . Dengan demikian , JFET kadang-kadang disebut sebagai perangkat penipisan -mode . JFET dapat memiliki tipe-n atau tipe-p channel . Dalam tipe-n , jika tegangan diterapkan ke pintu gerbang kurang dari yang diterapkan ke sumber , saat ini akan berkurang ( sama dalam tipe p , jika tegangan diterapkan ke pintu gerbang lebih besar daripada diterapkan ke sumber ) . Sebuah
JFET memiliki impedansi masukan yang besar ( kadang-kadang di urutan 1.010 ohm ) , yang berarti bahwa ia memiliki efek yang dapat diabaikan pada komponen eksternal atau sirkuit terhubung ke gerbang .
2.2 Simbol dan Konstruksi Junction field-effect transistor ( JFET) Simbol JFET (Junction Field Effect Transistor)
Simbol JFET (junction field-effect transistor) untuk kanal-N dan kanal-P ditunjukkan pada gambar diatas. Dalam simbol tersebut, arah tanda panah pada gate merupakan arah arus pada persambungan seandainya diberi bias maju. Tetapi p erlu diingat bahwa daerah kerja JFET adalah bila persambungan tersebut diberi bias mundur. Oleh karena itulah, ma ka arus gate IG adalah nol (sangat kecil) dan akibatnya resistansi input dari JFET adalah tinggi sekali (dalam orde puluhan mega ohm). Konstruksi JFET (Junction Field Effect Transistor) Kanal N Konstruksi dasar komponen JFET (junction field-effect transistor) kanal-N adalah seperti pada gambar diatas. Terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat dari bahan tipe-N yang membentuk kanal. Bagian atas dari kanal dihubungkan ke terminal yang disebut Drain (D) dan bagian bawah dihubungkan ke terminal yang disebut Source (S). Pada sisi kiri dan kanan dari kanal-N dimasukkan bahan tipe P yang dihubungkan bersama-sama ke terminal yang disebut dengan Gate (G).
2.3 Struktur Junction field-effect transistor ( JFET) JFET adalah sebuah bahan semikonduktor yang cukup panjang, dikotori untuk mendapatkan muatan listrik positif (tipe-p) atau negatif (tipe-n) yang melimpah. Koneksi pada setiap ujung semikonduktor membentuk sumber dan cerat. Saluran gerbang mempunyai pengotoran yang berlawanan dengan kanal yang mengelilinginya, jadi terbentuk pertemuan p-n pada antarmuka. Saluran yang menghubungkan keluar biasanya dibuat ohmik. Gambar dibawah menunjukkan struktur transistor JFET kanal n dan kanal p. Kanal n dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor tipe p. Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah dinamakan Source. Pada kedua sisi kiri dan kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal kedua sisi implant ini terhubung satu dengan lainnya secara internal dan dinamakan Gate. Gambar 1 : Struktur JFET (a) kanal-n (b) kanal-p
Istilah field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor ini yang berkenaan dengan lapisan deplesi ( depletion layer ). Lapisan ini terbentuk antara semikonduktor tipe n dan tipe p, karena bergabungnya elektron dan hole di sekitar daerah perbatasan. Sama seperti
medan listrik, lapisan deplesi ini bisa membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan source. Pada gambar di atas, lapisan deplesi ditunjukkan dengan warna kuning di sisi kiri dan kanan. JFET kanal-n Untuk menjelaskan prinsip kerja transistor JFET lebih jauh akan ditinjau transistor JFET kanal-n. Drain dan Source transistor ini dibuat dengan semikonduktor tipe n dan Gate dengan tipe p. Gambar berikut menunjukkan bagaimana transistor ini di beri tegangan bias. Tegangan bias antara gate dan source adalah tegangan reverse bias atau disebut bias negatif. Tegangan bias negatif berarti tegangan gate lebih negatif terhadap source. Perlu catatan, Kedua gate terhubung satu dengan lainnya (tidak tampak dalam gambar). Gambar 2 : Lapisan deplesi jika gate-source biberi bias negatif Dari gambar di atas, elektron yang mengalir dari source menuju drain harus melewati lapisan deplesi. Di sini lapisan deplesi berfungsi semacan keran air. Banyaknya elektron yang mengalir dari source menuju drain tergantung dari ketebalan lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa menyempit, melebar atau membuka tergantung dari tegangan gate terhadap source. Jika gate semakin negatif terhadap source, maka lapisan deplesi akan semakin menebal. Lapisan deplesi bisa saja menutup seluruh kanal transistor bahkan dapat menyentuh drain dan source. Ketika keadaan ini terjadi, tidak ada arus yang dapat mengalir atau sangat kecil sekali. Jadi jika tegangan gate semakin negatif terhadap source maka semakin kecil arus yang bisa melewati kanal drain dan source.
Gambar 3 : Lapisan deplesi pada saat tegangan gate-source = 0 volt Jika misalnya tegangan gate dari nilai negatif perlahan-lahan dinaikkan sampai sama dengan tegangan Source. Ternyata lapisan deplesi mengecil hingga sampai suatu saat terdapat celah sempit. Arus elektron mulai mengalir melalui celah sempit ini dan terjadilah konduksi Drain dan Source. Arus yang terjadi pada keadaan ini adalah arus maksimum yang dapat mengalir berapapun tegangan drain terhadap source. Hal ini karena celah lapisan deplesi sudah maksimum tidak bisa lebih lebar lagi. Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi positif, karena kalau nilainya positif maka gate-source tidak lain hanya sebagai dioda. Karena tegangan bias yang negatif, maka arus gate yang disebut IG akan sangat kecil sekali. Dapat dimengerti resistansi input (input impedance) gate akan sangat besar. Impedansi input transistor FET umumnya bisa mencapai satuan MOhm. Sebuah transistor JFET diketahui arus gate 2 nA pada saat teganganreverse gate 4 V, maka dari hukum Ohm dapat dihitung resistansi input transistor ini adalah : R in = 4V/2nA = 2000 Mohm Karena struktur yang sama, terminal drain dan source untuk aplikasi frekuensi rendah dapat dibolak balik. Namun biasanya tidak demikian untuk aplikasi frekuensi tinggi. Umumnya JFET untuk aplikasi frekuensi tinggi memperhitungkan kapasitansi bahan antara gate dengan drain dan juga antara gate dengan source. Dalam pembuatan JFET, umumnya ada perbedaan kapasitansi gate terhadap drain dan antara gate dengan source.
JFET kanal-p Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal -n, hanya saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n. Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.
2.4 Karakteristek Junction Field-Effect Transistor JFET Beberapa karakteristik JFET adalah sebagai berikut: Dibuat saluran tipis dari sumber ( source) S ke saluran/pembuangan (drain)D. Sekeliling saluran (channel ) berupa sambungan p-n dengan panjar mundur pada daerah deplesi. Lebar daerah deplesi akan bertambah jika tegangan sambungan dibuat lebih negatif. Kemampuan saluran untuk menghantar (dalam hal ini saluran-n) tergantung lebarnya. Lebar saluran dapat diubah-ubah dengan mengatur lebar daerah deplesi yaitu sepanjang sambungan panjar-mundur. Lebar dari daerah deplesi atau kemampuan menghantar pada saluran dapat dikontrol dengan memberikan tegangan eksternal pada gerbang ( gate) G. Arus yang mengalir pada saluran adalah berupa pembawa muatan yang bergerak (mobile), yaitu dalam hal ini berupa elektron. Perhatikan bahwa tanda panah pada simbol selalu mengarah ke material tipe-n; dengan demikian dapat dibuat juga jenis saluran- p. Dengan > 0 DS v , ujung D akan positif terhadap S dan elektron akan mengalir dari S ke D atau muatan positif mengalir dari D ke S dan arus drain D i berharga positif.
Kurva Karakteristik Drain Kurva karakteristik drain menyatakan besar arus drain (I D) yang terjadi terhadap tegangan drainsource (V DS). Kurva yang terjadi mirip dengan kurva kolektor dari transistor bipolar, hanya variabel pengendalinya yang berbeda yaitu tegangan gate. Pada saat tegangan gate 0V, jika V DD ditambah (V DS juga ikut bertambah), I D akan bertambah sebanding dengan pertambahan tegangan V DS. Pada daerah ini hanya resistansi channel yang berpengaruh. Besarnya resistansi saluran ini dapat diubah dengan memberi tegangan pada gate, sehingga JFET biasa disebut juga sebagai resistor terkendali tegangan. Setelah mencapai nilai tegangan tertentu pertambahan arus berhenti dan I D menjadi konstan meskipun tegangan V DS terus ditambah. Tegangan pada saat arus berhenti bertambah (titik B) dinamakan tegangan Pinch-Off (V P ). Apabila tegangan ini ditambah terus maka pada suatu saat I D akan mulai bertambah dengan sangat cepat dengan sedikit pertambahan tegangan V DS. Keadaan ini dinamakan breakdown (dadal). Biasanya JFET beroperasi pada daerah arus tetap. Rangkaian untuk memperoleh karakteristik JFET ditunjukkan pada gambar 2.5 (a) sedangkan kurva karakteristik Drain ditunjukkan pada gambar 2.5 (b).
Gambar 2.5 (a) Rangkaian bias untuk menggambar karakteristik JFET (b) Karakteristik arus Drain terhadap tegangan V DS.
Apabila gate diberi tegangan (bias balik/negatif), maka nilai konstan arus drain I Dakan berkurang. Semakin negatif tegangan gate arus drain a kan semakin berkurang, sehingga suatu saat akan tercapai harga tegangan dimana arus drain menjadi nol.Tegangan V GS yang menyebabkan arus drain menjadi nol disebut tegangan Cut-Off (V GS(off) ). JFET harus dioperasikan pada daerah antara V GS = 0 dan V GS(off). Pada JFET V GS(off) dan V P selalu sama besarnya, hanya tandanya yang berbeda. Dalam lembaran data biasanya hanya mencantumkan salah satu antara V GS(off) atau V P. Contoh 1: JFET pada gambar 2.5 (a) memiliki V GS(off) = -4V dan I DSS = 12 mA. Tentukan nilai minimum dari tegangan V DD yang dapat menempatkan FET pada daerah arus konstan, jika R D = 560 Ω dan V GS = 0 ! Penyelesaian : Karena V GS(off) = -4 V, maka V P = 4V, yang merupakan juga nilai minimum dari V DS agar FET bekerja memiliki arus yang konstan. Dengan V GS = 0, maka arus konstannya adalah I DSS = 12 mA. Tegangan yang ada pada R D akan sama dengan V RD = (12mA)(560Ω) = 6,7 V Dengan demikian tegangan V DD harus sama dengan V DD = V DS + V RD = 4V + 6,7V = 10,7 V Nilai tegangan ini adalah nilai minimum V DD untuk membuat V DS = V P dan menempatkan FET pada daerah arus konstan.
Kurva Transkonduktansi JFET Karakteristik transkonduktansi JFET berhubungan langsung dengan karakteristik drain. K eduanya memiliki sumbu Y yang sama yaitu arus drain (I D), seperti ditunjukkan pada gambar 2.6. Kurva ini tidak berupa garis lurus, yang menyatakan bahwa hubungan antara arus keluaran dan tegangan masukan tidak linier. Jadi transkonduktansi adalah kurva yang menunjukkan perbandingan antara arus drain (I D) dengan tegangan gate-source (V GS). Transkonduktansi adalah besaran AC, sehingga nilainya berbeda untuk setiap titik kurva, dan bisa dihitung dengan perubahan kecil pada arus drain (I D) dibagi dengan perubahan kecil pada tegangan gatesource (V GS)
Resistansi dan Kapasitansi Input JFET beroperasi dengan tegangan bias balik pada gate-source, sehingga resistansi input pada gate sangat tinggi. Resistansi input yang tinggi ini merupakan keuntungan ba gi JFET bila dibandingkan dengan transistor bipolar. Lembaran data sering mencantumkan resistansi input JFET pada nilai arus balik gate yang ditentukan, I GSS pada tegangan gate-source tertentu, sehingga resistansi input dapat dihitung dengan persamaan di bawah ini
Sebagai contoh lembaran data JFET 2N5457 memberikan nilai maksimum dari V GS = -15V adalah IGSS = 1nA pada suhu 25 0C, maka resistansi inputnya adalah
Sementara itu kapasitansi input JFET, C iss, lebih besar daripada kapasitansi input pada transistor bipolar yang disebabkan oleh bias balik PN junction. Sebagai contoh untuk JFET 2N5457 memiliki Ciss maksimum 7 pF untuk V GS = 0 V. Contoh 2: Lembaran data untuk JFET N-Channel MPF3821 menunjukkan nilai maksimum dari I GSS = -0,1nA pada 250C untuk V GS = -30V dan nilai maksimum dari I GSS = -100nA pada 150 0C untuk V GS = -30V. Tentukan resistansi input minimum pada 25 0C ! Penyelesaian :
2.5 Data Sheet JFET Seperti juga transistor bipolar maka komponen JFET juga memiliki lembaran data yang menunjukkan karakteristik dari komponen tersebut. lihat lah data sheet
JFET 2N5457.
2.6 Metode Pembiasan JFET
Pembiasan sendiri (Self Biasing) Membias JFET relatif mudah. Untuk menetapkan reverse bias bagi gate, dapat dengan menggunakan cara pembiasan sendiri, seperti ditunjukkan pada gambar 2.7. Gate dibias 0V dengan resistor R G yang dihubungkan dengan ground. Meskipun akan terjadi arus bocor yang sangat kecil pada R G, akan tetapi dapat diasumsikan bahwa tidak ada arus pada R G sehingga tidak ada tegangan jatuh pada R G. Kegunaannya adalah untuk menetapkan agar tegangan gate 0V tanpa d ipengaruhi oleh sinyal ac yang akan diumpankan nantinya. Untuk mendapatkan tegangan negatif pada gate d apat dibuat dengan menerapkan tegangan positif pada source. Pada N-channel JFET dalam gambar 2.7, I D akan menghasilkan sebuah tegangan jatuh pada R S, sehingga terminal source menjadi positif terhadap ground. Karena V G = 0V dan V S = IDR S, maka tegangan gate-source adalah
V GS = V G – V S = 0 – I D R S sehingga V GS = -I D R S Hasil ini menunjukkan bahwa tegangan gate-source adalah negatif, sehingga merupakan reverse bias. Tegangan drain terhadap ground ditentukan sebagai berikut :
V D = V DD - I D R D Karena V S = IDR S, maka tegangan drain-source adalah
V DS = V D - V S V DS = V DD – I D (R D + R S ) Contoh 3 : Tentukan tegangan V DS dan V GS pada gambar 2.8 jika diketahui nilai-nilai sebagai berikut : V DD=10V, R D=1KΩ, R G=10MΩ dan R S=220Ω, dan arus drain yang dihasilkan adalah 5mA! Penyelesaian : V S = IDR S = (5mA)(220Ω) = 1,1 V. V D = V DD – IDR D = 10V – (5mA)(1KΩ) = 5 V. Sehingga V DS = V D – V S = 5V – 1,1V = 3,9 V. Dan V GS = V G – V S = 0 – 1,1V = -1,1V. Gambar 2.7. Rangkaian Pembiasan Sendiri (Self Biasing) Kurva transkonduktansi bisa digunakan untuk menentukan berapa nilai resistansi untuk pembiasan sendiri (self biasing) R S. Misalnya kita memiliki JFET MPF 3821 yang memiliki kurva transkonduktansi seperti pada gambar 2.8. Gambar garis lurus mulai dari titik asal ke titik dimana V GS(off) = (-4V) dan dengan IDSS = 2,5 mA. Kemiringan garis ini digunakan untuk menentukan nilai R S yaitu Nilai mutlak dari V GS yang digunakan dalam perhitungan. Hasilnya adalah nilai R = 1,6 K dengan toleransi 5% dapat digunakan. Atau kalau menggunakan resistansi dengan toleransi 10% bisa menggunakan 1,5K. Titik potong antara garis R dengan kurva transkonduktansi menghasilkan titik Q.
Contoh 4: Sebuah JFET 2n5457 memiliki spesifikasi sebagai berikut : I DSS(min) = 1 mA, I DSS(maks) = 5 mA, V GS(off)(min) = 0,5V dan V GS(off)(maks) = -6V. Tentukan resistansi untuk pembiasan sendiri bagi JFET ini ! Penyelesaian : Nilai-nilai resistansi yang mungkin untuk JFET ini adalah
Pilihan yang bagus adalah 820 Ω yaitu nilai standar resistansi yang ada di antara kedua nilai ekstrim tersebut. Untuk membuktikannya, gambarkan resistansi ini pada kurva transkonduktansi sehingga diperoleh titik Q minimum dan maksimum. Dari gambar tersebut terlihat jelas bahwa resistansi 820 Ω adalah pilihan yang tepat, baik pada saat titik Q minimum maupun maksimum. Gambar 2.9. Kurva Transkonduktansi dengan titik Q minimum dan maksimum Contoh 5 : JFET MPF3821 yang ditunjukkan pada gambar 2.10 (a) memiliki kurva transkonduktansi seperti gambar 2.10 (b). Dari kurva tersebut tentukan V S dan ID ! Dari hasil ini tentukan nilai V DS !
Penyelesaian : Gambarkan garis yang menyatakan R = 2 K , dari titik 0 ke titik (-4V,2mA). Dar i gambar tersebut (gambar 2.11 (a)) dapat dilihat bahwa V GS = -1,8V dan I D = 0,8mA. Karena V G = 0 dan V S=1,8V, maka V RD = ID.R D = (0,8mA)(2,7KΩ) = 2,16V. V D = V DD – V RD = 9V – 2,16V = 6,84V. V DS = V D – V S = 6,84V – 1,8V = 5,04V. Hasil perhitungan ini dapat digunakan untuk menggambar garis beban pada kurva drain (gambar 2.11 (b)). Gambar 2.11 (a) Kurva transkonduktansi untuk contoh 5 (b) Garis beban JF ET pada kurva Drain
2.7 Prinsip dan Cara Kerja Junction Field Effect Transistor (JFET) Prinsip Kerja JFET Kanal N
Pada saat semua terminal JFET Kanal N belum diberi tegangan bias dari luar, maka pada persambungan P dan N pada kedua gate JFET Kanal N terdapat daerah pengosongan. Hal ini terjadi sebagaimana pada pembahasan junction dioda. Pada daerah pengosongan JFET Kanal N tidak terdapat pembawa muatan bebas, sehingga tidak mendukung aliran arus sepanjang kanal. Apabila antara terminal D dan S JFET Kanal N diberi tegangan positip (VDS = positip) dan antara terminal G dan S diberi tegangan nol (VGS = 0), maka persambungan antara G dan D mendapat bias negatip, sehingga daerah pengosongan JFET Kanal N semakin lebar. Sedangkan persambungan antara G dan S daerah pengosongannya tetap seperti semula saat tidak ada bias. Untuk membuat VGS = 0 adalah dengan cara menghubungkan terminal G dan terminal S pada JFET Kanal N . JFET Kanal N Dengan VGS = 0 Dan VDS >0
Prinsip Kerja JFET Kanal P
Seperti Transisitor BJT, jenis Transistor JFET kanal n dan kanal p mempunyai struktur yang sama namun berbeda pada susunan semikonduktor p dan semikonduktor n nya, oleh karena itu Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n. Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.
Daerah operasi JFET Gambar Karakteristik keluaran JFET JFET mempunyai empat daerah operasi antara lain: ● Ohmic Region – Ketika VGS = 0 celah deplesi dari kanal sangat kecil, pada daerah ini karakteristik JFET mengikuti Hukum Ohm. ● Cut-off Region – Daerah ini juga dikenal dengan pinch-off region dimana tegangan Gaete,pada daerah ini JFET bersifat seperti rangkaian terbuka (open circuit) dimana kanal mencapai resistansi maksimum ● Saturation or Active Region – JFET menjadi konduktor yang dikontrol oleh tegangan Gate-Source, ( VGS ). ● Breakdown Region – Tegangan antara Drain dan Source, ( VDS ) sangat tinggi sehingga bisa menyebabkan transistor rusak dan menyebabkan araus maksimal yang tidak terkontrol. Gambar Kurva karakteristik Transfer dan Karakteristik Arus Drain
BAB III PENUTUP 3.1 Saran Di dalam makalah ini di jelaskan dibahas secara secara rinci Junction Field EffectTransistor , untuk itu makalah ini diharapkan dapat memban tu memahami tentang Junction Field Effect Transistor dalam pembelajaran Elektronika Dasar. Penulis menyadari,makalah ini masih jauh dari kesempurnaan. Penulis mengharapkan kritik dan saran yang bersifat membangun. 3.2 Kesimpulan Kesimpulan dari makalah ini adalah : JFET dibagi menjadi N-Channel dan P-Channel. JFET memiliki tiga terminal yaitu drain, gate dan source yang ekivalen dengan kolektor, basis dan emitor
pada transistor. JFET memiliki resistansi input yang sangat tinggi sesuai dengan tegangan balik pada gate – source. JFET adalah komponen yang bersifat normally on. Arus drain dikendalikan dengan tegangan bias pada gate-source. Kurva karakteristik drain untuk JFET dibagi dalam daerah ohm dan daerah arus konstan. Kurva transkonduktansi JFET digambarkan arus drain sebagai fungsi terhadap tegangan negatif gatesource. Rangkaian pembiasan JFET adalah self bias, voltage-divider bias dan current source bias.
DAFTAR PUSTAKA Albert Paul Malvino, M. Barmawi, M.O. Tjia, 1986, Prinsip-Prinsip Elektronika, Jilid 1, Edisi ketiga, Erlangga, Jakarta. Michael Tooley, Irzam Harmein, 2003, Rangkaian Elektronik Prinsip dan Aplikasi , edisi kedua, Erlangga, Jakarta. Robert T. Paynter, 2006, Introductory Electronic Devices and Circuits Conventional Current Flow, seventh edition, Prenhall Inc. New Jersey USA. Thomas Floyd, David Buchla, 2002, Fundamentals of Analog Circuits, second edition, Prentice Hall Inc. New Jersey, USA. www.alldatasheet.com www.electroniclab.com www.hobbyprojects.com
