DEBER DE ELECTRONICA I Nota: Debe ser entrega gado do a los los técnicos de laboratorio de la EIE(Laboratorio de Electrónica), asta el d!a "#e$es %& de 'ao a las %** 1. Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen conductor y en qué forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el arseniuro de galio. 2. Con sus prop propias ias palab palabras, ras, dena dena un materi material al intrn intrnsec seco, o, coec coecient iente e de temperatura negati!o y enlace co!alente. ". Consulte su biblioteca de referencia y #aga una lista de tres materiales que teng tengan an un coec coecie ient nte e de temp tempera eratu tura ra negat negati! i!o o y de tres tres que que teng tengan an un coeciente de temperatura positi!o. $. %escriba la diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p. &. %escriba la diferencia entre impure'as de donadores y aceptores. (. %escriba la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios. ). %esc %escri riba ba con con sus sus prop propia ias s pala palabr bras as las las cond condic icio iones nes esta establ blec ecid idas as por por condiciones de polari'ación en directa y en in!ersa en un diodo de unión pn y cómo se !e afectada la corriente resultante. *. %escriba cómo recordar+ los estados de polari'ación en directa y en in!ersa del diodo de unión pn. s decir, -cómo recordar+ cual potencial positi!o o negati!o/ se aplica a cual terminal0 . n la región de polari'ación en in!ersa la corriente de satur ación de un diodo de silicio es de alrededor de .1 34 5 6 27C/. %etermine su !alor aproximado si la temperatura se incrementa $7C. 1. Compare las caractersticas de un diodo de silicio y uno de germanio y determine cu+l preferira utili'ar en la mayora de las aplicaciones pr+cticas. %é algunos detalles. Consulte la lista del fabricante y compare las caractersticas de un diodo de silicio y de uno de germanio de caractersticas nominales m+ximas similares. 11. %escriba con sus propias palabras el signicado de la palabra ideal como se aplica a un dispositi!o o a un sistema.
12. %escriba con sus propias palabras las caractersticas del diodo ideal y cómo determinan los estados de encendido y apagado del dispositi!o. s decir, describa por qué los equi!alentes de cortocircuito y circuito abierto son correctos. 1". -Cu+l es la diferencia importante entre las caractersticas de un interruptor simple y las de un diodo ideal0 1$. %etermine la resistencia est+tica o de cd del diodo comercialmente disponible de la gura 1 con una corriente en directa de 2 m4.
8igura 1 1&. 9epita el problema anterior compare los resultados.
con una corriente en directa de 1& m4 y
1(. %etermine la resistencia est+tica o de cd del diodo comercialmente disponible de la gura 1 con un !oltaje en in!ersa de 1 :. -Cómo se compara con el !alor determinado con un !oltaje en in !ersa de " :0 1). %etermine la resistencia de ca promedio para el diodo de la gura 1 en la región entre .( : y . :.
1*. %etermine la resistencia de ca para el diodo de la gura 1 con .)& : y comp+rela con la resistencia de ca promedio obtenida en el problema anterior. 1. %etermine el circuito equi!alente lineal por segmentos del diodo de la gura 1. ;se un segmento de lnea recta que intersecte el eje #ori'ontal en .) : y aproxime lo mejor que se pueda la cur!a correspondiente a la región mayor que .) :. 2. %escriba con sus propias palabras cómo dieren las capacitancias de difusión y transición.
