UJT (Uni Junction Transistor) Transistor) Uni Juncti Junction on Trans Transisto istorr (UJT) (UJT) merupa merupakan kan kompon komponen en semiko semikondu ndukto ktorr yang yang terdiri terdiri atas hubungan PN. Tipe P dihubungkan dengan Emitor, sedangkan tipe N membentuk Basis B1 dan B. !omponen ini dikena" dengan nama #$ioda $ua Basis%. Bahan dasar terbuat dari si"ikon. &ambar '1(a) menunukkan susunan dasar UJT. !irakira !irakira di tengah batang si"ikon (materi tipe N) terdapat"ah terdapat"ah materi tipe P, ini akan bekera sebagai emitor E, adi pada tabung tersebut terdapat unction PN. *angkaian pengganti susunan dasar UJT terdapat pada gambar '1 berikut ini +
Gambar 4.16. Susunan dasar UJT
(a) Susunan dasar (b) Rangkaian ekivalen (c) Simbol
a. Sifat asar UJT Transistor enis ini dapat dipandang sebagai suatu pembagi tegangan yang terdiri dari dua buah tahanan berderet yaitu * B1 dan * B. dapun pertemuan antara PN bekera sebagai dioda. $ioda akan menghantar-konduksi bi"a diberi tegangan bias mau. (or/ard Bias) , seba"iknya dioda tidak akan menghantar bi"a diberi tegangan mundur (*e0erse Bias). b. !ara !arakt kter eris isti tik k UJT UJT UJT hanya mempunyai satu unction PN, sehingga krakteristik dari komponen ini sangat berbeda dengan komponen komponen yang "ain, seperti gambar ' berikut ini+
Gambar 4.1" !arakteristik UJT
$ari &ambar ', karakteristik UJT tersebut ada"ah+
1) $i titik puncak (peak point) p dan titik "embah (0a""ey point 0, "engkung karakteristik mempunyai ke"andaian (s"ope) 2 3. rtinya di titik ini "engkung tidak naik dan uga tidak tidak turun. ) $a"am daerah di kiri p, tidak menga"ir arus emitor 4E, sebab antara emitor dan basis 1 ada tegangan muka terba"ik (ri0erse bias). $aerah di kiri p ini dinamai daerah sumbat. 5) $a"am daerah di kanan p ada arus emitor, sebab antara emitor dan basis 1 ada tegangan muka mau (6or/ard bias). 7) $i antara titiktitik p dan 0, kenaikan arus 4 E menyebabkan turunnya tegangan E. 4ni berati bah/a da"am daerah ini terdapat per"a/anan negati6 (tahanan negati6). 8) 9ete"ah me"e/ati titik "embah 0, kenaikan 4E dibarengi dengan kenaikan E. $aerah ini dimakan daerah enuh (saturasi). ') $a"am ha" ini p ditentukan o"eh+ a) Tegangan antara B1 B . b) Tegangan muka mau (6or/ard bias) di antara emitor dan basis B 1 atau tegangan pada dioda. c. #rinsi$ !er%a UJT Prinsi6 kera UJT tidak "ain sebagai sak"ar input dari enis transisitor, ini diambi" ari Emitor yang mempunyai tahanan. Tahanan ini mempunyai ni"ai yang cepat enurun ika tegangan input naik sampai "e0e" tertentu. *angkaian eki0a"ennya dapat i"ihat pada gambar '5 berikut ini+
Gambar 4.1& . Rangkaian ekivalen UJT
:ara !era UJT 1) Tahanan antara emitor dengan basis 1 yaitu * B1 dan antara emitor dengan basis da"ah * B. Jum"ah kedua tahanan ini disebut tahanan antar basis (interbase esistant) * BB. * BB 2 * B1 ; * B , * 1B < * B Ni"ai dari * B1 berbanding terba"ik terhadap arus emiter 4E, sehingga dipasangresistor 0ariabe". ) * B1 dan * B merupakan pembagi tegangan, sehingga tegangan pada * B1 ada"ah + * B1 2 * B1 - * BB = BB ) ntara termina"termina" B1B diberi tegangan B1 B 2 > o"t. ?aka teradi"ah pembagian tegangan anatara * B1 dan * B.
9eperti gambar '5, cara keranya ada"ah sebagai berikut+
1) ?u"amu"a tegangan catu pada emiter sama dengan no", maka dioda emitter berada da"am keadaan *e0erse bias. Bi"a tegangan ini diperbesar maka E akan ikut bertambah besar, tetapi emiter tidak akan menghantar sebe"um E <B1 ; k.( k 2 !nee o"tage dari $ioda tersebut). ) 9ete"ah E < B1 ; k, maka dioda da"am keadaan or/ard bias dan mu"ai menghantar. @"eh kerena daerah P mendapat doping yang berat, sedangkan daerah N mendapat doping yang ringan, maka pada saat 6or/ard bias banyak ho"e dari daerah P ini yang tidak dapat berkombinasi dengan e"ektron bebas dari daerah N 5). Ao"eho"e tersebut akan merupakan suatum pemba/a muatan positi6 pada daerah basis 1 (B1) teradi hubung singkat. 7). $ari sini e"as bah/a Emitor pada UJT ber6ungsi sebagai sak"ar dan sak"ar ini akan tetap tingga" tertutup se"ama arus Emitor masih "ebih besar dari suatu harga tertentu yang disebut Ca""ey :urent%. 4. #UT (#rogrammable Uni%unction Transistor) PUT ada"ah Uni Junction Transistor yang diprogram. Programmab"e Uniuntion Transistor berguna da"am pembuatan osi"ator dengan tegangan yang dapat di !enda"ikan
Gambar 4.1' !onstruksi dasar dan Simbol #UT
&erbang ini se"a"u dipanar positi6 terhadap katodanya. Bi"a anoda mendapat tegangan gerbang sekitar 3,D 0o"t maka unction PN menadi 6or/ard bias dan PUT menadi on, sedang bi"a tegangan anodanya atuh diba/ah "e0e" ini maka PUT menadi o66. a. #rinsi$ !er%a dan !arakteristik #UT &erbang ini dapat dipanar sesuai tegangan yang diper"ukan dengan memakai memakai pembagi tegangan, bi"a tegangan anodanya mencapai "e0e" yang te"ah diprogramkan ini, maka PUT akan on.
Gambar 4. (a) *onto+ rangkaian $an%ar #UT (b) !urva karakteristik #UT
!arakteristik dari PUT ini sama seperti UJT sehingga PUT dapat dipakai sebagai pengganti UJT. 9a"ah satu sirkitnya ada"ah sbb +
Gambar 4.1 . Rangkaian UJT (a) Rangkaian (b) ,entuk -ut$ut
Prinsip keranya sebagai berikut+ &erbangnya dipanar pada tegangan ; > dengan menggunakan pembagi tegangan * dan* 5. pabi"a sumber $c dihubungkan, PUT masih da"am keadaan o66 dan kapasitor mengisi muatan sampai ; 1 0o"t me"a"ui *1. pabi"a tegangan kapasitor sudah mencapai ni"ai & ; 3,D 0o"t maka PUT konduksi (@n) dan kapasitor akan mengosongkan muatan dengan cepat me"a"ui tahanan dari PUT yang rendah terus ke *7 se"ama pengosongan ini. !eadian ini akan beru"ang sesuai /aktu pengisian dan pengosongan kapasitor.
