LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS ELECTRÓNICO S I
EXPERIENCIA EXPERIENCI A N° 5
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
EXPERIENCIA N° 5 ELTRANSITOR BIPOLAR NPN.CARACTERISTICAS BASICAS
I.
OBJETIVOS
II.
EQUIPOS Y MATERIALES
III.
Verificar las condiciones condiciones de un transistor bipolar PNP. Comprobar las características características de Funcionamiento Funcionamiento de un transistor bipolar NPN
Osciloscopio Fuente de poder DC Multímetro Microamperímetro Miliamperímetro Cables de conexión diversos 01 transistor transist or 2N4646 ó 2N3904 Resistores: Re=220 Ω, Rc=1K Ω,R1=56K Ω, R2=22K Ω Condensadores: C i=0.1µF, Co=0.1µ, Ce=3.3µF. Potenciómetro de 1MΩ (p1) 1MΩ (p1) 01 computadora con Multisim
INFORME PREVIO
1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento funcionami ento de un transistor bipolar. 2. De los manuales, obtener los datos de los transistores transistor es bipolares: 2N3904, AC127, 25C784Y, 25C784Y, TR59 y 2N2222. 3. Realizar el análisis teórico de los circuitos mostrados Determinar el punto de operación del circuito del experimento.
IV.
PROCEDIMIENTO 1. Considerando los valores nominales de los componentes componente s utilizados, realizar la simulación del circuito mostrado en la figura 5.1. Considere todos los casos indicados en el paso 3. Llenar los valores correspondientes en las tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5
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EXPERIENCIA N° 5
2. Verificar el estado operativo del transistor, usando la función ohmímetro del multímetro. Llene la tabla 5.1 Tabla 5.1
Resistencia Base – Emisor Base – Colector Colector – Emisor
Directa
Inversa
3. Implementar el circuito de la figura 5.1
Figura 5.1
a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic), el emisor (I e) y la base (Ib) cuando el potenciómetro P1 está ajustado para tener una resistencia de 0Ω. b. Medir las tensiones entre el colector –emisor (Vce), entre base –emisor (Vbe) y entre emisor –tierra (Ve). c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 5.2 d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los datos en la tabla 5.3 e. Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ. Observar lo que sucede con las corrientes I b y con la tensión V c (usar Re=0) llenar la tabla 5.4. f. Ajustar el generador de señales a 50mV pp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar la salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5. Tabla 5.2
Valores (R1=56KΩ) Teóricos Simulados Medidos
Ic(mA)
2
Ie(mA)
Ib(uA)
Vce
Vbe
Ve
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Tabla 5.3
Valores (R1=68KΩ) Teóricos Simulados Medidos
Ic(mA)
Ie(mA)
Ib(uA)
Vce
Vbe
Ve
Ib(uA)
Vce
Vbe
Ve
Tabla 5.4
Ic(mA)
Valores P1 = 100KΩ
Ie(mA)
Teóricos Simulados Medidos
P1 = 250KΩ
P1 = 500KΩ
P1 = 1MΩ
Tabla 5.5
Vi R1=56KΩ
R1=68KΩ
V.
Vo
Av
Vo
Av(sin Ce)
Teóricos Simulados Medidos Teóricos Simulados Medidos
CUESTIONARIO
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación operativa con el multímetro en función ohmímetro. 2. Representar la recta de carga en un grafico I c vs Vce del circuito del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y 5.4. 3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 5.2 y 5.3? 4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R 1 a 150KΩ? Explicar los valores e indicar el valor teórico. 5. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor PNP).
VI.
OBSERVACIONES
VII.
Anote sus observaciones o recomendaciones (si las tuviera)
BIBLIOGRAFÍA
Listar la bibliografía considerada para el desarrollo de la experiencia
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