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PRESENTACIÓN Este libro tiene como objetivo proporcionar a los alumnos de informática principios básicos sobre campos electrostáticos, Teoría de Circuitos y Disposit Electrónicos y Fotónicos. El manejo de estos conceptos permitirá a los alun comprender algunos de los conceptos estudiados en los últimos temas de F111 mentos de Sistemas Digitales y, por supuesto, el funcionamiento de alguno: los dispositivos utilizados en informática. Hay que decir que la mayoría dE libros existent es dedicados a electrostática no llegan a estudiar los disposit electrónicos y fotónicos ni las puertas lógicas necesarias a la hora de impleme cualquier circuito electrónico y además, presentan un enfoque físico. El contenido de este libro se dividen en tres partes: PARTE
l:
ELECTROMAGNETISMO
El electromagnetismo es el estudio de los fenómenos eléctricos y 111agnéticos ca dos por cargas eléctricas en reposo o en movimiento. Un campo eléctrico vari con el tiempo está acompañado por un campo magnético, y viceversa. En o palabras, los campos eléctricos y magnéticos variables con el tiempo están plados, produciendo un campo electromagnético. Las fuerzas electromagnéticas controlan la estructura de los átomos y de te los materiales, y la luz . El electromagnetismo está en la base de la producció: energía eléctrica, la radio, la TV 1 la informática y los medios de telecomunicac por lo que podemos decir que juega un papel crucial en nuestra vida. Nos ponemos abordarlo de forma sencilla, sin gran aparato matemático, para h comprensibles algunas de sus características más importantes. Los dos primeros capít ulos de esta primera parte, presentan el desarrollo d teoría del campo electrostático 1 es decir, de cargas eléctricas en reposo resp al observador. Las leyes y teoremas que vamos a estudiar tienen su orige1 fenómenos observados macroscópicamente, y es precisamente desde este punt vista como van a ser estudiadas. El tercer capítulo se dedica al estudio dE campos magnéticos. PARTE
II:
TEORÍA DE CIRCUITOS
La Teoría de Circuitos es aquella parte que comp~ende los fundamentos pa1 estudio de los circuitos eléctricos p ermitiendo calcular los niveles de t ensión) rriente en cada punto de un circuito en respuesta a una determinada excitac
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Realmente, la Teoría de Circuitos es una simplificación de la Teoría Electromagnética de Maxwell la cual se basa en considerar las corrientes cuasiestacionarias, lo que implica que sólo puede aplicarse cuando la longitud de onda de las señales (ondas electromagnéticas) presentes en el circuito es mucho mayor que las dimensiones físicas de éste. Esto quiere decir, que la propagación de las ondas en el rcuito es instantánea. as bases de esta parte están en la Ley de Ohm y las leyes de Kirchhoff, las cuales ron aplicadas inicialmente a corrientes que no varían con el tiempo debido a 1tilización de generadores de corriente continua tales como las pilas eléctricas . . embargo, cuando apareció la corriente alterna la teoría tuvo que adecuarse a ,gnitudes que varían de forma sinusoidal con el tiempo lo que introdujo el uso vectores estacionarios o fasores. sta parte de la asignatura se ha dividido en tres capítulos. El primero se dedica estudio de los circuitos de corriente continua. Es en este capítulo donde se 1alizarán las distintas reglas para el análisis de los circuitos eléctricos. En el ~gundo capítulo se analiza el comportamiento de los circuitos cuando en ellos se ~oduce un cambio brusco de las condiciones, por ejemplo, cuando se cierra un ' tterruptor. Finalmente, el tercer capítulo se centra en el estudio de los circuitos ~ corriente alterna. ARTE 111: DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS
1
na vez adquirida la base para entender los circuitos, esta última parte de la ügnatura se centra en el estudio de los dispositivos electrónicos y los dispositivos itónicos. Los dispositivos electrónicos (diodos, transistores bipolares y transistores de efect o campo) se emplean en la síntesis de los operadores lógicos (AND, OR, NOT, NAND y NOR) que serán utilizados en el diseño de un sist em a digital. El propósito final es estudiar las distintas familias lógicas. Cada~ familia lógica corresponde a una forma específica de diseñar los operadores básicos. Este estudio nos va a proporcionar los argumentos físicos para la caracterización de los circuitos lógicos en términos de parámetros tales como la velocidad o consumo. Por consiguiente, es el puente con la Electrónica Digital donde ya no se hace referencia a las estructuras internas de las puertas lógicas pero se depende de la solución t ecnológica usada en la implementación. De hecho, una parte importante de las prestaciones de un sistema de cálculo dependen de la familia lógica usada en la síntesis de sus memorias y unidades de proceso.
X
Los dispositivos fotónicos se emplean en la transmisión de información. Entre éstos encontramos los láseres que transforman la energía eléctrica en energía óptica; los fotodetectores que producen una señal eléctrica al detectar una señal óptica y las células solares que convierten la energía óptica en eléctrica. El propósito de esta parte es presentar al alumno los fundamentos físicos de los dispositivos fotónicos. El primer capítulo de esta tercera parte, se centra en el estudio de la conducción eléctrica en los semiconductores para, a continuación, analizar el comportamiento de los distintos dispositivos electrónicos. En el segundo capítulo se presentan las distintas familias lógicas. Finalmente 1 en el tercer capítulo se describen· los fundamentos físicos que permiten entender el funcionamiento de los dispositivos fotónicos.
XI
Índice general I
Electromagnetismo
1. Campos Electrostáticos
1.1. Carga eléctrica .. . . 1.1.1. Cuantificación de la carga
l. 1.2. Conservación de la carga 1.1.3. Cargas eléctricas puntuales y distribuciones continuas de carga eléctrica . . . . . . . . . . . . 1.1.3.1.
Densidad lineal de carga
1.1.3.2.
Densidad superficial de carga
1.1.3.3.
Densidad volumétrica de carga
1.2. Fuerza eléctrica: Ley de Coulomb 1.2.1. Fuerza eléctrica entre dos cargas puntuales 1.2.2. Principio de superposición lineal . . . . . . 1.2.3. Fuerza eléctrica ejercida por un sistemas de cargas punt uales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 1.2.4. Fuerza éléctrica ejercida por distribuciones continuas de carga . 1.3. Campo Eléctrico 1.3. l. Campo eléctrico creado por una Cq,rga puntual 1.3.2. Campo eléctrico de un sistema de cargas puntuales
X
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
1.3.3.
Campo eléctrico de distribuciones continuas . . . . . .
22
1.3.4. Movimiento de cargas puntuales en campos eléctricos .
27
1.4. Los dipolos eléctricos . . . . . . . . . . . . . .
1.4.1. Campo eléctrico creado por un dipolo 1.4.2.
Comportamiento de los dipolos dentro de un campo eléctrico . . . . . .. .
29
30 32
1.5. Las líneas del campo eléctrico
34
1.6. Ley de Gauss . . . . . .
36
1. 7. Conductores y aislantes
49
1.8. Resumen y Ecuaciones Básicas
51
1.9. Ejercicios de Autoevaluación.
53
Potencial Eléctrico
59
2.1. Pote11fial eléctrico
61
2.1.1. Potencial eléctrico de un sistema de cargas puntuales
63
2.1.2. Potencial eléctrico de distribuciones continuas de carga .
64
2.2. Superficies equipotenciales . . .
70
2.3. Energía potencial electrostática
71
2.4. Capacidad . . . . . . . . . . . .
74
2.5. Almacenamiento de la energía eléctrica .
75
2.6. Condensadores . . . . . . . . . . . . . .
78
2.6.1.
Condensadores de placas planas paralelas
78
2.6.2.
Condensadores cilíndricos
80
2. 7. Asociación de condensadores . . .
83
2.7.1.
Condensadores en paralelo .
83
2.7.2.
Condensadores en serie .
85
2.8. Dieléctricos . . . . . . . . . . .
89
2.8.1. Estructura molecular de un dieléctrico
XIV
89
ÍNDICE GENERAL
2.8.2. Ley de Gauss en dieléctricos .
91
2.8.3. Dieléctricos en condensadores
92
2.8.4. Condensadores con varios dieléctricos .
94
2.8.5. Energía almacenada en condensadores con dieléct~icos 2.9. Resumen y Ecuaciones Básicas 2.10. Ejercicios de Autoevaluación .
· 95 . 100 102
3. Campos Electromagnéticos
109
3.1. Imanes . . . . . . . . . · ..
. 111
3.2. Fuerza ejercida por un campo magnético
. 111
3.2.l. Fuerza ejercida por un campo magnético sobre una carga móvil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111 3.2.2. Fuerza ejercida por un campo magnético sobre una corriente eléctrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114 3.2.3. Fuerza ejercida por un campo magnético sobre una espira rectangular . . . . . .
118
3.2.4. Energía en las espiras
121
3.3. Líneas de campo magnético
122
3.4. Efecto Hall . . . . . . . . .
123
3.5. Campo magnético creado por cargas puntuales en movimiento
125
3.6. Campo magnético creado por corrientes eléctricas: Ley de Biot y Savart . . . . . .
127
3.7. Flujo magnético .
136
3.8. Ley de Gauss para el magnetismo . .
137
3.9. Ley de Ampére . . . . . . . . .
137
3.10. Ley de Faraday y Ley de Lenz .
143
3.10.l. Medios estacionarios .
145
3.10.2. Medios en movimiento
146
3.11. Inductancia . . . . . . . . . .
148
XV
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
3.11.1. Autoinducción .
148
3.11.2. Inducción mutua
150
3.12. Energía magnética . . .
152
3.13. Resumen y Ecuaciones Básicas
153
3.14. Ejercicios de Autoevaluación . .
155
Teoría de Circuitos
163
Circuitos de Corriente Continua
165
4.1. Introducción . . . . . .
167
4.2. La corriente eléctrica
170
4.3. Resistencia y Ley de Ohm
172
4.4. Circuitos eléctricos . . . .
175
Concepto de circuito eléctrico
4.4.1.
.
\
176
4.4.2. Magnitudes fundamentales en los circuitos eléctricos
177
4.4.3. Elementos básicos
. . . . . . . . . . . .
181
4.4.3.1.
Las fuentes de energía eléctrica
. 182
4.4.3.2.
Las resistencias . .
. 185
4.4.3.3.
Los condensadores
191
4.4.3.4.
Las bobinas . . . .
193
4.4.3.5.
Los transformadores
194
4.4.3.6.
Componentes electrónicos
195
4.4.4. Partes de un circuito
195
4.5. Leyes de Kirchhoff . . . . . .
196
4.6. Aplicación de las Leyes de Kirchhoff al análisis de circuitos .
197
4.7. Teorema de Norton . .
. 205
4.8. Teorema de Thevenin .
208
4.9. Teorema de Millman .
. 213
4.10. Resumen y Ecuaciones Básicas
. 214
4.11. Ejercicios de Autoevaluación . .
. 216
XVI
ÍNDICE GENERAL
5. Fenómenos Transitorios
221
5. l. Introducción . . . . . .
223
5.2. Resolución de ecuaciones diferenciales de primer orden
224
5.2. l. Condensadores.
227
5.2.2. Bobinas..
. 227
5.3. Circuito RC serie
228
5 .4. Circuito RL serie
239
5.5. Análisis del régimen transitorio de circuitos
245
5.6. Resumen y Ecuaciones Básicas
250
5.7. Ejercicios de Autoevaluación .
251
6. Circuitos de Corriente Alterna
255
6 .1. Representación de las señales alternas: fasores
. 257
6.2. Concepto de Impedancia y Admitancia .
260
6.3. Comportamiento de los componentes
262
6.3.1. Resistencias ..
. 262
6.3.2. Condensadores
263
6.3.3. Bobinas . . . .
264
6.4. Asociaciones de impedancias y admitancias
266
6.4.1. Asociación serie . .
266
6.4.2. Asociación paralelo
269
6.5. Análisis de circuitos de corriente alterna
273
6.6. Potencia
281
.. . . . . . . . . . .
6.7. Resumen y Ecuaciones Básicas
292
6.8. Ejercicios de Autoevaluación . . .
293
XVII
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
III
Dispositivos Electrónicos y Fotónicos
7. Dispositivos Electrónicos 7.1. Teoría de las bandas de los sólidos 7.2. Conducción eléctrica en semiconductores
299 301
303
. 305
7.2.1. Conducción en semiconductores intrínsecos
. 306
7.2.2. Conducción en semiconductores extrínsecos
309
7.2.3. Corrientes en los semiconductores . 7.3. Diodos . . . . . . . . . . . . .
. 311 . 311
7.3.1. Polarización directa
313
7.3.2. Polarización inversa
314
7.3.3. Curva característica y modelo matemático
315
7.3.4. Modelos equivalentes del diodo
317
7.3.5.' Diodos en conmutación
327
7.3.5.1.
Tiempo de conmutación de conducción a corte
. 327
7.3.5.2.
Tiempo de conmutación de corte a conducción
328
7.3.6. Tipos de diodos . . . . . . . . . . . . . . 7.3.7. Aplicaciones elementales de los diodos
328 . 332
7.4. Transistor Bipolar . . .
. 333
7 .4.1. Funcionamiento .
336
7.4.2. Curvas características y regiones de funcionamiento .
338
7.4.3. El transistor en pequeña señal . . . . .
341
7.4.4. El transistor en corte y en saturación .
342
7.4.5. Modelos equivalentes del transistor bipolar
343
7.4.6. Transistores en conmutación .
. 345
7.5. Transistores de efecto campo. . . . .
. 351
7.5.1. Curvas características y modelo elemental de los transistores MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355
XVIII
ÍNDICE GENERAL
7.5.2. Modelos equivalentes del transistor MOSFET
. 357
7.5.3. Tipos de MOSFET . . .
. 357
7.6. Resumen y Ecuaciones BáBicas
. 359
7.7. Ejercicios de Autoevaluación.
. 360
8. Familias Lógicas
365
8.1. Introducción .
. 367 . .. . .
8.2. Puertas lógicas
. 368
8.2.l. La puerta NOT .
.. 368
8.2.2. La puerta OR . .
. 369
8.2.3. La puerta AND .
. 369
8.2.4. La puerta NOR ..
. 369
8.2.5. La puerta NAND .
. 370
8.3. Características de las puertas lógicas
. 370
8.3.1. Características estáticas
. 371
8.3.2. Margen de ruido
.
. 372 . . . .
8.3.3. Flexibilidad lógica
. 373
8.3.4. Disipación de potencia
. 374
8.3.5. Velocidad de actuación .
. 374
8.4. Familia Lógica Bipolar (BJT)
. 376
8.4.l. El inversor bipolar ..
. 376
8.4.2. Lógica Resistencia-Transistor (RTL)
. 378
8.4.2.1.
Puerta NOR en RTL
.
. 378
8.4.2.2.
Puerta NAND en RTL .
. 380
8.4.3. Lógica Diodo-Transistor (DTL)
. 381
8.4.3.l.
Puerta NOR en DTL
. 381
8.4.3.2.
Puerta NAND en DTL
. 382
8.4.4. Lógica Transistor Transistor (TTL) .
. 383
XIX
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
8.4.4.1.
Puerta NAND en TTL
...
8.5. Familia Lógica de Emisores Acoplados (ECL)
. 386 . 389
8.5.l. Amplificador diferencial
. 389
8.5.2. El inversor ECL
. . .
. 392
Puerta NOR en ECL .
. 394
8.5.3.
8.6. Familia Lógica MOS .. 8.6.1. El inversor MOS
. 396 . 396
8.6.2.
Puerta NOR en NMOS
. 399
8.6.3.
Puerta NAND en NMOS
. 399
8.6.4. El inversor en CMOS . . . 8.6.4.1. 8.6.5.
Inversor de tres estados
Puerta NOR en CMOS
8.6.6. Puerta NAND en CMOS .
. 400 . 401 . 401 . 402
'\
8.7. Resumen . . .. . . . . . . . .
. 403
8.8. Ejercicios de Autoevaluación .
. 404
). Dispositivos Fotónicos
407
. 409
9. l. Propiedades de la luz .
9.1.l. La luz como onda electromagnética
. 409
9.1.2. La luz como modelo corpuscular
. 410
9.1.3.
. 411
Propagación de la luz
9.2. Elementos optoelectrónicos 9.2.1.
Fotorresistores
. . .
9.2.2. Células Fotovoltaicas . 9.2.3.
XX
Fotodiodos
.... . .
. 416 . 416 . 417 . 417
9.2.3.l.
Modelo equivalente del fotodiodo
. 420
9.2.3.2.
Tipos de Fotodiodos
. 422
9.2.4. Fototransistores . . . . . . . .
. 423
ÍNDICE GENERAL
9.2.5. Dispositivos de acoplamiento de carga (CCDs)
. 424
9.2.6. Fotomultiplicadores .
. 426
9.3. Comunicaciones Ópticas
. 426
9.4. Resumen . . . . . . . . .
. 429
XXI
Parte I
Electromagnetismo
Capítulo 1
Campos Electrostáticos
CONTEXTO El propósito de este capítulo es desarrollar la teoría del campo electrostático, decir, de cargas eléctricas en reposo respecto al observador. Las leyes y teorern que vamos a estudiar tienen su origen en fenómenos observados macroscópi< mente por lo que van a ser analizados desde ese punto de vista. Su extrapolaci a fenómenos microscópicos no se puede hacer sin tener en cuenta otras consideJ ciones en las que interviene la mecánica cuántica, lo cual se sale fuera del conte~ de este libro. Por otro lado, mientras no se especifique lo contrario, se considera que las yes se aplican en el vacío. Cuando se disponga de otros medios materiales, : caracterizaremos por parámetros definidos mediante parámetros macroscópico, En este capítulo vamos a comenzar estudiando la carga eléctrica y sus propiec des. En las siguientes secciones se presenta una descripción vectorial del carn electrostático. El punto de partida lo constituye la ley de Coulomb relativa a iteración eléctrica para pasar a un concepto más amplio que es el campo eléct co. Se introducirán las líneas de campo eléctrico para intentar visualizarlo y estudiará la ley de Gauss de campo eléctrico. Finalmente, vamos a definir los rr teriales como aislantes y conductores, dependiendo ·de su comportamiento cuan adquieren una carga eléctrica.
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
CONOCIMIENTO PREVIO NECESARIO Dado que las fuerzas así como el campo eléctrico son magnitudes vectoriales, para entender los conocimientos de este capítulo es necesario manejar con soltura el cálculo vectorial y la trigonometría. Además, como veremos a lo largo del capítulo, cuando se dispone de distribuciones continuas de carga resulta imprescindible el :nanejo de integrales para el cálculo de la fuerza o campo eléctrico.
()BJETIVOS DEL CAPÍTULO os objetivos del capítulo son: 1. Estudio del concepto de carga eléctrica. .2. Conocer las distintas distribuciones de carga. 3. · Saber calcular la fuerzas que aparecen en una determinada distribución de cargas mediante la aplícación de la ley de Coulomb así como el campo eléctrico que dicha distribución crea en un punto del espacio. 4. Conocer la ley de Gauss. Esto supone saber aplicar esta ley para el cálculo del campo eléctrico creado por una determinada distribución de cargas. 5. Desde el punto de vista del comportamiento eléctrico, diferenciar los distintos tipos de materiales.
GUÍA DE ESTUDIO Lo conveniente es seguir el estudio del capítulo de manera secuencial.
4
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
1.1.
Carga eléctrica
Los primeros trabajos sobre los fenómenos eléctricos se remontan a los griegos los cuales ya realizaron observaciones de la atracción eléctrica. Detectaron que al frotar el ámbar, éste atraía pequeños objetos como plumas. De ahí que la palabra eléctrico proceda del vocablo griego asignado al ámbar, elektron. Para entender la existencia de la carga eléctrica podemos realizar el siguiente experimento. Supongamos que frotamos una barra de plástico con un trozo de piel y la suspendemos de una cuerda que puede girar libremente. Si aproximamos a esta barra una segunda barra de plástico, frotada también contra la piel, observarnos que la barras se repelen entre sí. Un resultado semejante se obtiene si repetimos el experimento con dos barras de vidrio frotadas con seda. Sin embargo, cuando utilizamos una barra de plástico frotada con piel con una barra de vidrio frotada con seda, observamos que las barras se atraen entre sí. Si repetimos este experimento con distintos tipos de materiales comprobamos que algunos de ellos se atraen y otros se repelen. La explicación a este fenómeno es que al frotar una barra se carga eléctricamente, además deducimos que dependiendo del material usado dicha carga es distinta, lo que hace que las barras se repelan o se atraigan entre sí. En base a este experimento podemos decir que todos los objetos cargados pueden clasificarse en dos tipos: aquellos que se cargan como la barra de plástico frotada con un trozo de piel y los que se cargan como la barra de vidrio frotada con un paño de seda. Este fenómeno fue explicado por Benjamín Franklin (1706-1790) el cual propuso que todos los objetos tienen una cantidad ''normal,, de electricidad pero cuando dos objetos se frotan entre sí, parte de la electricidad de uno se transfiere al otro, lo que hace que uno de ellos t enga exceso de carga y el otro deficiencia. Franklin les asignó los nombres de positiva o negativa. Así, la barra de vidrio frotada con un paño de seda la llamó positiva, lo cual significaba que el paño de seda adquiría una carga eléctrica de igual magnitud. Por contra, el plástico frotado contra la piel adquiere una carga negativa y la piel adquiere una carga positiva de igual magnitud. Como vimos en nuestro experimento, dos objetos con el mismo tipo de carga se repelen entre sí, mientras que con cargas opuestas se atraen. En resumen, la electrización es el fenómeno mediante el cual un objeto adquiere carga eléctrica ya sea positiva o negativa. Así, dos objetos electrizados con el mismo tipo de carga se repelerán, mientras que con cargas distintas se atraerán. Podemos observar distintos ejemplos de electrización en la vida cotidiana cuando nos cepillamos el pelo o cuando la puerta del coche nos da una descarga. Resulta
5
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
incluso de gran importancia el conocimiento de los fenómenos de electrización cuando manejamos circuitos electrónicos ya que éstos pueden verse dañados si se produce una descarga eléctrica. Tal y como se ha visto anteriormente una forma de comunicar carga eléctrica a un objeto es por fricción, en donde frotamos el objeto con otro objeto. El frotamiento sirve sólo para establecer un buen contacto entre muchos puntos de las superficies, pasando electrones de una a la otra. Otra posibilidad de cargar un objeto es por "ontacto en cuyo caso se pone en contacto un objeto cargado con otro descargado ransfiriéndose cargas entre ellos de manera que ambos resultan electrizados con 1mismo tipo de carga. Finalmente 1 un objeto puede ser cargado por inducción la ual se produce sin necesidad de contacto entre los objetos y se debe a las fuerzas léctricas de Coulomb ejercidas por un objeto cargado sobre los electrones de otro objeto descargado. Precisamente, este fenómeno es fundamental en la polarización de aislantes en la carga de los condensadores o en la actuación de los elementos electrónicos como los transistores de efecto de campo. 1
Para entender este último caso de electrización, veamos el ejemplo mostrado en la figura 1.1, en donde se representa la sección transversal de una esfera metálica cuando aproximamos una barra cargada negativamente. El efecto de la barra sobre la esfera es la repulsión de los electrones, haciendo que parte de éstos se desplace a la superficie de la esfera opuesta a la barra. Esto produce una pérdida de carga negativa y, por tanto, un exceso de carga positiva en la superficie de la esfera próxima a la barra y un exceso de carga negativa en la zona opuesta. Tales excesos de carga se denominan cargas inducidas. Hemos de observar que no existió transferencia de carga de la barra a la esfera y que ésta sigu~ siendo eléctricamente neutra. Las cargas inducidas permanecerán mientras mantengamos cerca la barra cargada.
Figura 1.1: Cargas inducidas en una esfera metálica Antiguamente para medir la presencia de carga en un objeto se disponía del electroscopio (creado por el médico inglés William Gilbert). Este dispositivo es un instrumento que permite determinar en un objeto, la presencia de cargas eléctricas, basándose en el fenómeno de separación de cargas por inducción. El electroscopio consist e en una varilla metálica que tiene una esfera en la parte superior y en el
6
CAPÍTULO 1. CAMPOS ELECTROSTATICOS
extremo opuesto dos láminas de oro muy delgadas. La varilla está sostenida en la parte superior de una caja de vidrio transparente con un armazón de cobre en contacto con tierra. Cuando las láminas de oro no están cargadas, permanecen juntas en posición vertical. Sin embargo, cuando aproximamos un objeto cargado a la esfera las láminas se separan. Si, por ejemplo, el objeto está cargado positivamente, por inducción, la esfera va a quedar cargada con cargas negativas dejando cargas positivas en las laminas. Al tener el mismo tipo de carga éstas se repelen y se separan, siendo su divergencia una medida de la carga. Cuando separamos el objeto cargado de la esfera las láminas vuelven a juntarse. Actualmente ,este instrumento no es más que una curiosidad de museo, dando paso a mejores instrumentos electrónicos. 1.1.1.
Cuantificación de la carga
La materia está constituida por átomos eléctricamente neutros. Un átomo se compone de un núcleo de carga positiva formado por protones y neutrones alrededor del cual se encuentra una nube de electrones de carga negativa. La cantidad de protones contenidos en el núcleo del átomo se conoce como núcleo atómjco , el cual se representa por la letra Z. Los protones están cargados positivamente, los neutrones no tienen carga y los electrones están cargados negativamente. La carga de un protón es +e y la de un electrón es -e, siendo e la unidad fundamental de carga. Por ello, al existir igual número de protones que de electrones, el átomo posee una carga neta cero. La masa, carga y el espín de un electrón o protón es una propiedad intrínseca de la partícula. Las cargas se presentan en múltiplos enteros de la unidad fundamental de carga e. Nunca se han observado cargas menores que la del electrón. De este modo, toda carga Q puede escribirse en la forma Q = ±ne, siendo ne, un número entero. Sin ernbargo, en sistemas macroscópicos, ne puede ser un número muy grande y la carga parece ser continua. La unidad de carga en el Sistema Internacional (SI) es el culombio (C), el cual se obtiene en función de la unidad de corriente o intensidad eléct rica, el amperio, que será estudiado en el capítulo 4. El culombio es la cantidad de carga que fluye a través de un cable conductor en un segundo cuando la intensidad de corriente en el mismo es un amperio. La unidad fundamental de carga eléctrica e está relacionada con el culombio por:
e = 11602177 · 10- 19C
(1.1)
7
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
1.1.2.
Conservación de la carga
Los experimentos descritos anteriormente indican que la carga se conserva. Esto es, cuando dos objetos se frotan, en uno de ellos aumenta el número de electrones resultando una carga negativa y en el otro disminuye el número de electrones resultando una carga positiva al contener más protones que electrones. La carga total, suma de las cargas de los dos objetos, no varía, es decir, la carga se conserva. La ley de conservación de la carga es una ley fundamental en la naturaleza . .unque se produzcan interacciones entre partículas elementales se creen o des·uyan electrones siempre van a crearse o destruirse cantidades iguales de cargas ositivas de forma que la carga del universo no cambia.
1.1.3.
Cargas eléctricas puntuales y distribuciones continuas de carga eléctrica
Cuando se trabaja con partículas cargadas, como electrones, protones, iones, etc., se puede considerar a dichas cargas como puntuales, esto es, como una carga concentrada en un punto geométrico del espacio. También se c~nsideran cargas puntuales aquellas para las que calculamos magnitudes eléctricas a distancias mucho mayores que las dimensiones del objeto cargado. La carga de un electrón o un protón es tan pequeña que su cuantificación no se pone de manifiesto a nivel macroscópico. Por ejemplo, un cuerpo con carga neta de -50 nC contiene unos 3, 12 · 1011 electrones en exceso. Podemos, por tanto, considerar que las cargas netas macroscópicas están distribuidas de forma continua ya que están muy cerca unas de otras en comparación con las demás distancias de interés y manejar elementos diferenciales de carga, dq, siempre que se cumpla e<<< dq <<< q.
Dependiendo de cómo se reparta la carga neta podemos encontrarnos con distintos tipos de distribución de carga. Cuando está reparti?a a lo largo de una dimensión tendremos una distribución lineal de carga, si está repartida a lo largo de dos dimensiones tendremos una distribución superficial de carga y si está repartida a lo largo de tres dimensiones resulta una distribución volumétrica. Para cualquier tipo de distribución continua de carga, el elemento de carga dq es tan pequeño que se comporta como una carga puntual, es decir, los elementos de línea ( dl), de superficie ( dS) o de volumen ( dV) deben ser pequeños desde el punto de vista macroscópico. Veamos a continuación la definición de los tres tipos de densidad de carga.
8
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
t.1.3.1.
Densidad lineal de carga
Si la carga neta está repartida de forma continua a lo largo de un hilo, tendremos una densidad lineal de carga que se simboliza por ,\, representando la cantidad de carga por unidad de longitud. En un elemento diferencial de longitud,. dl, tendremos un elemento diferencial de carga, dq cumpliéndose: A= dq dl
(1.2)
con unidades de C / m en el SI.
La cantidad de carga neta a lo largo de un tramo de hilo se obti~ne despejando dq en la ecuación (1.2) e integrando:
(1.3) Si la carga está uniformemente repartida a lo largo del hilo, la densidad lineal de carga ,\ será constante, facilitando la resolución de esta integral.
1.1.3.2.
Densidad superficial de carga
Si la carga neta está distribuida de forma continua a lo largo de una lámina sin espesor, tendremos una densidad superficial de carga que se simboliza por (J, representando la cantidad de carga por unidad de superficie. Siendo dS un elemento diferencial de superficie, tendremos:
(J
=
dq dS
(1.4)
con unidades de C / m 2 en el SI. La cantidad de carga neta en una superficie se obtiene d espejando dq en la ecuación (1.4) e integrando: q=
1s dq = 1s u dS
(1.5)
Si la carga neta está uniformemente repartida a lo -largo de la superficie, la densidad superficial de carga (J será constante, facilitando la resolución de esta integral.
9
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
1.1.3.3.
Densidad volumétrica de carga
Cuando la carga neta está distribuida en un volumen, se introduce la densidad volumétrica de carga que se simboliza por p, representando la carga por unidad de volumen. Si dV es un elemento diferencial de volumen, tendremos: dq p= dV r.on unidades de
(1.6)
C /m3 en el SI.
;a cantidad de carga neta en un volumen se obtiene despejando dq .en la ecuación 1.6) e integrando:
q=ldq=lpdV
(1.7)
Si la carga neta está uniformemente repartida a lo largo del volumen, la densidad volumétrica de carga p será constante, facilitando la resolución de esta integral.
1.2.
Fuerza eléctrica: Ley de Coulomb
En 1785 Charles Coulomb dedujo la ley de fuerza electrostática usando una balanza de torsión semejante a la que se utilizó para medir la constante gravítacional. En sus experimentos Coulomb utilizó unas esferas cargadas, muy pequeñas en comparación con la distancia entre ellas de manera que las cargas podían considerarse como puntuales. Los resultados de los experimentos de Coulomb y otros científicos sobre la fuerza ejercida por una carga puntual. sobre otra se resumen en la ley de Coulomb: ªLa fuerza entre dos cargas puntuales es directamente proporcional al producto de las cargas e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que las separa, su dirección es la de la recta que une las cargas y el sentido depende de los signos respectivos, de atracción si son de signo opuesto y de repulsión si son del mismo signo."
1.2.1.
Fuerza eléctrica entre dos cargas puntuales
La magnitud de la fuerza eléctrica ejercida por una carga puntual q1 sobre otra carga puntual q2 separadas por una distancia r viene dada por la siguiente expresión matemática: F = k q1 q2 (1.8) r2
10
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
donde k es una constante determinada experimentalmente, llamada constante de Coulomb. Su valor depende de las unidades empleadas para la medida de la fuerza) carga y distancia. En el sistema internacional tiene el valor de 8, 988 · 109 N. · m 2 /C 2que para simplificar los cálculos, en este texto, aproximaremos a 9 -109 N · m 2 /C 2 . La constante de la ley de Coulomb, k, depende del medio en el que se encuentren las cargas a través de un parámetro eléctrico de dicho medio llamado constante dieléctrica del medio o permitividad del medio. Cuando el medio es el vacío 1 comportamiento semejante al aire seco, medio en el que Coulomb realízó sus experimentos, la constante de Coulomb es: k=-147réo
donde la constante
E0
,
(1.9)
es la permitividad eléctrica del vacío. Su valor en el SI es: (1.10)
Siempre que no se diga lo contrario, el medio en el que trabajaremos es el vacío. La fórmula vectorial de la fuerza ejercida por una carga q1, situada en una carga q2, situada en r!, viene dada por:
r __
1_ q1
1,2 -
4
1íEo
ª2--+ (r1 -rt) 3
lr2 - -::-t r11
ri', sobre (1.11)
La figura 1.2 muestra los vectores de posición correspondientes a las cargas q1 y q2 que aparecen en la ecuación (1.11). Dicha ecuación expresa la dirección de la fuerza mediante el vector unitario:
(r1° - Ti) l~-ifl y la distancia entre cargas viene dada por
(1.12)
l"r1 - riJ.
Nótese que la fuerza electrostática: l. Es directamente proporcional al producto de las dos cargas que interaccio-
nan. 2. Disminuye con el inverso de la distancia de separación entre cargas al cuadrado y cuando las cargas son esféricas con distribuciones radiales de carga, dicha distancia se toma de centro a centro.
11
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
z q1
y
Figura 1.2: Vectores de posición de dos cargas puntuales 3. Tiene como dirección la recta que une a ambas cargas y su sentido depende del signo de las cargas, siendo repulsiva si las dos cargas tienen el mismo signo y atractiva si tienen distinto signo. 4. Es aplicable a distancias mayores que unos 10-4 m, pues a distancias inferiores predominan las fuerzas nucleares. 5. La fuerza cumple la ley newtoniana de acción y reacción, es decir, F1 ~ -==-+ -F2,1, la fuerza de q1 sobre q2 es igual a menos la fuerza de q2 sobre q1. 1
=
6. Es mucho más intensa que la fuerza gravitatoria (unas 1036 veces), a pesar de que la primera nos parece menos familiar que la segunda pero no hay que olvidar que las fuerzas eléctricas son responsables de la estructura atómica. En un sistema de cargas, cada una de ellas ejerce una fuerza dada por la ecuación (1.11) sobre las restantes. A continuación vamos a estudiar cómo se obtiene la fuerza que sobre una carga ejerce una distribución de cargas. Para ello es necesario establecer, en primer lugar, el principio de superposición lineal.
1.2.2.
Principio de superposición lineal
El principio de superposición lineal expresa que, la fuerza electrostática sobre una carga, es la suma vectorial de las componentes individuales ejercidas sobre la carga, debidas a cada carga puntual o densidad de carga. Este principio se cumple siempre en el vacío. Cuando se calcula el campo en medios materiales, debemos tener en cuenta si el medio tiene una respuesta lineal en el intervalo de valores de la intensidad de campo considerada, de lo contrario
12
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
no se puede aplicar el principio de superposición lineal, y para calcular el campo debido a una suma de campos, debemos conocer la variación que experimentan los parámetros que caracterizan el medio con la intensidad de campo. Estos casos se salen fuera del propósito de esta asignatura.
I.2.3.
Fuerza eléctrica ejercida por un sistemas de cargas puntuales
La fuerza sobre una carga q situada en el punto ¿ 1 debida a un sistema de cargas puntuales qi, con i = 1, 2, ... , N, situadas respectivamente en los puntos "rt, será la suma vectorial de las fuerzas que cada carga individual ejerce sobre la carga q , esto es: (1.13)
EJEMPLO 1.1
Supongamos un sistema formado por tres cargas en el vacío q1 = 12nC, q2 = -5 nC y q3 = 10 nC situadas en las posiciones expresadas en metros rt' = (4,6,0) m,. r1 = (10,4,0) m y r¿ = (-2,0,0) m, respectivamente. Se desea calcular la fuerza sobre la carga q3. Para determinar la fuerza resultante sobre q3 debemos aplicar el principio de superposición el cual nos dice que la fuerza n eta sobre q3 es el vector suma de la ~ fuerza ejercida sobre ésta por q1, F1 3 1 más la fuerza ejercida sobre ésta por q2 , -=-+ , F23. )
Para ello, se comienza det erminando los vectores distancia entre cargas, los cuales se representan en la figura 1.3, y su módulo correspondiente:
(r¿ - rf) =
(r¿ -
(-2, 0,0)- (4, 6,0) = (-6, -6, 0)
m
lr"Í- rII = v(-6) 2 + (-6) 2 = V72,m r1) = (- 2, O, O) - (10, 4, O) = (-12, -4, O) m
lrÍ -
ri l =
v(- 12) 2
+ (-4) 2 = ./iifüm
A continuación, se calcula la fuerza que ejer ce cada· una de las cargas del sistema sobre la carga q3 aplicando la ecuación (1.11):
13
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
y
ql q2
,,,, ,, ,,
X
;' ~
Fl,3
,,,,,' ~
F3
Figura 1.3: Vectores de posición de cargas puntuales
r
= 9. 10912. 10-9. 10. 10-9. (-6, -6, O) = ( y'72)3
1,3
(-10'606 -10'606 O) nN
'
'
~ = 9. 109 (-5). 10- 9. 10. 10-9. (-12, -4, O) = (2'668 0'889 O) nN 2,3 ( v1l6Q)3 ' ' La fuerza resultante sobre q3 será la suma vectorial de ambas fuerzas: -=----1'
Fneta
1.2.4.
=
~ F1,3
~ + F2,3 = ( -7 938, -9 717, O I
I
)
nN
Fuerza eléctrica ejercida por distribuciones continuas de carga
La fuerza sobre una carga q, situada en el punto r7, debida a una distribución lineal continua de carga, A, se obtiene sumando las fuerzas que cada elemento de carga, dqí ejerce sobre la carga q. Es decir, suponiendo un tramo elemental dli , situado en el punto "r:t de la distribución, la carga elemental es >{r.f)dli, y dicha carga elemental ejerce una fuerza 1\ ~obre q. La suma de todas las fuerzas F\ se convierte en integral, por lo que la expresión para calcular la fuerza sobre la carga q es ahora de la siguiente forma: (1.14)
14
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
De forma análoga se obtienen las fuerzas en el caso de distribuciones superficiales y volumétricas de carga. Para una distribución superficial de densidad de carga superficial o-(r¡), obtendremos la fuerza sustituyendo en la ecuación (1.14) la distribución de carga lineal, >..(r"!), por la densidad de carga superficial CT(71) y el elemento diferencial, dli, por un elemento diferencial de superficie dsi. Evidentemente, la integral pasará a ser una integral de superficie. Análogamente, para el caso de una distribución con una densidad volumétrica de carga p(r¡), sustituiremos en la ecuación (1.14), .X(r¡) por p(r¡) y el elemento diferencial de longitud, dli, por un elemento diferencial de volumen dvi. Ahora la integral pasará a· ser una integral de volumen. EJEMPLO 1.2
Supongamos que tenemos una distribución lineal ;\ situada sobre una circunferencia de radio R, cuyo centro es el origen de coordenadas y su plano el XY tal y como muestra la figura 1.4. Se desea calcular la fuerza que esta distribución ejerce sobre una carga q situada en un punto z del eje Z.
z -+ dF
~-+ r - r; = (R2 + z2;112
Y;
y
Figura 1.4: Cálculo de la fuerza ejercida por una distribución lineal de carga de forma circular sobre una carga q
Tomamos sobre la circunferencia un elemento diferencia dlí tal y corno se representa en la figura 1.41 cuyas coordenadas vienen dadas por r1 = (xi, Yi, O). Observamos que tanto Xi como Yí varían de valor según nos movemos por la circunferencia. Esto dificulta el cálculo de la integral. Sabemos de trigonometría que
15
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
R cos8 y que Yi = R sen0, luego podemos expresar las coordenadas de este elemento diferencial como "rt = (R cos0, R sen0, O) de esta forma conseguimos expresar dichas coordenadas en función de una única variable facilitando el cálculo de la integral. Xi =
Para calcular la fuerza sobre una carga q, situada en calculando los vectores de posición:
(7 -
7 = (O, O, z)
comenzamos
°rt) = (-R cos0, -R sen0, z)
sabiendo que (cos2 0 + sin2 0) = 1, su módulo resulta:
A continuación, calculamos la fuerza aplicando la ecuación (1.14):
siendo (~,
ut, ~) los vectores unitarios en las tres coordenadas cartesiana. Sa-
'
biendo que el elemento diferencial sobre la circunferencia puede expresarse en función de 0 como dli = R d8 e integrando resulta: -::t .F
= -
47fé0
(
q >,. R 121i (-R cos0~ - R .J 41rE:o( R 2 + z2) 3 o q ).. R
v
R
2 3 47rco(vR2 +z)
+ z2) 3
~
:-:-t
_1
: ).. R 1 2
sen0iit + z'ii;) d0 = ~ 21r
[-R sen8ux + R cos0u.y + z0uz]o
[-R (sen21r - senO) ~ + R (cos21r - cosO)
=
q)..R
[ ...
=
u;t + z (21r) ti;]=
~
-------::===-- z 21ruz]
R2 + z2 )3
47féo ( ../
de donde obtenemos finalmente el valor de la fuerza que se ejerce sobre una carga q situada en el punto z: (1.15)
16
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
dF,
Observamos que al integrar (sumar) las componentes elementales la componente radial (compuesta por las coordenadas x e y) se elimina ya que cada
Jt,
longitud elemental, siempre va a tener una simétrica,~' y por consiguiente, la suma de las fuerzas que crean ambas, en la dirección de los ejes X e Y, será nula ( ver figura 1. 4). EJEMPLO 1.3
Supongamos un disco de radio R uniformemente cargado con una densidad de carga a situado en el plano XY y centrado en el origen de coordenadas. Calcular la fuerza ejercida por dicho disco sobre una carga, q, situada en el eje Za una distancia z del origen de coordenadas.
En este caso, tomamos como elemento diferencial un aro de radio r, ancho dr y área ds (ver figura 1.5), se cumple: ds = 2nr dr donde 2nr es el perímetro del a.ro. z
y
Figura 1.5: Cálculo de la fuerza ejercida por una distribución superficial circular sobre una carga q
Este aro puede asimilarse a una circunferencia de radio r con una densidad lineal A dada por:
). = Qaro = 21rr
siendo
Qaro
a ds 2nr
=
CT
21rr dr 21rr ·
=a
dr
la carga del aro. Así, la fuerza elemental ejercida por dicho elemento
17
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
diferencial sobre la carga q es, utilizando la expresión obtenida en el ejemplo 1.2: -::± _ q dF - -
Az r
2Eo (
q
:-:+ _
~---=- 3 Uz z2
-
J + r2)
2Eo (
O" dr z r ___
J z2 + r2)
--+ 3 Uz
Por otro lado, si observamos la figura vemos que: r
=z
taga
sena
=z cosa
y su derivada
da
dr=z-cos2a con lo que sustituyendo y operando resulta: a z~ z z2
Integrando: -::± q Ji'= 2E0
iª1 o
coso:
+ (zseno) 2 cosa
a sena da
q
zsena
cos a
ii; = -q
3
)
u;tz = a sena da 2 Ea
a (-cosa]g1
2E0
u7z
ii; = -q a [1- cosa 1] ~ 2E 0
Observando la figura 1.5 vernos que:
cosa1 =
z
J z 2 +R2
con lo que la fuerza ejercida sobre la carga q por el disco resulta ser:
1 = ª2Eoª [1 - Jz 1.3.
2
z
+ R2
]
~
(1.16)
Campo Eléctrico
Tal y como hemos estudiado con la ley de Coulomb, una carga ejerce una fuerza sobre otra aunque estén separadas una gran distancia. Michael Faraday sugirió un modo para explicar este fenómeno: un cuerpo influye sobre el espacio que le rodea, estableciendo un campo a su alrededor, que está presente siempre, haya o
18
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
no otros cuerpos. Cuando un segundo cuerpo se localiza en un determinado punto, el campo que hay en dicho punto actúa sobre éste. En resumen, podemos definir el campo como la región del espado donde se produce un efecto físico caracterizado por una magnitud escalar o vectorial, que puede además ser o no dependiente del tiempo. Pues bien, es lógico pensar que cualquier distribución de cargas, positivas o negativas, producirán un campo eléctrico que actúa sobre cualquier carga colocada en él. La intensidad de campo eléctrico se define como la fuerza por unidad de carga que experimenta una carga de prueba estacionaria muy pequeña al colocarse en una región donde existe un campo eléctrico, es decir,
p
15 =tim-
(1.17)
ª~º q
F
Vemos que la intensidad de campo eléctrico es proporcional a la fuerza y tiene su misma dirección. El motivo por el que se utiliza una carga de prueba pequeña es que si fuera grande podría hacer que las cargas responsables del campo eléctrico se movieran debido a la fuerza de Coulomb, alterando la distribución original de carga que produce el campo eléctrico. Por otro lado, en la práctica, la carga de prueba no puede ser cero, de hecho, no puede ser menor que la carga de un electrón. Una relación inversa de la ecuación (1.17) da la fuerza cionaria q en un campo eléctrico
1J: F=qE
F sobre una carga esta(1.18)
Tomando como unidades las utilizadas en el SI, esto es, la fuerza en newtons (N) y la carga en coulombs (C), la intensidad de campo eléctrico tiene unidades de newtons partido por coulombs (N/C) que como verernos más adelante equivale a voltios partido por metro (V/ m).
1.3.1.
Campo eléctrico creado por una carga puntual
El caso más sencillo de un campo eléctrico es el creado por una carga puntual q1. Supongamos dos cargas puntuales q¡ y q2, separadas y situadas en Ti y r1, respectivamente. La ley de Coulomb establece que la fuerza 12 que ejerce la
P
19
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
carga q1 sobre q2 es igual a:
r_ 1,2 -
1 q1Q2(~ -rt) -4- =+ -::+ 3 'lfEo
lr2 - r11
Si decimos que q2 es nuestra carga de prueba podemos emplear la ecuación (1.17) para determinar el campo eléctrico, resultando:
(1.19)
15 = _1_q1("r1 - rt) 41rco lr1 - H/ 3
(1.20)
o expresado en función de la constante de Coulomb:
(1.21)
En la figura 1.6 observamos que este campo es radial y su sentido dependerá del signo de la carga que crea el campo, es decir, el campo eléctrico se aleja de una carga positiva y cuando la carga es negativa, el campo eléctrico tiene la misma magnitud pero sentido opuesto, esto es, se acerca a la carga.
(b)
(a) ""
Figura 1.6: Campo eléctrico debido a una carga puntual (a) positiva; (b) negativa
1.3.2.
Campo eléctrico de un sistema de cargas puntuales
Si hay más de una carga puntual responsable del campo, empleamos el principio de superposición, ya visto en el aparatado anterior, para determinar el campo neto. Pues bien, según el principio de superposición, el campo eléctrico neto, en
20
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
un punto del espacio, es la suma vectorial de los campos de las cargas individuales presentes. Así, el campo eléctrico en un punto 7 debido a un sistema de N cargas, qi, situadas respectivamente en los puntos "r1 es, N
t - - "8' 17 -qi rt13 (7 1 -
-
EJEMPLO
rt)
41rEo
(1.22)
i
1.4
Se desea calcular el campo eléctrico en el punto p , situado en 7 = (3, 1, O) y creado por un sistema de cargas puntuales formado por tres cargas q1 = 2 nC, q2 = -1 nC y q3 = -2 nC situadas en rÍ = (O, O, O), ~ = (O, 2, O) y r¿ = (3, O, O), respectivamente. Todas las distancias están expresadas en metros. Para determinar el campo eléctrico resultante en el punto p debemos aplicar el principio de superposición el cual nos dice que el campo neto en el punto p es el -=t =-+ vector suma del campo creado por q1, E1, mas el campo creado por q2, E2, mas el -=t campo creado por q3, E3. Para determinar cada una de estos campos se comienza calculando los vectores distancia y sus módulos:
7 - rÍ = (3, 1, O) - (O, O, O) = (3, 1, O)
m
17 - rÍI = V3 2 + 12 = vfüm ~
= (3, 1, O) - (O, 2, O)= (3, - 1, O) m 17 - ril = J32 + (-1) 2 = vfüm 7 - r¿ = (3, 1, O) - (3, O, O) = (O, 1, O) m 17 - rál = vi2" = 1 m
7 -
Aplicando la ecuación (1.20) a cada una de las cargas tenemos:
E = _l_ 1
(7 - ~)
q1
47réo 17 - rÍl3
=
9. 10
9
.
1
9
2 . 10-
.
(3, 1, O)
( Jf6)3
_Ei = (1'70, 0'56, O) N/C 21
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
g2-
_l_ 41réo
q2
]7 -
7- -;ft r!l3 ( 2) ~=
-=+ __1_ E3 -
41ffo
q3
9 · 109 . (-1) -10- 9 . (3,-1,0)
( v'l0)3
(-0'85, 0'28, O) N/C
lr1 - r113 (7
_-::-+ _ 9 · 109 · (- 2) · 10- 9 · (O, 1, O)
r3) -
13
-=+
E3 = (O, -18,0) N/C 'or tanto, el campo neto resultante en el punto p vendrá dado por: -::± -=+ -=+ + E3= -=r (' ' ) N/ C l!l =E1+E2 085,-1714,0
1.3.3.
Campo eléctrico de distribuciones continuas
El campo eléctrico en un punto 7 debido a la distribución volumétrica de densidad p(r[) es, = _1_ p(r1)(7 - rT)dvi (1.23) 41rco Jv 17 - rll 3
15
r
De forma análoga se obtienen el campo eléctrico en el caso de distribuciones superficiales y lineales de carga. Para una distribución superficial O'(r1) obtendremos el campo eléctrico sustituyendo en la ecuación (1.23) la distribución de carga volumétrica, p("rt), por la densidad de carga superficial, afr¡), y el elemento diferencial de volumen, dvi, por un elemento diferencial de.superficie, dsi. Para el caso de una distribución lineal, .:X.(rt'), sustituiremos en la ecuación la distribución de carga volumétrica, p(°rt) por la densidad de carga lineal, A(H) y el elemento diferencial de volumen, dvi, por un elemento diferencial lineal, dli. EJEMPLO 1.5
Sea un segmento de línea finito situado sobre el eje X desde O hasta L y cargado uniformemente con una carga +q. Se desea calcular el campo eléctrico creado por dicho segmento de línea en un punto p situado sobre el eje X a una distancia Xp del origen de coordenadas tal que X p > L. Como la carga está distribuida uniformemente a lo largo de la longitud de la línea, la densidad lineal A será El campo eléctrico en un punto situado sobre el eje X
f.
22
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
a una distancia Xp del origen de coordenadas tal que Xp > L, se calcula aplicando la ley de Coulomb sobre un elemento diferencial dx situado respecto al origen en x. Teniendo en cuanta que los vectores distancia son ( ver figura l. 7):
(xp, O, O); 7 = (x, O, O) (xp - x, O, O); lrt - 71 = (xp - x)
ftp
(rt - 7)
Aplicando la ecuación (1.23) y poniendo dq
= ,\ dx resulta:
dE = _l_dq (~ - : ) = ~ dx (xp - x) ~ lrt - r71 41rc (xp - x) 41ffo
3
0
siendo ~ el vector unitario en la dirección del eje X. y
L X
+
E
+++++++
+++++++++++¡,------,.-......- - ~ ~
IP
!
px
X
l 1
Figura 1.7: Vectores distancia para el cálculo del campo eléctrico creado por un segmento lineal de carga de longitud L Como vemos, el campo eléctrico debido a la carga dq situada en dx está dirigido a lo largo del eje X, con lo que pondremos únicamente la componente x del campo, esto es: dff _ _ .\_ dx x -
41rE0
(xp - x) 2
Haciendo el cambio de variable u= Xp - x de manera que du = -dx, resulta que cuando X = O, u = Xp y cuando X = L ¡ u = Xp - L e integrando:
23
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE 1.,A INFORMÁTICA
Operando tenemos finalmente que el campo eléctrico viene dado por:
(1.24)
EJEMPLO 1.6
Sea un segmento de línea de longitud L y cargada uniformemente, sif;uada sobre el eje X entre los puntos x 1y x2. Se desea calcular el campo ~léctrico en un punto P situado en (O,y,O). ]orno la carga está distribuida uniformemente a lo largo de la longitud de la ínea, la densidad lineal A será El campo eléctrico en un punto situado sobre !l eje Y a una distancia y del origen de coordenadas, se calcula aplicando la ley de Coulomb sobre un elemento diferencial dx situado respecto al origen en x. Teniendo en cuanta que los vectores distancia son:
i·
;¡;+p
7 = (x, O, O) (-x,y,O); ¡r¡;- 71 = Jx2 +y2 (O, y, O);
crt---t) \
Aplicando la ecuación (1.23) y poniendo dq = A dx resulta:
dE = _1_dq crt- 7) = _2_ dx c-x,y,o) 3 4Jr€ 0
Ir¡; - 71
4-rré0
(
J x2 + y2)3
Para simplificar el cálculo de la integral anterior realizamos el cambio de variable x = ytg0 y derivando, dx = 20 d0 (ver figura 1.8) .... Los vectores distancia después del cambio de variable quedarán:
co;
(;;; - 7) = (-ytg0, y, O)
[;¡;-t - 71 = Jy 2 tg2 0 + y 2 P
= y Jtg 2 0 + 1 =
_Y_ cos0
-l.
Sustituimos en la ecuación (1.23) y despejamos:
dE =
_2_ dx 41Téo
cr; - ?) =
lri; - 71
3
_>._ ~ dO (-ytgB, Y, O) = 47ré0
(~)
3
>.
(-sene cose O) d0 41TE0 Y ' '
Integrando entre 01y B2 se obtiene:
~ l!l = 24
.X
4 1rEoY
J.º (-sen0,cos0,0)d0 = 4 A 2
01
1TéoY
[(cos0 ,sen0,0)]:~
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
y dE1
p
·f('"'···~ ~\ "'-.'t. · , \ '\,. -~.......... .a'\ "' Ot e·· e.~"'!; :1"" ...., ...."'. ,
··-
•
)4
.... ,..-~
~
_::·~-
...
.·
'..:
-.......
........,.......
······· ..····'\ . ·_..··· · '-a .•
.... -·········'\
'-.. . . .
"\. dq
...\
.. 4
'··-..........
'
"-·,.
X
Figura 1.8: Campo eléctrico creado por un segmento lineal de carga de donde obtenemos la expresión del campo eléctrico para cada coordenada cartesiana:
-=+ Ex
=
)..
47rE:oY
-=+
Ey =
)..
[cos02 - cos01]
(1.25)
[sen02 - sen01 ]
(1.26)
47rE:oY -=t
(1.27)
Ez = O
EJEMPLO
1.7
Se desea calcular el campo eléctrico creado por una distr-ibución lineal e infinita, situada sobre el eje X, en un punto p, situado en (O,y,O),. Esto es lo mismo que decir en el ejemplo 1.6 que x1 = -oo y x2 = +oo y, en consecuencia, el ángulo 0 oscilará entre 01 = 2"/í y 02 = ~. Por tanto, las ecuaciones anteriores quedaran:
~ - o
Ey
1
q
1T"
-1í
q
- - - - (sen- - sen- ) = - - 47rE0 L Y 2 2 27ré0 L Y 25
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
donde y es la distancia desde el punto p a la distribución lineal medida sobre la perpendicular. Nótese que podríamos haber expresado el campo en función de la densidad lineal de carga resultando:
Ey -
~JEMPLO
A
(1.28)
27íc0 Y
1.8
Jada la distribución lineal de carga A sobre el arco de circunferencia le radio R, representado en la figura 1.9, calcular el campo eléctrico en ~1 origen de coordenadas.
z. ,,.. y
Figura 1.9: Distribución lineal con forma de arco
Tomamos sobre el arco de circunferencia un elemento diferencia dl, cuyas coordenadas vienen dadas por "rt = (xi, Yi, O). En la figura 1.10, observamos que tanto Xi como Yi varían de valor según nos movemos por el arco ·de circunferencia. Esto dificulta el cálculo de la integral. Sabemos de trigonometría que Xi = R cos0 y que Yi = Rsen0 luego podemos expresar las coordenadas de este elemento diferencial como r¡ = (R cos0, Rsen0, O). De esta forma conseguimos expresar dichas coordenadas en función de una única variable facilitando el cálculo de la integral. y
·--
, ...,.,
___. ______ '""'. . . , d1
yi=R sen 9
1 \
1\
a' \ 1 1
\
i
xi=R cos 9
X
Figura 1.10: Diferencial sobre el arco
26
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
Para calcular el campo en el origen de coordenadas calculando los vectores de posición:
r7 =
(O, O, O) comenzarnos
(r7 - "rt) = (-Rcos0, -Rsen0, O) sabiendo que (cos2 0 + sin2 0)
= 1, su módulo resulta:
A continuación, calculamos el campo:
ut,
u:t) los vectores unitarios en las tres coordenadas cartesiana. Sasiendo ( ~, biendo que el elemento diferencial sobre el arco de circunferencia puede expresarse en función de 0 como dl = R d0 e integrando resulta: 7r
15 =
[2
,\ R
7rEo(R) 3
}
0
-+ :""7 (-Rcos0ux - Rsen0uy)d0
,\
:-:-+
=
:42!:
7réo(R) 2 [~ Rsen0ux + Rcos0uy](5 = ,\ 'lréo
~
:""7
R [-ux - uy]
luego el valor del campo en el origen de coordenadas es: (1.29)
1.3.4.
Movimiento de cargas puntuales en campos eléctricos
Cuando una partícula cargada está en una región donde existe un campo eléctrico sobre ella actúa una fuerza igual al producto de su carga por la intensidad del campo eléctrico, esto es, q Cuando la carga es positiva experimenta una fuerza en el sentido del campo y cuando la carga es negativa el sentido de la fuerza es contrario al campo. Si la fuerza eléctrica es la única fuerza significativa que actúa sobre la partícula, la aceleración que ésta adquiere viene dada por:
E,
15.
qE
a=--
m
(1.30)
27
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
donde m es la masa de la partícula. Así, para un campo eléctrico conocido, la relación carga-masa de la partícula puede determinarse midiendo su aceleración. Precisamente, Thonson en 1897 para demostrar la existencia de los electrones y medir su relación carga-masa se basó en la desviación de éstos en un campo eléctrico uniforme. Aparatos como el osciloscopio, los antiguos monitores de ordenador y televisiones son ejemplos de aparatos basados en el movimiento de electrones en campos eléctricos. EJEMPLO 1.9
3upongamos que se proyecta un electrón en un campo eléctrico uniforme 100~ N/C con una velocidad inicial de v 0 = 2-106 ~ m / s en la :lirección del campo según se muestra en la figura 1.11. Se desea calcular la distancia que recorre el electrón hasta que se detiene. Sabemos que la masa del electrón es de 9'11 · 10-31 Kg y su carga de 1'6·10-19 C.
E=
~
E -+•
Vo
IIJl,
Figura 1.11: Electrón con velocidad paralela a un campo eléctrico Como la carga del electrón es negativa, la fuerza que actúa sobre él posee una dirección opuesta a la del campo, es decir, será -e Como es constante, la fuerza también lo es, y por tanto aplicando la segunda ley de Newton =md tenemos:
E.
m
m
E
P
(1.31)
es decir, la partícula sigue un movimiento decelerado o lo que es lo mismo con aceleración negativa. Por otro lado, para conocer el tiempo que tarda en pararse el electrón utilizamos las ecuaciones de dicho movimiento: (1.32)
28
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
Finalmente, sustituyendo el tiempo en la fórmula del espacio recorrido por el electrón se obtiene: --+ l 4 2 _--+ -;¡j - ~ l-4 (-¡¡ va t + a t - vo d + a d 2 2 4 -+ :j :j -+-+ -+ v - vo 1 v + Vo - 2 v Vo vo ¿¡ +2 ¿¡
¿ =
Vó) 2 2
:i + Vo 3 - 2->-+ :1 =1 2-+4 vo V - 2:i Vo + V V vo V - Vo 2¿j 271
sustituyendo valores queda finalmente:
¿ = (O-~) m = 9'11- 10-31. 4. 1012;:¡;; = 11'3875. 10-2;:¡;; m 2 (-eE)
1.4.
2 · 1'6 .10-19 .1oot!
Los dipolos eléctricos
Un dipolo es un sistema de dos cargas de igual magnitud pero de signos opuestos muy cercanas entre sí. El interés de los dipolos radica en su alta presencia en la naturaleza ya que existen moléculas en las que no coincide el centro de la distribución de las cargas positivas con el de las negativas, es decir, disponen de una distribución no uniforme de la carga dentro de la molécula. A estas moléculas se las llama moléculas polares y ejemplos de éstas son la molécula de agua (ver figura 1.12) o la del cloruro de hidrógeno entre otras. En estas moléculas, que están unidas por lo que se llama enlace iónico, siempre hay un momento eléctrico dipolar permanente, concepto que será introducido en este mismo apartado. Por otro lado, con frecuencia, los campos externos, inducen separaciones de carga positiva o negativa de un lado, o del otro. Por tanto, ocasionan un momento eléctrico dipolar inducido. A nivel molecular, cuando los efectos de los campos dipolares eléctricos tienen gran importancia física, los momentos dipolares permanentes siempre son mucho mayores que los inducidos. Por ejemplo, para una molécula de agua el momento dipolar es p = 6 · 10- 30 0 m, mientras que un átomo de hidrógeno en el seno de un campo eléctrico muy intenso ( E = 3 · 106 N / C), adquiere un momento dipolar inducido de p '.::.'. 3 · 10-34 0 m. Un ejemplo de uso de los dipolos se encuentra en los hornos microondas los cuales se basan en el momento dipolar eléctrico del agua para calentar los alimentos.
29
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Oxígeno
.·C·,}¡}F~ i'
______
\.............
/"'.,/
104'5° Hidrógeno
Hidrógeno
Figura 1.12: Ejemplo del dipolo formado por la molécula de agua Lo que en realidad hace la radiación 2.4 GHz utilizada en los microondas es la excitación del enlace 0-H presente, principalmente, en el agua aunque también existe en otros compuestos. Al absorber la energía de la onda microonda el enlace pasa a un estado excitado que contribuye a elevar la energía media de las moléculas y por tanto, su temperatura.
1.4.1.
'
Campo eléctrico creado por un dipolo
En primer lugar, vamos a estudiar el campo eléctrico creado por un dipolo y después estudiaremos su comportamiento cuando actúa sobre él un campo eléctrico externo. Tal y como hemos dicho, un dipolo eléctrico consta de -dos cargas, q1 = +q y q2 = -q, de igual magnitud pero con signo contrario, separadas una p equeña distancia L según se muestra en la figura 1.13 (a). Para determinar el campo eléctrico creado por un dipolo tenemos que aplicar el principio de superposición ya que disponemos de dos cargas. Así, el campo neto en el punto P vendrá dado por: (1.33) -=t --+ siendo el campo E1 debido a la·carga q1 y el campo E2 debido a la carga q2 (ver figura 1.13 (a)).
Las magnitudes de los dos campos son iguales, al ser el valor de las cargas el ~ -=+ mismo en magnitud, pero E 1 apunta alejándose de q1 mientras que E2 se dirige hacia q2. Vemos que las componentes Y de ambos campos se anulan entre sí y
30
CAPÍTULO
CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
1.
L ,,,,,..-....e+q
.....
.........."'/ +q
X
-q
p
-q
(a)
(b)
Figura 1.13: (a) Campo eléctrico creado por un dipolo en un punto P ; (b) dirección del dipolo eléctrico
sólo nos quedamos con la componente X, que será el doble de la componente X de cada uno de los campos de manera independiente:
E = ExiZ =
(E1x
+ E2x) ~ =
2 E1x ~
(1.34)
Por tanto, vemos que se reduce el cálculo a determinar el campo eléctrico creado por la carga q1 en el punto P.
rÍ = (-~, O, O), = }(½)2 + P 2 = r con lo que
Tenemos que los vectores de posición y vectores distancia son: y IFfa aplicando la ecuación (1.20) obtenemos:
rJ, = (O,P,O), (rfi- rÍ) = (½,P,O)
- ril
E _ _l_q1 (rfa - rI) _ _l_ql (f,P,O) 1 - 41fé.o ¡=-+ rp
- :-:-+¡3 r1
- 47féo
r3
de donde obtenemos las distintas componentes de este campo: E1x
t :-:-+
(1.35)
1 q1 P :-+ - - - - 3 - Uy
(1.36)
1 q¡
- - - --Ux 47rc r 3 0
E1y
Eiz
47ré 0
out
T
(1.37)
Aplicando la ecuación (1.34) obtenemos:
E = 2 _l_ q¡ 35 u; = 47fé0
r
q¡ L 41rc 0 r 3
ut =
+q L
4'
41rc 0 r 3 Ux
(1.38)
31
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Vemos que el campo decrece con r en la forma ~, siendo r el radio. El campo eléctrico sólo depende del producto q L, que se llama momento eléctrico dipolar o momento del dipolo eléctrico y se representa por la letra p. Hacemos que p = q L sea un vector, definiendo a como dirigido de -q hacia +q (ver figura 1.13 (b)). Así el momento dipolar eléctrico es:
1
p
p=qL
(1.39)
Finalmente podemos expresar el campo eléctrico en función del momento dipolar eléctrico como: (1.40)
Si r > > L, entonces r
~
P y tendremos que: (1.41)
' como el campo del dipolo eléctrico, no depende ni de q ni de L Hemos visto únicamente, sino de su producto. Esto es válido para el campo eléctrico del dipolo en cualquier punto en el espacio. Por tanto, sólo se puede determinar este producto a partir del campo de un dipolo eléctrico y no se pueden determinar q y L por separado. 1.4.2.
Comportamiento de los dipolos dentro de un campo eléctrico
Una vez determinado el campo eléctrico creado por un dipolo en un punto P, vamos a estudiar su comportamiento cuando se introduce en una región donde existe un campo eléctrico uniforme y no uniforme. Si se coloca un dipolo en un campo el~ctrico uniforme, ambas cargas, separadas una distancia L, experimentan fuerzas de igual magnitud y de sentido opuesto y, en consecuencia, la fuerza neta es cero y no hay aceleración lineal pero aparece un par que tiende a alinear el dipolo en la dirección del campo eléctrico. En la figura 1.14 vemos que el momento alrededor de la carga negativa tiene la magnitud:
F1Lsen0
32
= qELsen0 = pE sen0
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
El momento es perpendicular al papel y hacia dentro, situando el momento dipolar p en la dirección del campo eléctrico El momento del par puede escribirse como el producto vectorial del momento dipolar p y el campo eléctrico
E.
E:
(1.42) ~
. : ~ . . .- .¼~---· . +q ••.___ _.,..,
ti
E
-q
F2
Figura 1.14: Un dipolo en un campo eléctrico uniforme experimenta fuerzas iguales y opuestas que tienden a girar al dipolo, de modo que su momento dipolar tiende a alinearse con el campo eléctrico
Cuando el dipolo gira un ángulo d0, el campo eléctrico realiza un trabajo
dW
= . -T
d0 = -p E sen0 d0
El signo menos indica que el momento tiende a disminuir 0. Igualando este trabajo con el decremento de energía potencial, resulta:
dU
= -dW = +p E sen0 d0
e integrando
U
= -p E cos0 + Uo
Normalmente, se toma como energía potencial cero la energía potencial correspondiente a una situación en la que el dipolo es perpendicular al campo eléctrico, es decir, cuando 0 = 90°. Entonces Uo = O y la energía potencial del dipolo es:
U= -p E cos0
= - pE
(1.43)
En un campo eléctrico no uniforme un dipolo eléctrico experimenta una fuerza, ya que el campo eléctrico tiene magnitudes distintas en los centros de la carga positiva y negativa. Un ejemplo es la atracción que mantiene un globo electrostáticamente cargado contra una pared. La carga sobre el globo crea un campo no uniforme que polariza las moléculas de la pared y las atrae. Por· otro lado, una fuerza opuesta pero de igual magnitud se ejerce por las moléculas de la pared sobre el globo.
33
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
1.5.
Las líneas del campo eléctrico
El campo eléctrico debido a una distribución de carga se puede representar mediante las líneas de campo eléctrico o líneas de fuerza. Las líneas de can1po eléctrico son continuas en el espacio, en contraste al campo mismo, que está representado por un vector distinto en cada punto del espacio. Son líneas imaginarias que describen, si los hubiese, los cambios en dirección de las fuerzas al pasar de un punto a otro. En el caso del campo eléctrico, puesto que tiene magnitud y sentido 7 se trata de una cantidad vectorial, y las líneas de fuerza o líneas de campo eléctrico indican las trayectorias que seguirán las partículas positivas si se las abandonase libremente a la influencia de las fuerzas de campo. El campo eléctrico será un vector tangente a las líneas d e fuerza en cualquier punto considerado. En resumen, las líneas de campo eléctrico son líneas uniformes y direccionables en el espacio, definidas por el campo eléctrico, de acuerdo con dos reglas: 1. Las líneas de campo eléctrico se dibujan de manera que la tangente a ellas, en cada punto, determine la dirección del campo eléctrico, en ese punto.
E,
2. La densidad espacial de las líneas de campo eléctrico en un punto, es proporcional a la intensidad de campo eléctrico en ese punto. Las propiedades de las líneas de campo se pueden resumir en:
• El campo eléctrico no cambia en forma abrupta sü dirección al pasar por una región del espacio libre de cargas. Así, en una r egión pequeña, las líneas del campo eléctrico son casi paralelas entre sí. • El vector de campo eléctrico es tangente a las líneas de campo en cada punto. • Las líneas de campo eléctrico salen siempre de las cargas positivas o del infinito y terminan en el infinito o en las cargas negativas.
• El número de líneas que salen de una carga positiva o entran en una carga negativa es proporcional a dicha carga. • La densidad de líneas de campo en un punto es proporcional al valor del campo eléctrico en dicho punto.
34
CAPÍTULO L CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
• Nunca se cruzan dos líneas de campo. No pueden, porque el campo eléctrico tiene magnitud y dirección definidas en cualquier punto en el espacio. Si se cruzaran dos o más líneas de campo en algún punto, entonces la dirección del campo eléctrico en ese punto sería ambigua. 11
A grandes distancias de un sistema de cargas, las líneas están igualmente espaciadas y son radiales, comportándose el sistema como una carga puntual.
Figura 1.15: Las líneas negras son las líneas de campo eléctrico debidas a dos cargas puntuales positivas de igual magnitud y las representadas en rojo son las superficies equipotenciales que serán estudiadas en el capítulo siguiente
Figura 1.16: Las líneas representadas en rojo son las líneas de campo eléctrico debidas a dos cargas puntuales de igual magnitud y signos contrarios y, las representadas en rojo son las superficies equipotenciales que serán estudiadas en el capítulo siguiente
35
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
La mejor manera de demostrar la utilidad de las líneas de campo es examinando algunos ejemplos. En la figura 1.15 se muestra las líneas de campo como lineas negras que pasan por un plano creadas por dos cargas positivas de igual magnitud. Observamos como las líneas de campo eléctrico llegan hasta el infinito, porque no hay cargas negativas en las que puedan terminar. Las líneas de campo que se acercan entre sí, entre las dos cargas positivas, parecen repelerse para evitar cruzarse. Otro ejemplo se muestra en la figura 1.16 en donde se dibujan las líneas de fuerza (líneas negras) creadas por una carga positiva y otra negativa de igual magnitud. En este caso, al tener igual magnitud ambas cargas, tendrán el mismo número de líneas pero al ser de signo contrario, toda línea que nace en q desemboca en - q. Observamos que cerca de cada carga, las líneas de campo eléctrico son radiales, pero se desvían de la dirección radia1 para poder alcanzar la otra carga.
1.6.
Ley de Gauss
La descripc¡ón del campo eléctrico mediante las líneas de campo eléctrico, está relacionada con la ecuación matemática de la llamada ley de Gauss, que relaciona el campo eléctrico sobre una superficie cerrada con la carga neta incluida dentro de la superficie. Esta ley p ermite calcular, de manera sencilla, los campos eléctricos debidos a distribuciones simétricas de carga, tales como los creados por una esfera o una línea infinita cargadas. Para ello, necesitamos definir una nueva magnitud llamada flujo. Si encerramos un dipolo eléctrico por una superficie, tal y como se muestra en la figura 1.17 (a) en donde la superficie se ha pintado de azul, vemos como el número de líneas negras que abandonan la superficie es exactamente igual al número de líneas negras que entran en ella sin que importe donde se dibuje la superficie siempre que se encierren en ella ambas cargas, esto es, cuando la carga neta encerrada por la superficie es nula, el flujo también lo es. Pani superficies que encierran otras distribuciones de carga no nulas, el número neto de líneas que sale por cualquier superficie que encierra las cargas es proporcional a la carga encerrada dentro de dicha superficie. Precisamente 1 la magnitud matemática que está relacionada con el número de líneas del campo netas que atraviesa una superficie se llama flujo eléctrico1 q;.
E
Sea el vector campo eléctrico, 7i el vector unitario perpendicular a la superficie y el vector área de magnitud igual al área de la superficie y dirección coincidente
1
36
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
con el vector ti (ver figura 1.18). Se define como flujo eléctrico al producto escalar (.) del vector campo eléctrico y el vector área:
q;=E-"1
=E7,Ati=EAcos0
(1.44)
donde se ha aplicado la definición de producto escalar y siendo 0 el ángulo entre y E el módulo del campo eléctrico y A el módulo del vector área.
E A,
Figura 1.17: Líneas de campo eléctrico de un dipolo encerrado por una superficie de forma arbitraria
Figura 1.18: Líneas de campo eléctrico correspondientes a un campo uniforme que atraviesa un área A
Nótese que cuando el vector campo eléctrico es perpendicular a la superficie, el ángulo 0 es igual a 0° y1 en consecuencia, su coseno es igual a uno, mientras que cuando el vector campo eléctrico es paralelo a la superficie, el ángulo 0 es igual
37
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
a 90° siendo su coseno igual a cero. Por tanto, podernos simplificar la expresión anterior poniendo: (1.45) siendo En la magnitud de la componente perpendicular a la superficie del vector campo eléctrico. Las unidades del flujo son N m 2 /C en el SI. Supongamos que se dispone de una superficie arbitraria corno la representada en la figura 1.19 sobre la cual el campo eléctrico puede variar. Para calcular el flujo tornamos un elemento de área l:u4i. Si el elemento de área es suficientemente pequeño, podemos considerarle como un plano y la variación del campo eléctrico a través del elemento puede despreciarse. El flujo del campo eléctrico a t ravés de este elemento utilizando la ecuación (1.44) es: (1.46) ~
Ei
~
ni
.
.. . ~
J Figura 1.19: Cálculo del flujo que atraviesa una superficie debido a un campo eléctrico que varía en módulo y dirección a través de ésta
El flujo total a través de la superficie es la suma de los flujos elementales, D:.cpi. En el límite, cuando el número de elementos tiepde a infinito y el área de cada elemento tiende a cero, esta suma se convierte en una integral. Así, la definición del flujo eléctrico es: (1.47)
en donde el índice S nos indica que estamos integrando sobre una superficie. En una superficie cerrada, el vector normal unitario ti se define de modo que está dirigido hacia fuera en cada punto. La integral para el caso de una superficie
38
CAPÍTULO L CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
cerrada se índica por el símbolo cerrada viene dado por: 'Ptotal
=
p con lo que el flujo neto a través de una superficie
p
E · dA ,t =
p
(1.48)
En dA
.El flujo total a través de una superficie cerrada es positivo o negativo dependiendo de que esté dirigido hacia fuera o hacia dentro de la superficie.
E
Ahora, supongamos que tenemos una superficie esférica de radio R con su centro en la carga puntual q, tal y como se muestra en la figura 1.20. El campo eléctrico en un punto cualquiera de la superficie es perpendicular a la superficie, radial y tiene de magnitud: E - _l_ _!l_ (1.49) n -
41Té:o R2
o bien expresado en función de la constante de coulomb: kq
(1.50)
En= R2
El flujo total a través de esta superficie esférica se obtiene aplicando la ecuación (1.48) >total
=
P
En dA
= En
P
(1.51)
dA
en donde En ha salido fuera de la integral por ser constante en todos los puntos de la superficie de la esfera . La integral de dA extendida a toda la superficie es por En se el área de una esfera, igual a 41r R 2 . Con este valor y sustituyendo obtiene: 2 k q (1.52) 'Ptotal = R 2 41rR = 41rkq
ti
df::...,,E" = k. q/R2
•;f~iifl} Figura 1.20: Superficie esférica que tiene en su interior una carga puntual q
39
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Observamos como el flujo total a través de una superficie esférica con una carga puntual en el centro es independiente del radio de la esfera y es igual a 41rk veces la magnitud de dicha carga. Esto está de acuerdo con el hecho de que el número de líneas de fuerza que atraviesan una superficie es proporcional a la carga interior a la superficie. Además, este número de líneas de fuerza es el mismo-sea cual sea la forma de la superficie que encierre a la carga. Por tanto, el flujo total a través de cualquier superficie que rodea a una carga puntual q es igual a 41f kq. Podemos generalizar este resultado a sistemas de más de una carga puntual. Supongamos un sistema constituido por tres cargas puntuales q1, q2 y q3 y suponga.:. mos una superficie que encierre a dos de estas cargas (q1 y q2) quedando q3 fuera :ie la superficie tal y como se muestra en la figura 1.21. El campo eléctrico en un punto de la superficie es el vector suma de los campos eléctricos producidos por :ada una de las cargas y, en consecuencia, el flujo total será la suma de los flujos debidos a cada una de estas cargas. Así, el flujo debido a la carga q1 , interior a la superficie vendrá dado por 41rkq1 y el debido a la carga q2, también interior a la superficie, es 41fkq2. Sin embargo, el flujo producido por la carga q3 es cero ya que cada línea de fuerza procedente de ésta carga que llega a la superficie en un punto, abandona la misma en algún otro punto, es decir, el número de líneas neto que atraviesan la superficie es cero. Por tanto, el flujo total a través de la superficie es igual a 41rk(q1 + q2) que puede ser positivo, negativo o cero, dependiendo de los signos y valores de las dos cargas.
Figura 1.21: Superficie que incluye las cargas puntuales q1 y q2 pero no q3
En resumen, podríamos enunciar la ley de Gauss diciendo que el flujo eléctrico a través de cualquier superficie cerrada es igual a 41rk veces la carga dentro de la superficie:
40
1
En dA = 41ík Qdentro
(1.53)
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
O bien, expresarla en función de la permitividad del vacío como >
=
1
En dA
s
=
qdentro
(1.54)
éo
donde se ha aplicado la expresión (1.9) que relaciona k con la permitividad·del vacío. Vamos a ver, a continuación, como la ley de Gauss resulta muy útil para calcular el campo eléctrico en distribuciones especiales de carga con alto grado de simetría. Podemos definir dos tipos de simetría: simetría plana o simetría esférica.Una distribución de carga tiene simetría plana si tiene la misma forma vista desde todos los puntos de una superficie plana infinita. En este caso, se escogerá como superficie gaussiana un cilindro de modo que la distribución cargada lo atraviese por el medio. Una distribución tiene simetría esférica cuando desde todos los puntos de cualquier otra superficie esférica concéntrica con la distribución de carga se observa el mismo sistema electrostático. Ahora, se escogerá como superficie gaussiana una superficie esférica centrada en la carga. Los pasos a seguir para el cálculo del campo eléctrico mediante la aplicación de la ley de Gauss son: 1. Se elige una superficie cerrada imaginaria llamada gaussiana. Hay que tener en cuenta que la superficie gaussiana óptima es aquella en la que En es constante y E~ y rl son perpendiculares o paralelos entre sí. Cuando estos vectores sean perpendiculares el flujo será nulo mientras que cuando sean paralelos el flujo será En · A.
2. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.48). Quedará una expresión del flujo en función del campo eléctrico. 3. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.53) o la ecuación (1.54).
4. Se igualan las dos expresiones del flujo calculadas en los pasos anteriores y se despeja la expresión del campo eléctrico. EJEMPLO
1.10
Se desea calcular el campo eléctrico debido a una distribución uniforme A sobre un hilo recto e indefinido coincident'e con el eje Zen un punto cualesquiera del espacio.
41
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Observamos como la distribución dada presenta simetría plana con lo que resulta muy conveniente utilizar la ley de Gauss para resolver el problema. Aplicamos los pasos descritos: l. Al presentar simetría plana se va a considerar como superficie gaussiana un cilindro de radio r y altura L y cuyo eje coincide con el hilo tal y como se muestra en la figura 1.22 (a). De esta manera se consigue que el campo eléctrico sea constante en toda la superficie gaussiana. 2. Se aplica la ecuación (1.48) sobre un elemento diferencial de área dA para
determinar el flujo:
>=
f
En dA=E,f dA
donde Eres la componente radial del campo eléctrico que es la componente perpendicular a la superficie. Nótese que sólo existe componente radial del campo eléctrico y por consiguiente no existe flujo a través de la superficie superior e inferior del cilindro. Esto es debido a que en cualquier punto del espacio el campo debido a un elemento diferencial ,\ dl de la distribución lineal tiene un simétrico ). dl' de manera que la suma vectorial de ambos campos únicamente tiene componente radial (ver figura 1.22 (b)).
z z dp=r dcp ~
Er y
dA y
(a)
(b)
Figura 1.22: Cálculo del campo eléctrico creado por una línea infinita aplicando la ley de Gauss. (a) Superficie Gaussiana. (b) Componente del~campo eléctrico obtenida al sumar el campo creado por dos elementos diferenciales simétricos de la línea
3. Llamando al elemento diferencial del perímetro del cilindro dp, y tal y como se muestra en la figura 1.22 (a), se cumple que dA = L dp = L r drp, con lo que resulta:
¡21r
>
= Er }
0
42
L r drp
=
Er L r 21r
CAPÍTULO 1. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
4. Se calcula el flujo a través de la superficie considerada aplicando la ecuación (1.54) y la ecuación (1.3) resultando: q> =
~ f L dl = éo
Jo
AL éo
5. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo, obteniéndose como expresión del campo eléctrico: (1.55)
Observamos como el resultado obtenido utilizando la ley de Gauss es el mismo que obtuvimos en la ecuación (1.28) del ejemplo 1.7 donde aplicamos directamente la definición de campo eléctrico aunque ahora los cálculos han sido más sencillos. EJEMPLO
1.11
Se dispone de una distribución superficial de carga (j sobre un plano indefinido coincidente con el eje X Z. Se desea calcular el campo creado por dicha distribución en un punto cualesquiera del espacio, P. Vemos que la carga se distribuye uniformemente por el plano indefinido y por tanto, el campo es, en todo punto, uniforme y perpendicular al plano. Dada la simetría del problema aplicaremos la ley de Gauss para su resolución. Pasos: l. Como la distribución presenta simetría plana, se elige como superficie gaussiana un cilindro de radio r y altura L situado como indica la figura 1.23 para conseguir que el campo eléctrico sea constante en las bases del cilindro. Nótese que el flujo a través de la superficie lateral del cilindro es nulo al ser el vector campo y rl perpendiculares.
2. Se calcula el :flujo aplicando la ecuación (1.48):
ef, =
P
En
dA =
P
(E1derecha
+ Elizquierda) dA =
P
2 E dA
donde E1derecha y E1izquierda son los módulos de las componentes normales a ambas caras del cilindro gaussiano, siendo vectores de igual magnit ud ( E) pero de sentidos opuestos.
43
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Sabiendo que la superficie de un círculo es 7fr2 se obtiene:
Superficie
gaussiana Plano indefinido
Figura 1.23: Superficie gaussiana seleccionada para el cálculo del campo eléctrico creado por un plano infinito \
3. Se calcula el flujo aplicando las ecuaciones (1.54) y (1.5):
=
qdentro éo
=
Ís
=
ds
O'
€o
(J'.
7fr
2
€o
4. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo y se despeja la magnitud del campo eléctrico:
resultando así: :;,:--1'
(J'
-2
éo
Uy
(J'
-+
- -u 2co
EJEMPLO
y
1.12
Se desea calcular el campo eléctrico creado por una distribución uniforme de carga p de forma esférica, en su interior y en su exterior.
44
CAPÍTULO L CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
Como se trata de una distribución simétrica vamos a aplicar la ley de Gauss para el cálculo del campo eléctrico en un punto de su interior primero y después en un punto de su exterior.
Campo eléctrico en el interior. Pasos: l. Cuando la distribución es esférica, se elige como superficie gaussiana una esfera centrada a la distribución y de radio r de manera que para calcular el campo en el interior se elige r < R ( ver figura 1.24 (a)).
z
y
(a)
(b)
Figura 1.24: Superficie gaussiana de radio r para determinar el campo eléctrico creado por una esfera (a) en un punto de su interior y (b) en un punto del exterior 2. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.48):
'P=jEndA=j E,dA=E,j dA =E,41rr2 en donde se ha sustituido el área de una superficie esférica por su expresión. 3. Se calcula el flujo aplicando las ecuaciones (1.54) y (1.5):
l qJ = - - - = €o
P dv
qdentro
V
éo
pfrrr3
= ------éo
en donde se ha sustituido el volumen de una esfera por su expresión.
45
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
4. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo y se despeja la magnitud del campo eléctrico:
Nótese que su dirección será radial. Campo eléctrico en el exterior.
Pasos: l. Ahora se elige como superficie gaussiana una esfera centrada a la distribución y de radio r tal que r > R (ver figura 1.24 (b)).
2. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.48):
=
f
En dA =
f
Er dA = E,.
f
dA = Er 4,rr
2
donde se ha sustituido la expresión del área de una superficie esférica por su expresión. 3. Se calcula el flujo aplicando las ecuaciones (1.54) y (l. 7):
qdentro = E:o
ÍvP dv éo
3
= pj1rR Eo
en donde se ha sustituido el volumen de una esfera. por su expresión. 4. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo y se despeja la magnitud del campo eléctrico:
Nótese que su dirección será radial.
EJEMPLO
1.13
Se tienen dos cilindros metálicos de longitud L y concéntricos de radios a y b ( con a < b) y cargados uniformemente con una carga igual y opuesta tal que Qª = -Q y Qb = Q según muestra la figura 1.25. Se pide
46
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
hallar el campo eléctrico en puntos a distancia r del eje común en los siguientes casos: (1) r > b; (2) r < a; (3) b > r > a.
L
Figura 1.25: Cilindros metálicos concéntricos
(1) r > b Vamos a aplicar Gauss dada la simetría del problema. Pasos: 1. Se elige como superficie gaussiana un cilindro concéntrico con los anteriores y de radio r tal que r > b (ver figura 1.26 (a)): 2. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.48): e/¡
=
f
En dA =
f
E, dA
= E,
L 2,rr
3. Se calcula el flujo aplicando las ecuaciones (1.54):
= Q a + Qb = O éo
4. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo y se despeja la magnitud del campo eléctrico: Er L 21rr = O
luego: N Er=O C
47
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Qb
Qb
(e) a
(b) r
(a) r>b
Figura 1.26: Superficies gaussianas seleccionadas para aplicación de la ley de Gauss (2) r
Vamos a aplicar Gauss dada la simetría del problema. Pasos: l. Se elige como superficie gaussiana un cilindro concéntrico con los anteriores y de radio r tal que r < a (ver figura 1.26 (b)). '\
2. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.48):
3. Se calcula el flujo aplicando las ecuaciones (1.54): .. >
=
Qdentro Eo
=O
4. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo y se despeja la magnitud del campo eléctrico: luego:
N Er=O -
e
(3) b > r
>a
Vamos a aplicar Gauss dada la simetría del problema. Pasos:
48
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
l. Se elige como superficie gaussiana un cilindro concéntrico con los anteriores y de radio r tal que b > r > a (ver figura 1.26 (c)).
2. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.48):
3. Se calcula el flujo aplicando las ecuaciones (1.54): >
=
Qdentro
=
-Q
€o
€o
4. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo y se despeja la magnitud del campo eléctrico:
-Q
Er L 2n-r= -
éo
luego:
-Q
N r L C
Er=---21ré0
1.7.
Conductores y aislantes
Una vez que un cuerpo ha adquirido carga eléctrica, lo que suceda después depende de si el material es aislante o conductor. En los materiales aislantes o dieléctricos, como el vidrio, plástico o madera, t odos los electrones están ligados a los átomos próximos y ninguno puede moverse libremente, es decir, son materiales que resisten el paso de la corriente. Esto implica que la carga situada en un aislante permanece en la zona en la que se colocó inicialmente. En los materiales conductores parte de los electrones pueden moverse libremente en el seno del material. Esto es debido a que cuando un gran número de átomos de un metal se unen para formar una red cristalina de ese metal, el enlace de los electrones de cada átomo individual se modifica por interacciones con los átomos próximos. Uno o más de los electrones externos de cada átomo queda en libertad para moverse por todo el metal. El número de elect:rones libres depende del metal particular, pero típicamente oscila alrededor. de un electrón por átomo. Cuando
49
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
a un átomo se le quita o se le añade un electrón, con la aparición de una carga neta se convierte en un ion. Así, en el metal los iones se distribuyen regularmente formando la red. En principio, un conductor es eléctricamente neutro porque tiene igual número de iones con carga positiva que de electrones. Sin embargo, un conductor puede adquirir carga cuando se le añaden o se le quitan electrones. Cuando introducimos un conductor dentro de un campo eléctrico externo, constante y estático, éste hará que los electrones se muevan de manera que se anule el campo eléctrico dentro del material. Es decir, en equilibrio electrostático los conductores no tienen campo eléctrico estático interno neto. Esta propiedad de los conductores se representa en la figura 1.27, en donde se muestra un conductor en un campo eléctrico externo. Los electrones del metal se mueven hacia el lado izquierdo del conductor dejando una deficiencia de electrones en el lado derecho del conductor (carga positiva). El exceso de electrones en el lado izquierdo y la ausencia de ellos en el lado derecho produce un campo eléctrico interno que se dirige .hacia la izquierda. Este campo interno anulará al externo de manera que el campo neto en el interior del conductor es nulo.
-
Eextemo
Figura 1.27: Conductor sin carga en un campo eléctrico externo Veamos ahora que ocurre cuando se añaden cargas a un conductor. Supongamos una superficie gaussíana en el interior de dicho conductor. Si a esa superficie le aplicarnos la ley de Gauss, veremos que como no hay campo, no hay flujo y p or consiguiente, no h ay carga neta dentro de un metal. Est o implica que en equilibrio electrostático todo exceso de carga está en la superficie externa de un conductor. Los mejores conductores eléctricos son los metales y sus aleaciones, aunque existen otros materiales, no metálicos, que también poseen la propiedad de conducir la electricidad como son el grafito, las soluciones salinas y cualquier material en estado de plasma. Para el transporte de la energía eléctrica el mejor material es la plata pero es muy caro por lo que el material empleado universalmente es el cobre en forma de cables de uno o varios hilos. Alternativamente, se emplea el aluminio, m etal que sí bien tiene una conductividad eléctrica del orden del 60 %
50
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
la del cobre es muy ligero lo que favorece su empleo en líneas de transmisión de energía eléctrica en las redes de alta tensión. Para aplicaciones especiales se utiliza como conductor el oro. Aunque en este apartado no se menciona, entre los aislantes y conductores se encuentran los semiconductores los cuales presentan características eléctricas entre ambos. El comportamiento de los semiconductores será estudiado en el capítulo de dispositivos electrónicos y es precisamente allí, donde se presenta la teoría de bandas la cual describe el comportamiento de los tres tipos de material.
1.8.
Resumen y Ecuaciones Básicas
Durante este capítulo se ha estudiando la carga eléctrica como la propiedad que produce los campos electromagnéticos y sobre la que actúan estos campos. Exísten dos tipos de carga: positiva y negativa. Las cargas diferentes se atraen entre sí y las cargas iguales se repelen. Además, la carga eléctrica está cuantificada, esto es, siempre se presenta en números enteros de la unidad fundamental de carga que es la carga del electrón. Otra propiedad importante es que la carga se conserva. Las cargas pueden ser puntuales, partículas cargadas 1 o bien distribuciones de carga. Dependiendo de cómo esté distribuida esa carga encontramos distribución lineal, cuando la carga está distribuida a lo largo de una línea, distribución superficial, cuando la carga está distribuida en una superficie o distribución volumétrica cuando la carga está distribuida en un volumen. En los tres casos, la carga que contiene el elemento se especifica con la densidad de carga. A continuación, el capítulo se dedica al estudio de los fenómenos eléctricos producidos cuando las cargas están separadas y en reposo. En concreto, se han estudiado los siguientes conceptos fundamentales: • La ley de Coulomb que es la ley fundamental de la interacción entre las cargas en reposo. Esta ley nos permite determinar la fuerza que ejerce una partícula cargada sobre otra. • El concepto de campo eléctrico. • El principio de superposición el cual establece que la fuerza o el campo eléctrico debido a un sistema de cargas es la suma de los vectores fuerza o campo eléctrico generados por cada carga en el sistema.
51
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
• Dipolo eléctrico que es un sistema de dos cargas puntuales iguales pero de signo opuesto, separadas por una pequeña distancia. El campo eléct rico en un punto alejado de un dipolo es proporcional al momento dipolar y disminuye con el cubo de la distancia. • Las líneas de campo o de fuerza las cuales nos permiten visualizar los campos eléctricos. El vector de campo eléctrico en todo punto siempre es tangente a las líneas de campo eléctrico. Además, el número de líneas por unidad de área a través de una superficie perpendicular a las líneas es proporcional a la magnitud del campo eléctrico en esa región. • El concepto de flujo eléctrico el cual es una medida cuantitativa de las líneas de campo que atraviesan una superficie. • La ley de Gauss que establece la relación entre carga y flujo eléctrico que atraviesa una superficie cerrada cualesquiera que encierra a la carga. Es importante destacar la utilidad de la ley de Gauss para calcular el campo eléctrico en distribuciones de carga de gran simetría. \
Finalmente se ha analizado el comportamiento de los materiales frente a la carga eléctrica lo que nos lleva a clasificarlos como conductores, aislantes y semiconductores. ECUACIONES BÁSICAS
l. Densidad lineal de carga: A =
a;:
2. Densidad superficial de carga: a = ~ 3. Densidad volumétrica de carga: p 4. Ley de Coulomb:
r __
=
~~
1_q1 q2
1,2 -
41íEo
l"'.':"'1'
trt - rt) - ),,3
r2 - r 1
donde (~ - r'i) es el vector dirigido de la carga q1 a la carga q2 y E:0 es la permitividad eléctrica del vacío. Su valor en el SI es c 0 = 8'85 -10- 120 2 / N · m 2. La ley de Coulomb expresada con la constante de Coulomb k de valor en el ;1) SI k = 8'99 · 109 N.m2 /C2 queda: F 1 ,~ = kq1 I~ r
52
<~
1
- r 1
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
5 Campo eléctrico: •
E2 = - 1- ª[r!-rff (TÍ-ri') 1
41re0
p = qt Momento sobre un dipolo: 7 = p x E Flujo Eléctrico: ; = f s 15. dA
6. Momento dipolar de un dipolo:
7. 8.
9. Ley de Gauss: ef; =
1.9.
fs E. dA = 9in;:rior
Ejercicios de Autoevaluación
1. Se dispone de un sistema formado por tres cargas puntuales q1 = -1 µC situada en el punto (-3,0,-2) m, q2 = 3 µC situada en el punto (3,-5,2) m
y q3 = 4µC situada en el punto (1,-1,0) m. Se desea calcular la fuerza ejercida por estas cargas sobre una cuarta carga q4 = 1 µC situada en el punto (0,-2,4) m.
Solución:F
= (- 1'33 ~ + 0'36 üt + 2'25 üt) -10-3 N
2. Se dispone de un sistema formado por tres cargas puntuales q1 = -5 µC
situada en el punto (-1,0,-2) m, q2 = 3 µC situada en el punto (0,-3,2) m y q3 = -2 µC situada en el punto (2,1,0) m. Se desea calcular el campo eléctrico creado por estas cargas en el origen de coordenadas. Solución:
E= (-0'81 ~ + 3'34 üt + -9'20 ~)-10
3
N/C
3. Se tienen cuatro cargas puntuales q1 = -lOnC situada en (2,3,0) m, q2 = -5nC situada en (-2,4,0) rn q3 = -3 nC situada en (0,0,3) m y q4 = 2 nC situada en (0,4,0) m . (1) Calcular el campo eléctrico en el punto (0,4,0) m . (2) Calcular la fuerza eléctrica total sobre q4.
Solución:
E= (4'84, -7'47, -0'43) N/C; -¡f = (9'70, - 14'95, -0'86) N
4. Se tienen tres cargas puntuales q1 = q2 = 2 nC y q3 = -3nC, colocadas como indica la figura 1.28. Calcular la fuerza eléct rica sobre q1 . Solución:(-9,lo-9 , 13'5,lo- 9 ) N
53
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Y{m)
2
Q3
1
1
X(m)
2
Figura 1.28 5. Se disponen de tres cargas puntuales Qa, Qb y Qc en los puntos ~ = (2, 1) m; r& = (-1, 1) m y r{ = (1, 1) m. Sabiendo que el valor de la carga de Qª = q y el de Qc = 2q, calcular el valor de la carga Qb para que la fuerza sobre la carga Qc sea nula . Solución: Qb
= 4q
6. Tres cargas puntuales se colocan a lo largo del eje X como se muestra en la figura 1.29. La carga positiva q1 = 15µ0 está en x = 2 m, y la carga positiva q2 = 6 µC está en el origen. ¿Dónde debe estar situada la carga negativa q3
sobre el eje X de manera que la fuerza resultante sobre ella sea cero? Solución: x
= 0'775 m 2m X
q2
F23
q~ J
Fl3
ql
Figura 1.29 7. Se dispone de un sistema formado por dos cargas puntuales q1 = 3µ,C situada en el punto (-1 ,0,-1) m y q2 = lµC situada en el punto (1,-2,0) m. ¿Dónde se debería situar una tercera carga para que la fuerza sobre ella sea nula? Solución: (1'26, -1'26, -0163) m 8. Dos cargas q puntuales iguales y positivas est án a una distancia 2a. Una carga positiva unidad se coloca en el plano perpendicular a la línea que une
54
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
las cargas (ver figura 1.30). ¿A qué distancia x experimentará una fuerza máxima? Solución: x
= a {i. m Carga positiva unidad
q <----------+-<------~ q
a
a
Figura 1.30
9. De dos hilos de seda de 40 cm de longitud cuelgan dos esferas idénticas de 50 gramos de masa. Si comunicamos a las dos esferas la misma carga, el sistema adopta una posición de equilibrio formando los dos hilos un ángulo de 60°. Calcular la carga de las esferas. Solución: q
= 2'24 · 10-6 C.
10. Dos cargas positivas iguales Q están en los lugares x = -a y x = a, en el eje X de un sistema de coordenadas. Determine el campo eléctrico en cada punto P del eje Y. Solución:
2 KQ P 11: E= (y'a2+p2)3 Y
11. Se dispone de una distribución lineal y uniforme situada sobre una circunferencia de radio R cuyo centro es el origen y está en el plano XY. Se desea calcular la fuerza que esta distribución ejerce sobre una carga q situada en el punto z del eje Z.
· , , -:::t _ Sl o uc10n. F -
q>.Rz
2
Co
~
(vR2+z2)3 Uz
12. Determinar el flujo eléctrico que pasa a través de una caja cúbica colocada en un campo uniforme de tal modo que dos dé las caras son perpendiculares a E~ (ver figura 1.31). Solución: e/>= O
E=
55
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Figura 1.31 13. Calcular el flujo de campo eléctrico que atraviesa un hemisferio de radio R, siendo el campo E uniforme y paralelo al eje del hemisferio (ver figura 1.32). Solución: c/Jhemisferio = 1r R 2 E
\
Figura 1.32 14. Una caja cúbica contiene una carga de 6 µC. El flujo medido por una cara del cubo es 9 · 105 N m 2 /C. ¿Cuál es el flujo total que pasa por las otras cinco caras? Solución: - 2'22 . 105 N m 2 /C 15. Supongamos que se proyecta un electrón en un campo eléctrico uniforme = 100~ N/C, con una velocidad inicial de~= 2. l06üt m/s. Se quiere calcular la distancia que recorre el electrón hasta que se detiene. (me = 9'11.10- 31 kgr, qe = 1'6,10- 19 O). Solución:11'38,10-2 ~m
1J
16. Dos esferas conductores, aisladas entre sí, se cargan con Qa y Qb (ver figura 1.33). Calcular el campo eléctrico en puntos a distanciar del centro: (l)r > e; (2) a < r < b; (3)r < a.
E
;¡fr'· (2) = Solución: (1) E] = 9a+Qb 41rcor2 vector unitario en la dirección radial.
56
Qa 41reor2
;¡fr ·, (3)
E = O donde V:r es el
CAPÍTULO l. CAMPOS ELECTROSTÁTICOS
Qb
Figura 1.33 17. Una esfera de radio R1, que está cargada con una densidad de carga uniforme p, tiene una· cavidad esférica de radio R2, no concéntrica con la esfera anterior. Calcular el campo eléctrico en el interior de la cavidad (ver figura 1.34). Solución: = 3~o 01 o~
E
Figura 1.34 18. Una carga de densidad uniforme(]" = 0'2nG/m2 cubre el plano 2x-3y+z = 6 m . Calcular el campo eléctrico en el lado del plano que contiene el origen de coordenadas. Solución:
E= 11'29 -
2
~~-u; N/C
57
Capítulo 2
Potencial Eléctrico
CONTEXTO El propósito de este capítulo es desarrollar una descripción escalar del ca1 eléctrico mediante la energía potencial y el potencial eléctrico, y su relación el trabajo eléctrico. También vamos a estudiar como la energía potencial se p1 almacenar y transmitir, utilizando la capacidad eléctrica. Esto nos lleva al est1 de las baterías y los condensadores, ambos elementos imprescindibles en mm dispositivos electrónicos de uso cotidiano tales como el móvil, reproduct01 música, ordenador, etc. En este capítulo vamos a comenzar estudiando el concepto de potencial elé• co. Se introducirán las superficies equipotenciales como una forma de visua] el potencial. Además, se presenta una conexión entre las descripciones vect< y escalar del campo electrostático, es decir, vamos a estudiar la relación e campo eléctrico y potencial eléctrico. En las siguientes secciones, estudiarem< concepto de capacidad así como la posibilidad de almacenar la energía eléct mediante condensadores. En este punto estudiaremos diferentes tipos de conde dores para pa.sar a continuación a estudiar cómo calcular la capacidad equival, de un un conjunto de condensadores dispuestos en serie y paralelo. FinalmE se estudia como es posible cambiar las características de un condensador cu a introducimos entre placas un material dieléctrico.
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
CONOCIMIENTO PREVIO NECESARIO De manera análoga al capítulo anterior resulta imprescindible manejar con soltura el cálculo vectorial y la trigonometría además del cálculo de integrales y derivadas.
OBJETIVOS DEL CAPÍTULO Los objetivos del capítulo son: l. Estudio del concepto de energía potencial y de potencial eléctrico.
2. Saber determinar el potencial eléctrico en un punto conocido su campo eléctrico y viceversa. 3. Conocer las baterías y los condensadores como dispositivos capaces de almacenar energía eléctrica. 4. Estudio de algunos tipos de condensadores típicos. 5. Aprender a determinar la capacidad equivalente a un conjunto de condensadores dispuestos en serie y/ o paralelo. 6. Estudiar los dieléctricos y cómo influyen cuando son introducidos entre las dos placas de un condensador.
GUÍA DE ESTUDIO Lo conveniente es seguir el estudio del capítulo de manera secuencial.
60
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
2.1.
Potencial eléctrico
E
La fuerza eléctrica ejercida por un campo eléctrico, 1 sobre una carga puntual, de la carga vendrá qJ es conservativa por lo que la variación de la energía potencial ~ dada por el producto de la fuerza por el desplazamiento, d l , que experimenta la carga q:
(2 . 1) sabiendo que la fuerza ejercida por un campo eléctrico = q resulta: dU = d[
F'
E
-qE ·
E sobre una carga q es (2.2)
Observamos que la variación de energía potencial es proporcional a la carga. Se define la diferencia de potencial} dV, como la variación de energía potencial por unidad de carga: dU -:± -4 dV=-=-l!i·dl (2.3) q
Así, para un desplazamiento desde el punto a al punto b, la diferencia de potencial entre estos puntos vendrá dada por:
(2.4) Vemos que la diferencia de potencial es el valor negativo del trabajo realizado por el campo eléctrico, por unidad de carga cuando ésta se desplaza desde el punto a al punto b. Cuando el punto a es la referencia, el potencial es cero 1 hablamos simplemente de potencial eléctrico o potencial en el punto b. Nótese que las líneas de campo eléctrico apuntan en la dirección del potencial decreciente así cuando situarnos una carga positiva en un campo eléctrico, la carga se acelera en la dirección del campo aumentando de este modo su energía cinética pero disminuyendo su energía potencial. La unidad del potencial eléctrico en el SI es el Julio(J)/Culombio(C) o lo que es lo mismo el voltio(V). Si observamos la ecuación (2.3) tenemos que las dimensiones del potencial son también las dimensiones del campo eléctrico (N/ C) multiplicada por las dimensiones del desplazamiento (m) lo que nos lleva a la siguiente relación entre unidades,
N
V
c
m
1-=1-
(2.5)
61
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Es interesante introducir el electronvoltio (eV) como unidad de medida de la energía que representa la energía cinética que adquiere un electrón cuando es acelerado por una diferencia de potencial de 1 voltio. La conversión de electronvoltio a julios (J) es: leV= 1'60 · 10- 19 0 ·V= 1'60 · 10-19 J (2.6) Supongamos una carga situada en el origen de coordenadas según se muestra en la figura 2.1, la cual crea un campo eléctrico La diferencia de potencial eléctrico en el punto b situado a una distancia ft de la carga q y el punto a situado en el infinito puede calcularse a partir de la expresión del campo eléctrico estudiada en el capítulo anterior. Así, sustituyendo la ecuación (1.20) en la ecuación (2.4) tendremos:
E.
-:+
siendo d l el desplazamiento radial infinitesimal. Si ~ es el vector unitario radial -:+ podemos poner que d l = dr U:: y r"b = r ~' con lo que resulta: \
dV
= __q_r
:-+
Ur ·
41rEo r 3
dr
u;= __q_ -1 dr 41rEo r 2
integrando y situando el puntob a una distancia R del centro de la carga, tenemos:
_q_ dr - [ 41rE 0r 2
q 41rEor
]R
q
(2.7)
00
o expresado en función de la constante de Coulomb: V=~ R
Figura 2.1: Cálculo del potencial en un punto b
62
(2.8)
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
En resumen, hemos aprendido dos modos de calcular el potencial eléctrico: (1) si se conoce el campo eléctrico se puede emplear la ecuación (2.4); (2) si no se conoce el campo eléctrico, podemos calcular el potencial empleando la ecuación (2. 7). Esta última técnica sólo es válida cuando la distribución que crea el campo eléctrico no es infinita. Es importante destacar que la diferencia de potencial entre dos conductores depende de sus formas geométricas, de su separación y de la carga de cada conductor. Si ponemos en contacto dos conductores se produce una distribución de la carga de manera que, en equilibrio electrostático, el campo es cero en el interior de ambos conductores. De este modo, los dos conductores en contacto podrían considerarse como un único conductor con una sola superficie equípotencial. Así, si unimos un conductor cargado con otro descargado, la carga se distribuirá hasta que ambos conductores se encuentren a igual potencial. Si ambos conductores son idénticos, la carga se repartirá por igual. Si, a continuación, los conductores se separan, cada uno tendrá la mitad de la carga inicial y ambos se encontraran al mismo potencial. Evidentemente, si el potencial es conocido, puede emplearse para determinar el -:7 campo eléctrico. La variación de potencial para un pequeño desplazamiento, d l , viene dada por el producto escalar:
dV
= -IÍi · d( =
-Ecos0dl
E
siendo E y dl los módulos de los vectores y &. Llamando Et a la componente del campo eléctrico paralela al desplazamiento se cumple que Et = E cos0 con lo que resulta: dV = -Et dl Despejando se obtiene: dV dl
Et=--
(2.9)
Nótese que si el desplazamiento es perpendicular al campo eléctrico, dV será igual a cero, es decir, el potencial no varía. En cambio, si el desplazamiento se produce en la misma dirección que el campo eléctrico, la variación del potencial será la mayor posible.
2.1.1.
Potencial eléctrico de un sistema de cargas puntuales
Aplicando el principio de superposición resulta que el potencial en un punto debido a varias cargas puntuales es igual a la suma de los potenciales debidos a cada
63
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
carga por separado. Así, el potencial debido a un sistema formado por N cargas puntuales, qi, vendrá dado por: N
V-~ Qi ~ 41réoll& i=l
(2.10)
o expresado mediante la constante de Coulomb: N
V=Lkqi
EJEMPLO
(2.11)
R¡,
i =l
2.1
.Supongamos do·s cargas puntuales de 5nC y 4nC situadas en los puntos (3,4,0) m y (2,0,0) m, respectivamente. Se desea determinar el potencial eléctrico en el origen de coordenadas. Aplicando la ecuación (2.11) el potencial en el origen es la suma de los potenciales creados por cada una de las cargas: ',
k q2 kq2 V=V1+V2=-+R1 R2
v3
2 + 42 = 5 m la distancia del origen a siendo R1 = del origen a qz. Sustituyendo valores:
V= 9. 109. [5. 10-9
y R2
= 2m
la distancia
+ 4. 10-9] = -18V
5
2.1.2.
q1
2
Potencial eléctrico de distribuciones continuas de carga
Para calcular el potencial debido a una distribución continua de carga debe considerarse el elemento diferencial de carga dq como una carga puntual con lo que el sumatorio de la ecuación (2.10) se convierte e~ una integral, quedando:
V=
f
l
--dq 41réor
(2.12)
siendo r la distancia desde el elemento diferencial hasta el punto donde queremos calcular el potencial. Expresándolo en función de la constante de Coulomb resulta: (2.13)
64
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
Esta ecuación considera que el potencial es cero a una distancia infinita de las cargas y, por tanto, no puede utilizarse cuando la carga se encuentra en el infinito como ocurre en el caso de distribuciones teóricas de carga tales como una carga lineal infinita. En estos casos, para el cálculo de la diferencia de potencial, será necesario aplicar directamente la ecuación (2.4). EJEMPLO
2.2
Se desea calcular el potencial creado por una distribución lineal de carga infinita en un punto 1 situado a una distancia perpendicular de la línea.
'.r1
El campo eléctrico resultante tiene dirección radial ya que respee:to al punto de cálculo, siempre va a existir un elemento diferencial simétrico que anule el resto de las componentes tal y como se muestra en la figura 2.2. En estos casos, donde la distribución es infinita, el potencial se calcula a partir del campo eléctrico, aplicando la ecuación (2.4).
----~ E
Figura 2.2: Cálculo del potencial creado por una distribución lineal infinita Por otro lado, en el capítulo anterior se ha calculado el campo eléctrico creado por una distribución lineal e infinita de carga resultando ser Er = -21reA r siendo r la distancia perpendicular entre la línea y el punto donde queremos calcular el potencial. Sustituyendo en la ecuación (2.4) y resolviendo la integral, resulta: 0
-! E.d{ =-! Vi - VreJ
- ¡r1
A
Er~dr~=-
dr - __A_
lrref 21féor
¡r1
f
Er
dr
dr
21féo lrref r
.X r1 --Ln(-) 2'1Tc 0
rref
siendo rref y r1 las distancias radiales desde el punto de referencia y el punto 1 hasta la línea cargada, respectivamente. Además, se ha sustituido d por dr u;:·
1
65
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
dado que el potencial varía en función del radio (distancia perpendicular a la línea) al igual que el campo eléctrico. Por simplicidad podemos elegir un punto de referencia en el que el potencial sea cero, el cual no puede ser Tref = O porque Ln(O) = -oo, ni tampoco Tref = oo porque Ln( oo) = oo. Sin embargo, podemos elegir cualquier punto comprendido entre cero e infinito tal que O< íref < oo y de esta forma el potencial viene dado por: ,\
r1
21Téo
íref
V= - - L n ( - )
EJEMPLO
(2.14)
2.3
Se desea determinar el potencial debido a una corteza conductora de radio R y carga q distribuida uniformemente (ver figura 2.3).
Figura 2.3: Cálculo del potencial creado por una corteza esférica A diferencia del caso anterior de una distribución de carga extendida a lo largo de una línea infinita, este caso se trata de una distribución finita por lo que, en principio, podríamos calcular el potencial por integración directa de la ecuación (2.12). Sin embargo, existe una forma más simple dado que el cálculo del campo eléctrico resulta sencillo por aplicación de la ley de Gauss al tratarse de una distribución simétrica. Después calcularemos el potencial por aplicación de la ecuación (2 .4). ,. Así, comenzamos calculando el campo eléctrico aplicando los pasos de la ley de Gauss tanto al exterior de la corteza como al interior.
(1) Campo eléctrico en el exterior. Pasos: l. Cuando la distribución es esférica, se elige corno superficie gaussiana una esfera centrada en la distribución y de radio r tal que r > R, esto es, exterior a la esfera.
66
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRJCO
2. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.48): > =
cj En dA cj Er dA
= Er
=
cj dA
= Er 4rrr 2
en donde se ha sustituido el área de una superficie esférica de radio r por su expresión. 3. Se calcula el flujo aplicando las ecuaciones (1.54) y (1.5): (/J
=
qdentro é0
=
!!:._ E0
4. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo y se despeja la mag-
nitud del campo eléctrico:
q
E r = - -4Kcor2
o en función de la constante de Coulomb Er = ~ . Expresándolo en función T del vector unitario en dirección radial, el campo eléctrico en el exterior viene dado por: --+ kq0 (2.15) Eext = - 2 Ur
r
(2) Campo eléctrico en la corteza.
Si elegimos en el caso anterior un punto sobre la corteza esférica, es decir, re obtenemos:
=R
(2.16)
(3) Campo eléctrico en el interior. Pasos: 1. Cuando la distribución es esférica, se elige como superficie gaussiana una esfera centrada a la distribución y de radio r tal que r < R. 2. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.48): 4> =
cj E,. dA = cj Er dA
= Er
cj dA
= Er 4rrr 2
en donde se ha sustituido el área de una superficie esférica de radio r por su expresión.
67
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
3. Se calcula el flujo aplicando las ecuaciones (1.54) y (1.5) resultando > ya que la carga dentro de la corteza esférica es nula.
=O
4. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo y se despeja la magnitud del campo eléctrico quedando Er = O, luego el campo eléctrico en el interior es:
Vemos como al estar la carga por la corteza esférica, si aplicamos la ley de Gauss para calcular el campo eléctrico en el interior de la corteza, poniendo una esfera gaussiana de radio menor que R, en su interior no existe carga eléctrica y, por tanto, el campo eléctrico es cero. Sin embargo, veremos seguidamente que el potencial en el interior no lo es.
(1) Potencial en el exterior. Se calcula el potencial en un punto del exterior e aplicando la ecuación (2.4) y teniendo en cuenta que d = dr
1
'
U:::
---+ --+ dV = -Eext · d l
--+ kq = -kq--+ Ur · drur = --dr 2 r r2
integrando desde el infinito (referencia) hasta un punto exterior a la corteza e~ obtenemos Ve = -k q d; = k q (2.17)
¡re
} 00
r
re
siendo re la distancia desde el, centro de la corteza esférica hasta el punto del exterior e.
(2) Potencial en la corteza Para calcular el potencial en la corteza se utiliza la expresión obtenida anteriormente con re= R: ""
V=~
,
R
(2.18)
( 3) Potencial en el interior. Para calcular el potencial en esta zona debemos tener en cuenta que para llevar la carga d esde la referencia (infinito) hasta el interior de la esfera nos encontramos con dos zonas: (1) parar> R en donde el campo eléctrico r esponde a la expresión
68
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
~; y (2) parar< R en donde el campo eléctrico es cero. Por tanto, aplicando la ecuación (2.4) en ambas zonas tenemos:
1r-:::::---+ Eint dr = -
¼ = - --:± E · d -:+ l = - ¡R-:-::--+ Eext. dr -
R
oo
¡Rkq - dr oor2
1r
O dr
R
de donde integrando, se obtiene:
v. -
k q
(2.19)
R
i-
Nótese que el potencial dentro de la corteza es constante y es igual al trabajo necesario por unidad de carga para transportar una carga de prueba desde el infinito hasta la corteza. No es necesario ningún trabajo adicional para llevar una carga de prueba desde la corteza hasta cualquier punto del interior de la corteza. Realmente, el campo eléctrico nulo implica simplemente que el potencial no varía. EJEMPLO
2.4
Supongamos una carga q distribuida uniformemente en un volumen esférico no conductor de radio R. Se desea calcular el potencial en el exterior y en el interior de la esfera. De manera análoga al caso anterior, vamos a calcular el potencial a través de su campo eléctrico. El campo eléctrico tanto en el exterior como en el interior ya fue calculado en el capítulo anterior aplicando la ley de Gauss. Las expresiones obtenidas para cada caso se repiten aquí por comodidad.
Campo eléctrico en el exterior (r > R): Eex~ =
eampo
· t erior . (r < R) : -::x " t. e lec rico en e 1 1n b'int
~2q
~
= .f!...I_--:--t 3 Ur = éo
qr
:-:-+
41réo R3Ur
kqr:-:-+ =~ Ur
A continuación, calcularnos el potencial en cada zona haciendo uso de las expresiones anteriores.
Potencial en el exterior El potencial aplicando la ecuación (2.4) y teniendo en cuenta que d dV
=
-=----t --+ - Eext · d l
k q :-:-+
= - 2r
Ur
dr
:-:-+ Ur
1 = dr ti; es:
k q
= - ~ dr r
integrando desde el infinito (referencia) hasta un punto ext erior al volumen esférico se obtiene:
Ve=-k
¡
r e dr
q
oo
2r
k 'q
=-
re
69
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
siendo re la distancia desde el centro del volumen esférico hasta el punto del exterior e.
Potencial en el interior Aplicando la ecuación (2.4) y teniendo en cuenta que el potencial varía en dirección ---1' del radio d l = dr u~ calculamos el potencial a partir del campo eléctrico: 1
dV
:-:+::-:-+ = - --::±--:t b' · d l = - Er Ur · Ur
dr
= - Er
dr
Para poder resolver esta integral debemos tener en cuenta que en el camino para traer la carga de prueba desde el infinito al interior de la esfera nos encontrarnos dos zonas ya que el campo en el exterior es distinto al campo en el interior. Así:
\
operando resulta: k q(3R2 - r 2 ) V= 2R3
2.2.
(2.20)
Superficies equipotenciales
Igual que se empleó la representación gráfica del campo eléctrico a través de las líneas de fuerza, se puede representar el potencial eléctrico mediante las denominadas superficies equipotenciales, que son el lugar geométrico de los puntos del espacio en los que el potencial eléctrico tiene un mismo valor, es decir) la familia de superficies que cumplen: V(x, y, z) = cte Una característica importante de las superficies equipotenciales es que son perpendiculares a las líneas de fuerza del campo eléctrico en todo punto, lo cual resulta de las propiedades del operador gradiente. A modo de ejemplo, en el caso
70
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
de una carga puntual, hemos visto que el potencial viene dado por la ecuación (2. 7), por lo tanto, las superficies equipotenciales se obtienen de q =de==;:,- R= cte 41rEoR
(2.21)
que representa a una familia de esferas centradas en la carga como se puede comprobar en la figura 2 .4 (a). Otros ejemplos de superficies equi potenciales se representan de color rojo en las figuras 1.15 y 1.16_ Vemos como las líneas de fuerza son perpendiculares a las superficies equipotenciales.
---
·I "l 1' ' I t (·'.• \J' :.: ("". ("). .,,1.,;,l,. 0
Figura 2.4: Superficies equipotenciales de una carga puntual Nótese como en el interior de un conductor en equilibrio electrostático, la variación de potencial de un punto a otro de su interior es cero, por ser cero el campo eléctrico, con lo que el potencial eléctrico es el mismo a través del conductor, es decir, éste ocupa un volurnen equipotencial.
2.3.
Energía potencial electrostática
La idea de energía potencial, como forma de energía asociada a la posición de los cuerpos, está presente también en los campos eléctricos. Así, si tenemos una carga puntual q1 situada en el punto 1, el potencial en un punto 2 situado a una distancia r7 12 de la anterior, viene dado por:
V2 - _l_ q1 -
47rEo
17121
Para traer una segunda carga puntual q2 desde el ·infinito, donde está en reposo y en consecuencia no tiene energía cinética inicial, hasta el punto 2, dejándola
71
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
también en reposo, debe realizarse un trabajo dado por:
Se define la energía potencial electrostática como el trabajo total que ha sido necesario realizar para reunir estas dos cargas. El potencial en un tercer punto, situado a una distancia r 1& de la primera carga y una distancia r2~ de la segunda, viene dado por:
· Supongamos ahora que traemos una tercera carga puntual q3 desde el infinito, donde estaba en reposo, hasta el punto 3, volviéndola a dejar en reposo. Se necesita ejercer un trabajo dado por:
Ahora, el trabajo total realizado o energía electrostática viene dado por: (2.22)
Nótese que la energía potencial electrostática es independiente del orden en el cual las cargas se transportan hasta alcanzar sus posiciones finales. Podemos concluir diciendo que la energía electrostática de un sistema de cargas puntuales es el trabajo necesario para transportar las cargas desde una distancia infinita hasta sus posiciones finales y formar el sistema de cargas. Si observamos, los dos primeros términos del segundo miembro de la ecuación anterior pueden escribirse en la forma:
en donde V1 es el potencial en el punto 1 debido a las cargas q2 y q3. Análogamente, el segundo y el tercer término representan el producto de la carga q3 por el potencial debido a las cargas q1 y q2. Finalmente, el primer y el tercer término
72
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
representan el producto de la carga q2 por el potencial debido a las cargas q1 y q3 • Así, podemos expresar la ecuación (2.22) en la forma:
u =
resultando finalmente que:
Es decir, la energía potencial electrostática U de un sistema de n cargas puntuales es:
l
n
U=-Em¼ 2
(2.23)
i=l
en donde ¼ es el potencial en la posición de la carga i producido por todas las demás cargas. Esta ecuación describe también la energía potencial electrostática de una distribución continua de carga. Consideremos un conductor esférico de radio R. Cuando la esfera contiene una carga q, su potencial relativo es
V= _l_!l_ 411"éo R El trabajo necesario para transportar una cantidad adicional de carga dq desde el infinito. hasta el conductor es V dq. Este trabajo es igual al incremento de energía potencial del conductor: 1 dU = Vdq = - -.!l:..dq 4nE0 R integran.do desde una carga igual a cero a una igual a Q tenemos
U=
1 41rE 0
{Q qdq= R }o
l
Q2
= _!QV
4?TE0
2R
2
(2.24)
en donde V es el potencial generado en la superficie de la esfera cargada. Aunque la ecuación se ha deducido para un conductor esférico, hay que decir que esta relación es válida para cualquier conductor.
73
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
EJEMPLO
2.5
Supongamos tres cargas situadas a una distancia d unas de otras tal y como muestra la figura 2.5 con q1 = q, q2 = -q y q3 = q. Se desea determinar la energía electrostática de esta distribución.
d q1
d q2
q3
Figura 2.5: Sístema de cargas puntuales A partir de la ecuación (2.23) tenemos que la energía electrostática viene dada por:
Como vemos} es necesario calcular los distintos potenciales. Para ello, aplicamos la ecuación (2.7) y operando se obtiene:
Finalmente, sustituyendo y operando se obtiene que la energía electrostática es: 1 3q2 U=--81r-.s·o d
2.4.
Capacidad
Al comunicar una carga Q a un conductor, éste adquiere un potencial proporcional a esta carga que depende del tamaño y forma del conductor. Cuanto m ayor es la superficie del conductor, mayor es la cantidad de carga que puede almacenar para un determinado potencial. Tal y como hemos visto en los apartados ante.riores, la relación entre la carga Q y el potencial de un conductor esférico V, de radio R es
74
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
1 V = -4 7r&o QR. El hecho de que la carga sea proporcional al potencial no es exclusivo del conductor esférico sino que se da en todo conductor aislado en equilibrio.
Si a un conductor cualquiera le suministramos cargas Q1, Q2 1 Q3, .... ,Qn y al alcanzar el equilibrio adquiere potenciales ½, V2 1 ½ 1 . . . . , Vn respectivamente, se verifica que:
½ A este cociente entre la carga Q y el potencial V de un conductor aislado se le llama capacidad C:
(2.25) y se comprueba que sólo depende del medio en el que está inmerso el conductor y
de las características geométricas de éste, es decir, de su forma, tamaño, etc. Esta magnitud mide la capacidad de almacenar carga para una determinada diferencia de potencial. Así, por ejemplo, la capacidad de un conductor esférico es:
Q e --V
(2.26)
La unidad en el SI de la capacidad es el culombio partido por voltio, que se denomina faradio (F), aunque se suelen emplear submúltiplos de esta unidad como el microfaradio (µF = 10-6 F) y el picofaradío (pF = 10- 12F), por ser el faradio una unidad muy grande. Para que nos hagamos una idea, considerando a la Tierra de forma esférica de radio R = 61 4 · 106 m, resulta una capacidad de: C
2.5.
= 41rE.oR = 4?Té 0 614 - 106 = 7'07 - 10- 4
F
Almacenamiento de la energía eléctrica
Como hemos visto, todo conductor se caracteriza por un potencial eléctrico constante en todos sus puntos y dentro de él. Evidentemente, la energía potencial almacenada en el conductor procederá del trabajo necesario para colocar la carga en éste. Si disponemos de dos conductores cargados con cargas de distinto signo, la diferencia de potencial entre ellos puede acelerar cargas de prueba con lo que el sistema almacena energía. Un condensador) es un 9-ispositivo de este tipo, almacena energía porque almacena carga. La energía del condensador está contenida en el campo eléctrico del mismo. Como los dos conductores de un condensador
75
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
están cargados, las líneas de campo eléctrico van del conductor con carga positiva al de carga negativa. Es ese campo eléctrico el que provoca la aceleración de una carga de prueba colocada entre las placas del condensador. Para determinar la energía contenida en un condensador cargado debemos determinar el trabajo necesario para cargarlo inicialmente. Un condensador se carga tomando una carga positiva, dq, de un conductor y pasándola al otro conductor. De este modo, el segundo conductor tiene una carga de +dq y el primero -dq. Si seguimos moviendo cargas dqi, las cargas existentes en los conductores se opondrán a la transferencia de más carga teniendo que realizar un trabajo para poder mover cada carga adicional. Vamos a calcular el trabajo necesario para cargar un condensador. Supongamos que los conductores ya están cargados siendo su diferencia de potencial,V, y la carga q. Sabemos que la capacidad C, se relaciona con q y V mediante la expresión (2.25). Bajo este supuesto, una carga dq, se mueve desde el conductor de carga negativa hasta el de carga positiva. La diferencia de potencial se opone a la transferencia de esa carga y el trabajo que debe efectuar es: q
\
dW=Vdq=-dq
e
El trabajo total realizado cuando partimos de una carga nula y terminamos con cargas +Q y -Q, se obtiene integrando la ecuación anterior entre q = O y q = Q:
w=
J
{Qq
dW
=
la e
dq =
Q2 2
e
(2.27)
siendo est a expresión válida para todos los condensadores. Vemos que el proceso de carga de un condensador necesita efectuar un trabajo, este trabajo queda almacenado en el condensador como energía pot encial. Es esa energía potencial la que puede mover una carga de prueba colocada entre los conductores. Por tanto, la energía potencial de"' un condensador viene dada por: Q2
U=2c
(2.28)
aplicando la ecuación (2.25), podemos poner :
cv2
U=-2
76
(2.29)
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
Observe que la primera ecuación se usará cuando se conozca la carga, y la segunda, cuando se conozca el potencial. Además, esta expresión es válida para todos los condensadores. Dado que la carga de un condensador requiere de trabajo, ese trabajo queda almacenado en el condensador como energía potencial, capaz de efectuar trabajo. Es esa energía potencial la que puede mover una carga de prueba colocada entre los conductores. Como hemos visto anteriormente, la energía potencial eléctrica asociada con el movimiento de una carga Q a través de un potencial fijo V, es U = Q V. Vemos que esta ecuación difiere en un factor 2 de la energía de un C?ndensador. La razón de esta diferencia es que cuando se carga un condensador, el potencial crece continuamente, de modo que en realidad el potencial promedio, cuando se cargan las placas, es de ~ . Existen otros dispositivos para almacenar energía tales como los baterías o acumuladores. Una batería es un medio químico para almacenar energía. La energía de una batería se almacena en forma de enlaces químicos en lugar de una separación de la carga. Son una forma práctica de almacenar grandes cantidades de energía, durante largos periodos, pero no son prácticos para entregar su energía con rapidez. En cambio, los condensadores tienen la posibilidad de entrega rápida de su energía. Por otro lado, mientras que el potencial de un condensador decrece a medida que el condensador entrega su carga, una batería debe de ser capaz de mantener un potencial fijo entre dos puntos (sus t erminales) al ir entregando la carga. Para cargar a un condensador lo conectaremos a una batería. La diferencia de potencial V del condensador cuando está totalmente cargado con una carga Q coincide con la que existe entre los bornes de la batería antes de que se conecte el condensador. La energía total aportada por la batería al cargar el condensador es Q.V, es decir, el doble de la energía electrostática almacenada en el condensador.
(a)
---1 ~ (b)
Figura 2.6: Símbolos utilizados para los elementos alma.cenadores de energía eléctrica. (a) Batería. (b) Condensador
77
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Los símbolos utilizados en los circuitos para ambas formas de almacenamiento, batería y condensador, se muestran en la figura 2.6 (a) y (b), respectivamente. Para el caso de la batería el lado pequeño representa a su polo negativo y el lado grande representa al polo positivo.
2.6.
Condensadores
Tal y como se ha comentado anteriormente, un condensador es un dispositivo formado por dos conductores cuya carga Q es igual pero de signo opuesto. La capacidad C de un condensador se define como el cociente entre la carga Q y la diferencia de potencial existente entre ellos ½ - ½:
(2.30)
En general, la capacidad depende del tamaño, forma, geometría y posición relativa de los conructores y también de las propiedades del medio aislante que los separa. Para calcular la capacidad, situamos cargas iguales y opuestas en los conductores y después determinamos la diferencia de potencial a partir del campo eléctrico existente entre los conductores. En general, cuando hablamos de la carga de un condensador, nos referimos a la carga de cualquiera de los dos conductores, esto es, Q. Análogamente, en lugar de poner ½ - V1 para la diferencia de potencial existente entre las placas, se escribe únicamente V.
2.6.1.
Condensadores de placas planas paralelas
Un condensador típico es el formado por dos placas conductoras planas y paralelas. Sea A el área de cada placa y d la distancia,. de separación de manera que esta distancia sea mucho más pequeña que la altura y anchura de las placas. Supongamos que una de las placas está cargad_a con una carga +Q y la otra con una carga - Q. Estas cargas se atraen entre sí y se distribuyen uniformemente por las caras internas de las placas. Como las placas están muy próximas podemos considerar que el campo en cualquier punto situado entre ellas es aproximadamente igual al campo creado por dos planos infinitos con cargas iguales y opuestas. Como estudiamos en el capítulo anterior, cada placa crea un campo uniforme de módulo
E = a-J(2E0 ).
78
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
Sumando estos campos en las distintas zonas (ver figura 2. 7) vemos que fuera del espacio entre placas el campo es nulo y dentro es igual a la suma de los dos anteriores resultando un carnpo total de módulo:
E -
(Y
-
Eo -
Q
(2.31)
EoA
siendo fJ la carga por unidad de área de cada una de las placas. Dado que el campo que existe entre las placas de este condensador es uniforme, la diferencia de potencial entre las placas es igual al campo E multiplicado por la separación de las placas, d: V=Ed=!!__d= Qd Eo Eo A
(2.32)
De esta expresión se deduce que la capacidad de un condensador de placas paralelas y planas es: (2.33)
4 El izquierda
4 E1derecha
~
E 1 izquierda
4 E2izquiertla
(a)
~
~
Elderecha
--;i,
E2lzqulerda
E1derei:ha
--;i,
E2derecha
(b)
Figura 2. 7: Dirección del campo eléctrico creado por un condensador de placas paralelas Nótese que como V es proporcional a Q, la capacidad no depende de Q ni de V. En un condensador de placas paralelas la capacidad es proporcional a la superficie de las placas e inversamente proporcional a la distancia de separación. A continuación, vamos a relacionar la ecuación de la energía de un condensador con su campo eléctrico en el caso particular de un condensador de placas paralelas. Consideremos un condensador de placas paralelas. Sabemos que la diferencia de potencial entre las placas está relacionada con el campo eléctrico a través de la
79
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
ecuación V = E d en donde d es la distancia entre ambas placas. La capacidad viene dada por C = 6 ºdA con lo que la energía almacenada es: (2.34) El producto (A d) es el volumen del espacio comprendido entre las placas del condensador. La energía por unidad de volumen es la densidad de energía cuyo valor en un campo eléctrico E es: U= -
u
Ad
=
l 2
?
-é0 E-
(2.35)
Vemos que la energía por unidad de volumen es proporcional al cuadrado del campo eléctrico. Aunque esta ecuación se ha obtenido para un condensador de placas paralelas, es válida para cualquier campo eléctrico en el espacio vacío.
2.6.2.
Condensadores cilíndricos
Un condensador cilíndrico está formado por un pequeño cilindro o alambre conductor de radio R 1 y una corteza cilíndrica mayor de radio R2 concéntrica con la anterior y ambos de longitud L de manera que R1 ·< R2 << L (ver figura 2.8). El campo existente entre las armaduras del condensador cilíndrico, cargado con cargas 1 +Q, el cilindro interior y, -Q, el cilindro exterior, se calcula aplicando la ley de Gauss a la región R1 < r < R2, ya que tanto fuera como dentro del condensador el campo eléctrico es cero al ser la carga neta encerrada por la superficie gaussiana correspondiente nula. Así, siguiendo los pasos descritos en el capítulo anterior: l. Se considera como superficie gaussiana un cilindro de radio r tal que R1
<
r < R2 y concéntrico con los cilindros que conforman el condensador. 2. Se aplica la ecuación (1.48) sobre un elemento diferencial de área dA para determinar el flujo. Sabiendo que el campo eléctrico tiene dirección radial, resulta:
Teniendo en cuenta que el área del cilindro, en la que el flujo es no nulo, es el área envolvente del cilindro queda finalmente:
80
CAPITULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
3. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.54)
q> =
qdentro
=
Eo
Q Eo
4. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo y se despeja el campo eléctrico: Q Er 21fEo L r
Figura 2.8: Condensador cilíndrico Una vez determinado el campo eléctrico existente entre las armaduras, se procede a determinar la diferencia de potencial entre ellas. Para ello, se aplica la ecuación
(2.4):
integrando resulta
Por tanto, el potencial viene dado por
(2.36) Finalmente, aplicando la ecuación (2.25) se obtiene que la capacidad de un condensador cilíndrico es: C = Q = 21fEo L (2.37) V LnR2 R1
81
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
EJEMPLO
2.6
Supongamos un condensador esférico formado por dos esferas concéntricas de radios R 1 y R2 con R 1 < R2 tal y como se muestra en la figura 2.9. Si la carga de la esfera pequeña es de +Q y la de la esfera grande es de - Q, determinar la capacidad de este condensador.
-Q
Figura 2.9: Condensador esférico El campo existente entre las esferas del condensador cargado con cargas +Q la esfera in\erior y -Q la esfera exterior, se calcula aplicando la ley de Gauss a la región R1 < r < R2, ya que tanto fuera como dentro del condensador el campo eléctrico es cero. Así, siguiendo los pasos descritos en el capítulo anterior: 1. Se considera corno superficie gaussiana una esfera de radio r tal que R1 <
r < R2 y centrada respecto a las esferas que conforman el condensador. 2. Se aplica la ecuación (1.48) sobre un elemento diferencial de área dA para determinar el flujo:
f
En dA = Er
:P dA = Er 41rr
2
en donde el área de la superficie gaussiana, en la que el flujo es no nulo, es el área de una esfera de radio r. "'-
3. Se calcula el flujo aplicando la ecuación (1.54)
cp '=
qdentro = Eo
Q €o
4. Se igualan las dos expresiones obtenidas para el flujo y se despeja el campo eléctrico:
82
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
Una vez determinado el campo eléctrico existente entre las esferas, se procede a determinar la diferencia de potencial entre éstas. Para ello, se aplica la ecuación (2.4):
integrando resulta VR2
-
VR1
Q
l
1
= - - - ( - - -)
R1 por tanto, el potencial del condensador esférico viene dado por 41fE 0
R2
(2.38) Finalmente, aplicando la ecuación (2.25) se obtiene la capacidad de un condensador cilíndrico: Q _ 41rco R2 R1 ----e----,-- 41Té0 - - (2.39) e_ - V - (_1_ - -1..) R2 - R1 R1
2. 7.
R2
Asociación de condensadores
Los condensadores se pueden asociar conectándolos en serie, en paralelo o mediante combinaciones de ambas.
2.7.1.
Condensadores en paralelo
Un conjunto de condensadores está conectado en paralelo cuando conectamos a un mismo punto las placas de un lado y a otro las del lado opuesto. En la figura 2.10 (a) se muestra un ejemplo de dos condensadores conectados en paralelo y en (b) su circuito equivalente. Como se puede observar, ambos condensadores tienen entre sus placas la misma diferencia de potencial V. El objetivo es determinar el condensador equivalente, C, que reemplace a la combinación de los condensadores C1 y C2. Evidentemente, se debe mantener la misma diferencia de potencial V y la carga total Q en el condensador equivalente que en la combinación paralela de 0 1 y
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
C2. Como sabemos la carga Qi, que tienen las placas de cada uno, depende de su capacidad, Q 1 = C 1V y Q2 = C2 V y para el condensador equivalente es Q = C V. La carga total producida por la batería en el circuito de la figura 2.10 (a) es Q1 + Q2, de manera que
C1 -Ql
+Q1
C
C2 -Q2
+Q2
(a)
-Q
+Q
(b)
' Asociación de condensadores en paralelo. (a) Asociación original; (b) ConFigura 2.10: densador equivalente
La última igualdad demuestra que C = C1 +C2. De manera general, la capacidad equivalente de un conjunto de n condensadores conectados en paralelo es igual a la suma de las capacidades individuales, C
= C1 + C2 + ...... + Cn
(2.40)
Nótese que la capacidad equivalente es mayor que cualquiera de los condensadores acoplados en paralelo, es decir, cuando añadimos un condensador acoplado en paralelo, aumentamos la capacidad del sistema,~es decir, podemos almacenar más carga con la misma diferencia de potencial. EJEMPLO 2.8
Sean tres condensadores C 1 = 3 pF, C2 = 6 pF y C3 = 5 pF conectados en paralelo entre sí, y el conjunto a una batería de lOV. Calcular el con~ densador equivalente a estos tres condensadores y la carga almacenada en cada condensador.
84
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
El condensador equivalente C que sustituye a los tres anteriores viene dado por:
C
= C1 + C2 + C3 = 3 + 6 + 5 = 14 pF
La carga almacenada en cada condensador se calcula sabiendo que en paralelo los condensadores tienen el mismo potencial. Tendremos:
2. 7 .2.
Q1
= C1 ½ = C1 V =
Q2
= C2 V2 = C2 V
Q3
= Cs½ = C3V =
30pC
= 60pC
50pC
Condensadores en serie
Un conjunto de condensadores está conectado en serie cuando se conectan uno a continuación del otro tal y como muestra la figura 2.11 (a). En este caso la diferencia de potencial entre las placas de cada condensador es distinta para capacidades diferentes sin embargo, ahora, las cargas son iguales: V
Q
Q
C
C1
1 1 ( - + -) 01 C2.
Q C2
= - = Vi + ½ = - + - = Q
Se deduce que el valor de la capacidad equivalente se calcula mediante la expresión: 1
1
1
- +C2 e =01 e -Q
+Q
V
(a)
(b)
Figura 2.11: Asociación de condensadores en serie. (a) Asociación original; (b) Condensador equivalente
85
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
En forma general, la capacidad equivalente de un conjunto den condensadores conectados en serie es igual a 1
1
1
1
(2.41)
= C1 + C2 + ... + Cn
C
Nótese que la capacidad equivalente es menor que la de cualquiera de los condensadores acoplados en serie. Es decir, cuando añadimos un condensador en serie disminuimos la capacidad del sistema. EJEMPLO
2.9
Supongamos tres condensadores C1 = 3F, C2 = 6F y C3 = lF conectados a una batería de V = 9V. Se desea calcular el condensador equivalente a estos tres condensadores conectados en serie, la carga almacenada en cada condensador y su potencial.
El condensador equivalente vendrá dado por: \
9
3
6
2
operando se obtiene>
La carga almacenada en el condensador equivalente es: 2 Q=CV=-9=6C 3
En los condensadores en serie se cumple que la carga es la misma, es decir> Q Q1 = Q2 = Q3 = 6C. Por otro lado, el potencial en cada condensador es:
Comprobamos que se cumple:
V
86
= V1 + V2 + V3 = 2 + 1 + 6 = 9V
=
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELECTRICO
EJEMPLO
2.10
Dos condensadores de capacidades C1
= 2µF y C2 = 6µF,
se conectan en
serie a una batería de 30V. Determinar: ( 1) La carga en cada condensador; (2) La diferencia de potencial entre placas de cada condensador; (3) La energía electrostática almacenada en cada condensador y la energía electrostática total almacenada.
(1) Al estar los dos condensadores conectados en serie el condensador equivalente e vendrá dado por: 1 1 1
-=-+-
e
C1
C2
de donde
Calculamos la carga Q en el condensador equivalente: Q e = -V
*
Q
3
= e v = - . 102
6
. 10
= 45µ0
y como en los condensadores en serie se cumple que las cargas son iguales entre sí e igual a la de su condensador equivalente, resulta;
(2) Para cada condensador tenemos: C1
-
02 -
Qi V1
::::;>
Q2
*
V2
V1
= Qi = 22' 5V C1
2
V2 = Q = 7'5V 02
(3) La energía electrostática viene dada por la expresión (2.28) que aplicada a cada condensador resulta:
!2 C1 ½_2 = 506'25 · 10-6 J ~ C2 ½2 = 168'75 · 10-6 2
J
y la total:
u = ! e v 2 = 675 . 1o- 6 2
J
87
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
que es precisamente la suma de las dos anteriores. EJEMPLO
2.11
Disponemos de tres condensadores C1, C2 y C3 conectados a una batería como muestra la figura 2.12 tal que C1 = C2 = 2µF y C3 = 4µF. Calcular las cargas respectivas en cada condensador y la diferencia de potencial entre sus placas.
I
C2
_I_
I12V
Figura 2.12: Asociación de condensadores Los condensadores 1 y 3 están en paralelo, por tanto la capacidad equivalente de éstos es: .,
Nos queda ahora el condensador C2 en serie con el condensador C13, por tanto, la capacidad equivalente de estos dos es:
1
1
1
+ -C2 C13
e e
3 2
-µF
La carga para este condensador es:
Q = C. V =
3
10-6 · 12_ = · 2
18µC
Como en los condensadores en serie se cumple que la carga es la misma, Q Q13 = Q2, podemos calcular la diferencia de potencial de cada uno:
88
=
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
Sabiendo que en paralelo se cumple que los potenciales son iguales, V13 V3 = 3V, podemos calcular las cargas en estos condensadores:
2 .8.
Q1
C1½
= 6µC
Q3
C3V3
= 12µC
= V1 =
Dieléctricos
Aquellos materiales, como el papel, plásticos vidrio, que no conducen la electricidad fácilmente les hemos llamado aislantes. Sin embargo, en este contexto, vamos a ver que modifican los campos eléctricos externos en los que se cólocan, por ello, ahora les llamamos dieléctricos. Los dieléctricos están compuestos de átomos y moléculas cuya distribución interna de cargas se altera en presencia de un campo eléctrico de manera que las cargas positivas se desplazan con respecto a las negativas produciendo un cambio en el campo eléctrico. La diferencia con un conductor es que en los dieléctricos la carga no es libre, esto es, está ligada a los átomos o moléculas lo que provoca que el desplazamiento que sufren las cargas ante un campo eléctrico sea rnuy pequeño.
2.8.1.
Estructura molecular de un dieléctrico
Existen dos tipos de moléculas en los materiales dieléctricos: las moléculas polares y las moléculas no polares. Las moléculas polares son aquellas en las que no coincide el centro de distribución de cargas positivas y el de las negativas con lo que presentan momentos dipolares permanentes, el ejemplo más significativo es el agua. Los iones de hidrógeno no están alineados y dispuestos simétricamente a uno y otro lado del ion de oxígeno, sino que tienen una disposición triangular. Las moléculas no polares son aquellas en las que coincide el centro de distribución de las cargas positivas y negativas. Las moléculas de oxígeno, nitrógeno, compuestas por dos átomos iguales pertenecen a esta categoría. Un átomo o molécula de tipo no polar tiene momento dipolar cero. En ausencia de un campo eléctrico la mayoría de los dieléctricos con moléculas polares tienen sus dipolos orientados al azar siendo su momento dipolar neto nulo (ver figura 2.13 (a)). Sin embargo, bajo la acción de un campo eléctrico
89
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
experimentan un par de fuerzas que tienden a orientarlas en el sentido del campo de manera que se puede observar un momento dipolar neto debido al conjunto de dipolos (ver figura 2.13 (b)).
(b)
Figura 2.13: (a) Moléculas polares sin la presencia de un campo eléctrico. (b) Moléculas polares en presencia de un campo eléctrico externo
En las moléculas no polares en presencia de un campo eléctrico externo, la carga positiva yJa carga negativa experimentan fuerzas en sentidos contrarios. De esta forma, las cargas positivas y negativas se separan hasta que la fuerza atractiva que ellas ejercen entre sí equilibre a las fuerzas debidas al campo externo. Se dice entonces que la molécula está polarizada y se comporta como un dipolo eléctrico. Por consiguiente, las moléculas no polares, se hacen polares en presencia de un campo eléctrico, ya que las fuerzas sobre cada tipo de carga son iguales y de sentido contrario (ver figura 2.14). En resumen, tanto para los dieléctricos polares como para los no polares, las moléculas del dieléctrico se polarizan en la dirección del campo eléctrico externo.
- - --
~__:)--()-0; E
-iJ-cr--()-F_:>--0. (b)
Figura 2 .14: Moléculas no polares sin la presencia de un campo eléctrico. (b) Moléculas no polares en presencia de un campo eléctrico externo
90
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉ CTRICO
2.8.2.
Ley de Gauss en dieléctricos
La pregunta que nos hacemos ahora es como afecta el uso de dieléctricos a la ley de Gauss. En el capítulo anterior se dedujo la siguiente expresión que repetimos a,quí por comodidad: e/>
=
r 15 . d 1 = Q
dentro
Ís
Eo
(2.42)
E
en donde, ahora, es el campo eléctrico neto dentro del dieléctrico (resultante de la suma del campo eléctrico externo y el campo eléctrico inducido) y Qdentro es la carga encerrada dentro de la superficie gaussiana que a su vez es la carga libre Qlibre menos la carga inducida Qínd· Se cumple que Ql~re = Qdentro con lo que la ley de Gauss cuando hay dieléctricos queda:
¡E .dA = s
Qlibre ~ Eo
(2.43)
siendo ~ la constante dieléctrica. En dieléctricos uniformes, si en la expresión anterior reemplazamos la constante éo, o permitividad eléctrica del vacío, por la perrnitividad del dieléctrico, que cumple la relación,c = 6 0 ~, y poniendo en el numerador la carga libre, resulta:
. dA = Qlibre E
(2.44)
La constante dieléctrica, ~, es la propiedad que describe el comportamiento de un dieléctrico en un campo eléctrico y permite explicar, el aumento de la capacidad de un condensador. Su valor es mayor que la uní dad y depende del material y de las condiciones externas tales como la temperatura. Bajo ciertas condiciones, y para determinados materiales se acerca bastante a la unidad (por ejemplo el aire tiene una constante dieléctrica de 1 '00059) pero existen otros materiales y condiciones en los cuales puede ser hasta de varios cientos. Cuando el campo eléctrico es rnuy alto, se arrancan electrones del dieléctrico, es decir, se vuelve conductor. A este fenómeno se le llama ruptura eléctrica y al campo máximo que el material es capaz de soportar sin romperse se le denomina rigidez dieléctrica. La tabla 2.1 muestra un conjunto representativo de valores de la constante dieléctrica aunque siempre h ay que tener en cuanta que estos valores pueden cambiar notablemente con la temperatura.
91
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Material Aire Baquelita Parafina Teflón Poliestireno Nylon Papel Porcelana Vidrio(Pytex)
K,
Rigidez Dieléctrica (k V/ mm)
1'0005 4'9 2'0-2'5 2'1 2'5 3'5 3'7 7
3
16 5'7
5'6
14
24 10 60 24 14
Cuadro 2.1: Propiedades dieléctricas de algunos materiales
2.8.3.
Dieléctricos en condensadores
Michael Faraday descubrió como un dieléctrico colocado en un condensador, permite mayores cargas para un determinado potencial además de dar resistencia y estabilidad mecánica a éste y reducir la posibilidad de arqueo entre las placas. \
Cuando un dieléctrico se sitúa dentro de un condensador, sus moléculas se polarizan de modo que se produce un momento dipolar neto paralelo al campo. El efecto de esta polarización es la creación de una carga superficial sobre las cargas del dieléctrico próximas a las placas. En el lado de la placa positiva del condensador tenemos carga inducida negativa y en el lado de la placa negativa del condensador tendremos carga inducida positiva (ver figura 2.15 (b)). Esta carga superficial se denomina carga ligada porque está unida a las moléculas del dieléctrico y no puede desplazarse como la carga libre que existe sobre las placas conductoras del condensador. La carga ligada produce un campo opuesto a la dirección del creado por la carga libre de los conductores. Por ello, el campo eléctrico neto entre las placas se reduce ya que algunas líneas de campo que abandonan la placa positiva penetran por el dieléctrico y llegan a la placa negativa pero otras terminan en las cargas inducidas. De acuerdo a la figura 2.15 (e) el campo resultante será:
-=t
siendo E 0 el campo eléctrico existente entre placas cuando no hay dieléctrico (ver figura 2.15 (a)) y Eín~ el campo eléctrico inducido en el dieléctrico. Evidentemente, la diferencia de potencial entre las mismas también se reduce, lo que se traduce en un aumento de la capacidad del condensador. La constante
92
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
Eo
#.
1
~
·.-
;~
:::i"E:J --------1f.~.,·-~
Eo
f_; _.t' .__·!.·
---+
Eind
+----,-
~··i,;t. -
-
------+r
E
---+ -
-
-
-
+·· + ·+ +
+
·Ii~·------~-ii
' : ·•. _: •.:.•·_:•.:, f,r:···_; _ ·;.:.: ~_:.·_•_ : .•· -
+
-
'+-··~----~~~' 1i ,~
+
(a)
(b)
(e)
Figura 2.15: Cuando se introduce un dieléctrico en un condensador, el' campo eléctrico del condensador (a) polariza las moléculas del dieléctrico resultando una carga inducida en la superficie del dieléctrico la cual produce su propio campo (b). Este campo se opone al campo del condensador reduciendo así el campo eléctrico neto entre placas (e)
dieléctrica es la propiedad que describe el comportamiento de un dieléctrico en un campo eléctrico. Si Ca es la capacidad en el vacío de un determinado condensador, su capacidad cuando se coloca un dieléctrico entre sus conductores es mayor que Co por un factor igual a la constante dieléctrica K cumpliéndose que:
0
= K0o
Si expresamos la capacidad en función de la permitividad del vacío tenemos:
donde
E
es la permitividad del dieléctrico.
En resumen, la introducción de un dieléctrico en un condensador] tiene las siguientes consecuencias: • Disminuye el campo eléctrico entre las placas del condensador, en una relación
(2.45)
siendo Eo el campo eléctrico entre las placas del condensador sin dieléctrico.
93
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORlv lÁTICA
• Disminuye la diferencia de potencial entre las placas del condensador, en una relación: V= Vo (2.46) K,
siendo Vo el potencial eléctrico entre las placas del condensador sin dieléctrico. • Aumenta la diferencia de potencial máxima que el condensador es capaz de resistir sin que salte una chispa entre las placas, esto es, sin que se produzca la ruptura eléctrica. Además proporcionan un medio para separar las placas conductoras permitiendo situarlas muy próximas pero sin llegar a ponerse en contacto eléctrico. • Aumenta la capacidad eléctrica del condensador en
K,
veces.
• La carga no se ve afectada ya que permanece la misma que ha sido cargada cuando el condensador estuvo sometido a un voltaje. Est o es cierto si el condensador se carga y después se separa de la batería antes de insertar el dieléctrico. Si el dieléctrico se inserta durante el proceso de carga, la batería suministra más carga para mantener la diferencia de potencial original. La ' total sobre las placas es: carga Q
2.8.4.
= K,Qo
(2.47)
Condensadores con varios dieléctricos
Existe la posibilidad de introducir más de un dieléctrico entre las placas de un condensador. Podemos encontrar dos posibilidades, disposición en paralelo y disposición en serie. 1. Disposición en paralelo
Cuando introducimos los dieléctricos como se muestra en la figura 2.16 (a), la capacidad de este condensador se cal<;;ula considerando que tenemos 2 condensadores en paralelo uno con dieléctrico c 1 y el otro con dieléctrico c2. Este resultado se puede generalizar para n dieléctricos. 2. Disposición en serie
Cuando introducimos los dieléctricos como se muestra en la figura 2.16 (b), la capacidad de este condensador se calcula considerando que tenemos 2 condensadores en serie uno con dieléctrico E 1 y el otro con dieléctrico Ez. Este resultado se puede generalizar para n dieléctricos.
94
CAPÍTU LO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
.....................
d1
··............. A2
d2
(a)
(b)
8'igura 2.16: (a) Condensador con dieléctricos en paralelo. (b) Condensador con dieléc~ricos en serie
2.8.5.
Energía almacenada en condensadores con dieléctricos
Supongamos la ecuacíón (2.28) que repetimos aquí por comodidad:
u=.!.2 e v 2 ,i expresamos la capacidad en función del área A y la distancia de separación ~ntre las placas d, y el potencial en función del campo eléctrico E y separación ~ntre las placas d, se obtiene:
U=~(: A) (E d) 2 = .!_s E 2 (Ad) 2
d
2
(2.48)
~eniendo en cuenta que A d es el volumen entre las placas que contiene el campo ~léctrico. La energía por unidad de volumen viene dada por: u
1 2 1 = -€ E = 2 2 -
K,
Eo
E
2
(2.49)
EJEMPLO 2 .11
Supongamos un condensador esférico consistente de dos esferas conductoras concéntricas de radios R2 y R1, cargadas con + Q y -Q, respectivamente y con el espacio entre esferas relleno con un material dieléctrico :le permitividad e , tal y como muestra la figura 2.17. Se desea calcular la capacidad de este condensador.
95
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
-Q
Figura 2.17: Condensador esférico con dieléctrico En primer lugar, calcularíamos el campo eléctrico que existe entre las esferas cuando no existe dieléctrico y después a partir de éste,el campo cuando introducirnos el dieléctrico. El campo eléctrico cuando no existe dieléctrico ya ha sido calculado en un ejemplo anterior siendo su expresión:
Usando esta expresión y la ecuación (2.45) resulta que el campo eléctrico cuando existe dieléctrico es: (2.50)
Seguidamente, a partir del campo eléctrico es posible determinar el potencial aplicando la ecuación (2.4) y teniendo en cuenta que d( = dr ii;:: -:± -:+ dV = - b' · d l = -
q
4_1rr2 é
dr
integrando,
Finalmente, la capacidad se calcula aplicando la ecuación (2.25):
C = !l_ = 41rc R2R1 V
96
R1 -R2
(2.51)
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
EJEMPLO 2 .12
Supongamos un condensador plano de placas cuadradas de lado 20 centímetros y una separación entre placas de 4 milímetros. Se sitúa un material dieléctrico con K = 2 entre ellas de dimensiones 20 cm x 20 cm x 4 mm, es decir, se llena todo el espacio existente entre las placas del condensador. (a) Calcular la capacidad de este condensador; (b) Calcular su capacidad si sólo se inserta un bloque de dieléctrico de dimensiones 20cm x 20cm x 42mm,. (a) Para calcular la capacidad del condensador con dieléctrico comenzamos calculando la capacidad de este condensador suponiendo que no tiene el dieléctrico aplicando la ecuación (2.33) y sabiendo que la permitividad del vacío es co = 8'85pF:
G = coA = 8'85 · 10-9 · (0'2) 2 = 88, F 5p o d 0'004 Cuando el condensador se llena con el dieléctrico su capacidad se incrementa en un factor "' resultando: C = KCo
= 2 · 88'5 =
177pF
(b) Ahora, la diferencia de potencial entre las placas es igual a la suma de la diferencia de potencial del hueco y la diferencia de potencial del material dieléctrico:
V=
d
Vhueco
d
+ Vdieléctrico = Ehueco 2 + Edieléctrico 2
Ya hemos visto anteriormente que cada placa crea un campo uniforme de módulo E= a/(2c0 ) resultando un campo total de Ehueco =:, = cuando no existe material dieléctrico entre ellas. El campo eléctrico en la zona en la que se encuentra el material dieléctrico viene dado por:
&
E dieléctrico =
Ehueco K
Q c0 A
K
Combinando los dos resultados anteriores y operando se obtiene que el potencial eléctrico viene dado por:
97
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Finalmente, la capacidad de este nuevo condensador viene dada por:
Q
e= EJEMPLO
Q d (K+ 1 ) .s-o A 2 K,
=
E:o A 2 ;,, d (¡,¡, + 1)
8'85 10-9 (0'2) 2 2 2 0 1004 (2 + 1)
=
= 118PF
2.13
Dos placas conductoras paralelas e indefinidas están separadas una distancia d. El espacio que hay entre ellas está ocupado por dos capas de dieléctrico, cada una de espesor ~. Sus permitividades relativas son 3 y 2, respectivamente. Calcular el campo cuando se aplica una diferencia de potencial de V0 voltios a las placas. 3Eo
2t;o
Vo \
d/2
d/2 )
X
Figura 2.18: Placas conductoras con dieléctricos Vamos a calcular el campo eléctrico que existe entre las placas cuando no existe dieléctrico y después calcularemos el campo eléctrico en cada zona a partir de la relación:
siendo u
=:
0
la constante dieléctrica.
Ya hemos visto que el campo eléctrico entre placas cuando se trat"a del vacío es: -:::+ a :-:-+ E 0 = - Ux Eo
con lo que en cada zona tendremos: E
_
- é0 -
é0
_
-
3
::::}
e -_ -2éº -_ 2 ::::}
éo
98
3c 0
-
éo
E =* _
a :-:-+ Ux 3c0 E-=*1 _ a Ux :-:-+ - 1 -
-
2é0
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
De esta forma tenemos el campo eléctrico en función de (j. Para calcular el valor de la densidad superficial vamos a utilizar el dato de potencial dado en el enunciado. Procederemos a calcular el potencial en cada zona:
=- 2 1 d
V1
o
~ · d -::+ E1 l
= - 12
Ux
= - ¡2
4 Ux
=-
d
d
-+ - U x · dx (j
o 3€0
---:-1"
O' -dx
o 3c 0
integran.do se obtiene: a d
Vi= - - 3Eo
2
Análogamente para la segunda zona:
½
=-
J,
dE2 -=+ -::+ J,d ·d l =-
4
<5
4 2Eo
2
::-:+
-Ux ·
dx
J,d -dx <5
4 2E 0
2
2
integrando se obtiene:
Dado que esta disposición de los dieléctricos dentro del condensador es equivalente a dos condensadores en serie~ se ha de cumplir:
V0
(Y
d
a- d
5a d
= V1 + ½ = - -- - = - 12t: -3Eo 2 2€ 2 0
de donde despejando el valor de
0
(j :
O"=
Finalmente, sustituyendo en las expresiones obtenidas para el campo eléctrico en función de a- queda:
indicando el signo que los campos se mueven hacia la izquierda si V0 es positivo.
99
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
2.9.
Resumen y Ecuaciones Básicas
Durante este capítulo se ha comenzado estudiando el potencial eléctrico que es una medida escalar que nos permite describir los fenómenos electrostáticos y su relación con el campo eléctrico. Estos conceptos son el punto de partida para estudiar a los condensadores, que son dispositivos que almacenan carga. En concreto, se han estudiado los siguientes conceptos fundamentales: • El potencial eléctrico en un punto que es el trabajo que hay que realizar para llevar una carga de prueba desde un punto de referencia hasta dicho punto. Se ha aprendido a calcular el potencial eléctrico debido a un sistema de cargas puntuales y el debido a una distribución de cargas. • La relación entre campo eléctrico y potencial eléctrico. Esta relación nos permite calcular el potencial eléctrico a partir del campo eléctrico y viceversa. • La energía potencial electrostática de un sistema de cargas que es el trabajo necesario para transportar las cargas que componen el sistema, desde una distancia infinita hasta sus posiciones finales. • El concepto de capacidad que es el cociente entre la carga y el potencial. • Las baterías y los condensadores como dispositivos para almacenar la energía eléctrica. Una batería almacena la energía eléctrica en forma de enlaces químicos mientras que un condensador almacena- energía porque almacena carga. Un condensador consta de dos conductores próximos y aislados entre sí que contienen cargas iguales y opuestas. • Efecto de la geometría de un condensador en su capacidad. En este sentido, se ha estudiado diferentes tipos de condensadores: condensadores de placas '" paralelas, cilíndricos y esféricos. • Determinación del condensador equivalente a un conjunto de condensadores dispuestos en serie y/ o paralelo de cara a su utilización en teoría de circuitos. • Los dieléctricos o materiales no conductores. Se ha estudiado como mejora la capacidad de un condensador cuando introducimos un material dieléctrico entre sus placas. Además aumenta la resistencia a la ruptura eléctrica.
100
CAPITULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
ECUACIONES BÁSICAS
1. Diferencia de Potencial eléctrico: dV
= E ·d1
2. Potencial Eléctrico debido a una carga puntual: V referencia está en el infinito.
=
o/- si la posición de
3. Energía potencial electrostática: n
a) De cargas puntuales: U
= ½¿ qi¼ i=l
b) De un conductor con carga Qy potencial V: U= ½QV n
e) De un sistema de conductores: U
= ½¿ Qi ¼ i=l
4. Capacidad: C
= ~.
a) Condensador de placas paralelas: C = 21reoL b) Condensador c1"lín dr"1co: C = Ln(R / Ri) 2 e) Condensador esférico: C
éc:/
= 41reo :;_IJJ:1
5. Energía almacenada en un condensador: U= ½QV = ½CV2 6. Capacidad equivalente:
a) En los condensadores en paralelo el voltaje entre sus extremos es el mismo. La capacidad equivalente de n condensadores en paralelo viene dada por: C = C1 + C2 + .. + On b) En los condensadores en serie el módulo de la carga de las placas de los condensadores es el mismo pero ahora, las caídas de voltaje se suman. La capacidad equivalente de n condensadores en serie viene dada por: 1 _
C -
1 01
1
1
+ C2 + ··· + Gn
7. El uso de dieléctricos con permitividad e entre las placas de un condensador afecta a (cumpliéndose que e = K, e O siendo K, la constante dieléctrica del medio):
a) Campo eléctrico: E = ~ b) Capacidad: e = KCo
101
FUNDAMENTOS FiSICOS DE LA INFORMÁTICA
2.10.
Ejercicios de Autoevaluación
l. Dos cargas q y -2q están colocadas a 1 m de distancia. Obtener los puntos de la recta que las une en los que el campo es cero y los puntos del plano correspondientes a potencial cero.
Solución: El campo es cero en 1 de centro (-½, ü)y radio §-
+ v'2 y potencial cero en la circunferencia
2. Dos placas metálicas paralelas tienen 300 cm 2 de área, cada una, y están separadas una distancia de 0'25 cm. Tienen una diferencia de potencial de 0'5 V. Se desea calcular: (1) el campo eléctrico entre placas; (2) densidad de carga y carga total en cada placa.(1:0 = 8'85 10- 12 C 2 /N m 2 ) Solución: (1) E
= 200V/m ; (2)
O"=
177 10-
11
0 / m 2 ; Q = 531. 10- 13 0
3. Una carga puntual de q1 = 2 µC se sitúa en el origen de coordenadas y una segunda carga puntual de q2 = -6 µC en la posición (O, 3) m. Se pide cal~ular el potencial eléctrico en el punto P (4, O) m y el trabajo necesario para llevar una carga puntual de q3 = 3 µC desde el infinito hasta el punto P. Solución: Vp
= -6'3,103
V; W
=
18'9,10- 3 J
4. Calcule el potencial eléctrico en el punto P sobre el eje Z creado por un aro de densidad lineal uniforme A (ver figura 2.19).
. V SO1UClOn. >
•
,\
R
2eo ..Jz2+R2
z p
.. z
y
Figura 2.19
102
CAPÍTULO 2. POTEN CIAL ELÉCTRICO
5. Calcule el potencial eléctrico en el punto P sobre el eje Z creado por un disco de radio R, de densidad superficial uniforme a, situado en el plano XY y centrado en el origen de coordenadas. Solución: V
= ,_; Fz2 + R 2 (
0
z)
6. Calcule el potencial eléctrico en el punto P sobre el eje Z creado por un disco de densidad superficial uniforme a (ver figura2.20). Solución: V =
_Q_
2.e:o
(vz
2
+ b2 - Vz 2 + a 2 ) z p
z
y X
Figura 2.20
7. Dos conductores esféricos de radios r1 y r2 están separados por una distancia mucho mayor que el radio de cualquiera de las esferas. Éstas están conectadas por medio de un alambre conductor tal y como se muestra en la figura 2.21. Si las cargas sobre las esferas en equilibrio son q1 y q2 , respectivamente, encuentre la razón d e campo en la superficíe de las esferas. Ei Solución: E2
=
r2 ri
Figura 2.21
103
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
8. U na esfera de O'2 gramos de masa cuelga de un hilo entre dos láminas verticales paralelas separadas 5 cm. La esfera tiene una carga de 6nC. ¿ Qué diferencia de potencial entre las láminas hará que el hilo forme un ángulo de 30°con la vertical?
. . 105v Sl O UCIÓil. ./3 6 9. ¿Cuántos electrones deben extraerse de un conductor esférico, inicialmente descargado, de 0'2 m de radio para tener una diferencia de potencial de 100 V en la superficie?(K=9.109 N.m2/C2;qe= 1'602.10- 19C) Solución: 1'3871,1010 electrones 10. Sea una esfera conductora S aislada, de centro O y de radio R > que tiene una carga inicial de Q; se la rodea con un anillo esférico conductor S', inicialmente neutro, concéntrica con S, de radio interior R 1 y de radio exterior R2, e inicialmente descargado (ver figura 2.22). Se pide: (1) Calcular el potencial de cada una de las zonas; (2) Calcular la diferencia de potencial entre S y S'; (3) Se conecta a continuación S' a tierra. Calcular la nueva diferencia de potencial entre S y S'. Solución:
(1)
Q
¼
Q
V3
41réoR2
Q
½
(3)
104
[ 1
41réo
Q
V1
( 2) Vs - Vs,
r > R2
41fé0 r
41rt:o
R2
4~
0
1
+ -:¡: -
< r < R2 1 ] ~1
[ 1 1 1] R2 + R - R1
= 41rso _g_ [i - _1__] R R1
Vs -Vs, =
R1
[1- Ji]
R
< r < R1
r
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
Figura 2.22 11. Tres esferas conductoras concéntricas de radios R1, R2 y R3 (R1 < R2 < R3) están conectadas respectivamente a tres fuentes de potencial V1, ½ y ½ (ver figura 2.23). ¿ Cuál es la carga de cada una de las esferas?
·, So1uc10n:q1
(V1-V2) = 41íEo (-L1 ) R1
- 4 q3 - 1íEo
[,.r R V3
3 -
(
J½
;
q2
_ ] = 47ffo [ ((%-Va) ((V1-V2) 1 _-1_) 1 1 ) R2
R3
. ,
R1 - R2
(V2 - V3) ]
12
_1 ) 3
Figura 2.23 12. Una esfera conductora (1) de radio R 1 se carga a un potencial V y después se aísla. A continuación, la esfera se rodea por otra esfera conductora hueca (2), concéntrica con la primera, de radios R2 y R3 (R2 < R3). Se desea calcular los potenciales de las esferas en las siguientes casos:
105
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
l. La esfera (2) está aislada y descargada. 2. La esfera (2) se une a tierra.
3. La esfera (2)
se desconecta de tierra y después la esfera
(1) se conecta a
tierra. Solución: ( 1) V1
= V ( 1 - ~~ + ~~) ; V2 = V~~
(2) Vi
=V
(3)
V, 1 -
(1-
~~) ; V2 = O
O·\!, - V '
2 -
R1(R1-R2) R1R2+R2R3-R1R3
13. Una esfera conductora de radio R queda envuelta por una delgada capa esférica, también conductora, de radio interior 2R, concéntrica con la anterior (ver figura 2.24). En el espacio existente entre ambas, se introduce una distribución volúmica de cargas cuya densidad viene dada por:
p(r) = Po
[1 + ::]
C.m-3 para. R < r <
2R
'·
Ambas esferas conductoras se conectan a tierra. Determinar el valor de las cargas sobre la esfera interior, así como sobre las superficies interior y exterior de la capa esférica exterior. Solución: q
=
-41rp0 R 3 [2Ln2 -
½J ;qí = -4np0 R 3 [ 1l
- 2Ln2] ;qe = O
Figura 2.24 14. Dados los arcos de circunferencia mostrados en la figura 2.25 cuyas distribuciones lineales son ,X y 2.X, calcular el potencial en el punto O. Solución: Vo
106
3.>. = 8eo
CAPÍTULO 2. POTENCIAL ELÉCTRICO
z p
y 2A
Figura 2.25
15. Se carga una esfera conductora A de radio r1 = 5 cm con una carga de valor q = 10- 7C (ver figura 2.26). Se pide: (1) Las variaciones experimentadas por su potencial y por su capacidad electrostática, al introducirla en el interior de otra esfera B, también conductora, hueca, descargada y aislada, cuyos radios interior y exterior son r2 = 7 cm y r3 = 9 cm, respectivamente; (2) Estando la esfera A dentro de la B se une a tierra la superficie exterior de ésta última; detenninar el nuevo potencial y la capacidad de la esfera A. 1
Solución: (1) VA - VA = -0'286. 104 V; 0'514 · 104 V; = 19'4pF
CA
e~ -
CA
=
1'048pF; (2)
v1 =
~·
·· ·· .',
'\.,... f3
',,
", '
?'I , ' ' ,,. ..·:~ ...... _,.. ... _____ ~. . .,,.,. . r1
Figura 2.26 16. Se agrupan tres condensadores como indica la figura 2.27. Se pide: (1) Determinar la capacídad del condensador C2 para que la capacidad total sea C2. (2) Sí se aplica una tensión de lkV entre los bornes A y B, calcular la carga y la tensión en cada uno de los tres condensadores. (Datos: C1 = 5µF)
1 1V7
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Solución: (1) C 2 = 3'09µF;(2) Q 1 = 3'09,10-3 C; Q~ 1'18,10-3 0; V1 = 618'029V; = V2 = 381'971 V
v;
A
=
1'91,10-3 0; Q2
=
---1Cl
º1 JC2 B
Figura 2.27 17. Calcular la capacidad equivalente entre los puntos X e Y en el circuito de la figura 2.28 con 02 = lOµF y C1 = C3 = C4 = Cs = 4µF. Solución: 4µF \
C4
y
C5
Figura 2.28 18. Una esfera metálica de radio R1 tiene una carga Q y está rodeada de una capa esférica dieléctrica cuyo radio interior es R 1y el exterior R2. La permítividad de la capa es e = 4 é 0 • Calcular el campo' eléctrico en la capa dieléctrica. Solución:
108
1 = 16 Q u;: 1í't::or
2
Capítulo 3
Campos Electromagnéticos
CONTEXTO Desde la antigüedad se sabe que trozos del mineral magnetita (llamados imanes) ejercen entre sí unas fuerzas. Estas fuerzas son las fuerzas magnéticas. Hasta 1820 se pensó que el magnetismo era independiente de la electricidad; en ese año el profesor de física danés Hans Christian Oersted descubrió como una corriente eléctrica desviaba la aguja de una brújula. Oersted fue el primero en establecer que el magnetismo estaba relacionado con la electricidad. En ese mismo año André Ampere demostró que aparecen fenómenos electromagnéticos cuando existe movimiento de cargas eléctricas. También, en la década de 1820 Michael Faraday realizó una serie de trabajos fundamentales para descubrir la relación entre electricidad y magnetismo aunque fue Clerk Maxwell quien a finales de la década 1860, estableció la relación definitiva de la electricidad y el magnetismo. Estos descubrimientos trajeron consigo una gran cantidad de adelantos tecnológicos, entre los que se encuentran los generadores eléctricos, la radio y la televisión. En este capítulo, se comienza estudiando los efectos de un campo magnético sobre cargas móviles y sobre alambres portadores de corrientes. A continuación, se estudia las fuentes de los campos magnéticos. Se comienza por considerar el campo magnético producido por una sola carga móvil y, después, por las cargas en movimiento dentro de un elemento de corriente, en con'creto, calculamos los campos magnéticos producidos por algunas configuraciones de corrientes comunes, tales
109
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORJvfÁTICA
como un segmento de alambre recto, un alambre recto e infinit o, una espira de corriente y un solenoide. Posteriormente, analizaremos la ley de Ampére, que rela.ciona la integral lineal del campo magnético alrededor de una espira cerrada con la corriente total que atraviesa la espira. Finalmente en este capítulo se presenta un análisis de la inducción electromagnética, lo que supone, la definición del flujo magnético y el estudio de la ley de Faraday, la ley de Lenz y la inductancia. 1
CONOCIMIENTO PREVIO NECESARIO Dado que las fuerzas magnéticas así como el campo magnético son magnitudes vectoriales, para entender los conocimientos de este capítulo es necesario manejar con soltura el cálculo vectorial y la trigonometría. Además, como veremos a lo largo del capítulo, cuando se dispone de distribuciones continuas de carga resulta imprescindible el manejo de integrales para el cálculo de la fuerza o campo magnético.
ÜBJETIVOS DEL CAPÍTULO Los objetivos del capítulo son: \
1. Estudiar la fuerza ejercida por un campo magnético en distintos casos. 2. Saber determinar el campo magnético creado por cargas en movimiento. 3. Conocer la ley de Gauss para el magnetismo. 4. Conocer la ley de Ampére la cual relaciona el campo magnético con la causa que lo produce. 5. Estudiar el flujo magnético. 6. Conocer la ley de Faraday y la fuerza electromotriz inducida en un circuito debida a la variación del campo magnético. 7. Estudiar la inductancia y la inducción :rp.utua. 8. Estudiar la energía magnética.
GUÍA DE ESTUDIO Comenzaremos leyendo la sección 4.2 del capítulo 4 dónde se introduce el término de corriente eléctrica utilizado en este capítulo. A continuación, el alumno podrá abordar el estudio de este capítulo de manera secuencial.
110
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
3.1.
Imanes
Los ímanes se caracterizan por ejercer fuerzas de atracción o de repulsión unos sobre otros sin necesidad de tocarse de manera análoga a las cargas eléctricas. Además, al igual que las cargas eléctricas, la intensidad de sus interacciones· depende de la distancia que los separa. Evidentemente, las cargas eléctricas producen fuerzas eléctricas y los polos magnéticos producen fuerzas magnéticas.
Si cuelgas un imán de una cuerda atado a la parte central, funcionará como :un brújula de manera que el extremo que apunta hacía el norte se llama polo norte y el que apunta hacia el sur se llama polo sur. Todo imán posee un polo norte y un polo sur. Si aproximas el polo norte de un imán al polo norte de otro, los imanes se repelen. Lo mismo ocurre si aproximas los polos sur de ambos imanes. Pero si aproximas un polo norte con un polo sur, estos se atraen, es decir, los polos semejantes se repelen y los polos opuestos se atraen. Como veremos, el comportamiento de los polos magnéticos se parece al de las cargas eléctricas en muchos aspectos pero existe una diferencia fundamental, podemos tener cargas eléctricas aisladas pero no podemos tener polos magnéticos aislados. El polo norte magnético no puede existir sin un polo surl y viceversa. Así, si partes un imán por la mitad~ cada una de las mitades se comporta como un imán completo, esto es, ambos tienen un polo norte y polo sur.
3.2.
Fuerza ejercida por un campo magnético
Vamos a estudiar la fuerza ejercida por un campo magnético sobre distintos elementos tales como una carga puntual en movimiento, una corriente eléctrica o sobre un circuito plano.
3.2.1.
Fuerza ejercida por un campo magnético sobre una carga móvil
Cuando una carga q se mueve con una velocidad -;¡} dentro de un campo magnético de intensidad se encuentra sometida a una fuerza llamada fuerza de Lorentz, que es proporcional a la carga, a su velocidad y al seno del ángulo que forman el vector velocidad y el vector campo magnétíco, y viene dada por la expresión:
1J
F,
(3.1)
111
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
donde el símbolo x representa al producto vectorial. Esta fuerza es perpendicular al vector velocidad y al vector campo magnético, esto es, su dirección es perpendicular al plano formado por ambos vectores y su sentido se determina por la regla del tornillo o sacacorchos que nos dice que el sentido del producto vectorial es el sentido de avance de un tornillo que gire tendiendo a hacer coincidir, por el camino más corto, la dirección del primer vector , en nuestro caso -J, con la dirección del segundo vector, en nuestro caso Si los vectores -;¡j y forman un ángulo o:, el módulo de la fuerza vale:
B.
F
=qv
B
B sena
(3.2)
B
donde B y v representan los módulos de los vectores _x -;¡j, respectivamente. Su dirección es la normal al plano determinado por 1f y B. Nótese que esta fuerza es nula cuando a sea igual a cero, es decir, -;¡j_x son paralelos y su valor es máximo cuando o: sea igual a ;, es decir, -;¡j y B son perpendiculares:
B
Fmá:x. = q V B
(3.3)
La unidad del campo magnético según la ecuación (3.3) será el valor del campo magnético en un punto donde al moverse la carga positiva de 1 coulomb (C) a la velocidad de 1 metro partido por segundo ( -r;,) en dirección normal al mismo, la fuerza que actúa sobre dicha carga sea 1 newton (N). Esta unidad recibe el nombre de tesla (T), es decir: Ns lT=lmC Esta unidad es bastante grande respecto a la magnitud de los campos magnéticos encontrados en la naturaleza. Para que nos hagamos una idea, el campo magnético terrestre es algo menor a 10-4 T , los campos magnéticos próximos a imanes poderosos suelen oscilar entre O'l T y 015 T y los grandes electroimanes de laboratorio están entre 1 T y 2 T. Por ello, una unidad usada a menudo es el gauss _ (G) cuya relación con la tesla es:
Hemos estudiado que la fuerza magnética que actúa sobre una carga en movimiento es perpendicular a ese movimiento y, por consiguiente, únicamente va a modificar la dirección de su movimiento pero no su magnitud. En conclusión, los campos magnéticos no realizan trabajo sobre las partículas y no modifican su energía cinética.
112
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
En el ca.so particular en el que la velocidad de una partícula cargada sea perpendicular a un campo magnético uniforme, ésta se mueve siguiendo una circunferencia (ver figura 3.1). Esto es debido a que la fuerza magnética actúa como fuerza centrípeta apareciendo una aceleración normal sobre la partícula. La magnitud de esta aceleración es an = ~ , siendo R el radio de la trayectoria circular. Evidentemente, la dirección de la aceleración es hacia el centro de la trayectoria circular. De acuerdo con la segunda ley de Newton, igualando la fuerza responsable de la aceleración, esto es, la fuerza magnética dada por la ecuación (3.3), con la expresión de la fuerza centrípeta resulta: mv2
F=qvB=-R
despejando el radio,
R= mv
(3.4)
qB
X
X
X X
xt
X
X
X
X
X
X
X X
X
X X
X
X
X
Figura 3.1: Partícula cargada con movimiento perpendicular a un campo magnético uniforme con dirección entrante al papel
Observamos que R es proporcional al producto de m por v, es decir, a la cantidad de movimiento de la partícula que se mueve, e inversamente proporcional a la carga q y a la magnitud del campo magnético, B. Téngase en cuenta que la ecuación (3.4) sólo es válida cuando la velocidad es perpendicular al campo. El periodo del movimiento circular es el tiempo que la partícula tarda en dar una vuelta completa alrededor del círculo. Sabiendo que·el periodo se relaciona con la velocidad mediante la expresión y susÜtuyendo la expresión obtenida para el
2:R
113
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
radio resulta que el periodo viene dado por:
T= 21rm qB
(3.5)
La frecuencia, llamada frecuencia del ciclotrón, es la inversa del periodo resultando: f= qB (3.6) 21rm Existen dos aplicaciones importantes del movimiento circular de las partículas que son el espectrómetro de masa y el ciclotrón. Su estudio se sale fuera del alcance de este libro. En la explicación anterior hemos supuesto que la velocidad de la partícula era perpendicular al campo magnético. Si la velocidad no fuera perpendicular siempre puede ser descompuesta en una componente perpendicular al campo y otra componente paralela al campo. El movimiento debido a la componente perpendicular es el mismo que hemos visto anteriormente. Sin embargo, el movimiento debido a la componente paralela no se afecta por el campo magnético, con lo que permanece con~tante. La composición de ambos movimientos hace que la trayectoria de la partícula sea una hélice. Finalmente comentar que el movimiento de una partícula en un campo m agnético no uniforme es muy complicado no siendo objeto de estudio.
3.2.2.
Fuerza ejercida por un campo magnético sobre una corriente eléctrica
Aunque el concepto de corriente eléctrica será estudiado en el capítulo 4, aquí va a ser introducido brevemente por su relación con los campos magnéticos ya que éstos son generados precisamente por cargas en movimiento. La corriente eléctrica es la carga total que pasa a través de la sección transversal de un cable, por unidad de tiempo: _,_ 1 = dQ
dt Por consiguiente, la corriente eléctrica es el movimiento de cargas que circula a lo largo de un conductor, con una velocidad de conjunto -;¡j no nula e idéntica en promedio para todos ellos. Si situamos un conductor metálico en un campo magnético, y por él no circula ninguna corriente eléctrica, el conductor no está sometido a ninguna fuerza
114
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
magnética, a pesar del movimiento de agitación térmica de los electrones del conductor, ya que estos movimientos se realizan en todas direcciones, compensándose entre sí dichas fuerzas. En cambio, sí circula una corriente es semejante a considerar que sus electrones se mueven con cierta velocidad, que en cada punto está dirigida según el eje del conductor. Por el10 1 cada electrón estará sometido a una fuerza magnética y, en consecuencia, resultará una acción de conjunto sobre el conductor. Supongamos un segmento de un conductor de sección A y longitud l por el que hay n cargas por unidad de volumen, de valor q, y que se mueven a lo largo del mismo con una velocidad 1T, la fuerza elemental que actúa sobre cada carga cuando existe un campo magnético Bes, de acuerdo con la ecuación (3.1), q 1f x Teniendo en cuenta que el número de cargas en el interior del conductor a lo largo de su --=* longitud es n l A, la fuerza total sobre el segmento vendrá dada por:
E.
P = (q1! x B) n 1 A Sustituyendo la ecuación de la intensidad de corriente que estudiaremos en el próximo capítulo y que escribimos aquí por comodidad, J = nqvA, la expresión de la fuerza puede escribirse:
p=I
((
X
E)
(3.7)
en donde { es el vector cuyo módulo es la longitud del conductor y cuya dirección es paralela a la corriente. La regla del tornillo también es válida en este caso. Así, por ejemplo, para un conductor coincidente con el eje X y un campo magnético contenido en el plano XY, la fuerza tendrá la dirección del eje Z tal y como muestra la figura 3.2. z
y
X
Figura 3.2: Dirección de la fuerza magnética sobre un segmento de conductor portador de corriente en un campo magnético
115
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
En la deducción de la expresión de la fuerza, se ha considerado que el segmento de ~ conductor era rectilíneo y en consecuencia, el vector l no cambiaba de dirección a lo largo del segmento. En general, para conocer la fuerza sobre un conductor de cualquier forma se escoge un elemento diferencial que actúa sobre una --:t elemento de corriente de longitud d l resultando:
dP
(3.8)
d1
B
en donde es el vector campo magnético. A la magnitud J se denomina elemento de corriente. Para calcular la fuerza total que actúa sobre el conductor basta con integrar respecto a todos los elementos de corriente utilizando el campo magnético apropiado en cada uno de ellos. Veamos a continuación, un par de ejemplos de cálculo de la fuerza magnética que actúa sobre un conductor en un campo magnético uniforme. EJEMPLO
3.1
Supongamos un conductor de 5 metros de largo situado a lo largo del eje Y, por el que circula una corriente de 10 A en dirección positiva del eje Y. Se desea calcular la fuerza magnética sobre el conductor si el campo magnético en 1a región donde se encuentra situado es = 0'03 ~T.
B
Aplicando la ecuación (3.7) tenemos:
F = 11 X B = 10 . (5 ut X 0'03 iit) =
~
ut
~
O
5
O
0'03
O
O
= -1'5 ii; N
ut,
siendo (iit, u:t) los vectores unitarios a lo largo de los tres ejes coordenados (X, Y, Z), respectivamente. .. EJEMPLO
3.2
Supongamos un conductor plano en forma semicircular de radio R sobre el plano Y Z por el que circula una corriente I y situado en el interior de un campo magnético uniforme tal y como indica la figura 3.3 (a). Se desea determinar la fuerza magnética que actúa sobre el conductor semicircular.
B
116
CAPITULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
z
z
d9
y
y X
(a)
(b)
Figura 3.3: Conductor semicircular dentro de un campo magnético uniforme
Para calcular la fuerza magnética ejercida sobre el conductor vamos a aplicar la ecuación (3.8). Con el fin de facilitar el cálculo de esta fuerza vamos a expresar el elemento diferencial de fuerza dF en función de un ángulo 0. Esto supone, en -:+ primer lugar, expresar d l en función de sus vectores unitarios, que según vemos en la figura 3.3 (b) son:
d1 = dl
cos0
u;- dl sen0 ut = R d0 cos0 v;t- R d0 sene ti;
donde se ha sustituido dl
=R
d0.
1 x B:
Seguidamente, calculamos el producto vectorial d
d1 x
B = -B R d0 sene üt- B R d0
cos0
~
Por consiguiente, la fuerza viene dada por:
dF
= I d1 x B = -1 B R d0 sen0
ut- I B R d0 cose~
Integrando cada componente de la fuerza para valores de 0 comprendidos entre O y 1r, obt enemos finalmente:
p
-I
B R
UiJ
-I B R
ii't
fo"sen0 d8 - I B R ~ fo" [- cos0]; + I B R
cos 0 d0
=
u; [sene];= - 2 I B
Rut
117
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
3.2.3.
Fuerza ejercida por un campo magnético sobre una espira rectangular
Tal y como hemos visto cuando un conductor, por el que circula corriente eléctrica, se sitúa en el interior de un campo magnético uniforme, se ejercen fuerzas sobre cada trozo del conductor. Si este conductor tiene la forma de una espira cerrada, la fuerza neta es nula debido a que cada fuerza tiene su simétrica que es igual y contraria. Observamos que cuando introducimos una espira con forma rectangular, por la que circula una corriente, en el interior de un campo magnético uniforme ésta sufre un conjunto de acciones magnéticas que producen en ella un movimiento de giro o rotación hasta situarla paralela al campo magnético. Este fenómeno es el que produce el par que hace trabajar los motores de corriente directa y el galvanómetro, aparato usado en los amperímetros y voltímetros. Analicemos, a continuación, que es lo que ocurre. Supongamos una espira rectangular por la que circula una corriente J que se encuentra en una región con un campo magnético uniforme cuya dirección es la del eje X. La orientación de la espira se describe mediante un vector unitario rl perpendicular al plano de la espira y cuyo sentido se determina usando la regla de la mano derecha: cuando los dedos de la mano derecha se sitúan respecto a la espira con los dedos apuntando en el sentido de la corriente, el dedo pulgar señala la dirección de ti tal y como muestra la figura 3.4 .
...,. n
Figura 3 .4: Determinación del sentido del vector-- unitario de una espira mediante la aplicación de la regla de la mano derecha Vamos a numerar los lados de la espira rectangular como 1, 2, 3 y 4 de manera que los lados 1 y 3 tienen longitud a y los lados 2 y 4 tienen longitud b (ver figura 3.5). Podemos calcular la fuerza sobre cada uno de los segmentos de la espira aplicando la ecuación (3 .7). El ángulo 0, que forma la dirección del campo magnético con la dirección de la corriente se indica en la figura 3.6 para el lado 1 (para el lado 4
118
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
será semejante); los lados 2 y 4 son perpendiculares al campo magnético y entra v sale de la página, respectivamente. Por consiguiente, la fuerza sobre cada lado es: J
F1 F2
Fs F4
I aB sen0, en la dirección -Y
IbB, en la dirección -Z I aB sen0, en la dirección Y IbB, en la dirección Z
Las fuerza F1 y F3 son iguales pero opuestas como lo son las fuerzas F2 y F4 , de modo que no existe fuerza neta. Sin embargo, hay una diferencia importante entre estos dos pares de fuerzas: F1 y F3 actúan a lo largo del mismo eje no ejerciendo momento de giro sobre la espira; F2 y F4 actúan en ejes distintos, como se aprecia en la figura 3.5, apareciendo un par que hace que la espira gire en sentido de las manecillas del reloj hasta que las fuerzas F2 y F4 actúen sobre el mismo eje, esto es, cuando 0 = 90°, desapareciendo entonces el par. Cuando la espira se encuentre en el plano XY (0 = O) el par será máximo. Por último, cuando 0 cambia de signo> también cambia de signo el par y la espira tenderá a girar en sentido contrario a las manecillas del reloj.
0
z
X
Figura 3.5: Fuerzas que aparecen sobre una espira rectangular en un campo magnético uniforme
en
Calculamos el par respecto al eje central teniendo cuenta que el par creado por una fuerza es el producto vectorial del vector distancia desde el eje de giro hasta
119
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
el punto donde se aplica la fuerza y el vector fuerza. Así, el par creado por cada fuerza es:
~
~X~
TÍ
r!x~
en donde r1' y r! son los vectores distancia que van desde el eje de giro hacia los lados 2 y 4, respectivamente (ver figura 3.6). Tanto ~ como r! tienen como magnitud ~. El par neto viene dado por:
T=11+TÍ Si 7/J es el ángulo entre °:;1 y ~ y entre TÍ y ~' y teniendo en cuenta los valores de las fuerzas obtenidos anteriormente, la magnitud del par puede expresarse como: T
\
+ r4 F4 sen'l/J = a a (J b B) sen'?/J + (J b B) sen'?/J = 2 2
r2 F2 sen'l/J
1 a b B sen'lj;
(3.9)
o expresado en función del área A = a b de la espira T
=I AB
sen'ljJ
(3.10)
Este resultado se puede generalizar a espiras planas de cualquier forma y de área A mediante técnicas de cálculo de descomponer la espira ·en rectángulos diminutos, semejantes a la espira que hemos analizado. Además si la espira posee N vueltas, el momento del par tiene la magnitud T
=N 1AB
sen'l/J
(3.11)
Definimos el momento dipolar magnético o simplemente momento magnético ¡l de la espira de corriente a:
µ = NI Ar{
(3.12)
donde 1t tiene la misma dirección y sentido que r{, es decir, es perpendicular al plano de la espira. El momento resultante sobre la espira se puede expresar en función del momento magnético como:
120
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
(3.13)
La. unidad en el SI del momento magnético es el amperio por metro cuadrado ( A
m2).
L
X
Figura 3.6: Ángulo entre las fuerzas y los vectores distancia
3.2.4.
Energía en las espiras
Un campo magnético realiza un trabajo cuando hace girar una espira por la que circula una corriente eléctrica. Cuando el campo magnético es constante, la única variable es el ángulo 1/; o ángulo entre µ y Dado que la fuerza, o el par en este caso, depende de la posición, es útH el concepto de energía potencial para poder aplicar el principio de conservación de la energía. De este modo podemos relacionar la energía potencial U ('lj;) con la posición de la espira en el campo magnético. La variación de energía potencial al hacer girar la espira desde un ángulo inicial hasta un ángulo de 90°, viene dado por el trabajo realizado por el campo magnético al mover la espira entre estos ángulos, con signo negativo:
B.
U('ljJ) - U(90°)
= -
90°
1 't/J
T
d'ljJ
=-
190° (µ 1/J
{90°
J
-µ B 1P
sen'ljJ d'lj;
=µ
B sen'lj;) d'lj;
=
B cos90° - µ B cos'lj)
121
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMATICA
el coseno de 90° es cero, resultando:
U( 'ljJ) - U(90°) Si se escoge por comodidad U perpendicular a se obtiene:
B
u ('1/.J) =
=
= -µ B
B cos '!jJ =
(3.14)
= 90°, es decir, cuando
O cuando 1/J
- µ
cos 'ljJ
-1! . B
µ
es
(3.15)
Vemos que la energía potencial es mínima cuando el ~omento magnéticoµ está alineado con el campo magnético esto es, cuando el ángulo entre ellos es 1/; = O. Por consiguiente, la orientación en la que ambos vectores están alineados es un punto de equilibrio estable. Este resultado está de acuerdo con lo dicho anteriormente de que el par tiende a hacer girar a la espira hasta que µ y queden alineados.
E,
B
EJEMPLO
3.3
Supongamos una espira circular de hilo conductor, de 6 cm de diámetro con 8 vueltas por la que circula una corriente de 4 A. El eje de la espira un ángulo de 60º con un campo magnético de 0'5T. Determinar el módulo del momento que actúa sobre la espira. El momento de la fuerza en la espira viene dado por la ecuación (3.13) y su módulo: 171 = x = µBsena = NI ABsena
Jµ B\
µ
donde = NI del enunciado:
A y a el ángulo entre ambos vectores.· Sust ituyendo los valores
17! = 8 · 4 · 7r • 0'03 2 · 0'5 · sen60° = 3'92 · 10-2 N 3.3.
·m
Líneas de campo magnético
En general, la dirección del campo víerie determinada por la dirección de las líneas de campo y la magnitud del campo por su densidad. Así, el campo magnético puede ser representado por líneas de campo magnético de la misma forma que las líneas de campo eléctrico representan a los campos eléctricos. Sin embargo, existen dos diferencias entre las líneas de campo eléctrico y las líneas de campo magnético:
122
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
l. Las líneas de campo eléctrico poseen la dirección de la fuerza eléctrica sobre
una carga positiva mientras que las líneas de campo magnético son perpendículares a la fuerza magnética sobre una carga móvil. 2. Las líneas de campo eléctrico comienzan en las cargas positivas y terminan en las cargas negativas; las líneas de campo magnético forman circuitos cerrados. Como los polos magnéticos aislados no existen, no hay puntos en el espacio en donde las líneas de campo magnético comiencen o terminen.
A modo de ejemplo 1 en la figura 3.7 (a) se muestran las líneas de campo magnético creadas por un imán y en la figura 3. 7 (b) las líneas de campo creadas por dos imanes colocados con los polos iguales enfrentados. Observe como ·en este último caso, en la zona entre los dos imanes vemos que no existen líneas de fuerza que conecten a los dos imanes.
(a)
(b)
Figura 3.7: Líneas de campo magnético creadas por imanes. (a) Líneas de campo creadas por un único imán. (b) Líneas de campo creadas por dos imanes con sus polos iguales enfrentados
3.4.
Efecto Hall
El efecto Hall nos permite determinar el signo de los portadores de carga de una corriente. Pensemos que una corriente, por ejemplo hacia la derecha, puede estar producida por el movimiento de cargas positivas hacia la derecha o bien el movimiento de cargas negativas hacia la izquierda. Hemos estudiado que cuando las cargas se mueven en un campo magnético experimentan una fuerza perpendicular a su movimiento lo que produce que las cargas sean impulsadas hacia un lado del alambre conductor. En consecuencia, se produce una separación de cargas que denominamos Efecto Hall. Este fenómeno nos permite determinar el signo de la
123
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
carga de un portador y el número de portadores por unidad de volumen de un conductor. Supongamos que disponemos de una cinta de metal de longitud L, a la cual se la aplica una diferencia de potencial de un extremo al otro con lo que aparece una corriente J. Ésta se coloca en el interior de un campo magnético uniforme, perpendicular a la cinta (ver figura 3.8).
L
V
® Figura 3.8: Cinta conductora perpendicular a un campo magnético constante
F
La fu~rza magnética sobre la cinta viene dada por la ecuación (3.7), = I x Vemos que esta fuerza se dirige hacia -Y según la regla de la mano derecha, es decir, hacia la izquierda de la figura 3.8. Si hubiéramos empleado la expresión de la fuerza sobre una única carga dada por la expresión (3.1) , = q7l x obtendríam~s el mismo resultado ya que si las cargas en movimiento fueran positivas y dado que la corriente va en dirección +z, entonces la velocidad de las cargas también va en dirección +Z. Según la regla de la mano derecha, la fuerza se dirige hacia a. Sin embargo, si las cargas en movimiento son negativas su velocidad tiene la dirección -Z. El producto 1f x se dirige hacia la derecha pero q es negativa provocando que q7l x dirija hacia la izquierda. Por consiguiente, en ambos casos existirá una concentración de portadores de carga en el lado izquierdo de la cinta. Esa concentración continúa hasta que la fuerza de Coulomb producida por los portadores de carga acumulados en el lado izquierdo compense la fuerza magnética. Se establece un equilibrio para un potencial eléctrico entre los puntos a y b que evita el movimiento de más cargas hacia la izquierda. Entonces
(1 B).
F
B,
B se
124
B
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
las cargas se mueven sobre la cinta hacia arriba como lo harían si no hubiese campo magnético. El signo de la diferencia de potencial entre los puntos a y b determina el signo de los portadores de la carga. Así, si los portadores de carga son negativos las cargas negativas se acumulan al lado izquierdo de la cinta haciendo que el punto a esté a menor potencial que el punto b. Por el contrario, si los portadores de carga son positivos, las cargas que también se acumulan en el lado izquierdo de la cinta, harán que el punto a tenga mayor potencial que el punto b.
3.5.
Campo magnético creado por cargas puntuales en movimiento
Hemos visto como las cargas móviles, o las corrientes eléctricas, situadas en un campo magnético están sometidas a fuerzas; veamos ahora, el segundo aspecto del problema, es decir, el campo magnético creado por dichas cargas en movimiento. La primera experiencia que puso de manifiesto el campo magnético creado por la corriente eléctrica fue la de Oersted el cual observó la desviación experimentada por una aguja imantada situada en las proximidades de un conductor cuando pasa corriente. La aguja tiende a colocarse normal al conductor, esto es, en la dirección del campo.
r;,
Ji
El campo magnético creado en un punto p, situado en por una carga q positiva que se mueve en el vacío a una velocidad -J en la posición -;;7, viene dado por (ver figura 3.9): = µo q-;¡¡ x 7) (3.16) 3
("rt -
B
4 1r
lrt- 71
en donde µo es una constante de proporcionalidad llamada permeabilidad del vacío que se define como la capacidad de un material o medio para atraer y hacer pasar a través de él campos magnéticos. Su valor y unidad en el SI es:
µ 0 = 41r 10
_7T
·m _ N A = 41r 10 7 A 2
(3.17)
Esta ecuación muestra la forma del campo magnético debida a una carga en movimiento. Nótese como el campo es dependiente del tiempo ya que la posición del punto p varía al alejarse o acercarse la carga. La dirección del campo magnético vendrá dada por la regla del tornillo haciendo girar el vector 11 hacia el vector
(1-7). 125
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Fínahnente comentar que una carga puntual en movimiento no produce un campo magnético estático. Al ir acercándose al punto el campo magnético aumenta y disminuye a medida que la partícula se aleja de él.
EJEMPLO
3.4
Supongamos una carga q = 5 nC la cual se mueve con una velocidad de 2·104 m/s a lo largo del eje X, esto es, -:¡j = (2 ·104, O, O). Se desea determinar el campo magnético en el punto p con = (2, 3, O) m producido por esta carga cuando se encuentra situada en 7 = (5, O, O) m tal y como se muestra en la figura 3.9.
r;
z
y
p
\
Figura 3.9: Vectores de posición y campo magnético creado por una carga q en movimiento situada en un punto p
El vector distancia y su módulo vienen dados por:
f"*7 p
,r; - 7¡
(- 3, 3,0) m 3v'2m
Aplicando la ecuación (3.16) se calGula el campo magnético:
41r · 10- 7 5 · 10-9 · (2 · 104 , o, O) x ( -3, 3, O) 41f (3v'2)3 10- 15 . 10-9 . 6. 104 33. 2v12
126
u; = 0'3918 . 10-12 v! T z
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECT ROMAGNÉTICOS
3.6.
Campo magnético creado por corrientes eléctricas: Ley de Biot y Savart
El campo magnético estático sólo es producido por una corriente eléctrica estacionaria y es una superposición de aportaciones debidas a elementos pequeños de la trayectoria de la corriente. Supongamos, así, que se tiene un alambre conductor por el que circula una corriente eléctrica I, esto implica que existe movimiento de cargas y por consiguiente, aparecerá un campo magnético. Para deducir dicho -+ campo basta con considerar un elemento diferencial de corriente I d l . El campo magnético d producido por ese elemento diferencial viene dado por:
B
d
B = µo I 41r
-:}
~
=7"
d l x ( r2 - r1)
(3.18)
¡r1 - rt¡3
donde ~ es el vector de posición del punto donde queremos calcular el campo magnético, esto es, el punto P y rI es el vector de posición del elemento diferencial d (ver figura 3.10). A esta ecuación se la conoce como ley de Biot-Savart. Así, para calcular el campo magnético debido a un conductor, basta con integrar la ecuación anterior aplicada al camino que marca el conductor.
1
z
p
y
Figura 3.10: Vectores distancia para el cálculo del campo magnético creado por un segmento de alambre conductor En la ley de Biot-Savart, como en la de Coulomb, la intensidad de campo es -4 directamente proporcional a la de la fuente (en este caso I d l ) e inversamente proporcional al cu adrado de la distancia. Sin embargo, la regla d e la dirección del campo magnético es muy distinta a la del c~po eléct rico. Mientras que el campo eléctrico apunta en la dirección radial, el campo magnético es perpendicular tanto a la dirección de la fuente como a la del vector r[) de la fuente al
(r1' -
127
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
-ry
.
punto. EvidentementeJ la dirección de d l está determinada por la dirección de la corriente. En resumen, el campo magnético debido a la corriente total en un circuito se calcula mediante la ley de Biot-Savart sumando (integrando) todos los elementos de corriente del circuito. En general, este cálculo es complicado exceptuando los casos de circuitos de geometría sirnple que son los estudiados en esta asignatura. Veamos algunos ejemplos de cálculo del campo magnético. EJEMPLO
3.5
Supongamos un segmento de alambre conductor de longitud L por el que circula una corriente I, coincidente con el eje z. Se desea determinar el crunpo magnético en un punto p situado sobre el eje de coordenadas Y, a una distancia b del origen de coordenadas. El vector distancia es:
ri = (O, O, a), r:! = (O, b, O), (r:! - Tí) = (O, b, -a) Nótese que b es un valor constante pero a varía con la posición del elemento Para facilitar la integral vamos a expresar a en función de un diferencial ángulo 0 (ver figura 3.11).
&.
z
p
y
Figura 3.11: Cálculo del campo magnético creado por un segmento de alambre conductor
128
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
= b tg 0 y operando resulta que el módulo del vector
Teniendo en cuenta que a (r1 - ri) viene dado por:
J b2 + a 2 =
!r1 - rII
2
)b2 + b2 tg 2 0 =
b / 1 + sen 0 V cos2 0
= b cos 0
.
~
Por otro lado, tenemos que d l = (O, O, da), como a = b tg 0 derivando resulta . da= cC:,2 0 d0 con lo que d l = (O, O, cC:,2 0 d0). Así, el producto vectorial es: ~
~
dl
'"""7::+ X ( r2 - r1)
= -b2d0::--:-t Ux 2 cos 0
siendo~ el vector director en la dirección del eje de coordenadas X. Finalmente, calculamos el campo magnético aplicando la ecuación (3.18) e integrando:
B
El signo menos indíca que, en este caso, el sentido del campo magnético sigue la dirección del eje X negativa. Generalizando este resultado tenemos que el módulo del campo magnético creado por un alambre viene dado por: (3.19) ~
y el sentido se determina mediante la regla del tornillo entre los vectores d l y
(r1 - rt).
Cuando el alambre es muy largo, esto es, L > > b entonces se puede considerar que 01 '.::::: 27r y 02 ~ ~ resultando que la magnitud del campo magnético viene dada por: B= µo I (3.20) 21rb
129
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
En resumen, vemos que en cualquier punto del espacio, las líneas de campo magnético de un conductor largo y rectilíneo que transporta una corriente son tangentes a una circunferencia de radio b alrededor del conductor, en donde b es la distancia perpendicular desde el conductor al punto. Su dirección puede determinarse aplicando la regla de la mano derecha como indica la figura 3.12.
Figura 3.12: Regla de la mano derecha para calcular la dirección del campo magnético creado por un alambre indefinido EJEMPLO
3.6
Supongamos una espira cuadrada de lado L = l m por la que circula una corriente de intensidad J = 2A según muestra la figura 3.13. Se desea calcular el campo magnético en el centro de la espira. El campo magnético en un punto cualesquiera es la suma de las contribuciones debidas a cada uno de los lados del cuadrado. Además, como el punto es el centro de_ la espira implica que dichas contribuciones serán idénticas por lo que la magnitud del campo magnético será cuatro veces la de una de sus lados.
L
Figura 3.13: Espira cuadrada de lado L Para calcular el módulo del campo magnético creado por uno de los lados, por ejemplo el derecho, aplicamos la ecuación 3.19, t eniendo en cuenta que b = ½, 01 = -¡ y 02 = ¡, resulta :
µo I B1 = - b (sen02 - sen01) 47r
130
=
µo I 1r -1[ - sen- ) L (sen 4 4 k -2
=
µo I 1r L (2 sen ) 4 k -2
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
,ustituyendo valores: B1
= 10- 7
2 7 o, 5 2 sen!!.4 = 5, 66 10- T
La magnitud del campo magnético total será cuatro veces el valor anterior: Br
=
4 B1=22,6310- 7 T
La dirección se determina aplicando la regla de la mano derecha. Nótese que cada .a.do produce un campo magnético apuntando hacia dentro de la página. EJEMPLO 3.7
Supongamos una espira circular de alambre de radio R, situada en el ?lano XY y centrada en el origen de coordenadas por la que circula una :orriente J tal y como se muestra en la figura 3.14. Se desea calcular el :ampo magnético creado por la espira en un punto del eje Z.
De acuerdo con la figura 3.15 (a), el vector distancia y su módulo, expresados en :unción del ángulo 0, son:
Ti
R cos0 ~ + R sen0
~
z
(~ - Tí) lr1 - rfl
v;t
ut
- R cos 0 ~ - R sen0
JR2
üt + z ii;
+ z2
i\.nálogamente, el elemento diferencial :ver figura 3.15 (b))
dl en función del ángulo 0 viene dado por
d1 = -R sen0 d0 ~ + R
cos0 d0
ut
z p
y
Figura 3.14: Espíra circular
131
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
El producto vectorial d ( d
Ti) será:
x (~ -
1 x (~ - rf) = R z
cos 0 d0
~+R z
sen0 d0
iit + R
2
d0
u!
A continuación, calculamos el campo magnético aplicando la ecuación (3.18):
µo I R z cos 0 d0
u; + R z sen0 d0 iit + R 2 d0 u"t (R2 + z2) i
47r
z
y
............
y
·······:),,. d0
X
(a)
(b)
Figura 3.15: Campo magnético creado por una espira circular por la que circula una corriente l. ( a) Vectores distancia definidos en la espira. (b) La espira vista desde arriba
La integral de los dos primeros términos de la expresión de después de la igualdad es cero de modo que la expresión final para el diferencial del campo magnético es: (3.21) integrando y operando resulta finalfi1:ente:
B = µo I
R2
3
41r (R2 + z2 ) 2
-::t _
H -
132
u;
µo I
R2
2
(R2 + z2):~
--
[B]~1r ~
3 Uz
(3.22)
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
EJEMPLO 3.8
Supongamos una espira circular de radio 10 cm y 20 vueltas que se encuentra en el plano XY. Por ella circula una corriente de 5A en un sentido tal que el campo magnético de la espira está dirigido a lo largo del eje Z. Se desea determinar dicho campo magnético en el origen de coordenadas. El campo magnético debido a una bobina de N vueltas es N veces mayor que el campo magnético debido a una sola vuelta por tanto, debemos multiplicar. la expresión (3.22) por N. Por otro lado, en el origen de coordenadas z es igual a cero por lo que la ecuación para determinar el campo magnético (3.22), calculada en el ejemplo anterior, queda finalmente:
B-µoNI~ 2 R Uz sustituyendo los valores del ejemplo se obtiene:
B=
7
41r 10- 20 5:-:+
2 10 lQ- 2
=
Uz
27f 10-4
v!T 2
Si en lugar de hacer el cálculo en el origen de coordenadas nos pidieran calcular el campo magnético en un punto p del eje Z, por ejemplo en el punto z = 1, resulta sustituyendo valores:
B = µo N
I
2
EJEMPLO
R2
3
(R2 + z2) 2
ut =
41r 10-7 20 5 2
O, 12
(12
3
+ o, 12) 2
iit = 6, 19 10- 7 u';T
3.9
Calcular el campo magnético en un punto P del interior de un solenoide situado sobre su eje tal y como se muestra en la figura 3.16 (b). Un solenoide puede describirse como un alambre con N vueltas uniformemente ~nrollado en una forma cilíndrica de radio R y longitud L formando una hélice 3egún se muestra en la figura 3 .16 (a) . 81 campo m agnético de un solenoide es el de una serie de N espiras circulares idénticas, situadas unas junto a otras. Para calcular el campo magnético en un punto zo del interior del cilindro del solenoide, vamos a dividir la longitud L en ~lementos diferenciales dz, como se muestra en la figura 3.16 (c) . Seguidamente
133
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMATICA
aplicamos la ecuación (3.22) a cada elemento díferencíal para calcular el campo magnétíco que éste crea y después sumaremos (integraremos) todos estos campos.
z
z
R
R
......... p L
L
zo
dz
(b)
(a)
(e)
Figura 3.16: (a) Solenoide. (b) Sección transversal de un solenoide. (e) Ángulos considerados para el cálculo del campo magnético en el interior de un solenoide
Teniendo en cuenta que el elemento diferencial dz contiene N fz vueltas y que la distancia desde el elemento diferencial al punto P es zo - z, si sustituimos en la expresión (3.22) ~ encontramos que el elemento diferencial del campo magnético es:
Para resolver esta integral sabemos, por trigonometría) que z0 derivada dz = resulta:
se: cx da. Haciendo el cambio de variable zo - z 2
-::t-
H
134
=
µoNI L (COS 0'.1 2
:-:-1' -
COS 0:1) U z
=
-
z =
t:a
t:cx,
y su
e integrando
(3.23)
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
Si el solenoide es largo comparado con su radio, es decir, L >> R y el punto donde calculamos el campo magnético no está próximo a los extremos, entonces cqse aproxima a cero con lo que su coseno resulta ser 1, mientras que a 2 se aproxima a n con lo que su coseno se aproxima a -1. Con esta aproximación, el campo magnético en el interior de un solenoide es:
B =µo Niu;
(3.24)
L
En cambio, si el punto donde queremos calcular el campo está en un extremo del solenoide, implica que uno de los ángulos será aproximadamente ~ siendo su coseno cero mientras que el otro tiende a cero o a n grados por lo que su coseno es 1_ o - 1, de modo que el campo magnético será:
B = µo NI "i?;
(3.25)
2L
es decir, la magnitud del campo magnético en un punto próximo a cualquiera de los extremos de un solenoide largo es aproximadamente igual a la mitad que en los puntos interiores al solenoide lejos de los extremos. La figura 3.17 muestra el valor del campo magnético de un solenoide en función de la posición. Observe como la magnitud del campo magnético en el interior del solenoide es constante excepto cerca de los extremos.
1.B
1.4
1.2
º·~o
40
-30
-20
-10
O
10
20
3040
50
Figura 3.17: Magnitud del campo magnético en el interior de un solenoide
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
3. 7.
Flujo magnético
Se puede definir el flujo magnético como el flujo del campo a través de cualquier superficie. El flujo de un campo magnético a través de una superficie se determina de un modo semejante al flujo de un campo eléctrico. Sea dA un elemento de área sobre la superficie y ri el vector unitario perpendicular al elemento. El flujo magnético se define por la expresión:
(3.26)
La unidad del flujo magnético es la unidad del campo magnético por la unidad del área, es decir, tesla por metro cuadrado. A esta unidad se la denomina weber
(Wb): 1Wb=lT.m2 Dado que el campo magnético es proporcional al número de líneas de campo magnétiG? por unidad de área, el flujo magnético es proporcional al número de líneas que atraviesan el área. EJEMPLO 3.10
Supongamos un solenoide de 1 metro de longitud, 5 centímetros de radio y 200 vueltas por el que circula una intensidad de corriente de 10 A . Se desea calcular el flujo magnético en ef interior del solenoide. Para calcular el flujo aplicando la ecuación (3.26), en primer lugar , es necesario calcular el campo magnético. La expresión de su magnitud para el caso del solenoide ya fue calculada anteriormente, siendo:
B= µo N ( L Además, hemos estudiado que el campo magnético dentro del solenoide es constante y paralelo al eje del solenoide, es decir, es perpendicular al plano de las espiras por lo que el flujo a través de la espira vendrá dado por:
136
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
B
siendo a el ángulo entre y ti. Sabiendo que el área de la espira es A que el solenoide está compuesto por N espiras 1 se obtiene finalmente:
cp = N B
7r r2
= N µo N I
7r r2
L
= µo
N2 I
7r r2
= 1rr2
y
( 3.27)
L
Sustituyendo valores: e/>
= 41r · 10-7 · 200 · 10 · 7r • (0'05) 2 = 197, 39 . 10_ 7 Wb 1
3.8.
Ley de Gauss para el magnetismo
Sabemos que el flujo es una medida del número total de líneas de fuerza que pasan a través de cualquier superficie. Para el caso particular de un dipolo eléctrico veíamos que el flujo que sale de la carga positiva se equilibra con el flujo entrante en la carga negativa de manera que el flujo total a través de una superficie cerrada era igual a cero. Pues bien 1 al flujo magnético le ocurre algo parecido ya que todos los imanes al tener siempre un polo norte y un polo sur son como los dipolos, con lo que el flujo magnético total a través de cualquier superficie cerrada Ses siempre cero es decir, el flujo saliente del polo norte está siempre compensado con el flujo entrante en el polo sur. 1
(3.28)
3.9.
Ley de Ampere
La ley de Ampére, descubierta por André-Marie Ampére en 1826, relaciona un campo magnético estático con la causa que lo produce, es decir, con una corriente estacionaria. James Clerk Maxwell la redefinió posteriormente y ahora es una de las ecuaciones de Maxwell, formando parte del electromagnetismo de. la física clásica. La ley de Ampére relaciona la integral de línea de la componente tangencial del campo magnético, Bt 7 alrededor de una curva cerrada C, con la corriente I que atraviesa la superficie limitada por esa curva. En forma matemática, la ley de Ampére se escribe:
i B· 1 d
=
j Bt dl
= µ0 I
(3.29)
137
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
en donde · representa el producto escalar e I es la corriente que penetra en el área limitada por la curva C. El sentido positivo para el camino de integración viene dado por la dirección de la corriente de acuerdo con la regla de la mano derecha. La ley de Ampére se cumple para cualquier curva siempre y cuando las corrientes sean estacionarias y continuas, es decir, que la corriente no varía en el tiempo y que no exista acumulación espacial de carga. La integral 1f · d se denomina
Pe
circulación del campo magnético
B a lo largo de la curva C.
1
La ley de Gauss nos permitía calcular el campo eléctrico producido por una distribución de cargas cuando éstas tenían simetría (esférica, cilíndrica, en un plano cargado o en una línea cargada ) . Del mismo modo, la ley de Ampere nos permitirá calcular el campo magnético producido por una distribución de corrientes cuando existe cierta simetría. Los pasos que hay que seguir para aplicar la ley de Ampére son similares a los definidos en la ley de Gauss: l. Dada la distribución de corrientes, deducir la dirección y sentido del campo magnético.
2. Elegir un camino cerrado apropiado, atravesado por las corrientes y calcular la circulación del campo magnético. Un camino apropiado es aquél en el que el campo magnético se mantiene constante y tangente a éste. 3. Determinar la circulación (el primer miembro de la ley de Ampére), es decir, la integral:
4. Determinar la intensidad de la corriente neta que atraviesa el camino cerrado. 5. Aplicar la ley de Ampére y despejar el módulo del campo magnético. A continuación, vamos a aplicar la ley de Ampere al cálculo del campo magnético creado por diferentes distribuciones de corriente en un conjunto de ejemplos. EJEMPLO
3.11
Supongamos que disponemos de un alambre largo y recto de sección circular de radio R, que transporta una corriente de intensidad I uniformemente distribuida en toda el área transversal del conductor. Se desea determinar el campo magnético dentro y fuera del alambre.
138
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
para calcular el campo magnético vamos a aplicar la ley de Ampere dado el alto grado de simetría. Pasos: l. La dirección del campo magnético se obtiene aplicando la regla de la mano
derecha con el dedo pulgar indicando el sentido de la corriente. Evidentemente, La dirección del campo en un punto P, es perpendicular al plano determinado por la corriente y el punto. 2. Elegimos como camino cerrado una circunferencia de radio r, centrada-en la corriente rectilínea, y situada en una plano perpendicular a la misma tal y como se muestra en la figura 3.18. Nótese como el campo magnético es tangente a la circunferencia de radi~, con el mismo valor a lo largo de la circunferencia y paralelo al vector d l .
E
3. La circulación vale:
By
siendo a el ángulo que forma el campo magnético el elemento diferencial -+ del camino cerrado d l , que en este caso es de cero grados al ser paralelos. Resulta así:
i B· 1 d
=
Pe B
cosOºdl = B
Pe di= 21rr B
4. Fuera del alambre, r > R, la corriente que pasa a través de la curva Ces I (ver figura 3.18 (a)). Sin embargo, dentro del alambre, r < R, la corriente que pasa a través de C es 1r 2 1rr2 dado que la corriente por unidad de volumen es 1r~2 al estar uniformemente distribuida en toda el área transversal.
1
5. Aplicamos la ley de Ampere y despejamos la magnitud del campo magnético
en ambos casos. • En el exterior, 21r r B = µo I
de donde despejando se obtiene:
B= µo 1 (3.30) 21r r para r > R. Nótese que la expresión obtenida para el exterior es la misma expresión que obtuvimos aplicando la ley de Biot-Savart.
139
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
• En el interior, 1rr2
21r r B
= µo I 1r R 2
de donde despejando se obtiene:
B
= µo
Ir
(3.31)
21rR2
parar< R.
1 .8
(a)
(b)
Figura 3.18: (a) Campo magnético creado por un alambre indefinido. (b) Relación entre el campo magnético creado por un alambre y la distancia perpendicular al alambre
Observe que dentro del alambre, el campo magnético crece con la distancia desde el centro del alambre. En la figura 3.18 (b) se muestra el gráfico de B en función de r para este ejemplo. EJEMPLO
3 .12
Se desea calcular el campo magnético en el interior de un toroide formado por N vueltas de alambre enrolladas en un aro de radio interior a y exterior by por el que circula una corriente I (ver figura 3.19). Aplicamos la ley de Ampere siguiendo los pasos descritos anteriormente: 1. El campo magnético es tangente al círculo y constante en magnitud en todos los puntos de la circunferencia.
140
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNETICOS
2. Elegimos como camino cerrado una circunferencia de radio r centrada en el centro del toroide tal y como se muestra en la figura 3.19.
,,. . . . . -----..:. .. <~~-:;, : '
I
.
1
~
b
°':X •:, 'y
·;~
''\ 5.)._l f
: .•... ··· : ._ :';
,'. i
..,./;:>/
·, -.zz:::~:.,,.•.,·
Figura 3.19: Toroide
3. La circulación vale:
fa B. d1 = fa B
COSQ
dl -:7
siendo a el ángulo entre el vector campo magnético y d l que en este caso, al ser paralelos resulta ser a= 0 1 con lo que resulta:
4. La corriente que atraviesa la circunferencia de radio r es I: le =NI 5. Aplicarnos la ley de Ampere: B 21rr
= µ,o
N I
despejando resulta que el módulo del campo eléctrico es:
B
= µoN I 21r r
(3.32)
cuando a < r < b. Nótese que si r < a no existe corriente que atraviese la circunferencia y, por tanto, el campo magnético será nulo. Por otro lado, si r > b la corriente total
141
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
que atraviesa la circunferencia es cero ya que por cada corriente I hacia dentro existe otra de igual magnitud hacia fuera por lo que la corriente total es cero. Esto produce que el campo magnético sea nulo también en este caso. EJEMPLO
3.13
Supongamos dos conductores paralelos, de longitud L, situados a una distancia d uno del otro tal y como muestra la figura 3.20, y por los que pasan corrientes I 1 e I 2 • Entre ellos existen acciones electromagnéticas que hacen que exista entre ambos una fuerza atractiva o repulsiva dependiendo de si las corrientes circulan en el mismo sentido o en sentido opuesto. Se desea determinar el valor de dichas fuerzas en función de las intensidades que circulan por los conductores. ( Considérese que d <<< L). d
11
12
Figura 3.20: Conductores rectilíneos y paralelos portadores de corriente ---+
La corriente I 1 crea un campo magnético B 1 . Este campo magnético crea una ==--t fuerza sobre el conductor 2 la cual es perpendicular al elemento dh tal y como se muestra en la figura 3.21. Esto se cumple para todos los elementos de corriente a lo largo del conductor. El valor de dicha fuerza vendrá dado por: -=-=--t
dF12
= 12
-:-:+
dl2
~
X
B1
que como vemos está dirigida hacia el conductor l. Como el campo magnético en ~ ---:-+ el elemento diferencial I2 dl 2 es perpendicular a B1 tenemos:
Como la distancia entre los conductores es mucho m enor que sus longit udes, po--t demos decir que el campo en I 2 dl2 debido a la corriente I1 es aproximadamente
142
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
igual al campo debido a un conductor infinito por el que circula una corriente Ji dado por la ecuación (3.20): · B _ µoh 1 - 21rd -:-:+
con lo que la fuerza sobre el segmento I2 dl2 será: dF12
= 12
µ0I1 dh 1rd 2
y su valor por unidad de longitud:
dF12
~
=
I µoli 2
21rd
=
µº ]¡ I2 21r_d_
12
Figura 3.21: -::-+
Análogamente, la corriente I2 crea un campo magnético B2. Este campo crea una -+ fuerza sobre el conductor l la cual es perpendicular al elemento dli , dirigida hacia el conductor 2 y cuyo valor se calcula de manera semejante al caso anterior. Finalmente subrayar que las corriente paralelas se atraen una a la otra, tal y como hemos visto. Lógicamente si una de las corrientes se invierte, también se invertirá la fuerza con lo que los conductores se repelen.
3.10.
Ley de Faraday y Ley de Lenz
La inducción electromagnética fue descubierta casi simultáneamente y de forma independiente por Michael Faraday y Joseph Henry.· Los experimentos desarrollados por Faraday dieron como resultado que en un circuito se induce una fuerza
143
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
electromotriz ( f.e.m.) proporcional a la variación del flujo a través de la superficie que limita el circuito. Esta variación puede ser debida a un carnbio con el tiempo del campo magnético al movimiento del circuito dentro de un campo magnético o ambas situaciones. Por otro lado, la ley de Lenz establece que la corriente debida a la f.e.m. inducida se opone al cambio de flujo, es decir, la corriente inducida crea un campo magnético que tiende a conservar el flujo. Así, si disminuye el flujo, la corriente inducida crea un campo que se opone a esta disminución. El campo inducido no siempre tiene dirección y sentido opuesto al campo inductor; por ejemplo, si decrece el flujo la corriente inducida crea un campo del mismo sentido para que no disminuya el flujo.
B,
La expresión matemática que resume estas dos ideas se conoce como Ley de Faraday y nos dice que la f.e.m. inducida, {, es igual a menos la derivada del flujo con respecto al tiempo:
~ = - dcp
(3.33)
dt
Esta ecuación podemos expresarla en función del campo eléctrico que actúa sobre las cargas en el conductor y del campo magnético que origina el flujo magnético sobre la superficie S que limita el conductor C. Así, la fuerza electromotriz debida a un campo no conservativo viene dada por:
E
(3.34)
B
y el flujo del campo magnético sobre la superficie S que limita el contorno C viene dado por la ecuación (3.26), que repetimos aquí por comodidad:
(3.35) Utilizando las dos ecuaciones anteriores, podemos expresar la ley de Faraday como:
(3.36) Esta expresión representa una ley general que se aplica a cualquier contorno C, exista o no un conductor sobre C. Es, precisamente una de las ecuaciones fundamentales del electromagnetismo (una de las ecuaciones de Maxwell). Esta ley nos dice que un campo eléctrico puede ser generado por el flujo variable de un
144
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
campo magnético. Es una ecuación de carácter general y refleja como el campo eléctrico no es conservativo cuando su origen es un campo magnético que varía con el tiempo. Además muestra la dependencia entre los dos campos.
Para la generación de energía eléctrica en nuestra sociedad se utiliza, en muchos casos, la ley de inducción de Faraday. Por ejemplo, la transformación de energía mecánica en corriente eléctrica se consigue con el generador de corriente alterna el cual consiste básicamente en una bobina de N espiras. Esta bobina se coloca en un campo magnético constante y se hace girar respecto a un eje perpendicular al campo. Al girar la bobina, en el campo magnético cambia el flujo magnético que la atraviesa y se induce una f.e.m. Si el conductor del devanado del generador se conecta como elemento de un circuito, entonces se genera una corriente eléctrica alterna en el circuito. En la práctica, los generadores emplean la potencia mecánica del vapor caliente o de las caídas de agua, para hacer girar grandes turbinas en campos magnéticos permitiendo generar energía eléctrica la cual se transmite en forma de corriente alterna. Una vez transmitida se emplea para hacer trabajar motores convirtiendo, de nuevo, la energía eléctrica en energía mecánica. Tal y como hemos dicho, la variación del flujo puede lograrse de tres maneras distintas: (1) por variación del campo magnético en el tiempo; (2) por movimiento del circuito dentro de un campo magnético y (3) por ambas causas. En las siguientes secciones, vamos a estudiar únicamente los dos primeros casos ya que el tercero se sale fuera del alcance de esta asignatura.
3.10.1.
Medios estacionarios
En este caso el circuito no se mueve ni cambia de forma o tamaño. La variación del flujo magnético únicamente es debida al cambio del campo magnético con el tiempo. Teniendo en cuenta esto, la ecuación (3.36) queda de la siguiente forma:
11.dt=-~ f1.i1 rc &t ls
(3.37)
Cuando se introduce en un campo magnético variable con el tiempo un conductor, el campo magnético produce un campo eléctrico variable en el interior del conductor que ejerce una fuerza sobre los electrones libres y, por tanto, se induce una corriente. Esta corriente, a su ve:z, genera un campo magnético que se opone a los cambios de flujo debidos al campo magnético variable. Por otro lado, la corriente inducida, disipa energía debido a que la conductividad del conductor es finita y, como consecuencia, se calienta. Precisamente, este fenómeno es el método
145
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
de calentamiento por inducción, que se usa en la soldadura de metales y en las cocínas por inducción. EJEMPLO
3.14
Supongamos que tenemos una espira plana y circular de radio R y con N espiras, situada en el plano XY. El campo magnético es variable con el tiempo y viene dado por = B cos wt ~. Se desea calcular la fuerza electromotriz inducida en la espira.
B
Se trata de un medio estacionario dado que la espira permanece siempre en el mismo lugar. Lo que varía con el tiempo es el campo magnético lo cual induce una fuerza electromotriz dada por:
~=115.d1 =-_i fB-dA Jc 8t } 8 En el flujo del segundo miembro debemos tener en cuenta que el campo magnético atraviesa N espiras. Considerando una sola espira y que el vector normal a la superficie, de ésta es ti =
üt:
Is B ·
dÁ = B coswt
~ 1f R 2 ~ =
R 2 coswt
B
1f
1r
R- sen wt
La f.e.m. inducida en las N espiras será:
a
<; = - Bt N B 3.10.2.
1r
R 2 cos wt
=w
N B
9
JVIedios en movimiento
También se produce variación de flujo magnético cuando el circuito se mueve con una velocidad -;¡}' aunque el campo magn~tíco permanezca constante. Para entenderlo veamos un ejemplo. EJEMPLO
3.15
Supongamos una espira cuadrada de lado L situada en un campo magnético constante = B ~ como indica la figura 3.22 en donde se observa que sólo la mitad de la espira está dentro del campo magnético. Se desea calcular la f.e.m. inducida en la espira en (1) cuando se
E
146
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
desplaza a la derecha a una velocidad de v y (2) cuando se desplaza hacia arriba a una velocidad de v. X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
<
xtl X
X
X
X
)
L
Figura 3.22: Espira cuadrada en movimiento dentro de
un campo magnético
Como se aprecia se trata de un medio en movimiento dentro de un campo magnético constante lo que hace pensar que puede haber una variación del flujo magnético que atraviesa la espira y, por consiguiente, aparezca una f.e.m . inducida la cual viene dada por: f;, = - dcp
dt
Por otro lado, sabemos que el flujo magnético que atraviesa una espira se calcula aplicando la ecuación (3.26):
ri:dA
B
y como y rl son paralelos o lo que es lo mismo de la espira, resulta:
B es perpendicular al plano
rp =BA
siendo A el área de la espira incluida en el campo magnético. Estudiaremos los dos casos: l. Cuando la espira se desplaza a la derecha, el flujo magnético no cambia dado
que tanto el campo magnético como el área de la .espira incluida en él son con stantes 1 siempre que la espira no salga de la región donde se encuentra el campo magnético. Por tanto, tenemos:
(=O
147
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
2. Cuando la espira se mueve hacia arriba, el área incluida dentro del campo magnético si que cambia por lo que existe variación del flujo magnético. Así, la f.e.m. inducida será: d da
( = - dt (B L a) = - B L dt
donde se ha sustituido A = L a. Sabiendo que dad de movimiento, v, de la espira resulta:
1~ es precisamente la veloci-
f,=BLv
3.11.
Inductancia
En el capítulo 2 vimos como se podía almacenar la energía de un campo eléctrico mediante los condensadores, ahora vamos a almacenar la energía de un campo magnético usando los inductores. Su funcionamiento se basa en la ley de Faraday que, como hemos visto, describe los efectos de los campos magnéticos que cambian. Es importante comentar que los inductores solo son activos cuando cambia la corriente~ Cuando la corriente eléctrica aumenta en un circuito al conectar una batería, el campo magnético alrededor del conductor también aumenta. Al crecer el campo magnético, el flujo magnético que atraviesa el área encerrada por el circuito, aumenta. Según la ley de Faraday formulada por Lenz se induce una f.e.m. en el circuito que se opone a este aumento de flujo. Por consiguiente, la f. e.m. inducida se opone a la f.e.m. de la batería y decelera la corriente. Esto es, las corrientes inducidas siempre se oponen a cualquier cambio en el flujo magnético. El resultado es que las corrientes variables en los circuitos originan efectos de inducción que tratan de reducir la rapidez de cambio de esas corrientes.
De cualquier modo, cuando los efectos del cambio de la corriente eléctrica se producen sobre el mismo circuito hablaremos de autoinducción, mientras que cuando los cambios de la corriente en un circuito induce una f.e.m. en un segundo circuito cercano al primero, decimos que hay una inductancia mutua entre los dos circuitos. ·
3.11 .1.
Autoinducción
Cuando por un circuito circula una corriente eléctrica, se crea a su alrededor un campo magnético . Si varía la intensidad de la corriente, dicho campo también
148
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
variará y, según la ley de inducción electromagnética de Faraday, en el circuito se producirá una fuerza electromotriz inducida que se denomina fuerza electromotriz autoínducida. Se llama autoinducción de un circuito a la formación de conientes inducidas en el circuito cuando se produce en él variación del propio flujo. Supongamos una bobina por la que circula una corriente J. La corriente produce un campo magnético 11' que varía de un punto a otro, pero en todos los puntos el campo es proporcional a la corriente. Por tanto, el flujo magnético a través de la bobina es proporcional a la corriente: >=LI
(3.38)
donde L es una constante llamada autoinducción de la bobina y depende de la forma de la bobina. La unidad en el SI de la inducción es el Henrio que según la ecuación (3.38) es igual a: lH= 1 Wb A
Para calcular la inducción en un circuito por el que circula una corriente I, comenzamos calculando el campo magnético en cada punto de la superficie encerrada por el circuito. A partir de este campo magnético podremos determinar el flujo que atraviesa la superficie y finalmente la autoinducción utilizando la ecuación (3.38). Cuando la corriente de un circuito varía, el flujo magnético debido a la corriente también cambia induciéndose una f.e.m. Como la autoinducción es constante, la variación del flujo está relacionada con la variación de la intensidad por: d>m dt
=
d(L I) dt
= L dI dt
Teniendo en cuenta la ley de Faraday resulta:
( = _ d>m = _ L dl dt
dt
(3.39)
En resumen, la f.e.m. inducida es proporcional a la variación de corriente. Un solenoide con muchas vueltas posee una gran autoinducción denominándose inductor. En los circuitos, los elementos inductores se presen~a con el símbolo mostrado en la figura 3.23. Normalmente, podemos despreciar la autoinducción del r esto del circuito comparado con la de un inductor.
149
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
L
_mn_ Figura 3.23: Símbolo de un solenoide o bobina
EJEMPLO
3.16
Calcular la autoinducción de un solenoide de longitud d y N vueltas por el que circula una corriente I. De acuerdo a la ecuación (3.27) tenemos que el flujo magnético viene dado por:
m = µo n 2 I 1rr2 d siendo n = 1¡ el número de vueltas por unidad de longitud (densidad del devanado). Como vemos el flujo es proporcional a la intensidad. La constante de proporcionalidad es precisamente la autoinducción, '·
ef>m 2 L =-=µon 1rr2 d I Nótese que la autoinducción es proporcional al cuadrado del número de vueltas por unidad de longitud y al volumen (nT2 d) 1 es decir, al igual que ocurre con la capacidad, sólo depende de factores geométricos.
3.11.2.
Inducción mutua
Cuando se dispone de varios circuitos próximos entre sí, el flujo magnético que atraviesa uno de ellos depende de la corriente en este circuito y de la corriente que circula por los circuitos próximos. Supoñgamos dos circuitos próximos uno de otro tal y como muestra la figura 3.24. Por uno de ellos circula una corriente li y por el otro~· El campo magnético en la superficie del circuito 1, es la superposición de B1 debida a I1 y de~ debida a 12, siendo proporcional a Ji ==+ y B2 proporcional a I2, es decir, teniendo en cuenta la dirección de las corrientes y aplicando la regla de la mano derecha para determinar el sentido de los campos magnéticos de ambos circuitos, resulta que el campo magnético viene dado por la -=+ -=+ suma de B1 y B2. Así, podemos escribir que el flujo magnético que atraviesa el
Bi
150
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
circuito 1, c/>m1, como la suma de dos partes, una proporcional a la corriente la otra proporcional a la corriente 12:
Ii
y
(3.40)
en donde L1 es la autoinducción del circuito 1 y M 1 ,2 la inducción mutua de los dos circuitos. Evidentemente, si ambos circuitos están bastante separados, el flujo a través del circuito 1 debido a la corriente 12 será pequeño y la inductancia mutua también lo será. Análogamente, el flujo magnético que atraviesa el circuito 2 vendrá dado por:
c/Jm2
= L2
12 + M2) Ji
(3.41)
en donde L2 es la autoinducción del circuito l. La inductancia mutua depende de las características físicas y construct ivas d e cada circuito y de la posición y orientación entre ellos. Aunque no es obvio, por lo que se omite en este contexto la demostración, las inductancias mutuas son iguales, es decir: M12 ,
= M21,
por lo que normalmente se simboliza la inductancia mutua por M. 12
11 .--- - - -----,81 _..__ Circuito 1
Circuito 2 _.._
Figura 3.24: Inducción mutua entre circuitos próximos entre sí
EJEMPLO
3 .1 7
Calcular la inductancia mutua entre dos solenoides concéntricos de longitud L dispuestos como indica la figura 3.25. El solenoide interior tiene N1 vueltas y radio R1 y el exterior N2 vueltas y radio R2. Supongamos que por el solenoide interior circula una corriente I1 , el módulo del campo magnético en el espacio interior debido a est a corriente es const ante y viene dada por la ecuación (3.24):
Bl
__ µo N1 Ji L
= µo
n1 11
151
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
siendo n1 la densidad del devanado. Fuera del solenoide interno el campo magnético B1 es despreciable por ello, únicamente tomaremos el área del solenoide interior para calcular el flujo. El flujo de B1 que atraviesa el solenoide externo es:
La inductancia mutua es, por tanto: ~m12
M = - - = µo
Ji
n1 n2
L
1r
R21
12
'·
3.12.
Figura 3.25: Solenoides concéntricos
Energía magnética
Todo elemento portador de corriente en un circuito crea un campo magnético y por consiguiente, tiene una inductancia. Los elementos de un circuito t ienen una energía asociada con su campo magnético. Un inductor almacena energía magnética del mismo modo que un condensador almacena energía eléctrica. Supongamos un circuito cuyos únicos elementos son una fuerza electromotriz externa y un inductor. Aplicando la ley de las mallas de Kirchhoff (será estudiada en el capítulo 4) , es evidente que la fuerza electromotriz inducida en el inductor debe ser igual y opuesta a la de la fuente externa. Por consiguiente, teniendo en cuenta la ecuación (3.39) tenemos: dW=LldI dt dt Vemos que si la corriente aumenta, la potencia será positiva lo que significa que la fuente externa debe realizar trabajo para suministrar energía positiva al inductor, en definitiva, la energía del inductor aumenta. Por contra, si la corriente desciende la potencia pasa a ser negativa lo que significa que la fuente toma _energía
152
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
del inductor disminuyendo éste su energía interna. Para calcular el cambio en la energía del inductor entre dos instantes de tiempo, basta con integrar el trabajo efectuado por la fuente externa al cambiar la corriente:
-6.U
=
t2 1 ti
dW -d dt
t
=
1t2
dl L I -d dt
t
t1
=L
1t2
I dl
t1
l 1 L I? - - L 2 2
=-
Jt ·
Llamamos energía del inductor al aumento de energía al pasar la corriente de cero a J:
UL
3.13.
= -21
L I
2
(3.42)
Resumen y Ecuaciones Básicas
Este capítulo se dedica al estudio de los fenómenos magnéticos que ocurren siempre que haya cargas en movimiento. Al inicio del capítulo se ha estudiado el problema desde dos puntos de vista: En primer lugar se ha analizado como las cargas eléctricas en movimiento y las corrientes eléctricas experimentan fuerzas magnéticas cuando se encuentran en el interior de un campo magnético; En segundo lugar, se ha estudiado como las cargas eléctricas en movimiento producen campos magnéticos. Seguidamente, se han presentado las leyes básicas que nos permiten analizar algunos de los fenómenos magnéticos. En concreto, durante este capítulo se han desarrollado los siguientes conceptos fundamentales: • La fuerzas magnéticas que actúan sobre cargas móviles y distribuciones de corriente situadas en una zona del espacio donde existe un campo magnético sin tener en cuenta las causas que producen estas fuerzas. • Los campos magnéticos creados por cargas en movimiento y por otras distribuciones de corriente lo que llevó a enunciar la ley de Biot-Savart para su cálculo. 11
El concepto de flujo magnético a través de una superficie que consiste en el número de líneas de fuerza que atraviesan esa superficie.
• La ley de Gauss para el magnetismo que nos· indica que el flujo magnético a través de una superficie cerrada es siempre nulo.
153
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
• La ley de Ampére la cual relaciona un campo magnético estático con la causa que lo produce. Nos indica que la integral de línea de a lo largo de cualquier trayectoria cerrada es igual a una constante llamada perrneabilidad del vacío por la intensidad neta que atraviesa la superficie delimitada por la trayectoria cerrada. Esta ley resulta muy interesante para calcular el campo magnético en determinadas distribuciones de corriente.
E · dA
• La ley de Faraday la cual nos dice que en un circuito se induce una fuerza electromotriz proporcional a la variación del flujo a través de la superficie que limita el circuito. Gracias a esta ley podemos calcular la fuerza electromotriz inducida en un circuito cuando se encuentra en el interior de un campo magnético. Por otro lado, la ley de Lenz nos indica que la F .e.m. inducida tiene un sentido tal que se opone al cambio que la produce. 11
El concepto de inductancia el cual aparece como resultado de los cambios en las corrientes de un circuito. Estos cambios originan efectos de inducción al tratar de reducir la rapidez de cambio de esas corrientes. Finalmente se estudia la energía magnética que es capaz de almacenar un inductor. \
ECUACIONES BÁSIC AS
1. Fuerza sobre una carga móvil :
F=
q7l x
1J
P = I dl x B Momento magnético de una espira de corriente: -µ = NI A Momento de fuerza magnética:-:/=µ x B
2. Fuerza sobre un elemento de corriente: 3. 4.
5. Campo magnético creado por una carga puntual en movimiento:
6. Campo magnético creado por un elemento de corriente, Ley de Biot-Savart: ~ =+ ~ dE = µo Id l x ( r2 - r1)
41r
7. Ley de Ampére: Pe
154
ir1 - rfl 3
B · d1 = pBt dl = µo I
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
8. Flujo magnético: efJ =
Ps B · dA
= - ~f Autoinducción: efJ = L I Energía magnética: UL = ½ L
9. Ley de Faraday: ~ 10.
11.
3.14.
I2
Ejercicios de Autoevaluación
l. En la figura 3.26 se muestra una espira triangular por la que circula una corriente I. La espira se sitúa sobre el plano ZY y está en presencia de un campo magnético = B 0 ~ . Calcular la fuerza magnética que ejerce sobre la espira triangular.
B
Solución:
P= O z L
y
Figura 3.26: Espira triangular
2. Un disco de plástico de radio R tiene una carga q uniformemente distribuida sobre su superficie. Si se gira el disco con una frecuencia angular w alrededor de su eje (ver figura 3.27). Calcular el valor del campo magnético en el centro del disco. Solución:
B = ~º/ ';/, iit z
.r y /
X
Figura 3.27: Disco cargado con carga q
155
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
3. Un tramo de alambre de longitud L lleva una corriente I; si con el alambre se hace una bobina circular de varias espiras: (1) Hallar el número de espiras de que deberá constar la bobina para que al colocarla en el campo magnético experimente un par de momento máximo; (2) Hallar el valor de dicho momento. Solución: (1) una espira; (2)
Tmáx
=
LÍ1r B
4. En la figura 3.28 se muestran dos cilindros concéntricos, uno de ellos hueco. Por el interior circula una corriente I uniformemente distribuida en su sección, y por el exterior circula la misma corriente pero en sentido contrario, estando también uniformemente distribuida sobre la sección. Se pide el campo magnético para puntos a distancia r del eje de los cilindros tal que: (1) r < a; (2) a< r < b; (3) b < r < e; (4) r > c.
II'
Solución: (1) B
=
µo Ir. 21T a 2 '
(2) B =
µo I .
21r r '
(3) B =
2
2
µo I (c - r ) • 2 1r r (c2 -b2 ) 1
(4) B
=o
Figura 3.28: Cilindros concéntricos 5. ·un electrón cuya energía es de 104 electrón-voltios se mueve en la dirección del eje Y y entra en una región del espacio en la cual hay un campo eléctrico de 100 V / cm en la dirección del eje Z negativa. Se desprecia el peso del electrón frente a las otras fuerzas que intervienen en el problema. (1) ¿ Cuál es la dirección y magnitud de un campo magnético que permitiría al electrón seguir moviéndose horizontalmente? (2) Si es un protón el que pasa en idénticas circunstancias ¿cómo ha de ser
B
B?
Solución: (1)
B = - ~ ut; (2) B = - ~- ~
6. Dos carretes circulares de radio a y N espiras, recorridos por corrientes iguales I, son coaxiales y están separados una distancia r, tal y corno se muestra en la figura 3.29. Calcular el campo magnético en un punto del eje común que dista x del centro del sistema. Solución:
156
B = µo I~Va
2 (
1
(a2+(;+x)2)2
+
1
. )
(a2+(;-x)2)2
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
Figura 3.29: Carretes circulares coaxiales con N espiras
7. Un c_o nductor metálico cilíndrico de longitud infinita lleva una corriente de 1OA uniformemente repartida. Calcular el flujo de campo magnético que atraviesa una superficie plana de longitud L=lm, situada tal y como muestra la figura 3.30. Solución: ··
,,¡.. 'f'
= 10-6 Webers metro
Figura 3.30: Conductor metalico cilíndrico
8. Una bobina está enrollada con ·200 vueltas de alambre sobre el perímetro de un armazón cuadrado de 18cm de lado. Cada vuelta tiene la misma área, igual a la del armazón y la resistencia total de la bobina es 20. Se activa un campo magnético uniforme perpendicular al plano de la bobina. Si el campo cambia linealmente de O a 0'5 Wb/ m 2 en un tiempo de 0'8s, encuentre la magnitud de la fuerza electromotriz inducida en la bobina mientras está cambiando el campo. Solución: ~ = 4'05V 9. Un conductor cilíndrico de longitud infinita lleva una corriente de J = 100 A y está colocado en un campo magnético exterior uniforme de = 50 Gauss, siendo el alambre perpendicular al campo. Hallar los puntos en los que el campo magnético resultante total vale cero.
JJ
Solución: 4 · 10-3m
157
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
10. Dos alambres de longitud supuesta infinita llevan una corríente I en sentidos opuestos, tal y como muestra la figura 3.31. Hallar el módulo dirección y en el punto P. sentido de 1
B
·, B So1uc10n:
=
2µ,o I d 1r(4 R2 +d2 )
0 1
p
¡!
d
L-------------e R
1
@ Figura 3.31: Alambres conductores por los que circulan intensidades opuestas
11. Supongamos una alambre y una espira rectangular dispuestos como indica la figura 3.32. El alambre rectilíneo infinito lleva una corriente de 30 A y la espira lleva una corriente de 20 A. Si a=l cm, b= 8 cm y 1=30 cm. Calcular la fuerza resultante que actúa sobre el alambre. Solución: F
= 312,10-3 N
1:
.-------12___, 11
L
Figura 3.32: Espira rectangular móvil cercana a una alambre conductor
12. Tenemos un sistema de conductores conectado entre sí como muestra la figura 3.33. Se supone que la ~eparación entre los conductores que une la parte recta con la circunferencia están muy próximos pero sin tocarse. El radio de la circunferencia es a y la distancia entre los hilos verticale~ el centro de la circunferencia es h = 2a/'rr. Calcular el campo magnético 13 en el punto P (centro de la circunferencia). Solución:
158
B = ~o; u:;
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
1
1 1 1
1 1 1 1 1 1
~==t::=--------~!P-----------:",, 1
1
',, a
1 1
'
:
---------
, ..
'
"",
1 1 t
Figura 3.33
13. Un anillo circular de alambre de 10 cm de diámetro se coloca con su normal formando un ángulo de 30° con la dirección de un campo magnético uniforme de 5000 Gauss (ver figura 3.34) . El anillo se hace girar de modo que su normal gira alrededor del campo a razón de 100 revoluciones por minuto. El ángulo entre la normal y el campo permanece constante. ¿ Qué fuerza electromotriz inducida aparece en el anillo? Solución: f. e.m = O
Figura 3.34
14. Una espira rectangular, mostrada en la figura 3.35, se mueve a través de una región en la que el campo magnético está dado por: Bx=6-y; By=O; Bz= O en unidades del S.L Calcular la f.e.m. inducida en la espira en función del tiempo tomando como posición inicial la most rada en la figura cuando la espira se mueve con una velocidad constante m /s.
2ut
Solución: f.e.m
= 0'2 V 159
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
z 0.2m
O.Sm
y
Figura 3.35
15. Una bobina rectangular de N=lü vueltas gira con frecuencia f = 50 hz, en un campo magnético B = 5 T uniforme perpendicular al papel tal y como muestra la figura 3.36 donde b = 2 cm y d = 5 cm. Hallar la fuerza electromotriz inducida en la bobina en función del tiempo. Solución:f.e.m.
=
15171rsenl001rt V X
X
X
)( ~
:I
X
X
X
X
X
X
X
X
,.__X
X
X
X
X
)(
b
B
_____
__,
d
X
X
)(
Figura 3.36
16. La inductancia de una bobina de 400 espiras es de 8 milihenrios. ¿Cuál es el flujo magnético que pasa por la bobina cuando la corriente es de 5 miliarnperios? Solución: e/; = 10-1 w eb 17. Un disco circular de cobre de 10 cm de diámetro gira a 1800 revoluciones por minuto alrededor de un eje normal a él, que pasa por su centro (ver figura 3.37). Existe un campo magnético uniforme, paralelo al eje y de 4 valor 10 Gauss. ¿Qué diferencia de potencial aparece entre el eje y el borde del disco?
JJ
Solución: f.e.m
160
= 0'2355mV
CAPÍTULO 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
Figura 3.37 18. Una espira circular de 20 cm de radio se halla en el seno de un campo magnético de 0'01 T girando en torno a un eje perpendicular al campo a razón de 100 r.p.m.(ver figura 3.38) Hallar la f.e.m. inducida en la espira en cada instante, el valor máximo de dicha fuerza y la intensidad que circularía por la misma si tuviese una resistencia de lKD.
Solución: f,
= B S w sen0; f, = 13'16 · 10-3 V; J = 13'16 · 10-6 sen0A
Figura 3.38 19. Dos conductores rectilíneos, paralelos y muy largos transportan corrientes de sentidos contrarios e iguales a 1,5 A. Los conductores son perpendiculares al plano de un cuadrado de lado 10 cm y pasan por dos de los vértices contiguos como se indica en la figura 3.39. Calcula el campo magnético en los puntos (1) Pl situado en el centro del lado por cuyos extremos pasan los conductores y (2) P2 situado en el centro del cuadrado.
Solución: (1)
B = 12 · 10-6~T; (2) B = 6 · 10- 6~T cr··-·······-········1 P1
i . ! P2
®--···-·--····--! Figura 3.39
161
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
20. La espira circular conductora de la figura 3.40 yace en el plano z=O, tiene de radio O' lm y una resistencia de 5!1.Si el campo magnético de esa zona es 0'2.senl03 t~T, calcular el módulo de la corriente inducida en la espira. Solución: I
=
- O' 41r cosl03 t A
z y
Figura 3.40
162
Parte II
Teoría de Circuitos
Capítulo 4
Circuitos de Corriente Continua
CONTEXTO Tal y como hemos visto en los capítulos anteriores, las cargas se mueven l la influencia de los campos eléctricos. A ese movimiento se le llama corrü eléctrica. Ahora nos vamos a centrar en el estudio de esta corriente cuand< produce en el interior de los materiales que forman los circuitos. Para descr el flujo de las corrientes en los materiales en forma macroscópica se defin1 resistencia, conductividad y resistividad que son características especificas dE materiales.
Las cargas eléctricas libres o electrones que posee un conductor metálico, en] sencia de un campo eléctrico, se desplazan hasta conseguir que en el interior conductor el campo eléctrico sea nulo. Este desplazamiento de los electrones e interior del conductor da lugar a una corriente eléctrica transitoria que cesa pronto sea compensado el campo eléctrico externo aplicado. Si se desea mantf el flujo de cargas y obtener una corriente eléctrica permanente en el seno del < ductor, es necesario conseguir un campo eléctrico constante dentro del matei es decir, una diferencia de potencial constante entre los extremos del conduc Como hemos estudiado en capítulos anteriores, los dispositivos capaces de ma: ner una diferencia de potencial constante son los generadores de energía eléct y las pilas.
En este capítulo, vamos a definir los distintos tipos de circuitos eléctricos,
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
elementos que los componen así como el conjunto de leyes que permiten su análisis siempre considerando que la corriente que circula por el circuito es continua. '
CONOCIMIENTO PREVIO NECESARIO Para abordar el estudio de este capítulo son necesarios los conocimientos adquiridos en los capítulos pertenecientes a la parte I de la asignatura donde se estudian los conceptos de campo eléctrico, diferencia de potencial, condensadores etc. Además, son necesarios conocimientos matemáticos relativos a la resolución de sistemas de ecuaciones.
OBJETIVOS DEL CAPÍTULO Los objetivos del capítulo son: 1. Estudio del concepto de corriente eléctrica. 2. Estudio del concepto de resistencia. \
3. Estudio de la ley de Ohm y Joule. _ 4. Estudio del concepto de circuito. Esto supone estudiar las magnitudes fundamentales y los elementos básicos que pueden aparecer en un circuito. 5. Estudio de las leyes de Kirchho:ff que permitirán la resolución de circuitos1 esto es, proporcionan al alumno un mecanismo ~e cálculo de intensidades y t ensiones en un circuito. 6. Estudio de los teoremas de N orton y Thevenin que nos permiten simplificar partes de un circuito. 7. Estudio del teorema de Millman que simplifica los cálculos cuando se dispone de elementos en paralelo. ., _
GUÍA DE ESTUDIO Lo conveniente es seguir el estudio del capítulo de manera secuencial.
166
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
4.1.
Introducción
Antes de presentar el concepto de corriente eléctrica así como los circuitos y sus :::oro.ponentes, resulta importante conocer algunas características de las formas de )nda de las magnitudes eléctricas que aparecen en ellos. :Jualquier tipo de señal en un circuito siempre se puede descomponer en otras :::oroponentes más simples. En una primera clasificación podemos diferenciar entre 3eñales constantes y señales variables. La señales constantes en el tiempo son ;1.quellas en las que su magnitud se mantiene constante en el tiempo mientras que .as señales variables cambian. En la figura 4.1 (a) y (b) se muestra un ejemplo ie cada una de ellas, respectivamente.
A. su vez, dentro de la señales variables encontramos varios tipos dependiendo de :::ómo se produce la variación: continuas y discontinuas, de signo constante y de ,igno variable, deterministas y aleatorias, periódicas y alternas. A continuación ,e van a describir brevemente cada una de ellas.
h(t
t
t
(b)
(a) h(t h(t
r-¡
1
1
i
L...J
!
t
~ t
(e)
(d)
8'igura 4.1: (a) Señal constante. (b) Señal variable continua. (e) Señal variable periódica :iiscontinua. (d) Señal variable alterna
• Señales continuas y discontinuas Una señal es continua cuando para todo instante t son iguales los valores de
167
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
la señal inmediatamente antes y después del instante t, es decir, se cumple:
(4.1)
h(t-)
= lim h(t - D:.t)
(4.2)
h(t+)
=
lim h(t + D:.t)
(4.3)
,0.t-+0
6t-+0
En el momento que exista un único valor de la señal en el que no se cumpla la igualdad anterior decimos que la señal es discontinua. Un ejemplo de señal variable y continua se ha mostrado en la figura 4.1 (b) y un ejemplo de señal variable y discontinua se muestra en la figura 4.1 (e).
• Señales de signo constante y de signo variable. También se puede clasificar las señales según la variación de su signo. Así encontramos las señales de signo constante y las de signo variable. Nótese quelas señales de signo constante pueden ser señales continuas o variables sin embargo, las señales de signo variable obligatoriamente son siempre variables ya que su signo cambia en algún instante de tiempo.
• Señales deterministas y señales aleatorias La señales deterministas son las que se expresan mediante una ecuación matemática mientras que las señales aleatorias se caracterizan por su variación no previsible por lo que debe emplearse métodos .estadísticos para su estudio. Este tipo de señal aparece como ruido en la mayoría de los sistemas. Estos tipos de señales no serán estudiadas en este libro.
• Señales periódicas. Estas señales son un caso particular del tipo de señal variable y determinista. La característica de estas señales es que sus valores se repiten cada cierto tiempo constante. A este tiempo se le denomina periodo T, cumpliéndose: h(t + T)
= h(t)
Se denomina frecuencia f al inverso del periodo, esto es:
f = !_ T
168
(4.4)
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
Un ejemplo de señal variable periódica discontinua se muestra en la figura 4.1 (c) y otro de señal variable periódica y continua se muestra en la figura 4.1 (d). Se llama longitud de onda a la magnitud que relaciona el periodo de la señal con su velocidad de transmisión. Teniendo en cuenta que las señales eléctricas se propagan en el vacío a la velocidad de la luz resulta que la longitud de onda viene dada por:
>..=e T
(4.5)
siendo e , la velocidad de la luz que es aproximadamente igual a 3 · 108
1;'.
• Señales alternas Las señales alternas son señales periódicas cuyo valor instantáneo y signo varía de forma continua siendo su valor medio igual a cero. En el contexto de este libro, la señal alterna será aquella señal periódica de valor medio nulo, de amplitud A, de frecuencia f y que sigue una variación regida por la función seno o coseno, es decir, son del tipo:
h(t) h(t) -
A sen(wt) A cos(wt)
(4.6) (4.7)
donde w es la pulsación o velocidad angular y se relaciona con la frecuencia y el periodo por las expresiones:
w .
27í
= 27íf = -T
(4.8) .
y su unidad es el radian/ segundo. Un ejemplo de señal variable alterna se muestra en la figura 4.1 (d). Las medidas que permiten la clasificación y análisis de las señales son su valor máximo) mínimo y medio. De entre todas las señales expuestas anteriormente, en Teoría de Circuitos y Electrónica las más importantes son las señales continuas y las señales alternas. En las señales continuas, el valor máximo, mínimo y medio es el mismo, sin embargo, en las señales alternas el valor máximo será la amplitud de la onda o valor de pico A, el mínimo será - A Y' su valor medio será cero por lo que esta magnitud carece de interés.
169
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Para las señales alternas resulta interesante definir una nueva magnitud llamada valor eficaz que se define como la media cuadrática de la onda:
Veficaz
=
1 ¡to+T
T to
h 2 (t) dt
(4.9)
El cálculo de esta expresión es difícil. Es interesante poner su solución en el caso en el que la señal sigue la función seno o coseno de amplitud A y media cero. Resulta entonces: A (4.10) Ve¡ icaz = y'2
4.2.
La corriente eléctrica
La corriente eléctrica es el flujo de cargas eléctricas que atraviesa la sección transversal de un cable por unidad de tiempo. Sea ~Q la carga que fluye a través de un área transversal A, en un tiempo ~t. La corriente o intensidad de corriente, I, viene dada por: (4.11)
cuando ~t tiende a cero. La unidad en el SI de la intensidad es el amperio (A) y su relación con el culombio es: lA = lC s
El movimiento de los electrones libres en un conductor es muy complicado. En ausencia de campo eléctrico estos electrones se mueven con direcciones aleatorias y velocidades relativamente grandes, del orden de 106 m/ s. Estos electrones chocan repetidamente con los iones de la red cristalina. Dado que los vectores velocidad están orientados aleatoriamente, la velocidad m edia es cero. Bajo la in fluencia de un campo eléctrico constante los electroñes libres del metal se encuentran sometidos a una fuerza en virtud de la cual se mueven, con movimiento inicialmente acelerado, pero que rápidamente se convierte en velocidad uniforme, debido a los choques con los iones fijos del conductor. Dicho desplazamiento tiene lugar en sentido contrario al campo, es decir, en sentido de los potenciales crecientes (recuérdese que la corriente eléctrica es un flujo de electrones). A esta velocidad media dirigida en sentido opuesto al campo eléctrico se denomina velocidad de desplazamiento y a su módulo velocidad de deriva.
-eE,
170
E,
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTIN UA
Considérese una corriente en un alambre conductor de sección transversal A. Sea n el número de partículas libres portadoras de carga por unidad de volumen, llamado densidad numérica de los portadores de carga. Supongamos que cada partícula transporta una carga q y se mueve con una velocidad de desplazamiento Vd- En el tiempo í:)..t todas las partículas contenidas en el volumen Avd~t, pasan a través del área A (ver figura 4.2). El número de partículas en este volumen es nA vd ~t, y la carga total es:
b..Q
= qnAvd~t \Jd
ÍE
tit
(4.12)
A )''
Figura 4.2: Segmento de un alambre conductor portador de corriente La intensidad de corriente es por tanto:
~Q 1= =qnAvd ~t
(4.13)
Recuérdese que la densidad de portadores de carga en un conductor puede ser medida mediante el efecto Hall ya estudiado en un capítulo anterior.
1,
Se define por vector densidad de corriente a la corriente por unidad de área, esto es, J = ~. Teniendo en cuenta la expresión (4.13) resulta:
J
= qn'iiJ,
(4.14)
Observe que la conservación de la carga nos lleva al principio de conservación de la corriente. Esto significa que cuando tenemos un flujo estable, en el cual las corrientes no varían con el tiempo, la corriente total que entra en una sección del conductor debe ser igual a la corriente que sale de esa sección. Así, la corriente es igual en todos los lugares a lo largo de un alambre, aun cuando el área cambie. Esto es, si el alambre tiene áreas de sección transversal A1 y A2 en dos puntos) entonces la conservación de la corriente implica que )1A1 = J2A2, siendo J1 y J2 las densidades de corriente, respectivamente.
171
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTI CA
4.3.
Resistencia y Ley de Ohm
Tal y como hemos dicho anteriormente, cuando se aplica un campo eléctrico a un conductor, se genera una corriente. En este contexto, podemos considerar que la diferencia de potencial, V, debida al campo eléctrico, es la fuente de movimiento. En un metal, al ser las cargas libres negativas se mueven en dirección opuesta al campo eléctrico. Si no existieran más fuerzas sobre las cargas libres que la debida al campo eléctrico externo, la velocidad de éstas aumentaría indefinidamente. Sin embargo, esto no es así ya que lo electrones libres interaccionan con los iones de la red del metal produciendo fuerzas contrarias a su movimiento. Por ello, la cantidad de corriente que pasa por· un material, para determinada diferencia de potencial depende de las propiedades y geometría de éste. La resistencia eléctrica es una medida de la facilidad con la que fluye la carga en el interior del material. Se define la resistencia eléctrica como la relación entre el voltaje o diferencia de potencial y la corriente que pasa por él:
R=V \
(4.15)
I
La unidad de la resistencia en el SI es el ohm (n) que se define como la resistencia a través de la cual pasa una corriente de lA cuando se aplica la diferencia de potencial de 1V. Se cumple: 10= 1 V
(4.16)
A
El primero en estudiar la resistencia de diversos materiales fue Georg Simon Ohm publicando en 1826 sus resultados experimentales en donde exponía que para la mayor parte de los metales la resistencia es constante dentro de un amplio margen de diferencias de potencial. Por ello, cuando la resistencia se mantiene constante entre unos límites de diferencia de potencial decimos que el material es óhmico. "'-
La resistencia de un alambre conductor, de determinado material, puede variar con su forma. Está claro que si se duplica la longitud de un conductor, el número de choques con los iones de la red del material aumenta al doble, esto es, la resistencia de un conductor es proporcional a su longitud. Si lo que se duplica es el área transversal de un conductor, entonces puede pasar por él, el doble de corriente. Siempre que la diferencia de potencial permanezca constante, si se duplica la corriente implica que la resistencia baja a la mitad. Por tanto, la resistencia de un conductor de determinado material es inversamente proporcional
172
CAPITULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
Conductores
Aleaciones Conductoras Semiconductores
Aislantes
Resistividad a 20°0 (n · m) 2'82 · 10-~ 3500 .10-i:s 1'59. 10-0 1'72 · 10-1:S 10. 10-0 96. 10-0 10'6 · 10-i:s 22 . 10-0 5'6 · 10-1:S 7. 10-0 44 · 10-1:S 100. 10-0 0'45 640 5 . 1014 10° - 1014 10::, 101:S 1011 1014 101u - 1014
Material Aluminio Carbono Plata Cobre Hierro Mercurio Platino Plomo Tungsteno Latón Manganina Nicrom Germanio Silicio Ambar Madera Neopreno Poliestireno Porcelana Teflón Vidrio
r-.J
r-.J
r-.J
Cuadro 4.1: Resistividad de algunos materiales a 20°c
al área, A, de su sección transversal. Teniendo en cuenta estas dos conclusiones podemos poner:
L (4.17) A siendo p la constante de proporcionalidad, llamada resistividad del material, que sólo depende del material del que esté hecho el conductor y de la temperatura. Sus unidades en el SI son n.m. En el cuadro 4.1 se muestran la resistividad de distintos materiales a 20°C. Vemos como el carbono posee alta resistividad por lo que se utiliza normalmente en la fabricación de las resistencias de los equipos electrónicos.
R=p-
El recíproco de la resistividad es la conductividad, cr: 1
(l
=-
p
(4.18)
173
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Para un segmento de cable de longitud L, sección transversal A y resistencia R, por el que circula una corriente I , la diferencia de potencial a lo largo de dicho segmento viene dada por: L (4.19) V=RI=lpA Sabemos que la diferencia de potencial y el campo eléctrico se relacionan mediante la expresión V = E L y que la intensidad de corriente se relaciona con la densidad de corriente por la expresión I = J A. Sustituyendo estas expresiones en la ecuación anterior y simplificando, tenemos: E=pJ
que expresada en forma vectorial y considerando la corriente como el flujo de cargas positivas (esto implica que se mueven en la misma dirección que el campo), resulta: (4.20) Esta expresión es otra forma de expresar la ley de Ohm la cual dice que la densidad de corri~nte en un punto del conductor es igual al producto de la conductividad con el campo eléctrico en dicho punto. EJEMPLO
4.1
Se desea calcular la resistencia de un cilindro de aluminio que mide 10 cm de largo y tiene un área de sección transversal de 2 · 10-4 m 2 • Aplicando la ecuación (4.17) y utilizando el valor de la resistividad del aluminio incluido en el cuadro 4.1 resulta: R
L
= p= (2'82 · 10-8 ) A
~1 2.10-
· (--) 4
=
1' 41 · 10-5 0
Como se puede observar la resistencia del aluminio es muy pequeña por lo que se considera un buen conductor eléctrico. EJEMPLO
4.2
Un cable coaxial consta de dos conductores cilíndricos. El espacio entre los dos conductores está completamente lleno de silicio. El radio del conductor interno es a = 015 cm, el radio del conductor externo es b = 1
174
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
cm y su longitud es de L = 10 cm. Calcule la resistencia total del silicio cuando se mide entre los conductores interno y externo. En este tipo de problemas, en donde el área de la sección transversal no permanece constante debemos dividir el objeto cuya resistencia deseamos calcular en elementos diferenciales sobre los cuales el área puede considerarse constante. Así, la forma diferencial de la expresión (4.17) quedará: dR
= Pdl A
siendo dR la resistencia de una sección de silicio de espesor dl y área A. Por otro lado, el elemento diferencial es un cilindro hueco de espesor dr, longitud L y situado a una distancia r del eje de los cilindros. Evidentemente, cualquier
corriente que pase entre los conductores interno y externo debe pasar a través de los elementos diferenciales considerados y el área a través de la cual pasa esa corriente es A = 21rrL ( área superficial de nuestro elemento diferencial sin tener en cuanta el área de sus extremos). Podemos escribir la resistencia de nuestro cilindro hueco como: dR = p L dr 21r; Integrando esta expresión desde r
R = {b dR = {b }a
}a
= a hasta r = b, tenemos: dr
p
=
27r r L
_!!_ (b dr 21r L } a r
= _P_ Ln (!!_) 21r L
a
Sustituyendo los valores dados se obtiene:
R=
4.4.
640
21f (0'1)
Ln( O'Ol ) = 706103[! 0' 005
Circuitos eléctricos
Antes de aprender a analizar los circuitos eléctricos es necesario definir qué es un circuito eléctrico, las magnitudes fundamentales que nos encontraremos y el conjunto de elementos básicos que pueden aparecer. Aunque algunos de estos elementos ya han sido estudiados en la parte I de este líbro ahora se introducen desde el punto de vista de los circuitos eléctricos. 1
175
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
4.4.1.
Concepto de circuito eléctrico
Un circuito eléctrico es un conjunto de elementos conectados de una forma concreta a través de conductores. Un ejemplo de circuito eléctrico se muestra en la figura 4.3 en donde se pueden apreciar una serie de elementos que describiremos en la siguiente subsección.
100
Figura 4.3: Circuito eléctrico Es importante aclarar que en los circuitos eléctricos las conexiones mediante conductores entre elementos se consideran ideales, es decir, no existen pérdidas de tensión a lo largo del conductor o lo que es lo mismo todos los puntos del conductor están a la misma tensión con respecto a la referencia común. Dependiendo de las características utilizadas en la clasificación podemos encontrar diferentes tipos de circuitos entre los que destacamos:
• Circuitos lineales y no lineales. Decimos que un circuito es lineal cuando su comportamiento o respuesta frente a un estímulo es proporcional a éste. Así, un circuito se clasifica como lineal cuando todos sus componentes son lineales,.En el momento que exista un componente con comportamiento no lineal, el circuito se clasifica como no lineal.
• Circuitos activos y pasivos Este concepto está relacionado con el tipo de elementos que tiene un circuito. Cuando el circuito está formado únic?'mente por elementos pasivos, esto es, elementos que disipan energía, se llama circuito pasivo. Por contra, cuando añadimos al circuito eleme~tos que suministran energía como baterías, entonces se dice que el conjunto es un circuito activo.
• Circuitos de parámetros concentrados y distribuidos Un circuito es de parámetros concentrados cuando la distancia no afecta a la propagación de las señales. En estos casos, se considera la propagación instantánea. En caso contrario, hablamos de circuitos de parámetros
176
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
distribuidos cuyo análisis es mucho más complicado y se sale fuera de los objetivos de este libro.
• Circuitos de corriente continua y de corriente alterna Un circuito de corriente continua es aquél por el que circula corriente siempre en el mismo sentido y con el mismo valor mientras que en los circuitos de corriente alterna la corriente varía su magnitud y su sentido cíclicamente. La forma de oscilación más común utilizada es la oscilación sinusoidal dado que se consigue una transmisión más eficiente de la energía.
• Circuitos Eléctricos o Electrónicos. Los circuitos que sólo tienen componentes eléctricos se denominan circuitos eléctricos mientras que aquellos circuitos que tienen algún componente electrónico serán circuitos electrónicos. Los componentes electrónicos serán estudiados en la tercera parte de la asignatura.
4.4.2.
Magnitudes fundamentales en los circuitos eléctricos
Aunque la mayor parte de las magnitudes manejadas en Teoría de Circuitos ya han sido estudiadas en la parte de Electromagnetismo, es interesante repasar de nuevo, a modo de resumen, aquellas magnitudes que van a ser muy utilizadas en este contexto.
• Intensidad de corriente La intensidad de corriente o corriente eléctrica se define como el flujo de cargas eléctricas que atraviesa por unidad de tiempo la sección transversal de un cable: i(t) = dq(t)
dt
donde q(t) puede considerarse que se trata de una carga positiva aunque en realidad, en los conductores metálicos lo que se mueve son los electrones. De este modo, si una cantidad de electrones se desplaza del punto de menor potencial Y al punto de mayor potencial X, a lo largo de un conductor metálico, entonces se puede suponer la existencia de una corriente con la misma cantidad de cargas positivas que se desplaza en sentido opuesto¡ de X hacia Y (del punto de mayor potencial al de menor potencial.) y este sentido será el considerado como intensidad de corriente positiva (ver figura 4.4).
177
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
X
y
lxv
o- e-
•-~
Figura 4.4: Sentidos de la corriente y del flujo de electrones En los circuitos eléctricos la medida de la corriente eléctrica se realiza mediante un aparato llamado amperímetro. Este aparato se basa en las acciones magnéticas de la corriente eléctrica o en sus efectos caloríficos. Deben conectarse siempre en serie de modo que por ellos pase toda la corriente que se desea medir (ver figura 4.5). En consecuencia, estos aparatos deben tener muy poca resistencia interna para no provocar una variación sensible de la magnitud que tratamos de medir. Voltímetro
R V
Amperímetro
Figura 4.5: Conexión de un amperímetro y un voltímetro en un circuito • Tensión
En este contexto, con el fin de facilitar el análisis d e los circuitos, vamos a seguir el siguiente convenio. Definiremos el concepto de caída de tensión o simplemente tensión entre dos puntos X e Y de un circuito como la diferencia de potencial entre dichos puntos V x - Vy , que normalmente expresaremos por Vxy. Esta tensión será positiva si y sólo si el potencial en X es mayor que el potencial en Y, es decir, si Vx > Vy (ver figura 4.6). Siguiendo este convenio, en los elementos· pasivos, que estudiaremos más adelante, la tensión tendrá el mismo sentido que la corriente. Nótese que la convención difiere de la considerada en electromagnetismo en donde la diferencia de potencial entre dos puntos X e Y venia dada por Vy - Vx, esto es, el mismo valor que el considerado para la t ensión pero cambiado su signo.
178
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
y
X
•
• Vxv
Figura 4.6: Sentido de la tensión utilizado en Teoría de Circuitos En los circuitos eléctricos la medida de la tensión entre dos puntos de un circuito se realiza mediante un aparato llamado voltímetro. Este aparato consiste esencialmente en un miliamperímetro al que se le agrega una gran resistencia interna. Este aparato debe colocarse en paralelo a la resistencia donde se quiere medir la tensión tal y como muestra la figura 4.5. 11
Tierra o Masa
Tal y como se estudio en Electromagnetismo, para determinar el potencial en un punto era necesario definir un punto de referencia en donde el potencial sea nulo. Dicho punto era el infinito siempre que la distribución no fuera infinita. En Teoría de Circuitos también es necesario definir ese punto de referencia a potencial OV. Ahora se tendrá en cuenta si la referencia es global o local. Como referencia global se toma el potencial de la superficie de la tierra dándole el valor de OV. Sin embargo, normalmente en un circuito interesa tomar un determinado punto como referencia local de potenciales. Esta referencia suele llamarse terminal común o masa y se le asigna el potencial de OV. Algunos de los símbolos empleados para representar la masa o tierra en un circuito se muestran en la figura 4. 7.
(a)
~ (b)
(e)
Figura 4. 7: Símbolos para representar la tierra y la masa
11
Potencia La energía perdida por unidad de tiempo en un elemento, cuando pasa una corriente por él, es la potencia P. Supongamos una carga pequeña dq que se mueve a través de una diferencia de potencial V. El cambio de energía potencial de la carga (dU) que es igu~l al trabajo efectuado (dW) por la fuerza eléctrica debido a la diferencia de potencial, está expresado por dU = V dq. Por lo tanto, la potencia, que es la rapidez a la cual la fuerza
179
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
que impulsa a la carga gasta energía, es:
P=dW=Vdq dt dt
(4.21)
~i,
Como la corriente es J = la potencia eléctrica gastada, que es la que se debe entregar para hacer pasar la intensidad I a través del potencial V, es:
P=VI
(4.22)
Este resultado es general, independientemente del tipo de material. La unidad de la potencia eléctrica es el vatio (W). Nótese que, aplicando la ecuación ( 4.22), tenemos que 1W = l V · A. Para los materiales óhmicos, se cumple la ley de Ohm, V = R I siendo R constante. En estos casos, el gasto de potencia es, sustituyendo la tensión en la expresión anterior: (4.23)
o bien sustituyendo la intensidad:
P =VI= (R I) I = R I 2
(4.24)
La ecuación anterior se conoce como ley de Joule y expresa que la potencia eléctrica que se transforma en térmica es igual a- la resistencia por el cuadrado de la intensidad de corriente que la atraviesa. Este efecto calorífico de la corriente eléctrica tiene muchas aplicaciones como hornos eléctricos, estufas, lámparas, etc. En cualquier caso, el trabajo eléctrico puede transformarse en energía de otro tipo, según sean las condiciones del circuito eléctrico por el que circula la corriente. Por ejemplo, si existe un motor puede producirse energía mecánica usando energía eléctrica pero, en general, se convierte en calor que se desprende del circuito debido a las colisiones entre los electrones y los iones de la red cristalina del material. Por tanto, se demuestra que para mantener la corriente en un conductor debe existir una fuente de energía que mantenga el campo dentro del conductor. Teniendo en cuenta el convenio de signos establecido anteriormente para la corriente eléctrica y para la tensión, una potencia positiva nos indica que
180
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRJENTE CONTINUA
el elemento consume energía (movimiento de cargas positivas de un punto de mayor potencial a un punto de menor). Esto significa que se le asigna signo positivo al valor de la potencia absorbida. Si el elemento cede energía la potencia será negativa. En los circuitos eléctricos la medida de la potencia se puede realizar mediante un aparato llamado vatímetro. il
Energía Un circuito eléctrico está compuesto normalmente por un conjunto de elementos activos que generan energía eléctrica, tales como las baterías, y de elementos pasivos los cuales consumen energía, tales como las resistencias, todos ellos conectados entre sí. La energía generada por los ·elementos activos puede ser disipada en el propio elemento o puede ser transferida entre dicho elemento y el circuito al que se conecta, bien sea para almacenarla ( en bobinas o condensadores) o para cederla al circuito (resistencias). De esta manera~ las bobinas y los condensadores pueden cargarse aumentando su energía a expensas de la del circuito al que están conectados o pueden descargarse cediendo a dicho circuito la energía almacenada. Por ejemplo, las bobinas y condensadores conectados a una fuente de energía de tipo alterna están cargándose y descargándose constantemente. La unidad de medida en el SI de la energía es el Julio ( J) aunque la unidad técnica más habitual es el kilovatio-hora (KWh), que equivale a 3'6 106 J.
• Impedancia La impedancia Z, es la magnitud que establece el cociente entre la tensión e intensidad de corriente y su unidad de medida es el ohmio (n). Tiene especial importancia si la corriente varía en el tiempo. En estos casos, la impedancia se describe como un número complejo. Sin embargo, en circuitos de corriente continua la impedancia coincide con el valor de la resistencia. La impedancia será estudiada en el capítulo dedicado a los circuitos de corriente alterna.
4.4.3.
Elementos básicos
Los elementos básicos que podemos encontrar en un circuito pueden clasificarse en dipolos y cuadripolos dependiendo del número de terminales, activos y pasivos dependiendo de si ceden o consumen energía, lineales y no lineales dependiendo de si su respuesta es lineal o no lineal o ideales o reales dependiendo de si la salida es igual o no a los resultados obtenidos reahnente.
181
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
En esta subsección, vamos a describir los elementos básicos que podemos encontrar en un circuito eléctrico los cuales pueden ser clasificados en las anteriores categorías.
4.4.3.1.
Las fuentes de energía eléctrica
Tal y como hemos dicho, para conseguir mantener una corriente estacionaria en un conductor necesitamos disponer de un suministro de energía eléctrica. Un aparato que suministra energía eléctrica recibe el nombre de fuente de energía eléctrica. En un circuito puede existir una o varias fuentes de energía. Cuando exista una única fuente, ésta será la encargada de suministrar la energía que consume el circuito pero si existen varias fuentes puede que alguna de ellas, en lugar de suministrar, consuma energía. Una posible clasificación de las fuentes eléctricas se muestra en la figura 4.8. Controlada por tensión
De tensión
<
Controlada por intensidad
Dependientes
Controlada portensión
De lntensidad
<
Controlada por intensidad
Ideales
De tensión
Fuentes de energía
Independientes
<
De intensidad
Detensión
Reales
<
De Intensidad
Figura 4.8: Clasificación de las fuentes de energía eléctrica
Las fuentes de energía ideales son elementos utilizados en la Teoría de Circuitos para el análisis y la creación de modelos que permitan analizar el comportamiento de componentes electrónicos o circuitos reales. Pueden ser independientes si sus magnitudes (tensión o corriente) se mantienen siempre constantes o dependientes
182
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
cuando estas magnitudes dependen de otra magnitud encontrando así las controladas por tensíón y las controladas por intensidad. A continuación nos centraremos en describir únicamente las fuentes de energía que van a ser usadas en este libro.
• Fuentes de tensión
Las fuentes de tensión son los elementos activos capaces de generar una diferencia de potencial entre sus bornes. Ejemplos de este tipo de fuentes son las baterías y las pilas, que convierten la energía química en energía eléctrica o un generador que convierte la energía mecánica en energía eléctrica. Una fuente de energía eléctrica realiza trabajo sobre la carga que la atraviesa aumentando de este modo su energía potencial. En la figura 4.9 se muestran los distintos símbolos utilizados para representar una fuente de tensión. Observe que el signo + indica el terminal de mayor potencial aunque existe una representación, mostrada en la figura 4.9 ( a) en la que se omite el signo ya que la posición del mayor potencial es intrínseca a la propia representación (raya horizontal mayor representa terminal de mayor potencial).
_L
T (a)
(b)
(e)
(d)
Figura 4.9: Símbolos utilizados para representar las fuentes de tensión. (a),(b) y (e) representan a fuentes de continua y (d) representa a fuente de alterna Las fuentes de tensión pueden ser ideales o reales. Una fuente de tensión ideal es aquella que mantiene una diferencia de potencial constante entre sus dos terminales, independientemente del flujo de carga que exista entre ellos. La diferencia de potencial entre los terminales de la fuente es igual en valor absoluto a la f.e.m. de la fuente. Supongamos el circuito sencillo de la figura 4.10 en donde existe una batería ideal 1 esto es 1 coincide la f.e.m. generada, ~, con la diferencia de potencial entre sus terminales, V (e; = V). Vemos como la carga fluye de una región de bajo potencial a otra de mayor potencial. Esto significa que cuando una carga 6.q fluye a través de una fuente, su energía potencial se ve aumentada en la cantidad de 6.q · V. Seguidamente esa carga atraviesa la resistencia 1
183
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
donde esta energía potencial se disipa en forma de energía térmica. El ritmo con el que la fuente suministra energía es la potencia de salida. Evidentemente, la potencia suministrada por la fuente es igual a la consumida por la resistencia.
+ V
R
Figura 4.10: Circuito eléctrico formado por una batería y una resistencia En una fuente de tensión real la diferencia de potencial entre los bordes de la fuente no coincide con su f.e.m, en ellas existen pérdidas. Por ello, a efectos de circuito, una fuente de tensión real puede sustituirse por una fuente ideal y una pequeña resistencia en serie con la fuente ideal denominada resistencia interna.
' • Fuentes de intensidad Las fuentes de intensidad son los elementos activos capaces de proporcionar una corriente eléctrica. En la figura 4.11 se muestran los distintos símbolos utilizados para representar una fuente de intensidad. 1
(b)
Figura 4.11: Símbolos utilizados para representar las fuentes de intensidad Las fuentes de intensidad puede:° ser ideales y reales. Cuando la corriente es de valor determinado sin depender de la tensión que haya entre los terminales de la fuente decimos que se trata de una fuente de intensidad ideal . Por contra, cuando la corriente que suministra la fuente varía entonces decimos que se trata de una fuente de intensidad real. Análogamente a lo que hicimos con las fuentes de tensión es posible modelar una fuente de intensidad real mediante una fuente ideal y una resistencia en paralelo con ésta.
184
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
11
Fuentes dependientes La fuentes dependientes son aquellas cuyo valor de salida es proporcional a la tensión o a la corriente en otra parte del circuito. La tensión o corriente de la que dependen se llama variable de control y la constante de proporcionalidad se denomina ganancia. En la figura 4.12 se presentan los cuatro tipos de fuentes dependientes que existen: fuente de tensión controlada por tensión, fuente de tensión controlada por corriente, fuente de corriente controlada por tensión y fuente. de corriente controlada por corriente. Este tipo de modelos serán utilizados en el capítulo de dispositivos electrónicos ya que, como veremos, los transistores son dispositivos de tres terminales en los que la intensidad que entra por uno de los terminales depende de la intensidad que entra por otro de ellos, cumpliéndose una relación entre ellas de proporcionalidad.
l ___________________J (a)
(b)
........----------..-------------i +
-1-.
!
1
¡ !
VI
lo =G.Vi!
t 1 ~ l
' '
1
1
1 L - -. .--•-••••----·-••-•-J
(e)
(d)
Figura 4.12: Símbolos de las fuentes dependientes. (a) Fuente de tensión controlada por tensión. Su constante de proporcionalidad, llamada ganancia de tensión, es adimensional. (b) Fuente de tensión controlada por corriente. Su constante de proporcionalidad llamada transresistencia tiene dimensiones de una resistencia. (e) Fuente de corriente controlada por tensión. Su constante de proporcionalidad, llamada transconductancia, tiene las dimensiones de una conductancia. (d) Fuente de corriente controlada por corriente. Su constante de proporcionalidad, llamada ganancia de corriente, es adimensional
4.4.3.2.
Las resistencias
La resistencia eléctrica es la oposición que presenta· un material al ser atravesado por una corriente eléctrica. Desde un punto de vista de circuitos, las resistencias
185
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
o resistores son los elementos diseñados para introducir una resistencia eléctrica en un circuito. Recordemos que es en estas resistencias donde se cumple la ley de Ohm. Podemos encontrar diferentes tipos de resistencias: l. Resistencia fijas lineales, en éstas el valor de la resistencia se fija en el proceso de fabricación. En la figura 4.13 se muestran los símbolos empleados para representar a las resistencias fijas lineales en un circuito eléctrico que son las utilizadas en este libro. _MM_
--0--
(a)
(b)
Figura 4.13: Símbolo utilizado para representar r esistencias constantes Las resistencias comerciales se pintan con bandas de colores para indicar el valor de la resistencia siguiendo el código de colores que se muestra en la fig~a 4.14.
TOlJRANCIA
Figura 4.14: Código de colores pn las resistencias 2. Resistencias variables o potenciómetros, las cuales permiten al diseñador modificar su valor dentro de un rango de valores. Son resistencias variables de tres terminales dos de ellos fijos y el otro variable. Existen dos tipos dependiendo del tipo de mecanismo utilizado: 1) Los potenciómetros deslizantes realizados con una pista de carbón sobre un soporte duro. La pista tiene dos contactos, uno en cada extremo; correspondientes
186
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
a los dos terminales fijos mientras que el terminal variable es un cursor conectado a un patín que se desliza por la pista resistiva permitiendo así la variación de la resistencia. (2) los potenciómetros bobinados consistentes en un arrollamiento toroidal de un hilo resistivo con un cursor que mueve un patín sobre el mismo, que es el terminal variable. En los extremos del arrollamiento toroidal existen unos contactos correspondientes a los terminales fijos. Lo interesante de su uso es que permiten controlar la intensidad de corriente que fluye por un circuito cuando se conecta en paralelo o la diferencia de potencial si se conecta en serie. Normalmente se utilizan en circuitos de poca corriente. En la figura 4.15 se muestran los símbolos utilizados para representar a los potenciómetros.
(a)
(b)
Figura 4.15: Símbolos utilizados para representar los potenciómetros
3. Resistencias no lineales en las cuales la resistencia varía de forma no lineal, en función de distintas magnitudes físicas ( temperatura, luminosidad, campo magnético, etc.). Por ello, estas resistencias se consideran en muchos casos sensores. Entre los más comunes podemos encontrar: los termistores en donde la resistencia es función de la temperatura, los varistores en donde la resistencia es función de la tensión y las fotoresistencias en donde la resistencia es función de la luz. Unos ejemplos de resistencias fijas y potenciómetros comerciales se muestran en la figuras 4.16 (a) y (b), respectivamente.
(b)
Figura 4.16: (a) Ejemplos de resistencias. (b) Ejemplos de potenciómetros
187
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Asociaciones de resistencias El análisis de un circuito puede simplificarse sustituyendo dos o más resistencias por un sola resistencia equivalente que transporte la misma corriente con la misma caída de tensión que la configuración original. Encontramos dos posibilidades de asociación: en serie y en paralelo. • Resistencias en serie Dos o má.s resistencias están conectadas en serie cuando por ellas circula la misma corriente J. En la figura 4.17 (a) se muestra un ejemplo de dos resistencias conectadas en serie. Sea Vab la caída de tensión entre los puntos a y b. La caida de potencial en cada una de las resistencias vendrá dada por la ley de Ohm, esto es, Vax = R1.I y Vxb = R2.I. Se cumple:
Luego, la resistencia equivalente a dos resistencia en serie viene dada por
Se puede generalizar este resultado al caso de tener n resistencias en serie, siendo la resistencia equivalente:
(4.25) Por tanto, la resistencia equivalente es igual a la suma de las resistencias dispuestas en serie.
R1 R1
R2
~ a b X (a)
R2
a ""
b
l2 (b)
Figura 4.17: Asociación de resistencias: (a) en serie; (b) en paralelo • R esistencias en paralelo Dos o má.s resistencias están conectadas en paralelo cuando en ellas existe la misma diferencia de potencial Vab- En la figura 4.17 (b) se mu~stra un
188
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
ejemplo de dos resistencias conectadas en paralelo. En el punto a, la corriente I se divide en dos partes, l¡ que es la corriente que circula por la resistencia R1 e 12 que es la corriente que circula por la resistencia R2. Evidentemente, se cumple que Aplicando la ley de Ohm a cada una de las resistencias podemos poner:
luego, resulta: 1 R
1 R1
1 R2
-=-+Este resultado se puede generalizar al caso den resistencias conectadas en paralelo resultando: 1 1 1 1 (4.26) R = R1 + R2 + ... + Rn Por tanto, la inversa de la resistencia equivalente es igual a la suma de las inversas de las resistencias dispuestas en paralelo.
EJEMPLO 4.3
Dado el circuito de la figura 4.18, calcular la corriente que atraviesa la batería. R
V1
R
2R
2R
Figura 4.18: Circuito con asociación de resistencias
Para calcular la corriente que atraviesa la batería en primer lugar, calcularemos la resistencia equivalente entre los bornes de la batería para, a continuación, calcular la corriente aplicando la ley de Ohm.
189
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMATICA
La asociación de resistencias la realizamos de derecha a izquierda. La primera asociación que nos encontramos es la de dos resistencias en paralelo, ambas de valor 2R. La resistencia equivalente a estas dos viene dada por: 1 1 1 2 1 R1 = 2R + 2R = 2R = R luego R1 = R . El circuito resultante se muestra en la figura 4.19 (a). Ahora, observando el circuito resultante nos encontramos con dos resistencias en serie, ambas de valor R. La resistencia equivalente a estas dos es R2 = R + R = 2R y el circuito resultante se muestra en la figura 4.19 (b). Observando este circuito encontramos dos resistencias en paralelo, ambas de valor 2R. La resistencia equivalente a estas dos viene dada por: 1
R3 = . R
1 2R
1
+ 2R =
2 2R
R
=
1 R R
R
2R
2R
(b)
(a)
2R
R
R
(e)
(d)
Figura 4.19 luego R3 =R. El circuito resultante se muestra en la figura 4.19 (c). Finalmente, encontramos dos resistencias en serie, ambas de valor R, siendo la resistencia equivalente entre los bornes de la batería de Req = R + R = 2R tal y como se muestra en la figura 4.19 (d). Para calcular la corriente que circula por la batería basta con aplicar la ley de Ohm en la resistencia equivalente:
I=~= V1 Req 2R
190
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
EJEMPLO 4.4
,upongamos una batería con una f.e.m. ( y una resistencia interna ('. ¿Qué valor de la resistencia externa R debemos conectar entre los :,ornes para obtener la máxima potencia en la resistencia externa? ~l circuito resultante al conectar la resistencia externa a la batería se muestra en .a figura 4.20. Lo primero que hacemos es calcular el valor de la intensidad: I=
e
r+R
R
Figura 4.20: Resistencia externa conectada a una batería real ~a potencia disipada en la resistencia externa viene dada por:
,2 p = R. (r+ R)2 ~os piden calcular el valor máxima de esa potencia. Recordemos que el valor náximo de una función se calcula igualando su primera derivada a cero, luego:
+ R) 2 - f 2 R 2 (r + R) -----------0 dP
~2 (r
dR -
)perando se obtiene, r 1.4.3.3.
+R -
(r+R) 4
2R = O
===}
R
-
= r.
Los condensadores
3e trata de un dispositivo capaz de almacenar energía eléctrica en forma de carga ) campo eléctrico. Está formado por un par de superficies conductoras, generalnente en forma de placas separadas por el vacío o un material dieléctrico. Estas )lacas se someten a una diferencia de potencial con lo que adquieren una deterninada carga eléctrica, positiva en una de ellas y negativa en la otra pero de igual
191
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
magnitud, esto es, +Q y -Q, respectivamente. Como sabemos, la relación entre la carga Q y la diferencia de potencial V existente entre los dos conductores es la capacidad, C = ~. Para determinar la expresión que describe el comportamien~ to de la tensión del condensador respecto al tiempo, despejamos la diferencia de potencial en la expresión de la capacidad.
dV(t)
= dQ(t) e
integrando desde t1 hasta t2 y teniendo en cuenta que dQ (t) = I (t) dt resulta:
V(t2) - V(t1)
=
Cl
1t2 dQ(t)
=
t1
1 C
1t2 I(t) dt
(4.27)
t1
siendo V(t1) la tensión entre los terminales del condensador en el instante t1 o instante inicial, V(t2) la tensión entre los terminales del condensador en el instante t2 o instante final, J (t) la corriente que circula por el condensador durante el intervalo de tiempo y C la capacidad del condensador. Para aplicar correctamente esta exp:tesión es importante tener en cuenta que el terminal por el que entra la corriente positiva va adquiriendo un mayor potencial respecto al otro terminal, dependiente de la carga que recibe de la corriente. Por ejemplo si la corriente es constante, entonces la carga recibida será !J.Q = I !J.t. Sin embargo, hay que tener en cuanta que si el condensador está cargado inicialmente, la corriente de carga puede aumentarla o puede reducirla según el sentido de la corriente, de manera que si entra por el terminal de mayor potencial se suma y se resta en caso contrario. La forma diferencial de esta ecuación es: 1
I(t)
=C
!
V(t)
(4.28)
Esta expresión nos indica que la tensión entro. los terminales de un condensador no puede variar bruscamente, ya que para que lo hiciese haría falta una intensidad de corriente infinita lo que es imposible. Además como la carga eléctrica es proporcional a la tensión, implica que ésta tampoco puede variar bruscamente. Sin embargo, la corriente si que podría hacerlo. En resumen, cuando incluimos un condensador en un circuito se comporta como un elemento capaz de almacenar energía durante su periodo de carga, la misma energía que cede después durante su periodo de descarga.
192
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
4.4.3.4.
Las bobinas
Se trata de dispositivos capaces de almacenar la energía eléctrica en forma de campo magnético (como :flujo magnético). Está formado normalmente por una bobina de conductor, que puede ser alambre o hilo de cobre esmaltado. Existen inductores con núcleo de aire o con núcleo hecho de material ferroso para incrementar su capacidad de magnetismo. Supongamos una bobina de longitud L, sección transversal S y un número _de espiras N por la que circula una corriente eléctrica i(t). Aplicando la Ley de BiotSavart que relaciona la inducción magnética con la causa que lo produce, es decir, con la corriente que circula por la bobina, se obtiene que el flujo magnético es:
= B(t) · S = µ
0
Nl S i(t)
= L i(t)
(4.29)
Cuando el flujo magnético es variable con el tiempo, sabemos por la Ley de Faraday que se genera una fuerza electromotriz que, de acuerdo a la Ley de Lenz, tiende a oponerse a la variación de corriente que genera dicho flujo magnético. La expresión de esta f.e.m. viene dada por:
V(t) = -Nd
(4.30)
en donde la magnitud de la f.e.m., V(t), generada en la bobina viene dada por d
V(t) = L dt i(t)
(4.31)
siendo L = µ 0 Nl 8 el coeficiente de autoinducción ya introducido en capítulos anteriores. N átese que el signo se ha eliminado ya que lo que nos indica es el sentido de la tensión y en este contexto sólo nos interesa fijarnos en su magnitud, después, aplicaremos el convenio establecido para determinar el sentido de la corriente. Integrando la expresión anterior desde t1 hasta t2 resulta:
i(t2) - i(t1)
=
1
L
¡t2
V(t) dt
(4.32)
t1
Esta expresión nos indica que en una bobina la intensidad de corriente no puede variar instantáneamente, pues implicaría una tensión infinita y tampoco puede rracerlo el flujo magnético. Sin embargo, la t ensión si podría hacerlo.
193
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
4.4.3.5.
Los transformadores
Un transformador es un elemento que transforma la energía eléctrica alterna de un valor de tensión, en energía alterna de otro valor de tensión, empleando el fenómeno de la inducción magnética. Está formado por dos o más bobinas de material conductor, enrolladas sobre un núcleo cerrado de material ferromagnético y aisladas entre sí eléctricamente. La única relación entre las bobinas es el flujo magnético común que se establece en el núcleo. A la bobina de entrada se la llama primario y a la de salida secundario. Cuando aplicamos una fuerza electromotriz alterna en el devanado primario, debido a la variación de la int ensidad y sentido de la corriente alterna se produce la inducción de un flujo magnético variable en el núcleo de hierro. Este flujo produce una fuerza electromotriz en el devanado secundario que dependerá del número de espiras que tenga este devanado secundario. La relación de transformación, rt, indica el aumento u decremento de la tensión de salida respecto a la tensión de entrada. La relación entre la fuerza electromotriz inductora eP o la aplicada en el primario y la fuerza electromotriz inducida (s o la generada en el secundario depende del número de espiras del primario Np y del secundario Ns según la relación:
Nótese que si el número de vueltas del devanado del secundario es n veces mayor que en el primario, la fuerza electromotriz inducida en el secundario será n veces mayor que la fuerza electromotriz inductora. El símbolo utilizado en los circuitos para representar a los transformadores se muestra en la figura 4.21. Np
Ns
11 Figura 4.21: Símbolo de un transformador
194
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
4,4.3.6.
Componentes electrónicos
Los componentes electrónicos son aquellos elementos que forman parte de un circuito electrónico. Normalmente, se encapsulan en un material cerámico, metálico 0 plástico y disponen de dos o más terminales metálicos. Según su estructura física diferenciamos entre discretos e integrados. Los discretos son aquellos que están encapsulados tales como los diodos, transistores, etc, éstos serán estudiados en el capítulo de dispositivos electrónicos. Los integrados forman conjuntos más complejos tales como las puertas lógicas las cuales serán estudiadas en el capítulo de familias lógicas.
4.4.4.
Partes de un circuito
En esta sección vamos a definir todos los conceptos que necesitamos para el análisis de circuitos. Todos ellos se muestran gráficamente en la figura 4.22. R3
r------1wJ\-----------------1 1
l
1
•
-----------""t ~r--------, l 1
l
l
R2
¡ \___________
:f
.J
1
! , Ri
!(1 1 -----+1-+ L_,.____~., !V2 1 ,.,
Vl: l
~------------------------------~
1
Ramas
1 t
' - - - - ~ ~- - - '
1
•
Nudos
i----, !...__......! l
1
1
•
Mallas
Figura 4.22: Conceptos en un circuito
1. Componente: son los elementos básicos que pueden aparecer en un circuito y que han sido estudiados en el apartado anterior. Para poder analizar el circuito d eben de ser lineales o poder ser sustituidos por modelos lineales. 2. Nudo: punto donde tres o más ele1nentos tienen una conexión común a través d e un conductor ideal. 3. Rama: una rama la forman los componentes y conductores existentes entre dos nudos. 4. Malla: cualquier circuito cerrado de ramas es una malla, con la condición de que no pase dos veces por el mismo nudo.
195
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Podemos definir distintos tipos de rama:
• Rama común: es una rama compartida por dos o más mallas. • Rama externa: es una rama que pertenece sólo a una malla. 11
Rama pasiva: es la que no tiene ningún elemento activo, es decir, no tiene fuentes.
• Rama activa: es una rama en la que existen fuentes o elementos activos y puede o no tener componentes pasivos como resistencias.
4.5.
Leyes de Kirchhoff
Hasta ahora hemos aprendido a asociar elementos con el fin de simplificar el circuito. Sin embargo, en muchas ocasiones, aunque el circuito sea simple, no es posible hacer esta asociación tal y como se muestra en el circuito de la figura 4.23. En este caso, las resistencias R1 y R2 no están en paralelo ya que la caída de potencial no es la misma a través de ambas resistencias debido a la presencia de la batería en serie con R1 y, por otro lado, tampoco están en serie ya que por ellas no circula la misma corriente. R3
R2
V1
R1
Figura 4.23: Circuito eléctrico Para poder solucionar estos circuitos eléctricos utilizaremos la ley de Ohm, vista anteriormente, y las leyes o reglas de Kirchhoff válidas tanto para circuitos de continua como de alterna: 1. Primera ley de Kirchhoff o Regla de los nudos.
D e acuerdo a la ley de conservación de la carga, en todo momento, la carga de un nudo del circuito debe permanecer constante ya que en un nudo ni se
196
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
crean ni se destruyen cargas. Se deduce entonces que la suma algebraica de las corrientes que entran en un nudo debe ser igual a la suma algebraica de las corrientes que salen de ese nudo. Esto es: (4.33)
siendo n el número de corrientes entrantes y salientes del nudo. 2. Segunda ley de Kirchhoff o Regla de las mallas: De acuerdo a la ley de conservación de la energía, se deduce que la suma algebraica de las variaciones de potencial a lo largo de cualquier malla del circuito tiene que ser igual a cero. Esto es: n
L¼=O
(4.34)
i=l
siendo n el número de componentes que encontramos a lo largo de la malla y ¼ la caida de tensión del componente i.
4.6.
Aplicación de las Leyes de Kirchho:ff al análisis de circuitos
Para resolver un circuito podemos utilizar cualquiera de las dos leyes. En este libro vamos a utilizar la ley de las mallas.
3upongamos un circuito con r ramas! n nudos y m mallas, la solución del problema ~equiere encontrar las r intensidades correspondientes a cada rama. EvidentemenGe para cada malla puede escribirse una ecuación aplicando la ley de las mallas ie Kirchhoff pero algunas de estas ecuaciones serían dependientes de otras. Por ~anto, debemos aplicar la ley de Kirchhoff solamente al conjunto de mallas que 10s permita definir un sistema de ecuaciones independientes. Para hacer esto es 1ecesario establecer la relación entre el número de ramas y nudos y, el conjunto ie mallas m al que hemos de aplicar la ley de Kirchhoff. Se puede demostrar que )ara un circuito plano se cumple:
m=r - (n-l)
(4.35)
l\.sí, para el circuito de la figura 4.23 en donde r = 3 y n = 2, hemos de aplicar la .ey de Kirchhoff a un total de m = 3 - (2 - 1) = 2 mallas.
197
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Una vez determinado el número de mallas necesarias para resolver el circuito se siguen los siguientes pasos: l. Selección adecuada de las mallas. Debemos escoger adecuadamente el conjunto de las m mallas de manera que todas las ramas del circuito deben pertenecer al menos a una de las mallas seleccionadas. Así, para el circuito mostrado en la figura 4.23 podríamos elegir como conjunto de mallas posibles cualquiera de las opciones mostradas en la figura 4.24. Nótese como existen ramas que pertenecen a más de una malla.
Veamos el ejemplo mostrado en la figura 4 .25. Observe como en la figura 4.25 (a) la rama marcada en azul no pertenece a ninguna de las mallas del conjunto de mallas seleccionado con lo que sería una mala elección mientras que en la figura 4.25 (b) la elección ha sido correcta, todas las ramas pertenecen al menos a una malla del conjunto seleccionado. R3
R3
v",
Jf
r·--·-7\:,v\i,---~-~~~~~~~:--·1
--...·--,•
V1
1
:
:1
1 1
R2i
1
R2
v1:
1
•• •• \
I
: : : : ! , Rl
J:1
jt_ _____ : :V2
1 :
'--------~ 1
:
J
, . _ . . ._ _ _ _ _.....,
:
1
!......_____________ -----·-...--.!
(a)
(e)
(b)
Figura 4.24: Opciones de elección del conjunt o de mallas
.ir_____.........- . . . ------1.
'+-+---.
1
i
1
V1'
'
J
l
1 --------
(a)
(b)
Figura 4.25: Ejemplo de una elección d~l conjunto de mallas (a) erróneo y (b) correcto
2. Selección del sentido de las corrientes de malla_ Se asignan unas corrientes hipotéticas a cada malla y su sentido de circulación se elige normalmente como el sentido del movimiento de las agujas del reloj aunque es igualmente válida otra opción. Para el circuito mostrado en
198
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
la figura 4.23 y la selección de mallas de la figura 4.24 (a), llamaremos Ii a la intensidad que circula por la malla de la izquierda e h a la intensidad de la malla de la derecha, considerando el sentido de ambas intensidades el de las agujas del reloj tal y como se muestra en la figura 4. 26 (a). R3
.
,..._/\f',/V .._.._ _....., i ,----------,
1
¡
¡
_ll_ V1
R2:
:·~
.. :
1
Rl
[
V1
:
'' 1-----------J'
R3
i\J\f, I\
11. -- ~' .
V2
i). y --------
TL~. ~'~ R,
1
L
Rt
Tv
2
(b)
(a)
Figura 4.26: Selección de las corrientes (a) de malla; (b)de rama
3. Aplicación de la Ley de la Mallas de Kírchhoff. Se aplica la ley de mallas a cada una de las mallas seleccionadas, resultando una ecuación por cada una de ellas. Para cada malla, el primer miembro de su ecuación se obtiene como resultado de la suma algebraica de las fuerzas electromotrices de las fuentes de tensión que se sitúan en las ramas que componen la malla, tomando corno positivas las que elevan la tensión en el sentido de la corriente de la malla seleccionada y negativas las otras. En el segundo miembro se multiplica la corriente de malla por la suma de todas las resistencias situadas en las ramas pertenecientes a la malla y se suman/restan el producto de las resistencias pertenecientes a las ramas comunes con otras mallas por la corriente de la malla correspondiente. En concreto, se suman cuando el sentido de las corrientes de malla adyacentes coinciden para esa rama común y se restan en caso de ir en sentido contrario. De esta manera, se tiene un sistema de ecuaciones de tantas ecuaciones como mallas y con tantas incógnitas como corrientes de malla. La solución del sistema de ecuaciones, que se puede obtener por el método que se considere más adecuado, nos permite calcular las corriente de malla en función de las fuerzas electromotrices de los generadores y las resistencias en las distintas ramas. Este método es aplicable a cualquier número de mallas. Para el circuito de la figura 4.26 (a) , el sist ema de ecuaciones al aplicar la regla de mallas es:
V1 -V2
(R3 + R2)Ii ·- R 2h (R2 + R1)I2 -R2li
199
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
4. Cálculo de las intensidades de rama.
Con los valores obtenidos para las corrientes de malla es fácil calcular la corriente que circula por cada una de las ramas del circuito. Si la rama es externa} la corriente que circula por ella será directamente la corriente de la malla a la que pertenezca. Hay que tener en cuenta que si el valor de la corriente de malla es negativo, la corriente de rama realmente irá en sentido opuesto. Si la rama es común, entonces, la corriente que circula por ella viene dada por la suma algebraica de las corrientes de las mallas a las que pertenece pero siempre teniendo en cuenta el sentido de cada una de las corrientes de malla con respecto al sentido supuesto para la corriente de rama. Es decir, cuando la intensidad de la malla tiene el mismo sentido que el considerado para la corriente de la rama se suma y si tiene sentido opuesto se resta. Evidentemente, si el signo de la intensidad resultante es positivo indica que el sentido considerado para la intensidad de la rama fue el correcto y si es negativo indica que realmente irá en el sentido contrario al supuesto. Considerando como sentido de la intensidades de rama el mostrado en la \. figura 4.26 (b), se tiene que i1 = Ji, i2 = h e i3 = 11 - 12. Una vez conocidas las corrientes de cada una de las ramas de un circuito, la caída de tensión de cada componente se obtiene aplicando la ley de Ohm y la tensión entre nudos se calcula aplicando la segunda ley de KirchhofI a la rama. EJEMPLO
4.5
Calcular la corriente que circula en cada rama del circuito de la figura 4.27. Para el caso de las pilas, explicar si suministran o reciben energía. (Datos: R1 = 50, R2 = 20, R3 = 3D, V1 = 5V y½= lV. R3
Rr
V1
Figura 4.27
200
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
Utilizamos la regla de las mallas para resolver este problema. El número de ecuaciones (mallaB) necesarias para resolver el circuito vendrá dado por:
m
=t -
(n - 1)
=3-
(2 - 1)
=2
siendo t = 3 el número de ramas y n = 2 el número de nodos en el circuito. ·Se elige el sentido horario para las corrientes en las dos mallas (ver figura 4.28). R3 '
R2
...-......, 13 ' '•
"\ ,•
V2
1
V1
11~ Figura 4.28
Las ecuaciones que se obtienen por cada malla son las siguientes:
(3 + 5) 11 - 5 I2 . -5 I1 + (2 + 5) 12
5 -1
Resolvemos el sistema de ecuaciones, obteniendo: 11
0'967 A
I2 -
0'548 A
Luego las corrientes por cada malla son: i1 i2 23
I1 = 0'967 A I2 = 0'548 A I1 - h = 0'967 - 0'548 = O' 419 A
Por tanto vemos que la corriente que circula por la pila V1 entra por el polo negativo y sale por el polo positivo, es decir, suministra energía actuando como un generador. En cambio, la corriente que circula por V2 entra por el polo positivo y sale por el negativo, es decir, recibe energía actuando como un receptor, esto es, se está cargando.
201
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
EJEMPLO 4.6
En el circuito de la figura 4.29, calcular la corriente que atraviesa la batería de 1 '5V y la de 3V.
Figura 4.29
Para saber el número de mallas que tenemos que utilizar para resolver el circuito sabemos que se tiene que cumplir:
m=t-(n-l) siendo m el número de mallas, n el número de nudos que en nuestro caso es igual a 4 y t el número de ramas que en nuestro caso es igual a 6. Resulta que m = 6 - (4 - 1) = 3, es decir, necesitamos seleccionar 3 mallas para resolver el circuito. Las mallas seleccionadas se muestran el la figura 4.30. El sistema de ecuaciones obtenido a partir de las mallas indicadas es: 3 = (2 + 10 + lü)Ii - 210!2 - lOI
+ (10 + 10 + 2)12 - 213 -1'5 = -lüli - 2I2 + 9(10 + 10 + 2)h 1'5 = -lOh
/
,-,, 100 \
\
3V
''
'
!
11 'V
Í's-;J,,,,
hao
13 /t
Figura 4.30
202
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
Resolvemos el sistema de ecuaciones aplicando el método de Cramer: 3
-10
1
22 -2
15
I1
=
-2 - 1'5 22 22 - 10 -10 -10 22 -2 -10 -2 22
22 12
/3
=
=
-10
-10
3
-10 -10
1'5
22
-10
3
-10 -10
22
1'5
-2
-1'5
-2 -1'5 22 22 -10 -10 -10 22 -2 -10 -2 22
- 10 -10
22
-10 -10
= 0'25A
22
-2
-2
22
= 0 1875A 1
=
010625A
A partir de las intensidades de malla podemos calcular las intensidades que circulan por cada una de las ramas. En concreto, las intensidades pedidas en el enunciado son: i1 i2
= 13 -
I2
= h = 0'25A
= 0'0625 -
0'1875
=-
0'125A
donde el signo menos indica que la corriente í2 va en sentido opuesto al supuesto en la figura 4.30.
EJEMPLO
4.7
Hallar la resistencia equivalente entre los puntos X e Y en el circuito de la figura 4.31 cuando R = 50.
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
R
y
R
R
R
R
X
Figura 4.31 Para hallar la resistencia equivalente vamos a aplicar entre X-Y una f.e.m., V, y hallar la corriente que entra por X al circuito. La resistencia equivalente será el cociente entre estas dos magnitudes según la ley de Ohm. Aplicando directamente la primera ley de Kirchhoff, en donde el número de ecuaciones (mallas) necesarias para resolver el circuito vendrá dado por: '\
m
=t
- (n - 1)
= 6- (4-1) = 3
siendo t = 6 el número de ramas y n = 4 el número de nodos en el circuito. Se elige el sentido horario para las corrientes en las tres mallas (ver figura 4.32). Las ecuaciones que se obtienen por cada malla son las siguientes:
o
-
20 Ji - 5 12 - 5 ]3 -5 Ji + 20 I2 - 10 J3
o -V
-5 I1 - 10 I2 + 15 !3 R
y
r,
R
,_'' ''\ •R \ • '••1
'V
13
R
R
X
Figura 4.32
204
V
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
Resolviendo el sistema de ecuaciones por Cramer resulta:
o
-5 o 20 -V -10 20 -5 -5 20 -5 -10
11
-5 -10 15
-5 -10 15
20 o -5 -5 o -10 -5 -V 15 20 -5 -5 -5 20 -10 -5 -10 15
12
-5
20
o o -V
-5 20 -5 -10 20 -5 -5 -5 20 -10 -5 -10 15
La intensidad que circula por la batería será i tencia equivalente será:
V
R
4.7.
=I =
= -0'057lV
= -0'0857V
= -0'1429V
=
-13
=
0'1429V. Luego la resis-
V
0'1429V = 70.
Teorema de Norton
Este teorema al igual que el teorema de Thevenin que estudiaremos en la siguiente sección, nos permite simplificar partes de un circuito. Este teorema dice que cualquier parte de un circuito lineal respecto de dos terminales, formada por fuentes de tensión y/o de intensidad y resistencias, puede ser reemplazada por una única fuente de corriente y una resistencia en paralelo (ver figura 4.33). Para calcular el equivalente Norton realizaremos los siguientes pasos:
l. Se calcula el valor de la fuente como la corriente de cortocircuito entre los terminales del circuito que se desea reemplazar.
205
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
2. Se calcula la resistencia equivalente anulando las fuentes independientes y alimentando el circuito con una fuente externa entre los dos t erminales. La resistencia equivalente es igual al cociente entre la tensión aplicada y la intensidad entrante al circuito. Finalmente comentar que la intensidad de la corriente en una resistencia conectada a los terminales del circuito equivalente de Norton ha de tener el mismo sentido que la que circularía por la misma impedancia conectada al circuito original. --....--A
lnorton
Rnorton
B
Figura 4.33: Equivalente Norton de un circuito
EJEMPLO
4.8
Calcule el equivalente Norton del circuito de la figura 4.34 respecto a los terminales A-B. (Datos: R 1 = 6kf2; R2 = 3kf2; V1 = l 8V; V2 = 12V). R1
R2
Figura 4.34 l . Cálculo del valor de la fuente.
Para ello, cortocircuitamos entre los terminales resultando el circuito mostrado en la figura 4.35 (a). Calculamos la intensidad que circula por cada malla aplicando la ley de Ohm sobre la resistencia equivalente:
I1
206
V1 R1
18
= - = - - = 3mA 6000
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
12
½ R2
12
= - = - - = 4mA 3000
La intensidad que circula por la rama de los terminales cortocírcuitados será: lnorton = 11 + 12 = 3 + 4 = 7 mA
.,................... '
,
..¡, l2
'-
V2
V1
(b)
(a)
Figura 4.35: Cálculo del equivalente Norton de un circuito. (a) Cálculo de la fuente; (b) Cálculo de la resistencia equivalente 2. Cálculo de la resistencia equivalente.
Anulamos las fuentes independientes, esto es, las baterías y alímentamos el circuito con una fuente externa conectada entre los terminales A y B tal y como se muestra en la figura 4.35 (b). Se observa como las dos resistencias están en paralelo, luego, la resistencia equivalente será:
1
1
1
1
1
3
1
---=-+-=--+--=--=-Rnorton R1 R2 6000 3000 6000 2000 Rnorton
= 2kf.2
Finahnente, el equivalente Norton resultante se muestra en la figura 4.36 en donde la fuente de intensidad se sitúa de forma que el sentido de la corriente en A sea el mismo que tendría con el circuito original. r-------A
7mA
2k0
-----ª Figura 4.36: Equivalente Norton
207
FUNDAMENTOS F1SICOS DE LA INFORMÁTICA
4.8.
Teorema de Thevenin
El teorema de Thevenin dice que cualquier parte de un circuito lineal respecto de dos terminales, formada por fuentes de tensión y/ o de intensidad y resistencias, puede ser reemplazada por una única fuente de tensión y una resistencia en serie (ver figura 4.37). Para calcular el equivalente Thevenin realizaremos los siguientes pasos: 1. Se calcula el valor de la fuente como la tensión a circuito abierto entre los
terminales del circuito que se desea reemplazar. 2. Se calcula la resistencia equivalente anulando las fuentes independientes y alimentando el circuito con una fuente externa entre los dos terminales. La resistencia equivalente es igual al cociente entre la tensión aplicada y la intensidad entrante al circuito.
-,
Rthevenin
--------A
A
+
\
-+
Vthevenin
B
---------- B
Figura 4.37: Equivalente Thevenin de un circuito EJEMPLO
4.9
Calcule el equivalente Thevenin del circuito de la figura 4.34 respecto a los terminales A-B. (Datos: R1 = 6kil; R2 = 3k0; Vi= 18V; ½ = 12V). l. Cálculo del valor de la fuente.
..
Calculamos la tensión entre los terminales A y B a circuito abierto. Para ello, aplicamos la regla de las mallas de Kirchhoff a la malla mostrada en la figura, resultando una intensidad de: 18 - 12 = 9 · 103 I
i
despejando resulta una intensidad I = mA. Una vez calculada la intensidad que circula por la malla, la tensión entre los terminales A y B se calcula
208
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
fácilmente a partir de cualquiera de las ramas. Tomando, por ejemplo, la rama de la izquierda de la figura 4.34, tenemos: Ythevenín
= 18 -
6 · 10
R1
32
-3 10 = 14 V · 3
R2
Figura 4.38 2. Cálculo de la resistencia equivalente.
Anulamos las fuentes independientes, esto es, las baterías y alimentamos el circuito con una fuente externa conectada entre los terminales A y B tal y como se muestra en la figura4.35 (b) . Se observa como las dos resistencias están en paralelo, luego, la resistencia equivalente será: 1
1
1
1
1
3
1
- - = -R1+ =-+--=--=-Rthevenin R2 6000 3000 6000 2000 Rthevenín
= 2k!l
Finalmente, el equivalente Thevenin resultante se muestra en la figura 4.39. 2k0
14V
Figura 4.39: Equivalente Thevenin EJEMPLO
4.10
Sea el circuito de la figura 4.40. Se desea determinar la resistencia R que debemos conectar entre los terminales A y B para que esta
209
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
resistencia absorba la 1náxima potencia. Calcule también la potencia. (Datos: R1 = 2kfl; R2 = 4kfl; V = 12V). R1
R2
V
i...---~-- B Figura 4.40 Lo primero que vamos a hacer es calcular el equivalente Thevenin entre los terminales A y B para de esta forma reducir el circuito al mostrado en el ejemplo 4.4. l. Cálculo del valor de la fuente.
Calculamos la tensión entre los terminales A y B a circuito abierto. Para ello, aplicamos la ley de Ohm teniendo en cuenta que las resistencias R1 y R2 estén en serie:
12
----=2mA 2000 + 4000
resultando una tensión: ½hevenin
= R2 · I
3
3
= 4 · 10 · 2 · 10- = 8 V
2. Cálculo de la resistencia equivalente.
Anulamos las fuentes independientes, esto es, las baterías y alimentamos el circuito con una fuente externa conectada entre los terminales A y B. Se observa como las dos resistencias están en paralelo, luego, la resistencia Thevenin será: · 1 Rthevenin
=
1 R1
+
1 R2
=
1
1
3
2000
+ 4000 =
4000
4
Rthevenin
210
= 3 kO
3
=
4000
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
81 circuito resultante se muestra en la figura 4.41. Por tanto, la resistencia que ~enemos que conectar entre los terminales A y B para que su potencia sea máxima ~s R = Rthevenin = j kD. tal y como vimos en el ejemplo 4.4. 4/3kQ
8V
Figura 4.41: Equivalente Thevenin Para calcular la potencia disipada en la resistencia R calculamos la intensidad :¡ue circula por el circuito resultante:
I=
½h Rthevenin
8 34 . 103 + 34 . 103
+R
= 3mA
:¡uedando la potencia:
P = RI2 = EJEMPLO
i3 · 10
3
·
(3 · 10-3 ) 2
= 12 mW
4.11
3ea el circuito de la figura 4.42. Se desea determinar el equivalente rhevenin entre los terminales A y B. l. Cálculo del valor de la fuente .
Calculamos la tensión entre los terminales A y B a circuito abierto. Para ello, debemos resolver el circuito utilizando el método de mallas. Para saber el número de mallas que tenemos que utilizar sabemos que se tiene que cumplir: m=t - (n - l) siendo m el número de mallas, n el número de nudos que en nuestro caso es igual a 2 y t el número de ramas que en nuestro caso es igual a 3. Resulta que m = 3 - (2 - 1) = 2, es decir, necesitamos seleccionar dos mallas para calcular las intensidades del circuito. Las mallas seleccionadas se muestran en la figura 4.43 (a) .
211
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
20
'--------A 20
lOQ
2V
...__ ___._3V _ _.____B
Figura 4.42 El sistema de ecuaciones obtenido a partir de las mallas indicadas es: 2- 3
3
= (2 + 2)I1 -
2I2
= -2I1 + (2 + lO)I2
de donde se obtiene: I1
'
= -O'l36A
12
= 0'227A
La tensión entre los terminales A y B es la caída de tensión en la resistencia de 10n, luego: VAB = 10 · I2 = 2'27V 20
20
100
20
100
2V
(a)
(b)
Figura 4.43: (a) Intensidades de malla. (b)Baterías cortocircuitadas
2. Cálculo de la resistencia equivalente. Anulamos las fuentes independientes, esto es, las baterías y alimentamos el circuito con una fuente externa conectada entre los terminales A .Y B. El
212
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRJENTE CONTINUA
circuito resultante se muestra en la figura 4.43 (b). Se observa como las tres resistencias están en paralelo, luego, la resistencia Thevenin será: 1
1
1
1
Rth = 2 + 2 + 10 = Rth
=
11
10.
10
ll n
El circuito equivalente Thevenin se muestra en la figura 4.44. 10/11 O A +
2'27 V
B
Figura 4.44: Equivalente Thevenin
4.9.
Teorema de Millman
El teorema de Millman dice: en un circuito eléctrico de ramas en paralelo, cada una compuesta por una fuente de tensión ideal en serie con un elemento lineal, la tensión en los terminales de las ramas es igual a la suma de las fuerzas electromotrices multiplicadas por la admitancia de la rama, dividido por la suma de las admitancias. Supongamos el circuito paralelo mostrado en la figura 4.45 en donde existen ramas con resistencias R1, R2, · · ·, Rn en serie con una fuente de tensión y otras ramas en las que únicamente están las resistencias, Rk, Rk+l, · · ·, Rm. De acuerdo al teorema de Nlillman la diferencial de potencia entre los puntos A y B vendrá dada por: V:AB
½+V2+···+Vn R1 R2 Rn
= -+ l 1 1 1 -+·. ·+ -Rn1 +-+·· ·+ -Rm, R1 R2 Rk
(4.36)
Este teorema se utiliza para obtener la diferencia de potencial entre los extremos de un circuito. Su uso resulta indicado cuando se tienen varias ramas en paralelo.
213
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
.-J_.-------J_--.-------.------.---.--- A V1
Vn
R1
Rk
Rm
Rk+1
Rn
R2
..___...L..._ ___.._ _ ___.__B
I - - - - J 1 . - -_ _ _ _
Figura 4.45: Circuito eléctrico 4.12
EJEMPLO
Calcule la tensión entre los terminales A y B del circuito mostrado en la figura 4.46. (Datos: R 1 = 6k0; R2 = 3kf2; R3 = 2kflV1 = 18V; V2 = 12V).
B
Figura 4.46: Circuito eléctrico Para calcular la tensión entre los terminales A y B _podríamos aplicar mallas y resolver el sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas o bien, en este caso, resulta muy interesante aplicar el teorema del Millman ya que nos permite calcular directamente la tensión entre los terminales A y B. Aplicando la ecuación 4.36 resulta:
V
AB
4.10.
Vi
=
R1 l
R1
+
+ R2 Vi 1
R2
18 6000
1
+ R3
1 6000
+
+
12 3000 1 1 3000 2000
=
+
_Q_ 6000 6 6000
42
= _ = 7V 6
Resumen y Ecuaciones Básicas
Este capítulo se ha centrado en el análisis de circuitos eléctricos cuyos elementos incluyen baterías y resistencias cuando trabajan con corriente continua. Para poder hacer este análisis ha sido necesario introducir la terminología propia de
214
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
Teoría de Circuitos y estudiar los distintos tipos de circuitos y de señal que nos podernos encontrar aunque este capítulo se centre únicamente en los circuitos de continua. En concreto, se han estudiado los siguientes conceptos:
1. La corriente eléctrica como el movimiento neto de un conjunto de cargas· en el interior de un conductor. 2. La ley de Ohm aplicable siempre que el material sea óhmico. En ellos la resistencia no depende de la caída de tensión ni de la intensidad que por él circula.
3. Se ha estudiado el concepto de circuito lo que supone conocer sus magnitudes fundamentales, los elementos básicos que nos podemos encontrar y sus diferentes partes. 4. Se han estudiado las leyes de Kirchhoff y se ha aprendido a utilizarlas para resolver un circuito, es decir, saber calcular la intensidad o tensión en cualquier punto del circuito. 5. Por último, se han estudiado los teoremas de Norton, Thevenin y Millman para simplificar los cálculos en la resolución de circuitos o simplificar partes de un circuito. ECUACIONES BÁSICAS
l. Intensidad de corriente: I
= ~9 = qnAv
2. Ley de Ohm: V= RI 3. Densidad de corriente: I 4 . Potencia·. P -~
dW dt --
V
=JA
dQ dt --
VI
5. Asociación de resistencias:
a) Serie: R
=
b) Paral e1o..
R1
1 _
R -
+ R2 + ... + Rn 1 1 + + Rn1 R1 + R2 ...
6. Forma diferencial de la ecuación de un conde~sador: I(t ) 7. Forma diferencial de la ecuación de una bobina: V(t)
= C d~~t)
= L d~~t) 215
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
8. Relación entre la fuerza electromotriz del primario y secundario de un trans= siendo Npy Ns el número de vueltas en el devanado formador: primario y secundario, respectivamente.
l; i;
9. Leyes de Kirchhoff:
¿~=l ¼ = O Ley de los nudos: ¿~ 1 Ji = O
a) Ley de las mallas:
b)
4.11.
Ejercicios de Autoevaluación
l. Calcular la corriente que circula en cada rama del circuito de la figura 4.47.
Para el caso de las pilas, explicar si suministran o reciben energía. (Datos: R1 = 50, R2 = 20, R3 = 40, Ví = 3V y ½ = 1V. Solución: i 1 = 0'4211A;i2 ½ recibe energía.
= 0'1579A;i3 =
0'2632; V1suministra energía y
V1
Figura 4.47
2. En el circuito de la figura 4.48,, determinar las indicaciones del amperímetro A y del voltímetro V suponiendo que el primero no tiene prácticamente resistencia y la del segundo es muy elevada. (Datos: R1 = 40, R2 = lOf!, R3 = 60, R4 = 40, Rs = 40, V1 = 10V y con una resistencia interna de Rv1 = 20y ½ = 15V y con una resistencia interna de Rv 1 = 20. Solución:
216
iamperímetro
= 0'5319A; Vvoltímetro = 1'0638V.
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
Rs
R4
R1
Figura 4.48 3. En el circuito de la figura 4.49, determinar las intensidades en cada una de las ramas. (Datos: R 1 = 100, R2 = 40, R3 = 3D, V1 = 15V y ½ = lOV) Solución:
i1
= 3'1667A; i2 = 1'5A; i3 = 1'667A; i4 = 2'5A; is = -0'8333A. V2 j4
il
is
Figura 4.49 4. Dado el circuito de la figura 4.50. (a) Calcular las intensidades que circulan por cada una de las ramas del circuito; (b) Las potencias suministradas por cada generador. Solución: i 1 = 1'9834A; i 2 = -0'9918A; i3 = 2'9752; i4 = 3'5537A; i 5 -0'5785A; i6 = 2'5619A P 1ov = 5'785W; P20v = 591504W. 50
lOV
30
20V
¡4 iz
i6 i1
=
20
Figura 4.50 5. Dado el circuito de la figura 4.51. Calcular la· intensidad que circula por la batería Vsy caída de tensión en la resistencia R5. (Datos: R1 = R2 = 30.,
217
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
R3 = R4 = sn, R 5 = R5 = 2D , R 1 = 4D, V1 = V5 = l OV, V2 = 8V, ½ = 6V y V4 = V5 = 12V. Solución: í5 = 3'1368A y VRs = 0'5714V. Rs
V6
R4
Figura 4.51 6. Calcular la resistencia equivalente entre los t erminales A y B de la asociación de resistencias mostrada en la figura 4.52. Solución: 8'71D. 30
20
Figura 4.52 7. Obtener el equivalente Norton entre los terminales A y B del circuito de la figura 4 .53 (Datos: V1 = 12V; ½ = l OV; R1 = 12D; R2 = 40; R3 = 4D). Solución: Inorton = IA; Rnorton = 7D. R3
V2 J
.A
V1 R1
R2
B
Figura 4.53
218
CAPÍTULO 4. CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA
8. Obtener el equivalente Norton entre los terminales A y B del circuito de la figura 4.54. (Datos: V1 = 56V; V2 = 20V; R1 = 4D; R2 = 80; R3 4D; R4 = 2f2;). Solución: Inorton = 2A; Rnorton = 3'1H1. R1
R3
R2
A
V1
R4
V2
B
Figura 4.54 9. Obtener el equivalente Thevenin entre los terminales A y B del circuito de la figura 4.54. Solución: ½hevenin = 8'4 V; Rthevenin = 3'1 lf!. 10. Obtener el equivalente Thevenin entre los terminales A y B del circuito de la figura 4.55. (Datos: V1 = 24V; R1 = 200; R2 = 400; R3 = 5000; R4 = 2500). Solución: Ythevenin = OV; Rthevenín = 55'5fl
Figura 4.55
219
Capítulo 5
Fenómenos Transitorios
CONTEXTO En el capítulo anterior hemos estudiado los distintos elementos que podemoi contrar en un circuito eléctrico así corno las leyes necesarias para poder deterrr. las corrientes que circulan por sus ramas o la caída de tensión producida ei elemento, siempre considerando que las condiciones del circuito no varían, e: cir, el circuito está trabajando en régimen permanente. En definitiva, se apre a analizar el comportamiento de las magnitudes eléctrícas en circuitos de corr1 continua sin tener en cuenta el momento de la conexión de la fuente o fuentes embargo, en muchas ocasiones, se produce un cambio brusco en las condici de los circuitos (por ejemplo, cuando conectamos las fuentes), lo que provoc funcionamiento transitorio de éstos hasta que se vuelve a alcanzar la situa de estabilidad. A este intervalo de tiempo hasta que se alcanza la estabilidc llamamos fenómeno transitorio. En general, los transitorios son de gran importancia ya que se producen en mu ocasiones, por ejemplo, en el encendido de cualquier aparato eléctrico. Suelen aparecer sin causar problemas aunque a veces conviene limitarlos ya que pw provocar un mal funcionamiento e incluso el fallo de algún componente. Por lado, los transitorios también resultan útiles en temporizadores, multivibrad1 fuentes de alimentación conmutadas etc. en donde se produce algún tipo de mutación en el circuito generando el transitorio. Cuándo éste alcanza cierto n se produce una nueva conmutación que genera otro transitorio.
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Este capítulo está dedicado a los fenómenos transitorios en circuitos lineales de primer orden en los que se alimentan con fuentes de corriente continua. El estudio de los circuitos de mayor orden se sale fuera de los objetivos de este libro.
CONOCIMIENTO PREVIO NECESARIO Para abordar el estudio de este capítulo son necesarios los conocimientos adquiridos en los capítulos pertenecientes a la parte I de la asignatura donde se estudian los conceptos de campo eléctrico, diferencia de potencial, condensadores, bobinas etc. y los conocimientos estudiados en el capítulo de circuitos de corriente continua.
OBJETIVOS DEL CAPÍTULO Los objetivos del capítulo son: 1. Aprender a determinar la ecuación diferencial que permite el cálculo de la tensión o intensidad de corriente en cualquier elemento de un circuito. ',
2. Análisis de circuitos RC en régimen transitorio. 3. Análisis de circuitos RL en régimen transitorio. 4. Análisis del régimen transitorio de circuitos sencillos.
GUÍA DE ESTUDIO Lo conveniente es seguir el estudio del capítulo de manera secuencial.
222
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
:,.l.
Introducción
,e conoce como fenómenos transitorios a los que se observan en circuitos cuando :e produce en ellos un cambio brusco en las condiciones de funcionamiento, esto ~ un cambio brusco en la tensión o intensidad. Un ejemplo común es la conexión 1 le un voltaje constante. Cuando conectamos un condensador a un circuito en el 1ue existe una batería, la corriente empieza a circular por el mismo. A la vez, :l condensador va acumulando carga entre sus placas. Cuando el condensador se :ncuentra totalmente cargado, deja de circular corriente a través de él. Si se quita a fuente y se coloca el condensador y la resistencia en paralelo, la carga empieza , fluir de una de las placas del condensador a la otra a través de la resistencia, Lasta que la carga es nula en las dos placas. Observamos que la corriente circulará oientras el condensador se está cargando o descargando, después no. ~n estos casos, si el circuito dispone de elementos almacenadores de energía (bo)inas o condensadores) durante un cierto tiempo, la intensidad y las t ensiones an a variar hasta que se alcance la estabilidad. Al intervalo de cambio de esas aagnitudes eléctricas se denomina régimen transitorio y al intervalo en donde las oagnitudes están estabilizadas se denomina régimen permanente o estacionario. ~l análisis de los fenómenos transitorios es complejo, siendo necesaria la repreentación matemática del fenómeno. Dicha representación supone el manejo de cuaciones diferenciales complicadas, lo que se sale fuera del alcance de este libro · de las matemáticas exigidas al alumno. Sin embargo, gran parte de los fenóme,os eléctricos se pueden estudiar mediante una simple ecuación diferencial, como s el caso de los condensadores y las bobinas los cuales pueden estudiarse por una cuación diferencial de primer orden como se justifica a continuación. ~n un condensador hemos visto que la relación entre la diferencia de potencial ntre sus placas y la intensidad que circula por él viene dada por la expresión:
i(t)
= e dVc(t) dt
n donde observamos que la tensión en el condensador depende de lo que haya ucedido en el instante anterior con la corriente que circula por él. Por tanto, para onocer el comportamiento del condensador durante el intervalo de tiempo del ransitorio es necesario resolver la ecuación diferencial de primer orden anterior. lnálogamente en una bobina hemos visto que la relación entre la diferencia de otencial y la intensidad de corriente que circula por ella viene dada por:
VL(t) = L dí(t)
dt
223
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
en donde se ha omitido el signo ya que lo único que nos indica es el sentido de la tensión. Observamos que la intensidad en la bobina depende de lo que haya . ocurrido con la fuerza electromotriz ( tensión) en el instante anterior. Por tanto, para conocer el comportamiento de la bobina o el condensador durante el intervalo .· de tiempo del transitorio es necesario resolver la ecuación diferencial de primer orden. En la siguiente sección es donde vamos a aprender a resolver de forma sencilla este tipo de ecuaciones diferenciales.
5.2.
Resolución de ecuaciones diferenciales de primer orden
Una ecuación diferencial lineal presenta la forma: k 0 f (t)
df (t)
+ k1 ---;¡¡-
d 2 f (t) + k2 dt2
+ .... + kn
= g(t)
(5.1)
donde los coeficientes k 0 , k1, k2, ... son constantes y f y g son funciones del tiempo. Se define' el orden de la ecuación diferencial como la derivada de mayor orden que aparece en la ecuación anterior. Así, una ecuación diferencial de primer orden tiene el aspecto: df(t) (5.2) k0 f(t) + k1 dt = g(t) La resolución matemática de esta ecuación diferencial_ se basa en determinar, en primer lugar, la solución de la ecuación homogénea o solución homogénea, es decir, con g(t) = O y, en segundo lugar, en obtener la solución particular de la ecuación completa o solución particular. La solución homogénea se conoce como respuesta natural del circuito y se corresponde con la respuesta del circuito suponiendo que su energía sólo procede de los elementos almacenadores de energía (condensadores y bobinas) inicialmente descargados y sin la""presencia de fuentes. La solución particular se conoce como respuesta forzada del circuito y se debe al efecto de las fuentes que son las que van a deter~inar el régimen permanente. 1. Resolución de la ecuación homogénea.
Tal y corno hemos dicho, la ecuación homogénea viene dada por: k f (t) o
224
+ k1
df ( t)
dt
=o
(5.3)
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORJOS
Operando tenemos:
k1 df (t) dt df(t) J(t)
-k0 J(t)
e integrando y operando de nuevo:
Lnf(t) - LnA Ln f(t) A
f(t)
e
A
_ko
t
k1
donde A es la constante de integración. Resulta, finalmente, como solución homogénea:
Íhomogénea(t) = A siendo
T
=
t
e-:;:
(5.4)
t la constante de tiempo.
2. Resolución de la ecuación particular En este contexto sólo se van a considerar casos en los que la fuente es constante por lo que se cumple que g(t) = G, siendo G un valor constante. Pues bien, la solución de la ecuación completa se obtiene añadiendo una solución particular a la solución homogénea, es decir:
f (t) = Íhomogénea(t) + Íparticular Sustituyendo la solución homogénea obtenida anteriormente, tenemos:
f (t) = A
t
e- -.¡:
+ Íparticular
en donde se puede observar como el término exponencial tiende a cero a medida que aumentarnos el tiempo, es decir, será cero cuando hayamos alcanzado el régimen permanente ( que designaremos por CX)) quedando únicamente el término Jparticular. Por tanto:
f particular = f (00) 225
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Suponiendo que el valor de
f (t), en el primer instante es J(o+), resulta:
de donde se obtiene es decir, la constante A es igual a la diferencia entre el valor de la variable en el instante inicial del transitorio, J(o+), y el que tomaría la función al final del transitorio, f (oo). Obtenemos finalmente como solución general:
J(t) = f(oo)
+ [J(o+) -
t
f(oo)] e-:;:
(5.5)
· en donde:
• f (oo) es el valor de la magnitud en el infinito, es decir, cuando se ha alcanzado el régimen permanente.
• f(O+.) es el valor de la magnitud justo después del cambio. •
T
es la constante de tiempo. Dependiendo del circuito varia su valor.
Los pasos a seguir para la aplicación de esta ecuación son: l. Calculamos el valor de la magnitud
f justo antes del cambio, f (o- ).
2. Calculamos el valor de la magnitud
f justo después del cambio, f (o+).
3. Calculamos el valor de la magnitud permanente, f (oo ). 4. Calculamos la constante de tiempo,
f cuando se ha alcanzado el régimen
T.
5. Aplicamos la ecuación (5.5). Para poder aplicar esta ecuación debemos estudiar el comportamiento de los dos elementos almacenad.ores de energía que conocemos cuando se produce un fenómeno transitorio en el circuito en el que se encuentran. Finalmente comentar que, a efectos de análisis de circuitos, se considera que se ha alcanzado el régimen permanente en un circuito después de un cambio brusco cuando ha pasado cinco veces la constante de tiempo.
226
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
5.2.1.
Condensadores.
Cuando tenemos un condensador, para aplicar los pasos anteriores, hay que tener e:n cuenta lo siguiente: 111
Cuando se produce un cambio, en los condensadores permanece constante la tensión, es decir:
Vc(o-) = Vc(o+) siendo Vc(o-) la tensión justo antes del cambio y Vc(o+) la tensión después del cambio.
• En régimen permanente el condensador se comporta como un.circuito abierto en donde existe una caída de tensión igual a la carga que tenga el condensador. • Justo después del cambio el condensador se comporta como un cortocircuito más un generador en serie cuya tensión es igual a la tensión que tiene el condensador en ese instante (ver figura 5.1).
T
Vc(O+)
Figura 5.1: Circuito equivalente a un condensador justo después del cambio • La constante de tiempo del condensador se calcula mediante la expresión: T
= ReqC
(5.6)
siendo Req la resistencia equivalente que se obtiene situándonos sobre el condensador.
5.2.2.
Bobinas.
Cuando tenemos una bobina, para aplicar los pasos anteriores, hay que tener en cuenta lo siguiente: • Cuando se produce un cambio brusco~ en las bobinas permanece constante la intensidad, es decir, i(O- ) = i(ü+), siendo i(o- ) la intensidad justo antes del cambio e i(ü+) la intensidad después del cambio. ·
227
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
• En régimen permanente la bobina se comporta como un cortocircuito por el que circula una intensidad igual al valor que tenga almacenada la bobina. • Justo después del cambio la bobina se comporta como un circuito abierto más una fuente de intensidad en paralelo de magnitud y sentido igual a la intensidad que tiene la bobina en ese instante (ver figura 5.2).
L
Figura 5.2: Circuito equivalente a una bobina justo después del cambio • La constante de tiempo de la bobina se calcula mediante la expresión:
L
'T=-
(5.7)
Req \
siendo Req la resistencia equivalente que vemos situándonos sobre la bobina.
5.3.
Circuito RC serie
Llamamos circuito RC serie aquel en el que interviene una resistencia y una capacidad conectadas en serie. Al igual que en los circuitos de corriente continua, la corriente se mueve en un sentido pero, ahora, su valor varía con el tiempo durante el régimen transitorio. Un ejemplo de aplicación de un circuito RC serie es el flash de una cámara fotográfica. Antes de realizar la fotografía, la batería del flash carga un condensador a través de una resistencia. Cuando el condensador se carga el flash está preparado para sacar la foto . Cuando sacamos la foto el condensador "' se descarga a través del flash. En esta sección, vamos a estudiar el comportamiento de este tipo de circuitos. Para ello, comenzaremos analizando el proceso de carga para después analizar el proceso de descarga del condensador. PROCESO DE CARGA DEL CONDENSADOR
Supongamos el circuito RC serie mostrado en la figura 5.3 en donde se supone que el interruptor lleva en la posición 2 un tiempo suficiente como para considerar
228
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
que el circuito ha alcanzado el régimen permanente. Esto significa que el condensador se encuentra descargado al existir en dicho circuito únicamente, a parte del condensador, un elemento resistivo. En un momento dado el interruptor se sitúa en el punto 1. El condensador pasa a estar conectado a una batería comenzando su proceso de carga. El objetivo es determinar la expresión de la tensión del condensador durante el régimen transitorio. Para ello, seguiremos los pasos descritos en el apartado anterior:
Vo
R
2
Figura 5.3: Circuito RC serie con un interruptor l. Calculamos la tensión que tenía el condensador justo antes del cambio.
Nos dicen que el interruptor ha permanecido situado en 2 el tiempo suficiente para alcanzar el régimen permanente, por lo que el circuito es el mostrado en la figura 5.4 (a), resultando una tensión de Vc(o- ) = OV . 2. Calculamos la tensión que tiene el condensador justo después del cambio.
En los condensadores la tensión no varía bruscamente por lo que justo después del cambio se cumple Vc(O+) = Vc(o-) = OV . El circuito ahora será el mostrado en la figura 5.4 (b). 3. Calculamos la tensión que tendrá el condensador en régimen permanente. En régimen permanente el circuito será el mostrado en la figura 5.4 (e) en donde el condensador se comporta com o un circuito abierto. Esto implica que en él caen los V0 de la batería, esto es,
Vc(oo)
= Vo
4. Calculamos la constante de tiempo.
Si nos situamos en el condensador observamos que la resistencia equivalente es R, luego, la constante será:
T=RC 229
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
e
1
r--0.0411------1·+---Vo
Vo
R
2
R
2
(a)
(b)
1 e .--ou.i111------~ Vo
R
2
(e)
Figura 5.4: (a) Circuito equivalente antes del cambio. (b) Circuito equivalente justo después del cambio. (e) Circuito equivalente en el régimen permanente
5. Apli'camos la ecuación (5.5). Sustituimos los valores obtenidos en los apartados anteriores en dicha ecuación obteniendo la expresión de la tensión en el condensador en función del tiempo:
(5.8) La figura 5.5 muestra la representación de la tensión de un condensador en función del tiempo durante el proceso de carga.
"[
St
t
Figura 5.5: Representación de la tensión del condensador cuando se produce su carga
230
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
PROCESO DE DESCARGA DEL CONDENSADOR
Supongamos ahora que en el circuito RC serie mostrado en la figura 5.3 el interruptor lleva en la posición 1 un tiempo suficiente como para considerar que el circuito ha alcanzado el régimen permanente. Esto significa que el condensador se encuentra cargado a V0 tal y como hemos visto anteriormente. En un momento dado el interruptor pasa al punto 2 con lo que el condensador pasa a estar conectado únicamente a una resistencia comenzando su proceso de descarga. El objetivo es determinar la expresión de la tensión del condensador durante este nuevo transitorio. Seguiremos los pasos descritos en el apartado anterior: 1. Calculamos la tensión que tenía el condensador justo antes del cambio.
Nos dicen que el interruptor ha permanecido situado en 1 el tiempo suficiente para alcanzar el régimen permanente, por lo que el circuito es el mostrado en la figura 5.4 (e), resultando una tensión de Vc(o-) =Va. 2. Calculamos la tensión que tiene el condensador justo después del cambio.
En los condensadores la tensión no varía bruscamente por lo que justo después del cambio se cumple Vc(o+) = Vc(o-) = Vo. 3. Calculamos la tensión que tendrá el condensador en régimen permanente.
Ahora el circuito vuelve a ser 5.4 (a). En régimen permanente el condensador está descargado completamente ya que la energía almacenada previamente ha sido consumida por la resistencia. Esto implica que Ve( oo) = OV. 4. Calculamos la constante de tiempo.
Si nos situamos en el condensador observamos que la resistencia equivalente es R, luego, la constante será T = R C. 5. Aplicamos la ecuación (5.5).
Sustituimos los valores obtenidos en los apartados anteriores en dicha ecuación obteniendo la expresión de la tensión en el condensador en función del tiempo: t t Ve (t) = O + [¼ - O] e- R e = V0 e- R e (5.9) La figura 5.6 muestra la representación de la tensión ·de un condensador en función del tiempo durante el proceso de descarga del condensador.
231
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Vo ,--.........,.---.---,---.---,----,
t
'[
Figura 5.6: Representación de la tensión del condensador cuando se produce su descarga
EJEMPLO
5.1
A un circuito serie RC, con R = 5000f2 y C = 20µF, se le aplica en el instante t = O una tensión constante V= 100V (se supone el condensador inicialmente descargado). Se desea calcular el valor de la tensión en el condensador pasados 0'1 segundos. Seguimos\ los pasos descritos anteriormente: l. Calculamos la tensión antes del cambio.
Nos dice el enunciado que el condensador está descargado 1 luego, Vc(o-)
ov.
=
2. Calculamos la tensión justo después del cambio.
Recordemos que justo después del cambio en los condensadores se mantiene la tensión. Luego, tenemos que Vc(o+) = Vc(o-) = OV. 3. Calculamos la t ensión en régimen permanente.
En régimen permanente los condensadores se comportan como circuitos abiertos con lo que, según la ley de las mallas de Kirchhoff, la tensión en el condensador será Vc(oo) = IOO·V.
4. Calculamos la constante de tiempo. La resistencia equivalente es lógicamente R r
232
= 50000,
luego:
= R · C = 5000 · 20 · 10-6 = O'ls
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
5. Aplícamos la ecuación (5.5):
Vc(t)
= 100 + [O -
100] e-iot
= 100 [1- e- 10t]
A partir de esta ecuación es fácil calcular la tensión del condensador pasados 0'1 segundos: Vc(t = O'ls) = 100 [1 - e- 1 ] = 63121 V EJEMPLO 5.2
El condensador de 20µF del circuito RC de la figura 5. 7 tiene una carga inicial Q 0 = 400µC con la polaridad indicada, la fuente de tensión tiene un valor de V = 80V y la resistencia R = 50000. En el instante t = O se cierra el interruptor. Determinar la ecuación de la intensidad de corriente en régimen transitorio. R
+ V
+
e
Figura 5.7 A pesar de que en el enunciado nos piden la intensidad, sabemos que en los condensadores lo que se mantiene ante un cambio brusco es la tensión, por ello, calcularemos la tensión y la intensidad. l. Calculamos la tensíón antes del cambío.
Nos dice el enunciado que el condensador tiene una carga inicial Q0 = 400µC a partir de la cual podemos calcular la tensión inicial del condensador antes del cambio: 6 ½ (O-) = Q 0 = 400 · 10- = 20 V e C 20 · 10- 6 2. Calculamos la tensión e intensidad justo después del cambio.
Recordemos que justo después del cambio en fos condensadores se mantiene la t ensión, no la intensidad. Luego, tenemos que Vc(ü+) = Vc(o-) = 20V.
233
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Para calcular la intensidad sabemos que el condensador justo después del cambio se comporta como un cortocircuito más una fuente de tensión de valor igual a su tensión inicial. El circuito resultante se muestra en la figura 5.8 en donde resulta fácil calcular la intensidad aplicando la ley de las mallas de Kirchhoff: 20 + 80 = 5000 i(O+)
i(o+)
=
lOO 5000
= 0'02 A
R
20V
80V~~
Figura 5.8 \
3. Calculamos la tensión e intensidad en régimen permanente.
En régimen permanente los condensadores se comportan como circuitos abiertos con lo que, según la ley de las mallas de Kirchhoff, la tensión y la intensidad en el condensador será:
Vc(oo)
= 80V
i(oo) = OA 4. Calculamos de la constante de tiempo.
La resistencia equivalente es lógicamente fi, T
= 5000!1, luego:
=R. e= sooo. 20. 10-6 = 0'1 s
5. Aplicamos la ecuación {5.5) : Vc(t)
= 80 + [20 i( t)
234
80] e -
lOt
= 80 -
= 0'02 e-lOt
60 e -
lOt
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
EJEMPLO
5.3
En el circuito RC de la figura 5.9 en el instante t = O se sitúa el interruptor en la posición 1 y después de una constante de tiempo se pasa a la posición 2. Determinar la corriente que pasa por la resistencia en el instante t1 = IOOµs y en t2 = 500µs. Supóngase que inicialmente el condensador está descargado. (Datos: R = 500D, ½ = 20V, ½ = 40V y C = 0'5µF).
l
V1
R
IV2
T
e
T.___ ___.__ ___,_ Figura 5.9
En este caso, la intensidad que circula por el condensador y la resistencia responde a dos ecuaciones diferentes dependiendo del proceso transitorio en el que nos encontremos. Así, existe un primer transitorio que dura hasta que el tiempo toma el valor de la constante de tiempo, instante que llamaremos tcambio y el segundo transitorio a partir de ese instante.
A pesar de que en el enunciado nos piden la intensidad, sabemos que en los condensadores lo que se mantiene ante un cambio brusco es la tensión, por ello, calcularemos tanto la tensión como la intensidad. Pasos: l. Calculamos la tensión en t
= o-.
Nos dice el enunciado que el condensador está inicialmente descargado, luego Vc(o-) = OV 2. Calculamos la tensión e intensidad justo después del cambio.
Recordemos que justo después del cambio en los condensadores se mantiene la tensión, no la intensidad. Luego, tenemos Vc(o+) = Vc(o-) = OV. Para calcular la intensidad sabemos que el condensador justo después del cambio se comporta como un cortocircuito m.ás una fuente de tensión de valor igual a su tensión inicial. En este caso, al ser su tensión inicial cero no existe esa fuente, esto es, sustituimos el condensador directamente por
235
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
un cortocircuito. El circuito resultante se muestra en la figura 5.10 (a) en donde resulta fácil calcular la intensidad aplicando la ley de las mallas de Kirchhoff: 20 = 500 i(o+)
i(ü+) =
2
º = 0'04A
500
2
1
R
R
e
V2
JVc(O+)
V1
(b)
(a)
Figura 5.10 \
3. Calculamos la tensión e intensidad en régimen permanente.
En régimen permanente los condensadores se comportan como circuitos abiertos con lo que, según la ley de las mallas de Kirchho:ff, la tensión y la intensidad en el condensador será:
Vc(oo)
= ½ = 20V -
i(oo) = OA 4. Calculamos la constante de tiempo.
La resistencia equivalente es lógicamente R
= 500D, luego:
r = R · C = 500 · 0'5 · io- 6
= 2'5 · 10- 4 s
5. Aplicamos la ecuación {5.5) resultando como expresiones de la tensión e intensidad cuando el interruptor está situado en 1:
Vc(t)
=
20 + [O - 201 e- 4ooot
=
20 - 20 e- 4 oo0t
i(t) = 0'04 e- 4ooot
236
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORJOS
En el instante tcambio = T = 2'5 · 10-4 s pasamos el interruptor al punto 2, con lo que comienza un nuevo transitorio. Aplicamos los pasos para conocer las nuevas ecuaciones: l. Calculamos la tensión en
tcambio
= 2'5 · 10-4 .
U tiliza.ndo la ecuación de la tensión calculada anteriormente tenemos que Vc(t;mbio) = 12'65V 2. Calculamos la tensión e intensidad justo después del cambio.
Justo después del cambio en los condensadores se mantiene la tensión. Luego, Vc(t!mbio) = Vc(t:ambio) = l2'65V. Para calcular la intensidad sabemos que el condensador justo después del cambio se comporta como un cortocircuito más una fuente de tensión de valor igual a su tensión inicial. El circuito resultante se muestra en la figura 5.10 (b) en donde resulta fácil calcular la intensidad aplicando la ley de las mallas de Kirchhoff: -40 - 12'65 .( .+ 'l,
t cambio
= 500 i (t!mbio)
) _ -40 - 12'65 _ _ , A 500 O 1053
en donde el signo menos indica que la intensidad circula en sentido inverso al considerado en la figura 5.10 (b). 3. Calculamos la tensión e intensidad en régimen permanente.
En régimen permanente los condensadores se comportan como circuitos abiertos con lo que, según la ley de las mallas de Kirchhoff} la tensión y la intensidad en el condensador será:
Vc(oo) i(oo)
= 40V = OA
4. Calculamos la constante de tiempo.
La resistencia equivalente es lógicamente R T
= 500!1, luego:
= R · C = 500 · 0'5 · 10- 6 = 2'5 · 10- 4 s 237
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMATICA
5. Aplicamos las ecuacwn (5.5) resultando como expresión de la intensidad cuando el interruptor está situado en 2:
i(t) = -0'1053 e- 4 ooot Una vez hemos calculado las ecuaciones que rigen ambos transitorios, pasamos a calcular las intensidades en los instantes de tiempo indicados en el enunciado. • ti = lOOµs = 10- 4 s
<
tcambio
= 2'5 · 10-4 :
i(lOOµs) = 0'04 e-4ooot = 0'0268A
= -0'1053 e- 4 ooot = -0 0387A 1
i(250µs)
Nótese como en este último caso se ha tomado en la fórmula un valor de tiempo de 250µs. Esto es debido a que el origen de tiempos empieza con el primer transitorio lo que supone que de los 500µs realmente lleva en el segundo transitorio t tcambio = 500µs - 250µs = 250µs. La intensidad de corriente durante el régimen transitorio completo se muestra en la figura 5.11. Observamos como se produce un cambio brusco en el valor de la corriente para t = 250µs = T , esto es, cuando cambiamos de posición el interruptor. 0.04,,,...-----.---.---..----,---.---- . . - - . - --. 0 02 ·
~
0'0147
o
------ ---- / / _/ .~- ~ - -
-0.02
/ .
,/
--0.06 .0.0B I 1
.0.1 0 12 • - 0
Í
-0' 1053 200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
ten µs
Figura 5.11: Valores de la corriente durante los dos transit orios
238
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
J.4.
Circuito RL serie
Jamamos circuito RL serie aquel en el que interviene una resistencia y una bo)ina conectadas en serie. Al igual que en los circuitos de corriente continua, la :orriente se mueve en un sentido pero, ahora, su valor varía con el tiempo durane el régimen transitorio. Realmente, a temperatura ambiente todos los circuitos :ontienen resistencia y autoinducción por lo que el análisis de un circuito RL serie >odría aplicarse en cierta extensión a todo circuito. Jomenzaremos analizando el proceso de carga de la bobina para después analizar :1 proceso de descarga. ~ROCESO DE CARGA DE LA BOBINA
,upongarnos el circuito de la figura 5.12 en donde el interruptor pasa al punto _ en el instante t = O, habiendo permanecido situado en el punto 2 el tiempo ;u:ficiente como para alcanzar el régimen permanente. El objetivo es determinar a expresión en función del tiempo de la intensidad que circula por la bobina lurante el régimen transitorio. Seguiremos los pasos vistos anteriormente: 1
L
__L Vo
R
Figura 5.12: Circuito RL serie con un interruptor l. Calculamos la intensidad que tenía la bobina justo antes del cambio.
Sabemos que el interruptor ha permanecido situado en 2 el tiempo suficiente para alcanzar el régimen permanente por lo que el circuito es el mostrado en la figura 5.13 (a), en donde se ha representado a la bobina cortocircuitada. Es claro que la intensidad será i(O-) = OA. 2. Calculamos la intensidad que tiene la bobina justo después del cambio.
El circuito ahora será el mostrado en la figura 5.13 (b) en donde se ha representado la bobina como un circuito abierto y la fuente de intensidad . será de valor i(o+). En las bobinas la intensidad no varía bruscamente, por lo que justo después del cambio se cumple i(o+) = i(o-) = OA.
239
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
3. Calculamos la intensidad que tendrá la bobina en régimen permanente. En el régimen permanente el circuito será el mostrado en la figura 5.13 (e), en donde la bobina se comporta como un cortocircuito. Aplicando la ley de las mallas de Kirchhoff es fácil calcular la intensidad que circula por ella:
4. Calculamos la constante de tiempo. Si nos situamos en la bobina observarnos que la resistencia equivalente es R, luego, la constante será T =
1-
r
L
L
1
1
Vo
R
Vo
R
2
(b)
(a) L
1
Vo
R
2
(e)
Figura 5.13
5. Aplicamos la ecuación (5.5). Sustituimos los valores obtenidos en los apartados anteriores en dicha ecuación obteniendo la expresión de la intensidad de la bobina en función del tiempo. . i(t)
= -Vo + [ O- -Vº] R
R
e
-+ = -(1Va e _fil) "R
R
L
(5.10)
La figura 5.14 muestra la representación de la intensidad en función del tiempo durante el proceso de carga de la bobina.
240
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
Vo R
.; i
t
Figura 5.14: Representación de la intensidad que circula por la bobina durante su carga
PROCESO DE DESCARGA DE LA BOBINA
Supongamos ahora que en el circuito de la figura 5.12 el interruptor pasa al punto 2 en el instante t = O, habiendo permanecido situado en el punto 1 el tiempo suficiente como para alcanzar el régimen permanente. El objetivo es determinar la expresión en función del tiempo de la intensidad que circula por la bobina durante el régimen transitorio. Seguiremos los pasos vistos anteriormente: l. Calculamos la intensidad que tenía la bobina justo antes del cambio.
Sabemos que el interruptor ha permanecido situado en 1 el tiempo suficiente para alcanzar el régimen permanente por lo que el circuito es el mostrado en la figura 5.13 (c), en donde se ha representado a la bobina cortocircuitada. Es claro que la intensidad será, i(o-) = ~ A. 2. Calculamos la intensidad que tiene la bobina justo después del cambio.
En las bobinas la intensidad no varía bruscamente, por lo que justo después del cambio se cumple i(ü+) = i(o-) = "j[ A, es decir, ahora la fuente de intensidad de la figura 5.13 (b) es de jr A. 3. Calculamos la intensidad que tendrá la bobina en régimen permanente.
Es evidente que en régimen permanente la bobina estará descargada dado que toda la energía almacenada ha sido consumida por la resistencia. Luego i(oo) = O A. 4. Calculamos la constante de tiempo.
Si nos situamos en la bobina observamos que la resistencia equivalente es R, luego, la constante será T =
1·
241
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
5. Aplicamos la ecuación (5.5).
Sustituimos los valores obtenidos en los puntos anteriores en dicha ecuación obteniendo la expresión de la intensidad de la bobina en función del tiempo. Vo
]
í(t)=O+ [ R-0 e
--1V0 Rt R = Re-T
(5.11)
La figura 5.15 muestra la representación de la intensidad en función del tiempo durante el proceso de descarga de la bobina.
T
t
F~gura 5.15: Representación de la intensidad de corriente que circula por la bobina durante su descarga
EJEMPLO
5.4
¿Cuánto tiempo transcurre desde que se cierra el interruptor hasta que la corriente en un circuito RL serie llegue hasta el 90 % de su valor en el equilibrio? {Supóngase que inicialmente la bobina está descargada). 1. Calculamos la intensidad de la bobina justo antes de cerrar el interruptor. Nos dice el enunciado que la bobina inicialmente está descargada, luego i(O-) = OA. 2. Calculamos la intensidad que tiene la bobina justo después del cambio.
En las bobinas la intensidad no varía bruscamente, por lo que justo después del cambio se cumple que i(ü+) = i(o-) = OA. 3. Calculamos la intensidad que tendrá la bobina en régimen permanente.
242
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
En el régimen permanente la bobina se comporta como un cortocircuito. Aplicando la ley de las mallas de Kirchho:ff se calcula la intensidad que circula por la malla:
i(oo)
=;
4. Calculamos la constante de tiempo.
Si nos situamos en la bobina observamos que la resistencia equivalente es R , luego, la constante será T = ~. 5. Aplicamos la ecuación (5.5).
Sustituimos los valores obtenidos en los apartados anteriores en dicha ecuación: V V tR V tR i(t) = - + [O - - ].e-L = - (1 - e-T)
R
R
R
Nos piden el tiempo que tarda la intensidad que circula por la bobina en llegar al 90 % de su valor final. Por tanto: I V O9 R
=
V tR R (1 - e-·r)
Operando y despejando t se obtiene finalmente:
t EJEMPLO
= 2'3 L
R
5.5
Un circuito RL serie, con R = 500 y L = 10H, se conecta a una batería de V= lOOV en el instante t = O. Se desea determinar: (a) las expresiones en función del tiempo de la tensión en la resistencia VR(t), en la bobina VL(t) y la intensidad que circula por la bobina i(t); (b) la intensidad en la bobina para t = 01 5s y (e) el instante en el que la tensión en la resistencia es igual a la tensión en la bobina. Considérese la bobina inicialmente descargada. (a) Expresiones en función del tiempo
l . Calculamos la intensidad de la bobina justo antes de cerrar el interruptor. Nos dice el enunciado que la bobina inicialmente está descargada, luego t enemos i(O-) = OA.
243
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
2. Calculamos la intensidad que tiene la bobina justo después del cambio.
En las bobinas la intensidad no varía bruscamente, por lo que justo después del cambio se cumple que i(O+) = i(o-) = OA. Teniendo en cuenta que en el momento del cambio la bobina se comporta como un circuito abierto podemos calcular la tensión en la resistencia y la bobina, esto es, VL (o+) ~ lOOV y VR(o+) = OV. 3. Calculamos la intensidad que tendrá la bobina en régimen permanente.
En el régimen permanente la bobina se comporta como un cortocircuito, esto es, UL( oo) = OV . Aplicando la ley de las mallas de Kirchhoff se calcula la intensidad que circula por la malla:
i(oo) =V= 100 =2A R
50
A partir de esta intensidad podemos calcular la tensión en la resistencia aplicando la ley de Ohm: VR(oo) = lOOV 4. Ga(culamos la constante de tiempo.
Si nos situamos en la bobina observamos que la resistencia equivalente es R, luego, la constante será: T
= L = 10 = 0'2 R 50
5. Aplicamos la ecuación {5.5).
i(t) = 2 + [O - 2J.e-5t = 2 [1 - e-5t]
= O + [100 - O] e-5t = 100 e- 5t = 100 + [O - 100] e-5t = 100 [1 - e-5t]
VL(t) VR(t)
(b) La intensidad para t = 0'5 s se calcula sustituyendo ese tiempo en la expresión de la intensidad calculada anteriormente: ... i(0'5s)
= 2 [1 .-
e- 5·0' 5]
= 1'8358A
(e) Para calcular cuando la tensión en la resistencia es igual a la tensión en el condensador igualarnos sus ecuaciones uL(t) = UR(t): 100 e- 5t
de donde despejando se obtiene t
244
= 100 -
= 0'1386s.
100 e- 5t
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
5.5.
Análisis del régimen transitorio de circuitos
En esta sección, y a través de ejemplos, vamos a analizar circuitos sencillos con un único elemento almacenador de energía, o incluso, con varios elementos almacenadores. Para ello, aplicaremos las mismas consideraciones estudiadas en la sección segunda de este capítulo.
EJEMPLO 5.6
Una carga formada por una bobina y una resistencia en paralelo está conectada a una circuito activo mediante un interruptor que permanece cerrado durante un tiempo suficiente como para haber alcanzado el régimen permanente. Si en el instante t=O se abre este interruptor, calcular las e:x:presiones de la intensidad de la bobina y la tensión en los bornes del interruptor.
...
20
20V
t=O
80
60
24mH
Figura 5.16
ANTES DE ABRIR EL INTERRUPTOR
Nos dice el enunciado que el interruptor había estado cerrado un tiempo suficiente como para alcanzar el régimen permanente. Luego, el circuito será el mostrado en la figura 5.17.
20
20V
80
60
24mH
Figura 5.17
245
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
La intensidad en la bobina se obtiene aplicando la ley de las mallas de Kirchhoff. Nótese que por las ramas de las resistencias de 8D y 60 no circula intensidad.
JUSTO DESPUÉS DE ABRIR EL INTERRUPTOR
Sabemos que en las bobinas se conserva la intensidad, luego resulta, ÍL(o+) ~ iL(o-) = IOA. El circuito ahora es el mostrado en la figura 5.18. 20
Uínterruptor
UR::;;S
!
L
8Q
Figura 5.18
La caída de tensión en bornes del interruptor la calculamos aplicando la segunda ley de Kirchhoff en la malla del medio del circuito. Para ello, en primer lugar, debemos calcular la intensidad que circula por la malla de la izquierda:
.
+ _
2izquierda(O ) -
20
(S + 2)
_
-
2A
y la caída de tensión en la resistencia de sn es, VR= 8 = 8,Íizquierda(o+) = l6V. Análogamente con la resistencia de 60, resultando VR=6 = 6,iL(o+) = 60V. Luego} la caída de tensión en bornes del interruptor es:
Ít".interruptor(O+)
= VR=6 + VR=8"' = 60 + 16 = 76V
EN RÉGIMEN PERMANENTE
En régimen permanente las bobinas se comportan como cortocircuitos. El circuito se reduce al mostrado en la figura 5.19 donde se observa que el elemento resistivo consumirá la energía almacenada en la bobina haciendo que en régimen p ermanente la intensidad sea nula, esto es, iL( oo) = OA.
246
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
20
20V
Uinterruptor
60
UR=818Q
Figura 5.19 En cuanto a la tensión en los bornes del interruptor, ahora se cumple:
¼nte'T'ruptor(oo)
= VR=8 =
16
= 16V
A continuación, calculamos la constante de tiempo del circuito:
L
T
= Req =
24 10-3 ,6
= 4,10- 3 seg
Finalmente, las expresiones de la intensidad y .tensión pedidas quedan:
Vinterruptor(t)
= Vinterruptor(oo) + [¼nterruptor(O+)
Vinterruptor(t) EJEMPLO
= 16 + [76 -
16] e- 25ot
- Vinterruptor(oo)]
e-¼
= 16 + 60 e-25ot
5.7
En el circuito de la figura 5.20 la bobina L y el condensador C están inicialmente descargados. En el instante t == O se cierra el interruptor. Calcular la tensión y la intensidad en todos los componentes justo después del cambio y una vez se ha alcanzado el régimen permanente. t =o
__L
R1=30 i1
;3
R3=2ü
V=20
Figura 5.20
247
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
ANTES DE CERRAR EL INTERRUPTOR
Nos dice el enunciado que tanto la bobina como el condensador estaban descargados. Luego i2(0-) = OA y Vc(o-) = OV. JUSTO DESPUÉS DE CERRAR EL INTERRUPTOR
Recordemos que justo después del cambio en las bobinas se mantiene la intensidad y en los condensadores la tensión. Luego, tenemos que i2(0+) = i2(0-) = OA y Vc(o+) = Vc(o-) = ov. Por otro lado, las bobinas se comportan como un circuito abierto más una fuente de intensidad de valor igual a su intensidad inicial y los condensadores como un cortocircuito y una fuente de tensión de valor igual a su t ensión inicial. El circuito se reduce -al mostrado en la figura 5.21. Se obtiene: .
i 1 (o+)
.
20
= 23(0+) = (3 + 2) = 4A
u1(ü+) = R1.i1(ü+) = 3,4 = 12V u2(0+) u3(0+)
= R1.ii(O+) = OV
= R3i3(0+) = 2,4 = 8V
UL(o+) = u3(0+) = 8V R1=30 11
i3
R3=20 V= 20
L
e
Figura 5.21
EN RÉGIMEN PERMANENTE
En régimen permanente las bobinas se comportan como cortocircuitos y los condensadores como circuitos abiertos. El circuito, en este caso, se presenta en la figura 5.22. Se obtiene:
248
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
i1(00)
2 3+5
= i2(00) = (
º ) = 2'5A
= OA UL(oo) = OV i3(00)
u1(00)
= R1i1(00) = 3,2'5 = 7'5V
u2(00) = R2i2(00) = 5,2'5 = 12'5V
= R3i3(00) = 2,0 = OV = u2(00) + uL(oo) = 1215 +O= 12'5V u3(00)
uc(oo)
R1=30 il
i3
R3=20 V:: 20
e
L
Figura 5.22 EJEMPLO
5.8
En el circuito de la figura 5.23 el interruptor se cierra para t = O habiendo estado en esa posición un tiempo suficiente como para haber alcanzado el régimen permanente. Calcular la intensidad que circulará por la resistencia de 3!1 (a) justo después de cerrar el interruptor; (b) cuando se haya alcanzado el régimen permanente. 20
30
lOV
I4mF 2mF
Figura 5.23
249
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Dado que nos dice el enunciado que el interruptor ha permanecido abierto el tiempo suficiente como para haber alcanzado el régimen permanente, significa que ambos condensadores están descargados al existir en el circuito únicamente resistencias.
(a) Justo después de cerrar el interruptor. Sabemos que justo después del cambio, en los condensadores se conserva la tensión, esto es, V4mP(o+) = V4mF(o-) = ov y V2mP(o+) = V2mF(o-) = ov Y se comportan como cortocircuitos. El circuito quedará como indica la figura 5.24 (a) en donde se aprecia que toda la corriente circulará por la rama de los condensadores y por la rama de la resistencia la intensidad será nula, i3n(O+) = OA. 20
_./
20
/-----
. 1 /
/
4mF
10V
2mF
/
,.,,....-~\ \\
;
-~- 1
\i
lOV
30
•
'-
(a)
(b)
Figura 5.24 (b) En régimen permanente.
Sabemos que los condensadores se comportan como circuitos abiertos una vez alcanzado el régimen permanente tal y como se muestra en la figura 5.24 (b). Entonces, la intensidad en la resistencia vendrá dada por:
hn(oo)
5.6.
10
= -- =
2
+3
..
2A
Resumen y Ecuaciones Básicas
Durante este capítulo se ha estudiando qué ocurre cuando se produce un cambio brusco en la configuración de un circuito con elementos almacenadores de energía, como las bobinas o los condensadores, debido a la conexión o desconexión de una fuente o de un interruptor. En esos casos, en el circuito, se produce un periodo
250
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
transitorio caracterizado por la carga o descarga de los elementos almacenadores de energía hasta llegar a una situación de estabilidad que hemos llamado régimen permanente. El análisis de los fenómenos transitorios en los circuitos es complejo 1 siendo .n ecesaria su representación matemática mediante ecuaciones diferenciales. En este capítulo hemos aprendido a resolver, de forma sencilla, ecuaciones diferenciales de primer orden que son las que describen el transitorio en circuitos sencillos. ECUACIONES BÁSICAS
l. Solución general de una ecuación diferencial de primer orden:
f(t) siendo
T
= f(oo) + [f(o+) - f(oo)]
t
e-;:
la constante de tiempo. ·
2. Expresión de la constante de tiempo:
a) Condensadores:
b) Bobinas:
5.7.
T
=
= RequivalenteC
T
L
Requivale nte
Ejercicios de Autoevaluación
1. En el circuito de la figura 5.25 se sitúa el interruptor en la posición 1 en el instante t = O y se pasa a la posición 2 después de 1 milisegundo. Hallar el tiempo para el cual la corriente es cero e invierte su sentido. Solución: 1'26 s. R
l
1
í
L
v,
Figura 5.25
251
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
2. En el circuito de la figura 5.26, el interruptor S estuvo abierto bastante tiempo y en el instante t=O se cierra. ¿ Cuál es la corriente inicial de la batería inmediatamente después de cerrar S y después de alcanzado el régimen permanente? Solución: i(ü+) = 0125A y i( oo) = 0'0625A.
sov
200n
SµF
6000
Figura 5.26 3. En el circuito de la figura 5.27 se cierra el interruptor 81 en el instante t = O. Más tarde, en el instante t = 0'2 s se abre S2y S1 permanece cerrado. Se desea calcular el valor de la intensidad para t = 0'25 s. (Datos: R1 = son, R2 = lün; L = lH, V = lOOV). Solución: 2'0142A. 51
R1
52
R2 V
L
Figura 5.27 4. En el circuito de la figura 5.28 se abre el interruptor en el instante t = O, habiendo estado cerrado un tiempo suficiente como para haber alcanzado el régimen permanente. Determinar la tensiones e intensidades en la bobina y en la resistencia de 20. Solución: uL(t) -2 · e- Jt.
252
5 5t 5t = - 10 · e-2t, u2n(t) = -4 · e-2 , iL(t) = 2 · e-2 , i2n(t) =
CAPÍTULO 5. FENÓMENOS TRANSITORIOS
30
51 iR
2H
SA
Figura 5.28 5. El interruptor de la figura 5.29 se cierra en t = O. Calcular el valor de i1 e i2 en el nuevo régimen permanente. Supóngase que antes de cerrar el interruptor el circuito había alcanzado el régimen permanente. Solución: i1 (oo) = 4'5A, i2(00) = 4'5A.
so i2
100 90V
Figura 5.29
6. En el circuito de la figura 5.30 el interruptor se cierra para t = O. Calcular la expresión de la tensión en el condensador cuando (a) el condensador está inicialmente descargado y (b) cuando el condensador está cargado inicialmente t t con 3V. Solución: (a) u(t) = 5 - 5 · e-s; (b) u(t) = 5 - 2. e-5.
40
20
lOV
lF
Figura 5.30
253
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
7. En el circuito de la figura 5.31 se indican la posición y los valores de las resis~ tencias, baterías (f.e.m. y resistencias internas) y capacidad del condensador. Calcule, en el estado estacionario, la carga y la diferencia de potencial entre las placas del condensador. Solución: Vab = 21 V y Q = 218µC. 24V,10
GµF
20
1'50 b
a
2'50
18V, 0'50
Figura 5.31 \
254
Capítulo 6
Circuitos de Corriente Alterna
80NTEXTO ~n el capítulo dedicado a corriente continua se presentaron los diferentes tipos de ;eñales entre los cuales definimos las señales alternas. Este tipo de señales tiene ~pecial importancia dado que la mayoría de la energía eléctrica utilizada en la 1ctualidad, se produce mediante generadores de corriente alterna que convierten a energía mecánica, por ejemplo del agua que cae, en energía eléctrica. Como limos en el capítulo de campos magnéticos, la ley de Farad.ay especifica como un :lujo magnético variable induce una fuerza electromotriz. Así, cuando se gira una )obina en presencia de un imán se induce una fuerza electromotriz que varía en :orma sinusoidal. Esta fuerza electromotriz produce una corriente alterna. ventaja de la corriente alterna sobre la corriente continua es que puede trans)ortarse a grandes distancias con tensiones rnuy elevadas pero intensidades pequeias lo que reduce la pérdida de energía en forma de calor por efecto Joule. Después ;e adaptará para su consumo a tensiones más bajas e intensidades mayores meliante el uso de transformadores los cuales se basan en la inducción magnética :!Btudiada en la parte primera de la asignatura. ja
~ste capítulo se centra en los conceptos necesaríos para analizar los circuitos de ~orriente alterna. Las técnicas estudiadas para corriente continua también son váidas para corriente alterna, aunque las ecuaciones resultantes quedan mucho más ~omplejas al tener que integrar y derivar. Por ello, cuando se trabaja con circui-
255
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
tos en régimen estacionario sinusoidal, se utiliza una representación con números complejos que simplifica el análisis. En esta asignatura únicamente estudiaremos este tipo de casos.
CONOCIMIENTO PREVIO NECESARIO Para abordar el estudio de este capítulo son necesarios los conocimientos adquiridos en los capítulos pertenecientes a la parte I de la asignatura donde se estudian los conceptos de campo eléctrico, diferencia de potencial, condensadores etc. y los adquiridos en los capítulos de corriente continua y fenómenos transitorios. Además, es necesario el manejo de números complejos y conocimientos matemáticos relativos a la resolución de sistemas de ecuaciones.
ÜBJETIVOS DEL CAPÍTULO Los objetivos del capítulo son: 1. PQ,I"a facilitar el análisis de los circuitos de corriente alterna, en primer lugar, se va a representar la tensión y corriente mediante fasores y, en segundo lugar, se va a introducir el concepto de impedancia y admitancia. \
2. Estudio del comportamiento de los componentes básicos en este tipo circui-
tos. 3. Estudio de la forma de asociarse las impedancias y admitancias en uncircuito con el fin de aprender a simplificar éstos. 4. Análisis de circuitos generales de alterna utilizando los métodos estudiados en el capítulo de corriente continua. 5. Estudio del concepto de potencia.
GuíA
DE ESTUDIO
Lo conveniente es seguir el estudio del capítulo de manera secuencial.
256
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
6.1.
Representación de las señales alternas: fasores
En el capítulo de corriente continua se han introducido las señales alternas como señales de tipo periódico cuyo valor instantáneo y signo varía de forma continua. En el contexto de este libro, la señal alterna será aquella señal periódica de valor medio nulo, de amplitud A, de frecuencia f y que sigue una variación regida por la función seno o coseno. Así, las expresiones de la tensión y de la intensidad podrían ser:
V0 sen(21r f t + 0,,;,) i 0 sen(2nJ t + 0i)
V(t) i(t)
(6.1) (6.2)
donde V0 e i 0 son las amplitudes de la tensión e intensidad respectivamente, f la frecuencia y Bu y 0i la fase inicial de la tensión e intensidad respectivamente. El efecto del desfase de ambas señales se muestra en la figura 6.1.
/-,.y{t} 10 /
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1
\
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.
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T
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\ \ J \ '/ 1
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/_-.
0
,11
\_,./
-15 L==:::±:=::::t:::::=±:::::::=<:==±::::====-L-__J..._--L--____J O 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Figura 6.1: Señales alternas de la tensión e intensidad y sus desfases.
El análisis de este tipo de circuitos con señales de forma senoidal resulta bastante complejo y la solución de las ecuaciones complicada. Por ello, vamos a estudiar una nueva representación que simplifica la resolución de estos circuitos además de ofrecer una interpretación muy intuitiva de los resultados. Esta representación se basa en transformar las señales sinusoidales en vectores giratorios expresados
257
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
mediante magnitudes complejas gracias a la relación entre magnitudes temporales y angulares: t +----+ 0 { T +-+ 360° = 21r radianes siendo T el periodo de la señal alterna y
f su frecuencia.
De esta forma, la señal sinusoidal (6 .1) puede representarse por un vector que gira en un plano con velocidad angular w. Recuérdese que w = 2; = 27f f. Inicialmente el vector forma con el eje de las X (eje real) un ángulo 0u. El sentido de giro lo suponemos contrario a las agujas del reloj. La proyección de este vector sobre el eje Y (eje imaginario) nos da, en un instante cualquiera, el valor de la función senoidal que representa (ver figura 6.2) . 1
Imaginario _..,...,- ·",._
rn • ,7·--- ·-.------------------------------ . .--- ---
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5
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\\
-10
_./ ·
V(t2)
Real
\
.,/
-15.___,~ - ~ ~ -- -·~ ~ - ~~ - ~ ~ O 10 20 30 40 50. 60 70 80 9ú 100
tl
t2
Figura 6 .2: Relación entre magnitudes instantáneas y vectores giratorios Se llama fasor de un a señal sinusoidal Ji (t) = F 1 sen(w t + 01), al vector giratorio con velocidad de giro w r~d, de módulo el valor J;I1áximo de la señal sinusoidal F 1 , y de fase, la fase inicial de dicha señal 01 _ Se puede representar un fasor de diferentes manera1?: • Forma exponencial compleja: F 1 ejwt. • Forma cartesiana: Re
{F\(t)} + Jm {A(t)} j
• Forma polar: F1 LB1 , siendo
258
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
• F1 el módulo del vector tal que F 1
• 01 el desfase tal que 01
=
(Re
{A (t)} )
2
+ (Jm { Pi (t)} )2
Jm{Pi(t)}
= arctan( Re r=* }) F1(t))
81 uso de una u otra forma de representación dependerá de las operaciones que ;e vayan a realizar en cada momento. Si se representan varias señales mediante :a.sores sobre un mismo diagrama se observa que éstos mantienen los desfases entre ~llos de forma independiente del tiempo. ,upogamos ahora dos funciones:
f1(t) = F1 sen(21rf t + B1) f2(t) = F2 sen(21r f t + 02) ~n la figura 6.3 se representan mediante sus vectores giratorios de módulos F 1 y P2 . La función suma de Ji y !2 puede representarse por el vector suma de los 1ectores representativos de cada señal. El módulo del vector suma nos indicará la unplitud de la función suma. El ángulo que forma el vector resultante con el eje K es la fase inicial de la función suma.
Real
Figura 6.3: Suma de vectores giratorios ~n este punto consideramos conveniente recordar algunas de las operaciones que )Ociemos realizar con números complejos: 1. · Suma y Resta
Cuando realizamos una operación de suma o de resta con números complejos la representación más conveniente es su forma cartesiana. Así, la suma o resta serían:
Pi+ A=(Re {A}+ lm {Pi} j) ±(Re{~}+ Im {~} j) 259
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
= (Re fPi} ±Re{~})+ (Im {Pi}± lm {~} )j 2. Producto y Cociente
Cuando realizamos una operación de producto o de cociente con números · complejos la representación más conveniente es su forma polar. Así, el producto y cociente serían:
En resumen, se ha visto como, con los fasores, vamos a poder representar las relaciones de fase entre la corriente y la tensión a través de resistencias, inductores o condensadores.
6.2.
,C oncepto de Impedancia y Admitancia
El concepto de impedancia surgió para evitar la resolución de ecuaciones diferenciales cuando queremos resolver un circuito de corriente alterna con resistencias, condensadores y bobinas, con todos sus componentes lineales. Cuando todos los. generadores de voltaje y de corriente tienen la misma frecuencia constante y sus amplitudes son constantes, las soluciones en estado estacionario ( esto es, cuando todos los fenómenos transitorios han desaparecido) son sinusoidales y todos los voltajes y corrientes tienen la misma frecuencia que los generadores y amplitud constante. La fase será la que se vea afectada por el tipo de componente. Se define la impedancia Z como la medida de la oposición que presenta un elemento de un circuito al paso de la corriente I cuando se aplica un voltaje V:
Z=V I Podemos decir que la impedancia extiende el concepto de resistencia a los circuitos de corriente alterna pudiendo aplicar la ley de Ohm a este tipo de circuitos. Su diferencia está en que la impedancia será un número complejo mientras que la resistencia es un número real. Por ello, en los circuitos de corriente continua, no existen diferencias entre resistencia e impedancia.
260
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
;a parte real de la impedancia es la resistencia R y su parte imaginaria es la ·eactancia X:
Z=R+Xj ~n la figura 6.4 se muestra el símbolo comúnmente empleado en los circuitos para
epresentar a las impedancias. Observe que se usa el mismo símbolo utilizado en Jgunas ocasiones para designar a las resistencia, tal y como vimos en el capíulo de corriente continua. Lógicamente, una resistencia es un caso particular de rnpedancia en la que sólo existe parte real.
--CJ--Figura 6.4: Símbolo utilizado para representar las impedancias
~n resumen, la impedancia nos permite calcular las tensiones e intensidades en ircuitos que contienen elementos resistivos, inductivos o capacitivos de manera imilar al cálculo de éstas en circuitos resistivos en corriente continua. Para ello, s necesario que se cumpla: • Todos los componentes son lineales, es decir, componentes o circuitos en los cuales la amplitud (o el valor eficaz) de la corriente es estrictamente proporcional a la tensión aplicada. • Se ha alcanzado el régimen permanente con corriente alterna sinusoidal, es decir, todos los fenómenos transitorios que ocurren al principio de la conexión han desaparecido completamente. • Todos los generadores de tensión y de corriente son sinusoidales y de la misma frecuencia. 1a admitancia es la facilidad que ofrece un circuito al paso de la corriente. Viene .ada por la inversa de la impedancia:
Y=~
z
)e manera análoga a la impedancia, la admitancia es un número complejo, su arte real G se llama conductancia y su parte imaginaria B se llama suscepancia.
1
261
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
6.3.
Comportamiento de los componentes
El primer paso en el estudio de los circuitos de corriente alterna es analizar el comportamiento de los elementos básicos de los circuitos cuando se conectan a una fuente de corriente alterna. Para ello, calcularemos la corriente que pasa a través de cada elemento y la compararemos con su voltaje cuando se conectan a una fuente de alterna, determinando de este modo su impedancia.
6.3.1.
Resistencias
Supongamos el circuito de la figura 6.5 (a) siendo~= Vmaxsen(wt) y en donde se ha conectado a la fuente de corriente alterna una resistencia R en serie. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia tenemos que la intensidad que circula por ella es: VR
Vmaxsen(wt)
R
R
IR=-=-----
\
R
/
10
'·
5 /
o
+
',
\ ;
-5
'\ '¡
\., / /
i
-10
\ , _/I
\
-,s~~--~-~-~~-~-~~-~ O
(a)
~
~
00
M
100
1~
1~
100
1M
B
(b)
Figura 6.5: (a) Generador de alterna conectado en serie con una resistencia. (b) Voltaje representado en rojo y corriente a través de la resistencia en azul
La impedancia quedará:
Vemos que la corriente que pasa por la resistencia y la caída de tensión están en fase tal y como se aprecia en la figura 6.5 (b) en donde se ha considerado Vmax = 12V , w = O'ls y R = 2D.
262
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
n resumen, las resistencias no introducen ningún desfase entre la intensidad que rcula por ellas y la tensión entre sus bornes .
.3.2.
Condensadores
hora vamos a conectar a la fuente electromotriz de alterna un condensador en :rie tal y como se muestra en la figura 6.6 (a).
10
i
5
i
o
+
e
-5 -lO
- 15 '-----'-----'------''------'----'--------1,----'---'-------'----'
O
~
~
00
(a)
100
~
1~
1~
1W
100
~
(b)
igura 6.6: (a) Generador de alterna conectado en serie con un condensador. (b) Voltaje presentado en rojo y corriente a través del condensador en azul
a caída de voltaje a través del condensador debe ser igual a la fuerza electromotriz ~l generador:
Ve
= Vmax sen(wt)
or otro lado, si Q es la carga de la placa con carga positiva del condensador y · su capacidad, y t eniendo en cuenta la relación entre ellas, Ve = ~, resulta:
Q ~
= Ve C = Vmax C sen(wt)
(6.3)
donde podemos calcular la corriente:
Ie
dQ
= dt = wC Vmax cos(wt)
ara expresar tanto el voltaje como la corriente en función del seno podemos ;ilizar la expresión trigonométrica coswt = sen [wt +~],con lo que:
I = w C Vmax sen
[wt + ;J
(6.4)
263
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORtvIÁTICA
Por tanto, hemos visto que la caída de tensión en un condensador está en fase con la carga tal y como muestra la ecuación (6.3), sin embargo, la intensidad de corriente está desfasada respecto a la caída de tensión tal y como se aprecia en la ecuación (6.4). En la figura 6.6 (b) se muestra la corriente y la tensión en donde se ha considerado Vmax = 12V, w = O'Is C = 5F. Nótese que cuando el tiempo es cero, el voltaje a través del condensador es cero, pero la corriente en el circuito es máxima. Por tanto, la fase de la corriente tiene una diferencia de ; radianes respecto a la fase del voltaje, esto es, la corriente está adelantada al voltaje en una fase de ; radianes o lo que es lo mismo, la tensión está retrasada ; radianes. La impedancia para este componente vendrá dada por: Zc
=
Ve
=
Ic
Vmax sen(wt) wC Vmax sen [wt +
. t
1 eJW l ·(-'.!!: ) ----=-:-=-e? 2 wC e7(wt+~) wC
;J
luego la impedancia del condensador será: Zc
donde al término Xc = ha expresado en grados.
w~
=
-1
-j wC
1
= -L-90° wC
se denomina reactancia capacitiva y el desfase se
En resumen, la intensidad que circula por los condensadores está adelantada 90° respecto a la tensión existente entre sus bordes.
6.3.3.
Bobinas
Finalmente, vamos a conectar la fuente electromotriz de alterna en serie con una bobina tal y como se presenta en la figura 6.7 (a). Cuando la corriente crece en el inductor, debido a la variación del flujo magnético, se crea en éste una caída de potencial dada por: " 11¡
L
= L dl dt
siendo L el coeficiente de autoinducción de la bobina y en donde se ha considerado despreciable la caída de potencial debida a la resisten cia interna de la bobina. Evidentemente, esta caída de potencial tiene que ser igual a la de la fuente, es decir~ VL
264
=
Vmaxsen(wt)
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
De ambas ecuaciones obtenemos:
L df dtL
= Vmax sen ( wt)
= Vmax L sen ( wt) dt
:=;,- d]L
de donde integrando se obtiene el valor de la corriente que circula por la bobina:
IL = Vmax L
¡ ()
sen wt dt
max = - VwL cos ( wt) + Cte
siendo Cte la constante de integración que es la componente de corriente continua de la corriente. Escogiendo la componente de la corriente continua a cero y utilizando las expresiones trigonométricas -coswt = cos(wt - 1r) y cos(wt - 1r) = sen [wt - 1r + ;] = sen [wt - ;], resulta:
IL
=-
Vmax
w
L cos ( wt)
= Vmax L sen ( wt - -7f) w 2
(6.5)
Vemos como la intensidad de corriente está desfasada ~ radianes respecto al voltaje tal y como se aprecia en la ecuación (6.5). En la figura 6.7 (b) se muestra la corriente y la tensión en donde se ha considerado Vma.-.c = 12V, w = O'Is L = 20H. Se observa como el valor máximo del voltaje se produce pasado un cuarto de periodo y en ese momento la intensidad presenta un valor de cero, es decir, en este caso la tensión está adelantada radianes respecto a la corriente o lo que es lo mismo, la corriente está retrasada ~ radianes respecto a la tensión_
i
15 r - --
---,.-- - -~
- -~
-
-
--,
-5
~
i
L
1
-10
-15
o
(a)
¡
¡'
\
..._....
50
i
\
!
i
\ ..
100
150
200
(b)
Figura 6.7: (a) Generador de alterna conectado en serie con una bobina. (b) Voltaje representado en rojo y corriente a través de la bobina en azul
265
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
La impedancia para este componente vendrá dada por: VL Vmax sen(wt) - --------L - IL - v;Lx sen(wt - ~)
Z -
ejwt
=
wL - - - ej(wt+-f)
·(1f)
= wL e1
2
luego la impedancia de la bobina será: ZL = wLj = wLL90°
donde al término XL= wL se le denomina reactancia inductiva y el desfase se ha expresado en grados. En resumen, la intensidad que circula por las bobinas está retrasada 90° respecto a la tensión existente entre sus bordes.
6.4.
Asociaciones de impedancias y admitancias
Una vez que han sido caracterizados los componentes de un circuito cuando trabajamos ~n alterna, vamos a estudiar la asociación de éstos y como se calcula el valor de dicha asociación.
6.4.1.
Asociación serie
Cuando n impedancias se conectan en serie la intensidad que circula por ellas es idéntica. Los voltajes en los bornes de cada impedancia son:
El voltaje total aplicado será:
Es decir, la impedancia equivalente vi.ene dada por la suma de las n impedancias en sene:
Téngase en cuenta que la impedancia es un número complejo por lo que, para realizar esta suma, debemos sumar las partes reales por un lado y, por otro, las partes imaginarias.
266
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
A partir de la relación entre impedancia y admitancia podemos poner que, en asociaciones en serie 1 la admitancia vendrá dada por:
1
1
1
1
-=-+-+ ... +y Y1 ½ Yn Vamos a hacer un pequeño análisis de las asociaciones serie más sencillas: l. CIRCUITO RL SERIE
La relación entre tensión y corriente suministrada por la fuente viene dada por la impedancia equivalente serie, esto es:
en donde la impedancia tiene fase positiva dado que la reactancia inductiva XL = wL, es positiva, con lo que la tensión adelanta a la corriente una cantidad 0 comprendida entre 0° y 90°. 2. CIRCUITO RC SERIE
La relación entre tensión y corriente suministrada por la fuente viene dada por la impedancia equivalente serie, esto es:
Z= R+Xcj = JR2 +XbL-0 en donde la impedancia tiene fase negativa dado que la reactancia capacitiva Xc = - w~' es negativa, con lo que la intensidad adelanta a la tensión una cantidad 0 comprendida entre 0° y 90°.
3.
CIRCUITO
RLC
SERIE
La relación entre tensión y corriente suministrada por la fuente viene dada por la impedancia equivalente serie, esto es:
en donde la reactancia viene dada por; 1
X =XL +Xc = wL- wC Ahora el desfase entre tensión y corriente puede ser positivo o negativo dep endiendo de los valores de XL y Xc. Si XL > Xc, el desfase 0 será
267
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
positivo y la asociación se comportará como una carga inductiva, si Xc > XL, el desfase 0 será negativo y la asociación se comportará como una carga capacitiva y si IXLI = IXcl, el desfase 0 será nulo y la asociación se comportará como una resistencia. En este último caso, cuando la reactancia inductiva es igual a la capacitiva la reactancia total es cero con lo que la impedancia tiene únicamente componente resistiva haciendo que la intensidad que circula por el circuito sea máxima y que la tensión esté en fase con la corriente. El valor de w que hace iguales XL y X e se calcula igualando los módulos de estas reactancias y despejando el valor de w: 1 w=-(6.6)
VW
de donde se obtiene el valor de la frecuencia:
f =
1 21rvLC
(6.7)
a este valor de la frecuencia se le llama frecuencia natural y se dice que el circuito está en resonancia. Por ello a la frecuencia natural también se le llama frecuencia de resonancia del circuito RLC. Comentar que este tipo de circuitos se utiliza en el diseño de filtros. Los filtros se emplean para alisar o eliminar señales que cambian en el tiempo. Por ejemplo, las radios funcionan con un voltaje de corriente alterna a una frecuencia de 60Hz el cual se convierte en corriente continua con un circui t.o rectificador (que introduciremos en el capítulo de dispositivos electrónicos) . Sin embargo, después de la rectificación la corriente aún tiene una pequeña componente de corriente alterna la cual debe ser filtrada. El siguiente ejemplo se trata de un circuito serie RO actuando como filtro "paso-bajo", es decir, deja pasar las bajas frecuencias. EJEMPLO
6.1
Se dispone de una resistencia y un condensador en serie con un generador de corriente alterna de tensión V = VmaxCOSWt. Se desea determinar la tensión eficaz de salida o tensión en el condensador en función del valor w. Sabemos por la ley de Ohm que el voltaje eficaz a través del condensador viene dado por el producto de la corriente eficaz por la reactancia capacitiva. La intensidad suministrada por el generador la calculamos a partir del valor del. voltaje y
268
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
de la impedancia equivalente del circuito: ¼Jicaz !eficaz=
donde ½Jicaz = v2Vmax y Z intensidad será:
= R + Xo j,
¡z¡
siendo Xc
=-
w~·
El módulo de la
El módulo de la tensión en el condensador vendrá dada por: Vs
= Ve = IejícazXc = -v'2VmaxXc =
jR2+Xb
v2Vmax
J1+~
=
../2Vmax y'l+(wRC) 2
Nótese como el voltaje de salida es igual al voltaje aplicado cuando w --t O, sin embargo, se aproxima a cero cuando w---+ oo.
6.4.2.
Asociación paralelo
Cuando las impedancias se conectan en paralelo el voltaje aplicado a todas es el mismo, con lo que la corriente que circula por la impedancia Zi será Ji= y la total que suministra la fuente:
1
ie donde se obtiene:
1
1
1
1
-= ... +z -+-+ Z1 Z2 Zn
(6.8)
Vemos como la inversa de la impedancia total es igual a la suma de las inversas :le las impedancias conectadas en paralelo. 8n los circuitos con los componentes dispuestos en paralelo puede resultar conve... rl iente el uso de la admitancia. En ese caso la ecuación (6.8) se reduce:
Y = Y1+½ + ... +Yn
(6.9)
~s decir, la admitancia equivalente es igual a la suma de las admitancias dispuestas :m paralelo.
269
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Realizaremos un análisis de la asociación RLC paralelo. Como cualquier asociación en paralelo, la tensión es la misma para los tres componentes pero la corriente que suministra el generador se divide en tres corrientes} la corriente que pasa a través de la resistencia JR , la corriente que pasa por el condensador Ic y la corriente que pasa por la bobina ÍL . La corriente en la resis-::--t, tencia está en fase con la tensión y su fasor es IR, de módulo vjtx. La corriente -=-+ en el inductor está retrasada 90° respecto a la tensión y su fasor es IL, de módulo V~ax . La corriente en el condensador está adelantada 90° a la tensión y su fasor ~
es I e, de módulo la figura 6.8.
v~~x . Estas corrientes se han representado mediante fasores en -+
IC
-+ 1
(e~
¡,.:./_. .'). .º.~ IR -+
IL
Figura 6.8: Diagrama de fasores de las corrientes de un circuito RLC paralelo
Como se muestra en dicha figura, la corriente total es la suma vectorial de estas tres corrientes y su módulo viene dado por:
estando relacionada con la impedancia Z por J
= v~ª~ .
En las resonancias, las corrientes en la bobina y en el condensador están desfasadas 180° de manera que la corriente total es mínima y es igual a la corriente que atraviesa la resistencia. Esto se produce cuando Z es máxima y por tanto, cuando sea mínima que ocurre, según podemos deducir de las ecuaciones anteriores1 cuando IXcl = IXLI· En consecuencia, se puede obtener la frecuencia de resonancia igualando la magnitud de las reactancias capacitiva e inductiva obteniendo un valor para w: 1 w=
i
.¡re
270
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
~JEMPLO
6.2
e desea calcular el desfase entre tensión y corriente del circuito R-C ~rie mostrado en la figura 6.9 y la intensidad máxima. (Datos: R = 50D, = 2µF, ~ = 50 senl04 t).
1
R
e
Figura 6.9 ara calcular el desfase y la intensidad es necesario calcular la impedancia equiva:nte. En el circuito encontramos dos componentes en serie, una resistencia cuya npedancia es Z R = 50fl y un condensador cuya impedancia es Zc = - w~ j = - 104 _2\ 0 _ 6 j = - 50 j. La impedancia equivalente del circuito serie resulta:
=
Z
ZR + Zc
= 50 - 50j = 50V21--45° n
uego, el desfase entre tensión y corriente es de 45°. Para calcular la intensidad ?licamos la ley de Ohm:
1
- Vmax
max -
;JEMPLO
Z.
6.3
e desea calcular el desfase entre tensión y corriente en el circuito ~-L serie mostrado en la figura 6.10. (Datos: R = 300!2, L = 40mH, = 50 senl04 t). R
+
L
Figura 6.10
271
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Para calcular el desfase es necesario calcular la impedancia equivalente. En el circuito encontramos dos componentes en serie, una resistencia cuya impedancia es ZR = 3000 y una bobina cuya impedancia es ZL = wL j = 104 · 40 · 10-3 j = 400 j O. La impedancia equivalente del circuito serie resulta:
z = zR + Zc = 300 + 400j = 500L53'15º o Luego, el desfase entre tensión y corriente es de 53'15º . Para calcular la intensidad aplicamos la ley de Ohm: l
EJEMPLO
_
5üLOº 5Ü0L53'15°
Vmax
max -
Z
= 0'1 -53'15° A L
6.4
Se desea calcular el desfase entre tensión y corriente en el circuito R-LC serie mostrado en la figura 6.11. (Datos: R = 100, L = 2mH, C = lOµF ( = 50sen104t).
+
e
Figura 6.11 Para calcular el desfase es necesario calcular la impedancia equivalent e. En el circuito encontramos tres componentes en serie, una resistencia cuya impedancia es ZR = 100, una bobina cuya impedancia es ZL = wL j = 104 · 2 -10- 3 j = 20 j n y un condensador cuya impedancia es Zc = - w1c j = - 104 _1 10_ 6 j = -10 j. La impedancia equivalente del circuito serie resulta:
5.
z = zR + Zc = 10 + 29 j
- 10 j
= 10 + 10 j = 10v2L45 o
Luego, el desfase entre tensión y corriente es de 45°. Para calcular la intensidad aplicamos la ley de Ohm:
_ 1max-
272
Vmax
Z
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
,.5.
Análisis de circuitos de corriente alterna
rna vez que hemos estudiado la forma de representar los distintos componentes 1ediante impedancias, la técnica para resolver los circuitos de corriente alterna,no ifiere de la metodología estudiada para los circuitos de corriente continua, esto ,, vamos a poder simplificar los circuitos mediante la asociación de impedancias aplicar las leyes de Kirchhoff para resolverlos . . continuación desarrollaremos una serie de ejemplos para aprender a calcular la npedancia equivalente y calcular las intensidades y tensiones en cualquier rama e un circuito.
\JEMPLO
6.5
:n el circuito de la figura 6.12, el valor eficaz de la f.e.m. del generador leal de corriente alterna es lOOV. Se desea calcular: (1) La impedancia quivalente del circuito; (2) Intensidades de cada rama y total; (3) :aída de tensión en cada elemento del circuito. (Datos: R1 = 3D, R 2 = íl, ZL = 2jD., Zc = -4jD). l) Llamando Z 1 y Z2 a las impedancias de la rama de arriba y la del medio, ~spectivamente, la impedancia equivalente del circuito es el paralelo de estas os, luego vendrá dada por:
donde Z1 4L-38'67º.
1 0
= ZR1 + ZL = 3 + 2j =
3'6L33'7º y Z2
Rl
L
R2
e
=
ZR2
+ Zc = 5 -
4j
=
Figura 6.12
273
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFOR..t\.lIÁTICA
(2) Calculamos los valores eficaces de las intensidades de cada rama aplicando la ley de Ohm:
I = l
J.2
=
lÜÜLܺ
3'6L33'7º
= 27'77
-33'7º A L
lÜÜLܺ
614L-38167º
= 15'62L38'67°A
Y el valor eficaz de la intensidad total suministrada por el generador es: I
=
lÜÜLܺ
2'79L91Q7°
= 35'84
-9107° A
L
Se recomienda al alumno que compruebe que J corresponde a la suma vectorial de 11 e 12. (3) Las caídas de tensión en cada uno de los componentes son:
Ve= 4L-90º · 15'62L38'67° = 62'48L- 51'33°V \
VL VR1
= 2L90° · 27'77L-33'7° = 55'54L56'3ºV = 3L0° · 27'77L-33'7º = 83'31L- 33'7ºV
VR2
EJEMPLO
= 5L0° · 15'62L38'67° = 78 1L38'67°V 1
6.6
Se desea calcular la corriente, módulo y fase que suministra el generador del circuito de la figura 6.13 cuyo valor máximo es de lOV. (Datos:R1 = 2D, R2 = 2n, Zc1 = -2Jn, Zc2 = -4jD, Zc3 = -4j0, ZL = 4j!l). Rl
L
C1
+ R2
Figura 6.13
274
C2
(3
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
Comenzamos calculando la impedancia equivalente del circuito. Vemos que C 2 y C3 están en paralelo, con lo que:
z C2-C3 -_ zZc2 ·+z Zc3 __ 2 ·n - J C2 · C3 El circuito resultante se muestra en la figura 6.14 (a). Ahora vemos que la bobina está en serie con Zc2-c3, luego:
Z LR1
C2- C3
= 4j -
2j
=
2jf2
L
C1
Rl
+
C1
+
R2
Za-o
R2
(a)
Rl
ZL-C2-C3
(b)
C1
+
+
z
ZR2-l-C2-0
(e)
(d)
Figura 6.14 El circuito se muestra en la figura 6.14 (b). Vemos que paralelo: ZL-C2-C3 · ZR2
ZR2-L-C2-C3
=z
z L-C2-C3 · + R2
ZL-C2-C3
y R2 están en
2j · 2 2+2j
Finalmente, la impedancia equivalente Z de la figura 6.14 (d) se obtiene como la serie de las impedancias mostradas en la figura 6.14· (e):
z = ZR1 + Zc1 + Zm-L- C2 - C3 = 3 -
j
= VWL-18'44° n 275
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Aplicando la ley de Ohm calculamos la corriente:
Imax
EJEMPLO
=
Vrn..ax
Z
6.7
En el circuito de la figura 6.15, se desea calcular la intensidad de corriente en cada rama así como la tensión en cada uno de sus componentes cuando el generador suministra una tensión de valor eficaz 80V. (Datos:Rl = 60, R2 = 40, R3 = 40, ZL1 = 14j0, ZL2 = 12j0, Zc1 = -2j0). Rl
R2
+
R3 ll L2
C1
Figura 6.15 Comenzamos calculando la impedancia equivalente del circuito. Vemos que L2 y R3 están serie, con lo que: zR3- L2
= zL2 + zR3 = 12j + 4 n = 16' 49L 76º0
y que R2, L1 y C1 también están en serie, luegp: zR2- L1-c1
= 4 + 14J - 2J = 4 -
12J n = 16'49L-76º0
Las impedancias calculadas anteriormente están en paralelo según se muestra en la figura 6.16 resultando: ZR3- L2 · ZR2-LI- Cl
Zparalelo= Z
276
R3-L2 · +zR2-Ll-Cl
16149L76º · 16 49L- 76º 1
12j + 4 + 4 - 12j
= 34[2
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
R1
LJl3-L2
ZR2-L1-Cl
Figura 6.16
Finalmente, nos encontramos que esta última está en serie con R1, quedando Z = 6 + 34 = 400. A partir de ésta es fácil calcular el valor eficaz de la intensidad que sunlinistra la fuente: Vejicaz 80 !eficaz= - - - = =
Z
40
2A
A continuación, vamos a calcular la intensidad de corriente de cada rama y las caídas de tensión en cada uno de los componentes: VR1 VR2-Ll-Cl
=
I R2-Ll-Cl
=
ZR1 · !e f icaz = 6 · 2
½ficaz - VR1
_
-
= 80 -
12
=
12V
= 68t_OºV = VR3-L2
VR2-Ll-Cl
z
R2-Ll-Cl
= ZR2 · ÍR2-Ll-Cl = 4L0° · 4'12L76° = 16'49L76°V 1 VL1 = ZL1 · IR2-Ll-Cl = 14L90° · 4 12L76° = 57'73Ll66,V Vc1 = Zc1 · IR2-L1-c 1 = 2L-90º · 4'12L76º = 8'24L-14°V VR2
I
3 2 R -L
=
VL2 - R3 ZL2-R3
68L0º 16'49L76°
= 4'12 - 76ºA L
= 4L0° · 4'12L-76° = 16'49L-76°V VL2 = ZL2 · IR3- L2 = 12L90° · 4'12L 76° = 49' 45L166V
VR3
EJEMPLO
=
ZR3 · Im-L2
6.8
Calcular el equivalente Thevenin del circuito de la figura 6.17 cuando el generador de alterna suministra una tensión máxima igual a V = 10L0º (Datos:R1 = 2.0, R2 = 2D, Z L1 = 5jD y ZL2 = 3jf!).
277
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
ll
R1
A
R2
+ (1
L2 B
Figura 6.17 l. Cálculo del valor de la fuente.
Calculamos la tensión entre los terminales A y B a circuito abierto. Se observa como en ese caso, existe una única malla con una impedancia de: Zabierto
=
ZR1
+ ZR2 + ZL2 = 2 + 2 + 3j = 4 + 3jD =
5 DL36'88º
La intensidad máxima que circula por la malla se calcula aplicando la ley de Ohm sobre la impedancia anterior:
_ Vmax 1maxZabierto
La tensión entre los terminales A y B será: VAB
= VR2 + VL2 = 2L0° · 2L-36'88º + 3L90° · 2L -
VAB == 3'2 - 2'4j + t6 + 4'8j
36'88º
= 61 8 + 316j = 7169 VL27'91°
2. Cálculo de la impedancia equivalente.
Anulamos las fuentes independientes y alimentamos el circuito con una fuente externa conectada entre los terminales A y B tal y como se muestra en la figura 6.18 (a). En primer lugar tenemos dos impedancias en serie, R2 y L2:
.
Z R2- L2
= 2 + 3j = 316 f!L56'33º
Seguidamente encontramos dos impedancias en paralelo, R1 y Zn2- L2: 1
1
1
1
1
- - -- - = - - + - - - = - + - -ZR1-R2-L2 ZR1 Z R2-L2 2 2 + 3j 278
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
operando se obtiene: ZR1-R2-L2
=
1'36 + O' 48j
= 1'44 ÜL19' 45°
Finalmente, se tiene dos impedancias en serie, ZThevenin
ZR1-R2-L2
y
ZL1:
= 1'36 + O' 48j + 5j = 1136 + 5148j
En la figura 6.18 (b) se muestra el equivalente Thevenin entre los terminales A y B. ll
Rl
A
R2
+ 7'69 j27'91 °
L2 .....__ _ __...__ _ _ __, B
(a)
.....__ _ _ B (b)
Figura 6.18
EJEMPLO
6.9
Calcular el equivalente Norton del circuito de la figura 6.19 cuando el generador de alterna suministra una tensión máxima igual a V = 10L0º (Datos:R1 = 4f2, R2 = sn, R3 = 2n, Zc1 = -4jfl,6 = 50L0°y ~2 = 30L60º).
A
~1
. . ._____________ ª Figura 6.19
279
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
l. Cálculo del valor de la fuente.
Cortocircuitamos entre los terminales A y B, resultando el circuito mostrado en la figura 6.20 (a). Calculamos la intensidad que circula por cada malla aplicando la ley de mallas de Kirchhoff. Se supone para ambas intensidades de malla el sentido horario. El sistema de ecuaciones resultante es:
-6 =
(ZR1 +ZR2 + Zc1)Ii -ZmI2
6-
= -ZR2 Ji + (Z R2 + Z R3) 12
~2
Resolvemos el sistema aplicando Cramer de donde ·s e obtiene el valor de la intensidad 12: ZR1
12 =
+ ZR2 + Zc1
-~1
6 -<;°2
-ZR2
- - - - = - - - - - - --
ZR1
+ ZR2 + Zc1 -ZR2
----
-ZR2 Zm+ZR3
= 1'42 -
0'15j A
Luego la intensidad suministrada por la fuente del equivalente N orton tiene el mismo valor que f 2 y además es entrante al terminal A.
R3
A
A
R2
.___ _ _.....__ _ _ _ _ ___, B
__________ B
(b)
(a)
Figura 6.20-« l. Cálculo de la impedancia equivalente.
Anulamos las fuentes independientes y alimentamos el circuito con una fuente externa conectada entre los terminales A y B tal y como se muestra en la figura 6.20 (b). Cáfoulamos la impedancia equivalente del circuito en ese caso: Znorton = 5'2 -1'6j O= 5'44DL- 17'1º
280
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
En la figura 6.21 se muestra el equivalente Norton resultante. Observe que la dirección de la intensidad de la fuente está dirigida hacia el terminal A.
A
l
1'43 V -6'23°
5'44
o 1-17'1 o
-------B Figura 6.21
6.6.
Potencia
En muchos dispositivos eléctricos uno de los parámetros más interesantes es la potencia. Ya hemos estudiamos que la potencia en cada instante es el producto del voltaje por la corriente que atraviesa al dispositivo. En los circuitos de corriente alterna, la potencia instantánea Pi, para una impedancia Z = R + Xj, viene dada por: (6.10) ~ = VI = Vmaxsenwt Imaxsen(wt + 0) siendo la tensión instantánea V = Vmaxsenwt , la intensidad instantánea J = Imaxsen(wt + 0) y el desfase entre ellas 0 el cual será positivo o negativo según el carácter inductivo o capacitivo, respectivamente, del· circuito. La potencia puede tomar valores positivos o negativos, según el instante o el intervalo de tiempo que se considere. Una potencia positiva significa una transferencia de energía de la fuente al circuito, mientras que una potencia negativa corresponde a una transferencia de energía del circuito a la fuente. Analicemos la ecuación (6.10). Considerando la expresión trigonométrica sena. senf3 = ½[cos( a. - /3) - cos( a.+ f3)] y cos - a = cosa, resulta:
1
2Vmaxlmax [cos0 - cos(2wt + 0)] = wt y /3 = wt + 0. Vemos que la potencia instant ánea
P =
donde se ha tomado a consta de dos términos. El término -½Vmaxlmaxcos(2wt+0) tiene un valor medio igual a cero. Este término representa la potencia fluctuante y es la energía por unidad de tiempo que se intercambia entre los elementos inductivos y capacitivos que componen el dispositivo. El otro término es un valor constante dado por: (6.11)
281
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
o bien expresado en función de los valores eficaces de la tensión y de la intensidad:
P
= ½JicazlejícazCOS0
(6. 12)
Las ecuaciones (6.11) o (6.12) representan la potencia activa en función de los valores máximos o eficaces, respectivamente y es la potencia suministrada al dispositivo. Su unidad es el vatio. Esta potencia puede ser disipada en los elementos resistivos o puede ser transformada en energía mecánica como ocurre, por ejemplo, en un motor eléctrico. Es la potencia capaz de transformar la energía eléctrica en trabajo. Los diferentes dispositivos eléctricos existentes convierten la energía eléctrica en otras formas de energía tales como: mecánica, lumínica, térmica, química, etc. Esta potencia es, por lo tanto, la realmente consumida por los circuitos y, en consecuencia, cuando se habla de demanda eléctrica, es esta potencia la que ·se utiliza para determinar dicha demanda. Al factor cos0 se le conoce como factor de potencia y depende del desfase entre tensión y corriente provocado por la resistencia y reactancia del dispositivo al que se suministra energía. Este factor de potencia es tanto menor cuanto mayor sea 0 ya .,q ue 0 = arctg ~ . Esto quiere decir que el factor de potencia es menor cuando predomina la reactancia frente a la resistencia del circuito. Debido a que las instalaciones se calculan en función de la potencia máxima que debe suministrarse al dispositivo, interesa que la potencia activa sea máxima lo que supone que el factor de potencia tome un valor próximo a la unidad. El término dado por: (6.13)
se conoce con el nombre de potencia reactiva y su unidad es el voltiamperio reactivo (Var). La potencia reactiva no es una potencia realmente consumida en el circuito, ya que no produce trabajo útil debido a que su valor medio es nulo. Aparece en los circuitos en los que existen bobinas o condensadores. Es común decir que cuando es positivo el receptor absorbe potencia reactiva 1 y cuando es negativo entrega o suministra potencia reactiva. Pero solo es una forma de hablar. De nuevo se debe insistir en que eso no significa que el receptor absorba ni entregue nada, sino sólo que el número que da ia potencia reactiva es positivo o es negativo. Analicemos la potencia instantánea cuando disponemos en el circuito de los tres componentes elementales. Consideremos el caso ideal en que el circuito contenga, únicamente, un elemento inductivo al que se le aplica una tensión senoidal de la forma V = Vmaxsenwt.
282
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
= Imaxsen(wt- ;). El valor
Sabemos que la corriente que circula es de la forma J de la potencia instantánea será:
= -coswt y que 2senwt coswt =
Como por trigonometría sabemos que, sen(wt- ~) sen2wt, podemos escribir:
En la figura 6.22 se representa las señales de tensión de color azul, corriente de color rojo y potencia instantánea de color verde, en función del tiempo. Se observa que cuando la tensión y la corriente son ambas positivas o negativas, la potencia es positiva, por lo que existirá una transferencia de energía de la fuente al inductor. Cuando el signo de la tensión e intensidad es contrario, la potencia es negativa y el inductor devuelve a la fuente la energía que le había suministrado. Vemos que la potencia tiene una frecuencia doble que la correspondiente a la t ensión o corriente. Además, el valor medio de la potencia en un ciclo o periodo completo es cero, es decir, la potencia activa es nula. Sin embargo, la potencia reactiva no es nula, se dedica a crear un campo magnético alterno en la bobina de manera que cuando la corriente va de cero amperios a un valor máximo, la fuente entrega energía al inductor y cuando va de su valor máximo a cero amperios, es el inductor el que entrega energía. : i, 1'
. ':P i ?
¡''',
':
i\ ·,
'
;
1
\
\\ i
¡[
l
', } 1
\ ; '
Figura 6.22: Señales de tensión (azul), corriente (rojo) y potencia instantánea (verde) en función del tiempo en un circuito con un generador y un elemento inductivo
283
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Consideremos el caso ideal en que el circuito contenga, únicamente, un elemento capacitivo al que se le aplica una tensión senoidal de la forma V= Vmaxsenwt. Sabemos que la corriente que circula es de la forma J = Imaxsen(wt+ ~). El valor de la potencia instantánea será:
Pi
1í
= VI = Vmaxsenwt lmaxsen(wt + 2 )
Como por trigonometría sabemos que, sen(wt + ~) sen2wt, podemos escribir: 1 Pi= Vmaxlmaxsen2wt 2
= coswt
y 2senwt coswt
=
En la figura 6.23 se representa las señales de tensión de color azul, corriente de color rojo y potencia de color verde, en función del tiempo. Se observa que cuando · la tensión y la corriente son ambas positivas o negativas, la potencia es positiva, por lo que existirá una transferencia de energía de la fuente al condensador. Cuando el signo de la tensión e intensidad es contrario, la potencia es negativa y el condensador devuelve a la fuente la energía que le había suministrado. Vemos que la potencia tiene una frecuencia do ble que la correspondiente a la tensión o corriente.'- Además, el valor medio de la potencia en un ciclo o periodo completo es cero, es decir, la potencia activa es nula. Sin embargo, la potencia reactiva no es nula, se dedica a crear un campo eléctrico alterno en el condensador de manera que cuando la tensión va de cero amperios a un valor máximo, la fuente entrega energía al condensador y cuando va de su valor máximo a cero amperios, es el condensador el que entrega energía.
Figura 6.23: Señales de tensión {azul), corriente {rojo) y potencia instantánea (verde) en función del tiempo en un circuito con un generador y un elemento capacitivo
284
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
frinalmente, cuando aplicamos una tensión senoidal de la forma V= Vmaxsenwt 1 un circuito constituido por una sola resistencia. Sabemos que la corriente que :;ircula es de la forma I = Imaxsen(wt). El valor de la potencia instantánea será:
?or trigonometría sabemos que sen2 a
Pi
1
= ½(1 -
= 2Vmaxlmax(l -
cos2o:), con lo cual
cos2wt)
~n la figura 6.24 se muestra las señales, en este caso, siguiendo el mismo convenio le colores. Vemos que la frecuencia de la potencia es también el doble de la ;orrespondiente a la tensión o a la corriente. Además, la potencia es siempre Jositiva y varía desde cero hasta un valor máximo dado por Vmaxlmax· El valor nedio de la potencia es ½Vmaximax·
¡
1
i
/
:i1igura 6.24: Señales de tensión (azul) 1 corriente (rojo) y potencia instantánea (verde) m función del tiempo en un circuito con un generador y un elemento resistivo
rambién, para el caso de la potencia, es útil utilizar una notación compleja. La )Otencia compleja de un circuito eléctrico de corriente alterna, cuya magnitud se :onoce como potencia aparente y se identifica con la letra S, es la suma vectorial le la potencia activa P, que es la que disipa dicho circuito y se transforma en :alor o trabajo y la potencia reactiva Q, utilizada para la formación de los campos ~léctrico y magnético de sus componentes, que fluctuará entre estos componentes
285
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
y la fuente de energía. Así, poniendo la potencia activa como parte real y la
reactiva como parte imaginaria, podemos poner:
S = P+Qj Esto significa que la potencia aparente representa la potencia total desarrollada en un circuito con impedancia Z. La relación entre todas las potencias es: 32
= p2 + Q2
La unidad de la potencia aparente es el voltiamperio (VA) y su cálculo es sencillo, basta con multiplicar los valores eficaces de la tensión e intensidad. Resumiendo, teniendo en cuenta las definiciones de impedancia y de potencia se deduce que las potencias consumidas por cada uno de los elementos básicos son: • Las resistencias sólo consumen potencia activa:
• Las bobinas ideales sólo consumen potencia reactiva: PL
= Oy
QL
= I;¡icazwL
• Los condensadores sólo consumen potencia reactiva: Pe
= O Y Qc = -
~~ícazwC
El factor de potencia informa de cuánto se aleja una carga de un comportamiento resistivo en donde el factor de potencia es igual a l. Supongamos dos receptores de 2000W conectados ambos a una tensión de 220V. El primer receptor presenta un factor de potencia igual a 0'9 y el segundo de O'4. En el primer caso, la intensidad y la potencia.. aparente viene dada por:
p
Ii=-- -
v cos01 ·
2 000 220 · 0'9
81 =VI= 220 · 10'1
=
10'10 A
= 2222'22VA
En el segundo caso, la intensidad y la potencia aparente viene dada por:
p 12=---
v cos02
286
2
000 220 · 0'4
= 22' 72 A
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
S2
= VI = 220 · 10'1 = 5000 V A
De los resultados anteriores se deduce que un factor de potencia bajo para una misma potencia, implica por un lado una mayor demanda de corriente lo que requiere el uso de cables de mayor sección y, por otro, la potencia aparente es mayor lo que supone una mayor dimensión de los generadores. Ambas conclusiones nos llevan a un mayor coste de la instalación. Por este motivo, las compañías eléctricas penalizan un factor de potencia bajo, obligando a su mejora o imponiendo una penalización. La solución se consigue realizando una corrección del factor de potencia. En aplicaciones industriales se suele trabajar con cargas inductivas. Para compensar su factor de potencia se conecta un condensador de valor adecuado en paralelo al receptor con el fin de conseguir que el conjunto tenga un factor de potencia igual a la unidad. El condensador debe suministrar la potencia reactiva que absorbe 1a carga inductiva, esto es, QL = Qc. Teniendo en cuenta que ~ = y que Qc = - ½}icazwC, tenemos:
~~;Z
despejando resulta que para que el factor de potencia sea uno la capacidad del condensador será:
Finalmente 1 resulta interesante enunciar el teorema de Boucherot que dice: " En un sistema eléctrico lineal) formado por N elementos; se verifica que la suma de las potencias activas de cada elemento es nula y lo mismo sucede con la suma de las potencias reactivas". EJEMPLO 6 .10
En el circuito de la figura 6.25, calcular: (1) Las intensidades en cada elemento; (2) la diferencia de potencial entre los puntos A y B; (3) Las potencias aparente, activa y reactiva; (4) Las potencias utilizadas en cada elemento del circuito. (Datos: R1 = ion, R2 = 36!1, R3 = 3!1, Zc1 = -4j0, ZL1 = 8jf! y el valor eficaz del generador(1 = 20V L60°.
287
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Cl
¡3
Rl
R3 ~1
B
Figura 6.25 (1) Las intensidades en cada elemento.
Para resolver el circuito vamos a aplicar la ley de mallas de Kirchhoff. Tomamos el sentido horario para cada una de las intensidades de malla tal y como indica la figura 6.26, obteniendo el sistema de ecuaciones:
+ Zc1 + ZR2) 11 - ZR2 I2 6 = -ZR2Ii + (ZR2 + ZL1 + ZR3) 12
-(1
\
=
(ZR1
Resolviendo este sistema de ecuaciones por Cramer resulta para cada una de las intensidades:
-6 ~l
-ZR2 ZR2
+ ZL1 + ZR3
li=----------------
ZR1
+ Zc1 + ZR2 -ZR2
-ZR2 ZR2
+ ZLI + ZR3
Ji = 0'0907 - 2'2853j A = 0'2994 ÁL-72135°
+ Zc1 +"ZR2 -fa -Zm 6 I2 = - - -- - - - - - - - - - - - ZR1 + Zc1 + ZR2 -ZR2 ZR1
- ZR2 12
ZR2
= 0'362 + O'I065j A =
+ ZL1 + ZR3
013774 ALl61 39°
A partir de las intensidades de malla es fácil calcular las intensidades de cada una de las ramas teniendo en cuenta los sentidos considerados en la figura 6.26:
288
CAPÍTULO 6, CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
i1
= 12 -
11
= 0'2713 + 0'3918j A= 0'4766AL55'30°
= 12 = 0'362 + 0'1065j A= 0'3774AL16'39º 1 Í3 = Ji = 0'0907 - 2'2853j A= 0 2994 AL- 72'35º i2
L1
C1
j3
111\
¡+
Rl
R3
~1
8
Figura 6.26
2) Diferencia de potencial entre los puntos A y B: VAB
=6 -
ZR2i1
=
-2'2338 - 3'215j V= 3'2242 V L85'85°
l) Potencias aparente, activa y reactiva:
S
p Q=
= 6 í1 = 9'532 V A
= e1 i1 cos0 = e1 i1 cos(60° - 55'30°) = 9'5 w 1 1 ~1 i1 sen0 = ~1 i1 sen(60° - 55 30°) = 0 7808 V AR
1) Las potencias consumidas en las distintas resistencias del circuito valdrán: PR1
= i¡R1 = 01 8964W
= íi R2 = 8'1773 w PR3 = i~R3 = 0'4273W PR2
1ya suma es igual a la potencia activa calculada anteriormente:
289
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
EJEMPLO
6 .11
En el circuito de la figura 6.27 el valor eficaz del generador ideal de corriente alterna es lOV. Se desea calcular: (1) La potencia suministrada por el generador del circuito; (2) La potencia consumida en cada uno de los elementos del circuito. (Datos: R1 = 4D, R2 = 20, R3 = 2n, Zc1 = -2j, Zc2 = -3j y ZL1 = 4j). Rl
Cl
R2
C2
+ R3
~1
Figura 6.27 Para resolver el circuito vamos a aplicar la ley de mallas de Kirchhoff_ Tomamos el sentido horario para cada una de las intensidades de malla tal y como indica la figura 6.28, obteniendo el sistema de ecuaciones:
+ Zc1 + ZL1) Ji - ZL112 O= -ZL1 Ji+ (ZL1 + ZR2 + Zc2 + ZR3) 12 6 =
(ZR1
Resolviendo este sistema de ecuaciones por Cramer resulta para cada una de las intensidades: - ZL1 O · ZR2 + ZL1 + Zc2
~1
+ ZR3 I i = - - - - - - - - - - - - -- - - - - ZR1 + Zc1 + ZL1 -ZL1 -ZL1 ZR2 + "'ZL1 + Zc2 + ZR3 Ji= 1'26 - 0'17j A = 11 27 AL-7'76° ZR1
+ Zc1 + ZL1 c;1 - ZL1
O
12 = - - -- - - - - - - - - - - -- - - ZR1
+ Zc1 + ZL1 -ZL1
290
ZR2
+
-ZL1 ZL1 + Zc2
+ ZR3
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
12 = O'45 + 11 14j A
= 1'23 AL68'19°
A. partir de las intensidades de malla es fácil calcular las intensidades de cada una :ie las ramas teniendo en cuenta los sentidos considerados en la figura 6.28:
Í3
í1
=Ji= 1'26 - 0'17j A= 1'27 ÁL-71 76°
í2
= I2 = O'45 + 1'14j A = 1'23 AL68'19°
= 11 -
12
= 0'8 -1'32j A= l'54AL-58167° Rl
C1
C2 il
R2
R3
~1
Figura 6.28
La potencia suministrada por el generador al circuito es la potencia aparente:
P
= e1 í1 cos0 = 6 i1 cos(Oº -
(-7'76°))
= 12'64 W
(4) Las potencias consumidas en las distintas resistencias del circuito valdrán: PR1
= i~ R1 = 6'51 w
PR3
= i~ R3 = 3'06 W
:uya suma es igual a la potencia activa calculada anteriormente: P
=
PR1
+ PR2 + PR3 =
6'51 + 3'06 + 3'06 = 12'64 W
291
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
6.7.
Resumen y Ecuaciones Básicas
Este capítulo se ha centrado en el análisis de circuitos eléctricos de corriente alterna. Hemos visto corno los métodos explicados en el capítulo de corriente continua para la resolución de circuitos y para la simplificación de éstos, también son válidos en lo circuitos de alterna. Para facilitar los cálculos hemos aprendido a representar las señales de forma sencilla mediante vectores giratorios o fasores. Además hemos introducido el concepto de impedancia y admitancia, sus asociaciones serie y paralelo y el valor de dicha impedancia en los distintos componentes. Finalmente, se han estudiado los conceptos de potencia aparente, activa y reactiva que aparecen cuando trabajamos con corriente alterna. ECUACIONES BÁSICAS
l. Impedancia: Z
= R +(XL+ Xc) j = ..jR2 +(XL+ Xc) 2 Li9 siendo:
a) 0 el desfase entre tensión y corriente
b.) R la resistencia
= wL la reactancia inductiva d) Xc = - w3a la reactancia capacitiva e) XL
donde w es la velocidad angular relacionada con la frecuencia T mediante w = 27ff = 2;
f o el periodo
2. Admitancia: Y= _¿.
3. Asociación de impedancias:
a) Serie: Z = Z1 b) P ara1e1o.. Z1 -_
+ Z2 + ... + Zn 1 1 1 Z1 + Z2 + ·· · + Zn
4. Asociación de admitancias: · . l_l
+ Y21 + ... + Yn1 Paralelo: Y= Y1 + Y2 + ... + 1',. n
a )sene. y -
b)
Yi
5. Factor de potencia: cos0 6. Relación entre valores eficaces y valores máximos: Vmax
292
= v2Veficaz
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
7. Potencia activa: P
= ½Vmax1maxCOS0 = VeJicaz1ejicazCOS0
8. Potencia reactiva: Q
= Veficaz1eficazSen0
9. Potencia aparente: S
= P +Qj
6.8.
Ejercicios de Autoevaluación
l. En la figura 6.29, donde I = 5A, R los voltajes Vab, Vbc, Ved y Vad·
Solución:
Vab
= 8D, XL = 6!1 y
Xc
= 120.
Calcular
= 40V; ½e= 30jV; ½d = -60jV; Vad = 40- 30j. R
XL
Xc
Figura 6.29 2. Determinar la tensión VAB en el circuito de la figura 6.30. (Datos: R 1 = 5!2; R2 = 3D; R3 = 20; ; 6 = 10L0°; ~2 = 10L90°; ZL1 = 5jD). Solución: 11'8l55'05º. L1
Rl A
B
R3
Figura 6.30 3. Determinar en el circuito de la figura la potencia suministrada por la fuente y la potencia disipada en cada una de las resistencias del circuito. (Datos: 6 = 50L0°; R1 = 5!1; R2 = 3!1; ZL1 = lOjO; Zc2 = -4j0). Solución: P6 = 198W; PR1 = 85W; PR2 = 113W.
293
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Rl R2
L1 C1
Figura 6.31 4. En el circuito de la figura 6.32, el generador tiene una frecuencia tal que la corriente que atraviesa la resistencia R es mínima. ¿ Qué corriente medida en amperios atraviesa la bobina y el condensador? Solución:
X.
R
R1
L
e
V
Figura 6.32 5. Sea un circuito RLC serie conectado a una fuente de intensidad alterna de 2A (valor eficaz) y de 150/,r Hz de frecuencia. (1) Calcular la tensión eficaz en cada elemento si son R = 1000, L = 500 mH y C = 44' 444 µF. (2) Calcular la tensión en la fuente de intensidad. Solución: (1) VR = _200V; VL = 300L90°; Ve= 150L-90º; (2) V= 250L36'86º. 6. En el circuito de la figura 6.33 se pide: (l) Intensidades en cada uno de los tramos del circuito; (2) Potencias suministradas por cada uno de los generadores; (3) Potencias disipadas en cada elemento del circuito. (4) Potencias reactivas de cada generador. (5) Potencias reactivas en cada elemento del circuito y su comprobación. (6) Determinar el valor de la f.e .m. que ha de tener el generador 1 para que no circule corriente por el generador 2. Solución: (1) i1 = 3'57l-29'81°; i2 = 1'73l40'13º; i3 = 1'37 ll50'90º; i4 = 3'39L-58'43°; Í5 = 2'56l10'01°; (2) P = 93'l2W; P2activa = 24'09W; (3)
294
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
= 6'01 w; PR3 = 716W; PR4 = 39'61 TtV; (4) P1;¡ r eactiva = 53'36Var; P6 reactiva = 13'41 Var; (5) P3j = 9'02Var; Psj = 57'75Var; (6)
PR1
= 63'99W;
PR2
55'87L-I7'35º. 50
20
40
3j0
Figura 6.33 7. Calcular las intensidades en cada rama y la total del circuito de la figura 6.34. Solución: I = 168LOº; I1 = 120LOº; 12 = 24l-90°; I3 = 53'667l26'56º. 10
11
SjQ
12
20 120V
- jO
1~ Figura 6.34
8. En el circuito de la figura 6.35, la frecuencia del generador es variable. ¿Para qué frecuencia obtendremos la máxima tensión en bornas de R? Solución: 1
271"
1
vLC . R1
L
Figura 6.35
295
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA I NFORMÁTICA
9. La diferencia de potencial entre los puntos A y B del circuito de la figura 6.36 es 50V. Sabiendo que Z = 2 + 3j0., determinar: (1) La impedancia equivalente del circuito; (2) El factor de potencia del circuito; (3) La f.e.m. del generador. (Datos: R1 = 100.; ZL1 = lOjD; ZL2 = lOjO; Z = 2 + 3j!1; VAB = 40L90°V). Solución: (1) Zequivalente = 4 + 9'01j; factor potencia=== O' 405; <;1 = 62'05 l84'49°V. R1
L1
z
B
A L2
Figura 6.36 10. En el circuito mostrado en la figura 6.37, calcular el equivalente Thevenin entre los puntos A y B. (Datos: w = 100 rad/ s; R1 = 500; R2 = 1500; L1 = lH; L2 = IH; L3 = 0'5H; C1 = O' OIµF. Solución: Ythevenin = 50 + 25j; Zthevenín = 56'41 - 6'12j. L1
L2
A
1 L3
Rl
Cl
R2
"-
Figura 6.37 11. Sea el circuito mostrado en la figura 6.38, se desea calcular: (1) las intensidades en cada rama; (2) caídas de tensión en cada elemento; (3) potencias suministradas por cada generador; (4) potencias consumidas en cada elemento del circuito; (5) potencias reactivas de cada generador; (6) potencias reactivas de cada elemento del circuito. (datos: c;1 = 50 lüºV; <;2 = 16'8l133'2ºV).
296
CAPÍTULO 6. CIRCUITOS DE CORRJENTE ALTERNA
Solución: (1) i1 = 0'01Al26'56°, i2 = 8'76AL105'19º, i3 = 8'75AL-74'74, i4 = 1'38AL-56'28º, i 5 = 7'45AL101'87°, i 6 = 1'38AL123'29º; (2) Vsn = 0'05VL26' 56°, V5i = 43'79VL15'25º, ½on = 13'88VL-56'28º, v-4i = 35'04Vl15'19ª, ½n = 14'90VL101'87°; (3) P6 = 0'4544W, P6 = 129'94W; (4) P5n = 01000516W, Pion= 19'2654W, P2n = 111'1528D; (5) Preactiva6 = -0'2272Var, Preactiva6 = 69'l186Var; (6) Preactiva5j = 383'5645Var, Preactiva-4j -306'9924Var, Preactiva-4j = -7'6929Var. ~1
iG
-4jQ
il
sn
i2
-4j0
Figura 6.38
297
Parte 111
Dispositivos Electrónicos y Fotónicos
Capítulo 7
Dispositivos Electrónicos
CONTEXTO El propósito de este capítulo es estudiar los dispositivos electrónicos que se plean en el diseño de los operadores lógicos básicos: AND, OR, NOT, NAN NOR. Para ello, es necesario estudiar el comportamiento de los semiconduct y cómo es posible modificar éste cuando se introduce en su estructura molec impurezas_ Uniendo este tipo de materiales semiconductores impuros diseña los distintos dispositivos electrónicos: diodos, transistores bipolares y transist de efecto campo. En este capítulo, vamos a comenzar estudiando la teoría de bandas que pen explicar el comportamiento de los distintos materiales al paso de la corrienti continuación, analizaremos los semiconductores centrándonos en los semiconc tores impuros ya que son los utilizados en el diseño de los distintos compone: electrónicos. En las siguientes secciones, se analizará el comportamiento de e uno ·de estos componentes siempre desde el punto de vista para su utilizació1 Electrónica Digital.
CONOCIMIENTO PREVIO NECESARIO Para entender los conocimientos de este capítulo es necesario manejar con sol1 los conocimientos adquiridos en la parte II de este libro, es decir, maneje circuitos, ley de Ohm, leyes de Kirchhoff, etc.
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
OBJETIVOS DEL TEMA Los objetivos del capítulo son: l. Conocimiento de la teoría de bandas.
2. Estudio de los semiconductores, tipos y su comportamiento al paso de la corriente. 3. Estudio de los diodos. 4. Estudio de los transistores bipolares. 5. Estudio de los transistores de efecto campo: MOSFET.
GUÍA DE ESTUDIO Lo conveniente es seguir el estudio del capítulo de manera secuencial. Es importante aclarar que un conjunto de ejemplos y ejercicios de autoevaluación de este capítulo 'son, precisamente, las puertas lógicas explicadas en el capítulo de familias lógicas. Aquí únicamente se seleccionan una pequeña muestra de ejercicios básicos tanto a lo largo del capítulo como al final, en la sección de ejercicios de autoevaluación.
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CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
7.1.
Teoría de las bandas de los sólidos
En un átomo, los electrones están girando alrededor del núcleo formando capas. En cada una de ellas, la energía que posee el electrón es distinta. En las capas muy próximas al núcleo, la fuerza de atracción entre éste y los electrones es muy grande, por lo que estarán fuertemente ligados, mientras que en las capas más alejadas, los electrones se encuentran débílmente ligados. Lógicamente, resultará más fácil realizar intercambios electrónicos en las últimas capas. El hecho de que los electrones tengan diferentes niveles de energía, nos permite clasificarlos por· el nivel energético. La mayor parte de los sólidos presentes en la naturaleza son cristalinos aunque al-
gunas veces esa estructura ordenada no se refleje en una forma geométrica regular apreciable a simple vista. Ello es debido a que con -frecuencia están formados por un conjunto de pequeños cristales orientados de diferentes maneras, en una estructura policristalina. Los componentes elementales de una red cristalina pueden ser átomos, moléculas o iones, de ahí que no se pueda hablar en general de la molécula de un cristal, sino más bien de un retículo elemental o celdilla unidad, que se repite una y otra vez en una estructura periódica o red cristalina. Estos retículos elementales están unidos entre sí por fuerzas relativamente intensas 1 formando un todo compacto. Dentro de la red cristalina las partículas ocupan posiciones definidas y sus movimientos se limitan a vibraciones en torno a los vértices de la red en donde se encuentran situadas. Por esta razón, las sustancias sólidas poseen forma y volumen propios. Esta estructura hace que el modelo del átomo aislado con niveles de energía perfectamente definidos no se pueda aplicar de la misma forma a los átomos de un cristal. En un cristal, la proximidad entre los átomos hacen que la interrelación entre ellos sea elevada. Así, mientras que los niveles de energía de los electrones más internos no se ven afectados de forma significativa por los átomos vecinos, los niveles de energía de los electrones más externos si se verán afectados. Cuando dos átomos se aproximan entre sí, el nivel energético en cada átomo cambia debido a la influencia del otro átomo. Como consecuencia, el nivel se desdobla en dos niveles de energía ligeramente diferentes que corresponden al sistema formado por los dos átomos. Si aproximamos tres átomos entre sí, el nivel energético se divide en tres niveles, de energías ligeramente distintas. Análogamente, si tenemos N átomos idénticos, el nivel particular de energía de un átomo aislado se divide en N niveles energéticos distintos pero muy próximos. En una estructura cristalina, N es un número muy grande de modo que cada nivel energético se divide en un número muy grande de niveles formando lo que llamamos banda. Así, se
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FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
tiene bandas prácticamente continuas de energía separadas por zonas de energía prohibida. En resumen, existe una banda separada de niveles para cada nivel energético particular del átomo aislado. Las bandas pueden estar muy separadas, muy próximas, e incluso solaparse, dependiendo del material y de su estructura cristalina. En los valores más bajos de energía se encuentran los niveles correspondientes a los electrones internos de cada átomo que no se ven afectados por los demás átomos del cristal. En orden creciente de energía podemos encontrar tres bandas diferentes:
• Banda de valencia: llena de electrones ligados a los enlaces de los átomos del cristal. Estos electrones se llaman electrones de valencia. • Banda prohibida: que corresponde a los valores de energía que no pueden tener los electrones. Cuanto menor sea la distancia entre los átomos del cristal menor será el ancho de la banda prohibida: • Banda de conducción: es donde se encuentran los electrones libres que no pertenecen a ningún átomo en particular y que pueden moverse por el material si existe un campo eléctrico.
I
Banda de
Bandade
comlacción
conducción
Banda dE! conducción
~----1
u
Banda prohibida
Banda de
Bandade valencia
valencia
I
iu
Banda prohibida
Banda dE! valencia
L----'
(a)
(b)
..
(e)
Figura 7.1: Bandas de energía en los distintos tipos de material. (a) Conductor. (b) Aislante. (e) Semiconductor
En la figura 7 .1 se representan simbólicamente estas tres bandas para cada tipo de material: (a) conductor cuando no existe banda prohlbida, (b) aislan.te cuando su banda prohibida es muy grande (del orden de 6 eV) y (e) semiconductor cuando la banda prohibida es muy pequeña (del orden de 1 eV, recuerde qu~ leV =
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CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
1'602 · 10-19 J). Según este modelo de conducción de la teoría de bandas, los únicos electrones que pueden conducir la corriente eléctrica son los de la banda de conducción. Cuando un electrón de valencia recibe energía suficiente (U) pasará de la banda de valencia a la de conducción. Esta energía llamada energía de activación, debe ser igual o mayor al ancho de la banda prohibida.
7.2.
Conducción eléctrica en semiconductores
Tal y como hemos visto en la figura 7.1, los semiconductores presentan una banda
prohibida muy estrecha, con lo que tienen características eléctricas intermedias entre aislantes y conductores aunque su mayor interés radica en la posibilidad de modificar su conductividad. Cuando la temperatura es baja, no van a existir electrones en la banda de conducción, comportándose como un aislante. Sin embargo, a temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen debido al suministro de energía térmica al cristal, es decir, adquieren la energía suficiente para saltar desde la banda de valencia a la de conducción. Esto explica que la conductividad de los semiconductores puros aumente con la temperatura ya que al crecer ésta, aumenta la energía de los átomos del semiconductor y un mayor número de éstos puede liberar electrones que incrementarán la carga libre disponible. El proceso por el que un electrón pasa de la banda de v~encia a la de conducción se llama generación y al proceso por el que un electrón libre vuelve a la banda de valencia ocupando un sitio vacío se llama recombinación. Evidentemente, cuando un electrón salta de la banda de valencia a la de conducción deja un hueco. Esto es, el salto de un electrón a la banda de conducción da lugar a la formación de un par electrón-hueco. Ese hueco podría ser ocupado por otro electrón de valencia de un enlace covalente próximo que a su vez dejaría un hueco. Si repetimos este proceso vemos que el hueco podría moverse por la estructura tal como se muestra en la figura 7.2. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación y de recombinación de pares electrón-hueco se igualan de modo que la concentración global de electrones y huecos es la misma. Si n es la concentración de electrones (cargas negativas) y p es la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n=p siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor función exclusiva de la temperatura y se define como el número de átomos que liberan un electrón.
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FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Se cumple que el producto de ambos tipos de portadores es constante e igual al cuadrado de la concentración intrínseca, n ·p = n¡ (ley de acción de masas).
,-...
(1)
e e o e e e~ ,,,-.... e e ~ o e e r--, e e @ ce o'---'€:> e ~ o - . ;. ~
( 2)
~
(3)
Figura 7.2: Movimiento de los huecos en un semiconductor
7.2.1.
Conducción en semiconductores intrínsecos
En un semiconductor puro, llamado semiconductor intrínseco, el número de electrones, n;'-es igual al número de huecos, p. Debido a la agitación térmica, constantemente se están generando pares electrón-hueco mientras que otros desaparecen por recombinaciones, pero siempre, la concentración de electrones es igual a la concentración de huecos. En el cuadro 7 .1 se muestran los elementos químicos semiconductores de la tabla p eriódica. El elemento semiconductor más usado es el silicio, aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V, respectivamente (AsGa, Pin, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). La característica común de todos ellos es que son tetravalentes. Elemento Cd Al, Ga, B, In Si, C, Ge P, As, Sb Se, Te, (S)
Grupo IIB IIIA IV A VA VIA
Electrones en la última capa
2e'"'
3e-
4e5e6e-
Cuadro 7.1 : Elementos semíconductores de la tabla periódica La. estructura cristalina del silicio consiste en una repetición regular tridimensional de una retícula. en forma de tetraedro con un átomo en cada vértice. Esta
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CAPÍTULO 7. DISPOSITIV OS ELECTRÓNICOS
:structura en dos dimensiones se muestra en la figura 7.3. Los átomos del silicio ;ienen 14 electrones, cuatro de los cuales son de valencia. El núcleo iónico tiene ina carga de +4 medida en unidades de carga electrónica. La fuerza de enlace intre átomos es debida a que cada electrón de valencia de un átomo es compartido >Or uno de sus cuatro vecinos más próximos formando los enlaces covalentes. Los uectrones de valencia sirven de unión de un átomo con el siguiente quedando estos :lectrones unidos fuertemente al núcleo. Por tanto, aunque exista la disponibililad de cuatro electrones de valencia 1 pocos de ellos están libres para contribuir a a conducción. Así, a temperatura muy baja, el cristal se convierte en un aislante ra que no existe ningún portador libre. Sin embargo, a temperatura ambiente al;unos de los enlaces covalentes se rompen debido al suministro de energía térmica J cristal lo que posibilita la conducción (ver figura 7.3 (b)). Observe como la 1usencia del electrón en el enlace covalente ha supuesto la aparición de un hueco.
~igura 7.3: Generación de huecos en la red cristalina del Silicío.(a) Baja temperatura. b) Temperatura ambiente
lí se somete el cristal de un semiconductor int rínseco a un campo eléctrico, se
1roducen dos corrientes eléctricas. Por un lado, la debida al movimiento d e los lectrones libres de la banda de conducción los cuales se moverán en sentido opueso al campo eléctrico y, por otro) la debida al desplazamiento de los electrones n la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos, originando ma corriente de huecos en la misma dirección al campo eléctrico cuya velocidad ·magnitud es muy inferior a la velocidad de la banda de conducción. Vemos pues tue tanto los huecos como los electrones part icipan en el proceso de conducción. )ebido a que los mecanismos por los que se mueven los huecos y los electrones n el cristal difieren entre sí, la movilidad de estos portadores es distinta. Estos
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FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
portadores se mueven en direcciones opuestas en un campo eléctrico pero como son de signo contrario ambas corrientes tienen el mismo sentido. Así, si la concentración de electrones es n, y de huecos es p, la carga eléctrica por unidad de volumen vendrá dada por:
(7.1) siendo qe la carga de los electrones y qp la carga de los huecos o carga positiva1 cumpliéndose que qp = qe, Por otro lado, sabiendo que la corriente eléctrica es la variación de la carga con respecto al tiempo tenemos:
si además se considera que el conductor posee una sección S uniforme y una longitud l, resulta:
1
=
d
dt (S l qe(n + p))
dl
= S dt
qe (n + p)
=S
V
qe (n + p)
(7.2)
\
siendo v la velocidad de movimiento de las cargas. Sin embargo, la velocidad de los electrones y de los huecos no tiene por que ser igual, siendo necesario considerarlas independientemente. Si llamamos µp a la movilidad de los huecos y µn a la movilidad de los electrones, resulta:
(7.3) Estas movilidades dependen del material. Finalmente la densidad de corriente quedará:
(7.4) resultando que la conductividad en un semiconductor intrínseco es: O" =
qe(n
µn
" + P µp) = "'rJn + O"p
(7.5)
Vemos que la conductividad en un semiconductor intrínseco es la suma de la conductividad de los huecos y la conductividad de los electrones. Por otro lado, se cumple que en un semiconductor intrínseco hay el mismo número de electrones libres que de huecos, poniendo p = n = ni tenemos:
(7.6)
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CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
7.2.2.
Conducción en semiconductores extrínsecos
Para aumentar el número de portadores se introduce en un semiconductor intrínseco una pequeña cantidad de impurezas. La adición de impurezas, frecuentemente átomos trivalentes o pentavalentes, forma un semiconductor extrínseco o dopado. Los átomos que constituyen la impureza entran en la red cristalina desplazando a los átomos de silicio o germanio del semiconductor. Cada tipo de impureza forma un semiconductor con una clase de portadores mayoritarios. Si la impureza es de átomos con cinco electrones de valencia (grupo V por ejemplo, el fósforo o el arsenio) al entrar en la red, cada átomo de impureza tiene un electrón de más que pasa a la banda de conducción como un portador de carga negativa, esto es, habrá más electrones que huecos con lo que los electrones serán los portadores mayoritarios. A la impureza de este tipo, con cinco electrones de valencia, se la denomina donadora o impureza tipo N y al semiconductor extrínseco, semiconductor de tipo N. Al introducir impurezas tipo N aparecen niveles de energía permitida en la banda prohibida, muy próximos a la banda de conducción, que facilitan el paso a esta banda. Si la impureza está formada por átomos con tres electrones de valencia (grupo III: por ejemplo el galio o el boro), al entrar en la red cristalina de enlaces covalentes a cada átomo de impurezas le falta un electrón, con lo que queda un hueco en el enlace covalente, esto es, habrá más huecos que electrones, convirtiéndose los huecos en los portadores mayoritarios. Este hueco se comporta como un portador de carga positiva. A la impureza de este tipo se la llama receptora o impureza tipo P y al semiconductor extrínseco, semiconductor de tipo P. Al introducir impurezas tipo P aparecen niveles de energía permitida en la banda prohibida, muy próximas a la banda de valencia, que facilitan el paso. La cantidad de impurezas necesaria que se añade para dopar un semiconductor puro es muy pequeña. Por ejemplo, la conductividad del germanio aumenta 11 veces a temperatura de 30 grados al añadir impurezas de tipo N en una proporción del 1 por 108 . En los semiconductores extrínsecos se verifica tanto la ley de acción de masas como la neutralidad eléctrica. La ley de acción de masas implica que el aumento de un tipo de portador por la introducción de impurezas, disminuye el otro tipo de portador debido a recombinaciones, esto es, p = La neutralidad implica que N D + p = NA + n, siendo NA y N D la concentración de átomos ionizados aceptadores (grupo 111) y donadores (grupo V), respectivamente y teniendo en cuenta que a la temperatura a la que normalmente trabajan los dispositivos (mayor que
n n;.
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FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
200 °K) todas las impurezas están ionizadas. Recombinando ambas ecuaciones resulta: 2
n+NA= ni + Nn =* n 2 -(ND-NA)n-n¡=O n Como la densidad electrónica es un valor positivo, tomaremos la solución positiva de esta ecuación de segundo grado:
(7.7) En un material de tipo N se cumple que ni << N D - NA, luego aplicando las ecuaciones anteriores, las densidades vienen dadas por:
(7.8) (7.9) 2
Para el c~? ideal en el que NA= O se tiene que nN ~ Nn y PN ~ iZ!b · Por tanto, en un material tipo N la concentración de electrones libres es aproximadamente igual a la densidad de átomos donadores. En un material de tipo P se cumple que ni << NA - J.VD, luego aplicando las ecuaciones anteriores, las densidades vienen dadas por: (7.10)
(7.11) 2
Para el caso ideal en el que ND =Ose tiene que pp ~ NA y np ~ ;~. Por tanto, en un material tipo P la concentración de huecos es aproximadamente igual a la densidad de átomos aceptadores. La conductividad en conductores extrínsecos se calcula partiendo de la ecuación (7.5) para la conductividad de un seniiconductor intrínseco pero sustituyendo la concentraciones de portadores calculadas para un semiconductor extrínseco. Así, para un semiconductor de tipo P resulta: (7.12)
310
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
7.2.3.
Corrientes en los semiconductores
En los semiconductores podernos tener dos tipos de corriente en su interior. Por un lado, la corriente de conducción debida a la corriente que se produce cuando el material semiconductor se introduce en un campo eléctrico. Esta corriente estará regida por la ley de Ohm. Por otro, la corriente de difusión producida por las diferencias de concentración en el seno del material. De este modo, la densidad de corriente en un semiconductor viene dada por la suma de la densidad de corriente de conducción y la densidad de corriente de difusión:
1=1c+Jn
(7.13)
La densidad de corriente de conducción se calcula teniendo en cuenta las expresiones de las conductividades obtenidas en los apartados anteriores: (7.14)
siendo CJn y CJp la conductividades del semiconductor para los electrones y los huecos, respectivamente. La densidad de corriente de difusión, producida por la diferencia de concentraciones, se calcula mediante la expresión: (7.15)
donde Dn y Dp son las constantes de difusión de los electrones y de los huecos, respectivamente. Sus valores vienen dados por:
siendo k la constante de Boltzman y T la temperatura absoluta del semiconductor.
7.3.
Diodos
Cuando un cristal de semiconductor se dopa con aceptadores por un lado y donadores por otro, se forma una unión P N. Es evidente que se va a producir una difusión de electrones de la zona N a la zona P, esto es, aparece una densidad de corriente JD· Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como
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FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
zona de carga espacial, de transición, de agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc. A medida que avanza el proceso de difusión, esta zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en ambos lados de la unión. Sin em~ bargo, la acumulación de iones positivos en la zona N y de iones negativos en la zona P, crea un campo eléctrico que actuará sobre los electrones libres de la zona N con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de difusión de electrones y terminará contrarrestándola. Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de potencial entre las zonas P y N. Esta diferencia de potencial es del orden de 0,6 V. En la figura 7.4 se representa una unión PN quedando reflejadas las tres zonas: zona P, zona de transición y zona N.
P0000 0
G) G) G) G)G)N
0 0 0 0 ·ona€)de ransició1
e-
e~
e-
e-
0000 0 0· ©0©© e- e- e- e0000
G) e-
€)
Átomo pentavalente con un
electrón llbre
0
O
Átomo trlvalente con un hueco
Figura 7.4: Representación esquemática de una unión PN Al dispositivo así obtenido se denomina diodo, que en ·un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no está polarizado. Dado que los electrones fluyen desde la zona N hacia la zona P, al extremo P se le denomina ánodo (asignándole la letra A) mientras que al extremo N se le denomina cátodo (asignándole la letra C o K). El símbolo utilizado para representar este dispositivo se muestra en la figura 7.5 (a) y en (b) se muestra un ejemplo de diodo comercial. Las características de la unión P N dan lugar a que este dispositivo conduzca en un sentido y que no lo haga, de forma apreciable, en el otro. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está polarizado. El comportamiento del diodo depende de la orientación del campo externo y de la barrera de potencial. Si ambos campos tienen el mismo sentido la zona de transición crece, en cambio si ambos campos tienen sentidos opuestos la zona de transición decrece. Esto es, cuando el ánodo está a mayor
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CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
potencial que el cátodo, el diodo está polarizado directamente, en caso contrario se dice que está polarizado inversamente. A
p
Ánodo
1
A
1
N
N
e 1
Cátodo
e
(a)
(b)
Figura 7.5: (a) Símbolo de un diodo; (b) Ejemplo de un diodo comercial
7.3.1.
Polarización directa
Cuando se conecta el ánodo de un diodo al extremo positivo de una batería y su cátodo al extremo negativo, tal y como se muestra en la figura 7.6, decimos que el diodo funciona en polarización directa. Ahora la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de transición, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo conduce.
P0000
C±) <±) G)G)N
J/f:"""-.. ~~
J/f:"""-.. J/f:"""-.. J/f:"""-..
0000
e-
e-
0000 0 0000
e-
<±) e-
e-
e-
e-
G) G)G)G)G) e-
€)
+
---------- ---Átomo pentavalente con un electrón libre
e-
- e-
0
Ü
e-
e-
e-
~
e-
Átomo trivalente con un hueco
Figura 7. 6: Polarización directa de un diodo El proceso es el siguiente: El polo negativo de la batería repele los electrones libres de la zona N, con lo que éstos se dirigen hacia la unión P N mientras que el polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia de la zona P, esto
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FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
es, se empuja a los huecos hacia la unión P N. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de potencial de la zona de transición, los electrones libres de la zona N, tienen la energía suficiente para saltar a los huecos de la zona P que se han desplazado hacia la unión P N. Una vez que un electrón libre de la. zona N salta a la zona P atravesando la zona de transición, cae en uno de los huecos de la zona P convirtiéndose en un electrón de valencia. Este electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza hasta llegar al final de la zona P, pasando por el conductor hasta la batería. Así, con la batería lanzando electrones libres a la zona N y atrayendo electrones de valencia de la zona P, se produce a través del diodo una corriente eléctrica constante.
. 7.3.2.
Polarización inversa
El polo negativo de la batería se conecta a la zona P y el polo positivo a la zona N, tal y como se muestra en la figura 7.7. De esta manera, crece la zona de transición y, en consecuencia, la tensión aumenta hasta que se alcanza el valor de la batería.
(±)<±)G)N P000 ,,.--. ....-.. 00 00 e- ee-
o
00
e
€) Zona de
e-
ansición
e-
000 00 00 000 e- e-
o
e-
e-
00 80
+ e-
Figura 7.7: Polarización inversa de un diodo El proceso es el siguiente: El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona N llevándolos por el conductor hasta la batería. Al abandonar estos electrones la zona N, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al perder su electrón se convierten en iones positivos. Por otro lado, el polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona P convirtiéndolos en iones negativos. Este movimiento de cargas continua hasta que la zona de transición iguala la tensión de la batería. En esta situación, el diodo no conduce.
314
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco a. ambos lados de la unión produciendo una pequeñísima corriente (del orden de 1 µA) denominada corriente inversa de saturación. Además, existe también una corriente llamada corriente superficial de fugas que conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener la estabilidad. No obstante, estas corrientes son muy pequeñas por lo que a efecto de análisis en los circuitos, podemos considerar que el diodo no conduce.
7.3.3.
Curva característica y modelo matemático
La curva característica es la que nos relaciona la tensión con la corriente que circula por el dispositivo, !diodo = f(Vdiodo)- Para obtener estas curvas aplicamos una tensión externa Vdiodo, y esperamos hasta que se alcance el régimen estacionario. En ese momento, medimos la corriente que atraviesa el dispositivo determinando un punto de la curva. Si repetimos el proceso para diferentes valores de Vdiodo obtenemos la curva característica del diodo. En la figura 7.8 se muestra dicha curva. POLARIZACIÓN INVERSA
POLARIZACIÓN DIRECTA
!diodo
1::: Is e
gVdiodo nkT
-1
Zona de conducción
Vzener
Zona de bloqueo
Zona de ruptura inversa
Figura 7.8: Curva característica de un diodo Esta curva característica se ajusta aproximadamente a la ecuación del modelo matemático de Shockley el cual relaciona la corriente y la diferencia de potencial mediante la expresión: qVdioda (7.16) . I = ls.(e nkT - 1)
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FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo. Vdiodo
es la cliferencia de tensión entre sus extremos.
Is es la corriente de saturación (aproximadamente 10 - 12A). q es la carga del electrón.
T es la temperatura absoluta de la unión. k es la constante de Boltzmann.
n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio) . . Si el diodo está polarizado directamente, la ecuación (7.16) se reduce a la parte exponencial, esto es, I = Is.e q"::l':fº mientras que si el diodo está polarizado inversamente, la ecuación (7.16) se reduce a J = -1s. Encontramos los siguientes términos:
• Tensión umbral, de codo o de partida (V, ) . La tensión umbral de polarización directa o barrera de potencial, es igual a la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial va disminuyendo, incrementando la corriente ligeramente. Cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.
• Corriente máxima (Imáx). Es la corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Depende del diseño del mismo.
• Corriente inversa de saturación (Is ). Es la pequeña corriente que ap~rece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura.
• Corriente superficial de fugas. Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo. Esta corriente depende de la tensión aplicada al diodo de manera que al aumentar la tensión aumenta la corriente superficial de fugas.
316
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
• Tensión de ruptura (Vzener ) . Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar. La ruptura puede deberse a dos efectos:
• Efecto avalancha. Se produce en diodos poco dopados. En polarización inversa, y cuando la tensión es superior a 6V, se generan pares electrónhueco que crean la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es alta los electrones se aceleran aumentando su energía cinética de manera que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos. El resultado es una avalancha de .e lectrones que provoca una corriente grande. • Efecto Zener. Se produce en diodos muy dopados con lo que la anchura de la zona de carga es pequeña ( diodos Zener). Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse corno el cociente entre la tensión y la distancia, cuando el diodo esté muy dopado (d pequeño) el campo eléctrico será grande. En estas condiciones, el propio campo arranca electrones de valencia creciendo la corriente. Este efecto ocurre para tensiones de 4V o menores.
7.3.4.
Modelos equivalentes del diodo
8n este contexto, lo que nos interesa es el comportamiento de los diodos como ~ementos de un circuito. Así, cuando tenemos una unión polarizada en inverso, la concentración de portadores en la frontera de la zona de transición es cero. El modelo del diodo en polarización inversa se presenta en la figura 7.9 (a), donde la resistencia ri es la resistencia interna y el condensador Ci, llamado capacidad de Gransición, representa la variación de la carga almacenada en la zona de transición respecto a la variación de tensión en la unión. 8uando tenemos una unión polarizada en directo, algunos huecos se mueven por :lifusión desde la zona P a la zona N. Esto hace que en el lado de la unión de la ~ona N exista una mayor concentración de huecos. Este exceso de huecos puede ~ntenderse como una carga almacenada en la vecindad de la unión. Evidentemente, '.a cuantía de este exceso la establece el grado de polarización. A medida que nos :Üejamos de la unión, el número de huecos decrece por su recombinación con los ~lectrones mayoritarios de la zona N. Análogamente, sucede con los electrones en
317
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
la zona P. La forma de modelar este comportamiento es mediante la capacidad de difusión. Se define la capacidad de difusión del diodo Cd como el cocient e entre la variación de la tensión de polarización y la variación de carga almacenada cerca de la unión. Teniendo en cuanta esto, el modelo de diodo en polarización directa se muestra en la figura 7. 9 (b).
,/i v,.
R ,
--,-
V
....,_,"' ~"'
..,,
I Va, ~ : ... ______
V
rd
....,,·,....---
(a)
(b)
Figura 7.9: (a) Circuito equivalente en polarización inversa donde Ci es la capacidad de transición y ri la resistencia inversa de alto valor. (b) Circuito equivalente en polarización directa dónde Cd es la capacidad de difusión, rd la resistencia del diodo en directa y Rs la resistencia de fugas
En ocasiones se emplean modelos más simples aún, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua. Se trata de elegir entre los circuitos .equivalentes dependiendo de si está o no el diodo conduciendo. Para definir estos modelos es necesario introducir el concepto de diodo ideal el cual se trata de un diodo cuya tensión umbral es nula así como su resistencia interna. Su símbolo y el circuito equivalente que refleja su comportamiento cuando está sometido a una tensión V, se muestra en la figura 7.10. V ----+ A
"-
~I
e V>O
V
A
-
e
A
e
Figura 7 .1 O: Símbolo y modelos de un diodo ideal
318
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
De manera general, un diodo puede ser sustituido por un diodo ideal mas una fuente de tensión de valor V1 y una resistencia de valor r d tal y como se muestra ~n la figura 7.11. Observe que el modelo de la figura 7.9 (b) es equivalente al roodelo de la figura 7.11 ya que los condensadores en continua se comportan como :ircuitos abiertos. Partiendo de este último modelo y dependiendo de las características del circuiGO del que forme parte, podemos simplificar este modelo general de la siguiente roanera: l. Cuando V < V'Y , es decir, el diodo no conduce, el circuito equivalente del diodo es un circuito abierto.
2. Cuando V > V1 , es decir, el diodo conduce, el circuito equivalente puede elegirse entre varias posibilidades:
a) Si las tensiones son muy superiores a la tensión umbral podemos considerar que la caída de potencial en el diodo, V,, es despreciable. La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por el origen de coordenadas. En este caso, se sustituye el diodo por un cortocircuito. b) Si las tensiones en el circuito son del mismo orden que la tensión umbral y las intensidades son muy pequeñas, podemos sustituir al diodo por una fuente de tensión de valor V-r. La polarización de esa fuente debe ser la misma que la de la tensión aplicada. Ahora la exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por V"f. e) Si las tensiones en el circuito son del mismo orden que la tensión umbral y las intensidades ya no son muy pequeñas, podemos sustituir al diodo por una fuente de tensión de valor V7 más una resistencia en serie. La exponencial se aproxima a una horizontal y a una línea cuya pendiente viene dada por ..l. siendo r d la resistencia interna del diodo. rd l\nálogamente podemos definir un modelo de continua para el caso particular ie los diodos Zener. Cuando el diodo Zener trabaja en polarización directa el nodelo por el que se sustituye es exactamente igual al de un diodo convencional. 3in embargo, cuando el diodo trabaja en zona Zener el modelo por el que se mstituye el diodo se muestra en la figura 7.12.
319
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
V ~
A-{)i--C
Vy
Modelo equivalente:
rd
A~~C
V
V»Vy
V>Vy
Intensidad pequeña
,•I\
1
Intensidad grande
Poi. Directa· SI conduce
..•
Po!. Inversa; No conduce
.. V
Vy
i'l'
.
V
Poi. lnvef3a: No conduce
Poi. Directa:
1
Si conduce
Po!. Jnvers:a: No conduce
A
""'
Vv
rd
lt-----NM-e
A-=
e
\
A
A
""'
Poi. rnrecta: Si conduce
',
'
Vy
'/ ·
Vy
íd
1 ~e e
A
V
Vv
Poi. lnvt!rsa: No conduce
""'
V
Vv
Vy
rc1
jt-----MM-
e
A
Vy
A-+
rd
li--MM-e
~
Vv
e
~ Pend=l/rd
íd
~~e
Figura 7 .11: Modelos equivalentes de un diodo real
Vz
V
Vz V
r
.---,~,
Pend=l/rz-"'
(a)
(b)
Figura 7.12: (a) Símbolo de un Diodo Zener. (bJ" Modelo equivalente de un diodo Zener trabajando en zona Zener
EJEMPLO
6.1
Un diodo luminoso se alimenta con una pila de 12 V y una resistencia limitadora de 1 KD. tal y como se muestra en la figura 7.13 (a). El diodo tiene una tensión umbral de conducción de 1'5 V y una resistencia
320
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
quiva.lente serie de 50 .isipada por el diodo.
n. ·Calcular
la caída de tensión
y
la potencia
acircuito equivalente, resultado de sustituir el diodo real por su modelo equivamte se muestra en la figura 7.13 (b).
500
1KO Diodo ideal
(b)
(a)
igura 7.13: (a) Circuito con diodo. (b) Circuito equivalente resultado de sustituir el iodo por su modelo equivalente
1ado que el diodo ideal del modelo equivalente está polarizado directamente, puee ser sustituido por un cortocircuito. Aplicando Kirchhoff a la malla resultante ~nemos: 12 - 1'5 = 1000I + 501
e donde se obtiene como valor de intensidad I = O'Ol A. La caída de tensión en . diodo real será su tensión umbral más la caída en su resistencia interna:
Vd
= 115 + 50 · O'O1 = 2 V
finalmente la potencia disipada en el diodo será:
Pd = ~JEMPLO
vd 1 = 2 . o'01 = o'02 w
6.2
~l diodo luminoso (fotoemisor) D indicado en la figura 7.14 tiene las iguientes características: tensión umbral de conducción 1'5 V, resistenia equivalente serie 150 n. Calcular la diferencia de potencial entre los untos A y B cuando el conmutador S está en la posición 1. Repetir el 1ismo cálculo cuando el conmutador está en la posición 2.
321
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
A
1500
1
s
_L_
1'2V
3V
Vumbral=l'SV R=1500
B
Figura 7.14: Circuito con diodo
e
interruptor
Cuando el interruptor está situado en el punto 1 el circuito resultante se muestra en la figura 7.15 (a) y en (b) el circuito resultante al sustituir el diodo real por su modelo equivalente. Vemos como el diodo ideal del modelo equivalente no conduce ya que: V= 1'2 - 1'5·= -0'3 < O o lo que es lo mismo en el diodo real V< Vy, con lo que el circuito es el mostrado en la figura 7.15 (e). La tensión entre los puntos A y B será igual a la tensión de la batería l '2V. \
l'2V
J_
1'2V
1'5V
Vumbnil:l'SV 1500
R=1500
ª~ - - -~ (b)
(a)
(e)
Figura 7.15: (a) Circuito con el interruptor en el punto l. (b) Circuito resultante al sustituir el diodo por su modelo equivalente. (c) Circuito equivalente final
Cuando el interruptor está situado en el punto 2 el circuito resultante se muestra en la figura 7.16 (a) y en (b) el circuito resultante al sustituir el diodo real por su modelo equivalente. Vemos ahora que el diodo ideal conduce ya que: V
=3-
1'5 = 1'5 > O
o lo que es lo mismo en el diodo real se cumple V > V11 con lo que el circuito es el
322
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
nostrado en la figura 7 .16 (e). Calcularnos la intensidad que circula por la malla: 3 - 1'5
= (150 + 150) I
iespejando ~a tensión entre el punto A y B será: VAB
= 115 + 150 · 5 · 10-3 = 2'25 V A
3V
3V
l 'SV
Vumbra1:al'5V
3V
R=1500
1500
B
(a)
(b)
(e)
~igura 7.16: (a) Circuito con el interruptor en el punto 2. (b) Circuito resultante al ,ustituir el diodo por su modelo equivalente. (c) Circuito equivalente final ~JEMPLO
6.3
,upongamos que los diodos de la figura 7.17 son ideales. Trazar la curva le V0 en función de ¼ comprendidos entre O y 50V. Indicar todas las )endientes y niveles de tensión. Indicar qué diodos conducen en cada ·egión. D1
2'5k
D3
02 Vi
10k
Sk
Vo
20V
Figure 7.17
323
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
INTERVALO
1: 0
En principio, vamos a suponer que D2 conduce al tener una pila de 6V en su zona P. En cambio, vamos a suponer que D1 y D3 no conducen. Bajo este supuesto el circuito resultante queda:
Vi
Vo
Sk
Figura 7.18
En fácil calcular la intensidad que circula por esta malla::
I
=
8
8
(5k + 5k)
10k
resultand'o Vo = I · 5k = (lgk) · 5k = 4V. En el momento que¼ supere el valor de 4 V el diodo D1 comenzará a conducir. El intervalo queda O < ¼ < 4V. INTERVALO
2: 4V
< Vi .
Ahora .D 1 conduce al igual que D2, sin embargo D 3 sigue sin conducir. El circuito quedará: 2'Sk
,
.............................
/
Vi
.
11 \
/ ..•••··••········•... 1
Sk
12
8V
--
Figura 7.19
Resolvemos por mallas:
¼ - 8 = t5kI1 - 5kI2 6
324
= - 5kli + lOkI2
Sk
Vo
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Resolviendo obtenemos 11
V0
= v5k2
y 12
= ~~6 • La tensión de salida será: ¼+6
= 5k · I 2 = 5k ½ + 6 lük
2
Estos resultados serán válidos hasta que D 2 deje de conducir, esto es, hasta que Ji= 12 de donde obtenemos:
¼-2 5k
¼+6 lOk
½= lOV Luego el intervalo 2 quedará: 4V INTERVALO
<¼<
IOV.
3: 10V < ¼ .
Ahora el diodo D1 conduce, D2 no conduce y D3 tampoco conduce. El circuito quedará: 2'5k
Vi
Vo
Sk
Figura 7.20 La intensidad que circula por la malla de entrada es:
¼
I
= 2'5k + 5k -
¼ 7'5k
y la tensión de salida:
V,= 5k.1= 0
5k¼ 7'5k
= ¼
1'5
Esto será cierto hasta que el diodo D3 comience a conducir, lo cual ocurre cuando la tensión de salida es igual a la tensión de la batería en serie con D 3 , es decir, ~uando V0 = 20V. Luego: ½ ,; 1
= 20 * ½ = 30V 325
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
El intervalo quedará: lOV < ¾ < 30V. INTERVALO
4: 30V <
¼ < 50V.
Ahora conducen los diodos D 1 y D 3 y no conduce D2. El circuito queda: 2'5k
Vi
Sk
Vo
Figura 7.21 Resolvemos aplicando la ley de mallas de Kirchhoff:
¼ - 20 = 12'5kl1 - lOkl2 20
= -lükli + 3012
Resolviendo este sistema de ecuaciones se obtiene: I _ 2¼ + 10 2 17'5 y aplicando la ley de Ohm a la resistencia de 5k queda:
Vo=
4¼+20 7
La característica de transferencia resultante se muestra en la figura: Vo
31V ·-·······························--······-·····---: Vo=(4Vi+20)/7 : 20V ····-····················-···:
Vo=Vi/1'5
!
.
..
¡
8V ...........
¡
¡
4V
- - - - - - - - - - - - - - - Vi 4V
lOV
30V
Figura 7.22
326
SOV
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
7.3.5.
Diodos en conmutación
La Electrónica Digital se caracteriza por le existencia de señales que sólo pueden tener dos valores (por ejemplo cero o cinco voltios) asociados a los valores lógicos V(O) = O voltios y V(l) = +5 voltios. En este caso, el diodo trabaja entre corte (polarización inversa) y conducción (polarización directa). Sin embargo, es importante conocer la respuesta de la unión ante cambios en la tensión de polarización ya que estos procesos van a determinar la velocidad de conmutación de un circuito digital y, en consecuencia, van a marcar la frecuencia máxima a la cual pueden usarse los circuitos digitales construidos a partir de estas uniones PN. El paso de corte a conducción y viceversa, necesita un determinado tiempo hasta alcanzar el nuevo estado. Este retardo se debe fundamentalmente a la necesidad de extraer la carga almacenada en la unión. En polarización directa esta carga se almacena esencialmente como exceso de portadores en las zonas N y P. En polarización inversa, la carga se almacena esencialmente en la zona de transición. Por eso, es posible simplificar el análisis viendo sólo lo que pasa con la carga. 7.3.5.1.
Tiempo de conmutación de conducción a corte
Supongamos el diodo trabajando en polarización directa mediante la tensión V1. Para realizar la conmutación, cambiamos el valor de la tensión en magnitud y signo, pasando a a ser - V2. Este cambio en la tensión terminará polarizando a la unión en sentido inverso, en condiciones estacionarias, cuando pase un tiempo. Ahora nos interesa conocer el comportamiento transitorio, es decir, ver cómo se alcanza el estado estacionario y cuánto tiempo consume el proceso de conmutación. Hemos visto que en polarización directa existe un número de portadores que atraviesan la unión de forma que la densidad de portadores minoritarios en exceso es alta. En polarización inversa el exceso de portadores minoritarios en las proximidades de la unión debe ser nulo. Esto implica que en el transitorio, el número de portadores minoritarios en exceso pasa a ser cero, esto es, estos portadores deben retroceder a través de la unión hacia el lado originaL Este movimiento de carga genera una corriente en sentido inverso. El tiempo necesario para que el exceso de portadores minoritarios sea cero se denomina tiempo de almacenamiento, t 8 • Después de ese tiempo, la tensión del diodo empieza a invertirse hasta llegar a -V2 y la corriente decrece hasta Is. El tiempo transcurrido entre t 5 y el momento en el que el diodo se ha recuperado se llama tiempo de transición, tt. Todo este proceso se muestra en la figura 7.23.
327
F UNDAMENT OS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
id
vd
-V1/ RL
+
ts
id)
VÍ
t
RL
-V2/RL
vd
vi
•
'' •' '' ''
. 1
'''iE
tt
''
V1
.
): 1
1 1
'
l
•
''
t
1 1 1
t
-V2
-V2 --------·--.-------------' 1' •t ' t' 11empo dt Polar.iiec ién TíetnfQ d~ 1 1
d if~
(a)
a lmecen:arn ,ento tt.lC\S,e en
{b)
Figura 7.23: (a) Circuito diodo resistencia y tensiones de ent rada al circuito. (b) Ondas de corrieii:te y de tensión
7.3.5.2.
Tiempo de conmutación de corte a conducción
Supongamos el diodo trabajando en polarización inversa. Para realizar la conmutación , aplicamos una t ensión m ayor que la tensión umbral. La caída en _la resist encia de p olarización marca la corriente, I , que atraviesa el diodo. Ésta produce un cambio en el valor de la concentración de los portadores en la frontera de la zona de transición dejando de ser cero. Este cambio en el valor es muy rápido ya que basta con inyect ar unos p ocos p ortadores. La nueva corriente va aumentando la carga almacenada hasta que se alcanza el est ado estacionario.
7 .3.6.
Tipos d e diodos
Los diodos pueden clasificarse según el semiconductor base utilizado o según la aplicación . Podemos encontrar Diodos Zener, Diodos Emisores de Luz llamados LED (Light-Emitting Diode), Diodos Láser, Diodos Efecto Tonel, Diodos Varicap 1 Diodos Schottky, Fotodiodos y Células Fotovoltaicas entre ot ros. A continuación, se describen brevemente algunos de ellos, mientras que otros serán descritos en
328
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
el capítulo de dispositivos fotónicos dado que son dispositivos excitados por la incidencia de luz. l. Diodo Zener
Son diodos capaces de trabajar como un diodo normal cuando están polarizados en directa y en zona zener cuando están polarizados en inversa y su corriente es superior a un determinado valor. Este tipo de diodos se emplea en circuitos reguladores, limitadores y recortadores de tensión. En la figura 7.12 (a) se mostró el símbolo utilizado en los circuitos. 2. Diodo LED
Es un diodo que emite luz cuando se polariza de forma directa la unión PN y circula por él una corriente eléctrica. El color de la luz (longitud de onda) , depende del material semiconductor empleado en la construcción del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta también reciben el nombre de UV LED (UltraViolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja suelen recibir la denominación de IRED (Infra-Red Emitting Diode). En la figura 7.24 (a) se muestran varios LEDs y en la 7.24 (b) el símbolo utilizado en los circuitos.
--tQ(a)
(b)
Figura 7.24: (a) Diodos LED comerciales. (b) Símbolo de un Diodo LED El funcionamiento físico consiste en que, en los materiales semiconductores, cuando un electrón pasa de la banda de conducción a la de valencia, pierde energía; esta energía perdida se puede manifestar en forma de un fotón desprendido, con una amplitud, una dirección y una fase aleatoria. El que esa energía perdida se manifieste como un fotón desprendido o como otra forma de energía (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material semiconductor. Así, en el silicio o en el germanio la emisión de
329
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
luz es insignificante en cambio en el fosfuro de ·galio el porcentaje de energía luminosa es muy alto. 3. Diodo Láser
Al igual que en el LED en el diodo láser se generan fotones a partir de la recombinación de pares electrón-hueco. En condiciones apropiadas, el electrón y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotón con la energía apropiada pasa por allí durante ese periodo, se producirá la emisión estimulada, es decir, al producirse la recombinación el fotón emitido tendrá igual frecuencia, polarización y fase que el primer fotón. Para conseguir este efecto, en el diodo láser se tiene una cavidad óptica que guía los fotones generados. La cavidad óptica es básicamente una cavidad resonante en la cual los fotones sufren múltiples reflexiones. Por tanto, cuando los fotones son emitidos sólo se permite que una pequeña fracción de éstos deje la cavidad. En consecuencia, la concentración de fotones dentro de la cavidad empieza a crecer. El resultado es que mientras que un diodo LED emite fotones en muchas direcciones, un diodo láser consigue guiar la luz en una sola dirección, esto es, con el láser se pueden conseguir rayos de luz monocromática dirigidos en una dirección determinada. Como además también puede controlarse la potencia emitida, el láser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energía con precisión. Una de estas aplicaciones es la de lectura de información digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproducción de discos compactos musicales. E~ la figura 7.25 se muestra el símbolo utilizado en los circuitos.
-CHFigura 7.25: Símbolo de un Diodo Láser
4. Diodo de Efecto Tonel
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión PN, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. Esto significa que la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su ut ilización
330
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
como amplificador o como oscilador. En la figura 7 .26 se muestra el símbolo utilizado en los circuitos.
-~Figura 7.26: Símbolo de
un Diodo Efecto Tunel
5. Diodo Varicap Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacidad variable, es decir, su capacidad depende de la tensión inversa a él aplicada. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisión y en los receptores de radio en FM. En la figura 7.27 se muestra el símbolo utilizado en los circuitos.
Figura 7.27: Símbolo de un Diodo Varicap 6. Diodo Schottky.
El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor, en lugar de la unión convencional PN utilizada por los diodos normales. Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayori tarid'. Esto significa que, si el semiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida. Por tanto, se trata de un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de lns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy baja tensión umbral. En la figura 7 .28 se muestra el símbolo utilizado en los circuitos.
-t:j-ri Figura 7.28: Símbolo de un Diodo Schottky
331
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
7 .3. 7.
Aplicaciones elementales de los diodos
En el diseño de diferentes circuitos, se aprovecha la opción ON _ OFF de los diodos para modificar la forma de onda de las señales eléctricas. Entre los más destacados se encuentra el circuito rectificador ya que forma parte de las fuentes de alimentación encargadas de transformar la tensión alterna de las redes de distribución de energía en tensión continua que alimenta a los equipos electrónicos. Veamos a modo de ejemplo el rectificador de media onda monofásico de la figura 7.29 donde se observa que, en los ciclos positivos, el diodo conduce con lo que la tensión de salida, medida en la resistencia y de color rojo, tiene el mismo valor que la tensión de entrada, ¼ , representada en color azul, mientras que en los ciclos negativos el diodo no conduce con lo que la tensión de salida es nula. Otra de las aplicaciones en donde se utilizan diodos son los circuitos recortadores los cuales se usan para seleccionar en su transmisión aquella parte de la onda que esté por encima o por debajo de un nivel de referencia. Un ejemplo se muestra en la figura 7.30. ' .;
!
·, }
1
1
RL
Vi
(b)
(a)
Figura 7.29: (a) Circuito rectificador de media onda. (b) Ondas de intensidad en la entrada de color azul y en la salida o resistencia de color rojo
R +
Vo
Vi
Vit
I-
Figura 7 .30: Circuito recortador
332
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
7.4.
Transistor Bipolar
~l igual que en el caso de los diodos, en la conducción de los transistores bipola~es intervienen los electrones y los huecos. Un transistor bipolar es un dispositivo ~onstituido por tres regiones de semiconductor dopadas y unidas formando dos 1niones PN muy cercanas entre sí. El nombre asignado a cada región de un tran;ístor bipolar es:
• Emisor: se diferencia de las otras dos zonas en que está altamente dopado. Precisamente1 el nombre se debe a que funciona como un emisor de portadores de carga. • Base: es la zona intermedia entre emisor y colector, muy estrecha.
• Colector: es la zona más ancha de todas. Jada una de estas tres regiones de semiconductor está conectada a un terminal, ;sto implica que el transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales. Estos iispositivos tienen un nodo de entrada e, un nodo de salida s, y un nodo común ~ y dividen el circuito en el que se insertan en dos bucles, lazos o mallas (figura r.31), uno llamado lazo de control y otro llamado lazo controlado . . Dispositivo tres . ---- e terminales s
ie
Ve
~
.
is ---r-~
e Lazocontrolado)
Vs
~ z o de control
Figura 7.31: Dispositivo de tres terminales :lay dos tipos de transistores bipolares PNP y NPN cuyos modelos simplificados y iímbolos se representan en las figuras 7.32 (a), (b), (c) y (d), en donde se muestran os tres t erminales correspondientes a las tres zonas y en donde por simplicidad ;e ha representado el ancho de cada zona igual. Observe que las uniones PN en os transistores PNP y NPN están invertidas. El comportamiento de ambos tipos ~ equivalente y las explicaciones dadas para un tipo son igualmente válidas para ~l otro cambiando los signos de corrientes y tensiones. :]orno dispositivo de tres terminales, el transistor bipolar se utiliza en tres coniguraciones, dependiendo de cuál sea el terminal común: Emisor común (EC),
333
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Base común (BC) y Colector común (CC). En la figura 7.33 se representan estas configuraciones para un transistor PNP y en la figura 7 .34 las configuraciones para un transistor NPN.
I..jPll)NJl)Pµ
E
C
!e
(b)
(a) C
E
-y-
N
(d)
(e)
Figura 7.32: (a) Modelo simplificado de la estructura interna en transistores bipolares PNP. (b) Símbolo de un transistor PNP. (e) Modelo simplificado de la estructura interna en transistores bipolares NPN. (d) Símbolo de un transistor NPN. (e) Encapsulado del transistor bipolar de propósito general BC-107 El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector a través de la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero que, al ser la zona de base estrecha, puede llegar a conducir actuando como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por la unión emisor-base. El hecho de que una corriente pequeña de base controle las corrientes de emisor y colector mucho más elevadas muestra la capacidad que tiene un transistor para conseguir una ganancia de corriente. Se define la ganancia de corriente de un transistor como la relación que existe entre la variación de la corriente de colector y la variación de la corriente de la base. Este parámetro puede oscilar entre 20, para los transistores de potencia, hasta 400, para los transistores de pequeña señal,
334
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
siendo una información suministrada por el fabricante.
(b)
(a)
(e)
Figura 7.33: Configuraciones básicas de un transistor bipolar PNP. (a) Base Común (BC). (b) Emisor Común (EC). (e) Colector Común (CC)
e
Vc;1
le
le
IE E
e
IE
Is
~E
-J.-(,a V~:[)]~CE V:cl~ 5tlc I;,e B
E
(a)
(b)
-
e
+
(e)
Figura 7.34: Configuraciones básicas de un transistor bipolar NPN. (a) Base Común (BC). (b) Emisor Común (EC). (e) Colector Común (CC) En función de la polarización en directa o inversa de las dos uniones PN de que consta el transistor, existen cuatro modos de funcionamiento posibles presentados en el cuadro 7.2. L Activo normal Cuando la unión emisor-base está polarizada en dírecta y la unión basecolector en inversa decimos que el transistor trabaja en activo normal. En esta situación la corriente de colector depende principalmente de la corriente de base, de la ganancia de corriente del transistor /3 y de las resistencias que se encuentren conectadas al colector y emisor. Cuando queramos utilizar el transistor como amplificador de señal va a funcionar en esta región. 2. Activo inverso
Cuando la unión emisor-base está polarizad a en inversa y la unión basecolector en directa decimos que el transistor trabaja en activo inverso. Ahora
335
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Modo funcionamiento Saturación Activo normal o directo Activo inverso Corte
Unión Emisor-Base Polarización directa Polarización directa Polarización inversa Polarización inversa
Unión Base-Colector Polarización directa Polarización inversa Polarización directa Polarización inversa
Cuadro 7. 2: Modos de funcionamiento del transistor bipolar el emisor y el colector invierten sus funciones. Hay que comentar que la mayoría de los transistores se diseñan para trabajar en modo activo directo de manera que su ganancia de corriente sea máxima, por ello, este parámetro en modo inverso es muy inferior. 3. Corte
Un transistor está en corte cuando la intensidad de base es prácticamente nula. Esto ocurre cuando la tensión aplicada en la base es menor a un determinado valor umbral. En este caso, ambas uniones están en corte y las intensidades que circulan por el transistor son despreciables.
"
4. Saturación
Un transistor está en saturación cuando la corriente de colector es máxima cumpliéndose le '.'.:::'. JE pero la t ensión entre su colector y emisor es pequeña . (del orden de 0'2V). Esta situación se produce cuando la intensidad de base es suficiente grande. En este caso, la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o emisor o ambos. Hay que indicar que los modos de corte y saturación son propios de la Electrónica Digital, donde únicamente interesa distinguir dos estados (0,1) los cuales se asocian a que el transistor conduzca o no conduzca, mientras que los modos activo directo y activo inverso son más propios de la Electrónica Analógica, donde interesa el comportamiento lineal del transistor.
7 .4.1.
Funcionamiento
Veamos ahora de forma cualitativa el funcionamiento de un transistor bipolar NPN en su configuración BC, cuando se polariza la unión emisor-base en directo y la unión colector base en inverso, es decir, el transistor está trabajando en activo
336
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
tormal. La figura 7.35 muestra las corrientes que aparecen en el interior del tranistor donde se han representado los huecos como cargas positivas (recuerde que e ha considerado como sentido positivo de la corriente el sentido de movimiento le los huecos aunque el movimiento real sea el de los electrones). Observe que n cada unión existe una zona de transición, más ancha en la unión de colector [Ue en la de emisor debido a que, como hemos dicho, aquella está polarizada en entido inverso y que el colector está mucho menos impurificado que el emisor.
----e le
N
N
IB B
'igura 7.35: Mecanismos internos de conducción en los transistores NPN cuando su nión Emisor-Base está polarizada directamente y su unión Colector-Base está en inversa lnalizaremos las corrientes que aparecen en el interior del transistor. La prinipal corriente, InE, es la que circula del emisor al colector la cual se produce ,or difusión desde el emisor hacia la base y como ésta es muy delgada y menos .opada, consigue atravesar la base casi sin recombinaciones y llegar a la unión ,ase colector donde el campo eléctrico la desplaza al terminal de colector. Existe tra componente de la corriente de emisor, ÍpE, que representa los electrones que e recombinan con los huecos que inyecta la base en el emisor en la frontera de la ona de transición. Se cumple: (7.17)
:'al y como hemos dicho, la mayor parte de los portadores de la corriente I nE traviesa la base sin llegar a recombinarse, dando lugar a la componente de la orriente de electrones en el colector, Inc pero algunos de estos portadores se ecombinan durante el tránsito de la zona de base, dando lugar a una pequeña omponente de la corriente de base, IBB· (7.18)
337
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
La otra componente de la corriente de colector es la existente en una unión PN polarizada en sentido inverso, lpc (extracción de portadores desde una región en la que son minoritarios). Por tanto: le= Ipc + Inc
(7.19)
Finalmente, la corríente en el terminal de base es la suma de las tres corrientes descritas, esto es, la corriente que se inyecta en el emisor , 1BE = lpE, la corriente que se extrae del colector, IBc = - Ipc y el aporte de electrones para recombinarse con los huecos que atraviesan la zona neutra de base, IBB· Resulta:
(7.20) Evidentemente, las corrientes de emisor, colector y base deben cumplir el principio de conservación de la carga, es decir, se cumple: JE = lB
+ le
(7.21)
Es fund~ental subrayar la importancia de que la zona de base sea estrecha ya que eso permite que por la unión de colector, polarizada en sentido inverso, pase una corriente alta, prácticamente igual a la inyectada por la unión de emisor que está muy próxima. Si se aumentara el ancho de la zona de base, dejaríamos de tener un transistor para tener dos diodos en oposición. Por otro lado, hemos visto que aunqu e existen diversas componentes de las corrientes que aparecen en los terminales, lo más importante es que existe una relación entre la corriente de base y la corriente de colector que viene dada por:
Ic = f3 IB + Ico(/3 + 1)
(7.22)
siendo leo la corriente inversa de la unión de colector cuyo valor es muy pequeño por lo que normalmente, se aproxima a la expresión: ...
l e~ /3Is 7 .4.2.
(7.23)
Curvas características y regiones de funcionamiento
Para determinar el modo de funcionamiento de un transistor en cualquiera de las configuraciones es necesario calcular seis parámetros para definir el estado eléctrico del mismo (tres tensiones y t res corrientes). Teniendo en cuenta que
338
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
O y que VsE = VcE + VBc, los parámetros se reducen a cuatro. Así, en un circuito determinado y para unos valores concretos de entrada, existirán unos valores de estos cuatro parámetros que caracterizan el estado del transistor definiendo su punto de operación1 Q. lB +fe+ JE
=
Una forma sencilla de determinar el punto de operación de un transistor, es utilizar la representación gráfica de sus curvas características J = f (V) y resolver el sistema de ecuaciones de forma gráfica. Las curvas características más empleadas en la práctica son, por un lado, la curva característica de entrada que relaciona la tensión base-emisor (VBe) con la intensídad de base (IB) y, por otro, la curva característica de salida que relaciona la tensión colector-emisor (VeE) con las intensidades de colector (le) y de base. En la figura 7 .36 se muestran estas dos curvas para el caso de un transistor bipolar NPN en configuración de EC. Así, una tensión determinada VBE nos permite calcular su correspondiente IB en la curva característica de la entrada (ver figura 7.36 (b)). Esta intensidad de base fija la curva característica que relaciona la corriente fe con la tensión VcE en el lazo de salida. El punto de trabajo (Q) se determina en la curva característica de salida como el punto intersección entre la recta de carga y la curva fijada por la corriente de base (ver figura 7.36 (e)). Hay que decir que en la mayoría de las ocasiones estas curvas son suministradas por los fabricantes. Siguiendo el método de resolución gráfico, el objetivo es buscar el punto de intersección de las dos curvas que representan gráficamente las dos ecuaciones, que describen el punto de funcionamiento de un circuito, analizado por caminos distintos. Como se muestra en la figura 7.36, el lazo de entrada determina la corriente de base~ esto es: Is= Ve-VBE RB Por otro lado, la corriente de colector se calcula a través de la resistencia Re y el generador Vs del lazo de salida, dando lugar a la expresión de una recta de carga de pendiente Je:
l e= (Vs - VcE)
Re
(7.24)
El punto de funcionamient o del circuito debe cumplir ambas ecuaciones simultáneamente, por lo que, gráficamente, corresponderá al punto de intersección de la curva característica del transistor determinada por la corriente I B con la recta d e carga. Vemos que el punto de funcionamiento en la salida.siempre se corresponderá con un punto de esta recta de carga y dependerá de la corriente f B fijada por el lazo de
339
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
control o entrada del circuito. Luego, controlando la fuente en el lazo de entrada podremos operar en los dos modos de operación típicos en electrónica: pequeña señal y corte-saturación. Re
Vs Ve
(a) IC
IB
VCE (cte) 1
l
1
' l
ul
t.)
<(
1
..... ro
V')
"····t··········· Q' 1 1
'
\
1 1
Ve/Re
....::Jro
('J
-~ t::: o• (1) 1
e: :Q
•• :
.
1 1
m~cte
''
'
Corte
1
1
1
''
''
Ve',
VBE
(b)
IB:::O
VCE
(e)
Figura 7.36: Cálculo gráfico del punto de funcionamiento, Q, de un transistor bipolar en emisor común.(a) Relación entre el lazo de control y el lazo controlado. (b) Curva característica de entrada con sus tres zonas de trabajo. (e) Curva característica de salida con sus tres zonas de trabajo y recta de carga representada con línea discontinua
Resumiendo, para conocer en que zona está trabajando el transistor, tendremos en cuenta que: 1. Si no existe intensidad de base, el transistor no conduce, es decir, está en corte. 2. Si existe intensidad de base, el transistor conduce. Dependiendo del valor de dicha intensidad trabajará en activa o en saturación. Se cumple:
a) Si
/3
IB < Icmá.x el transistor trabaja en activa.
b) Si (3 IB > Icmáx el transistor trabaja en saturación.
340
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
siendo le máx la intensidad de colector máxima que podemos determinar a partir de la curva característica del transistor dada por la ecuación 7.24 y poniendo en ésta el valor máximo de la tensión colector-emisor en saturación el cual se trata de un valor suministrado por el fabricante. El valor de la intensidad de base IB se determina aplicando la ley de las mallas. de Kirchhoff al lazo de control. De manera análoga al caso anterior, el valor de la tensión base-emisor, necesaria en este último caso, es un dato suministrado ,por el fabricante. RB
Re
le
Vi(t)
Vs
RL IE
Ve
(a) fC
18
VCE (cte}
'11
e:
:2f..)
1 1
Ve/Re
ro v• -~ ::::, t::I ..., 01 ro ul <( '1 (,/) ......t........... Q 1 J..
...: •
1
Activa IB=cte
IB=O
1 1 1
t
1 1 f
1
Corte
VBE
(b)
''
''
Ve',
VCE
(e)
Figura 7.37: (a) Circuito del transistor en pequeña señal. (b) Representación de la zona de trabajo en la característica de entrada. (c) Representación de la zona de trabajo en la característica de salida y recta de carga representada en línea discontinua
7.4.3.
El transistor en pequeña señal
La figura 7.37 (a) presenta un circuito simplificado típico de Electrónica Analógica, en el que el transistor bipolar trabaja en pequeña señal. En este circuito, la señal de entrada, que excita la unión base emisor, est á constituida, por un generador de continua, Ve, en serie con una señal de pe.q ueña amplitud y variable en el tiempo, ¼(t). El generador de continua tiene la función de polarizar la unión
341
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
base-emisor del transistor en la zona activa, donde el comportamiento del dispositivo es aproximadamente lineal. El generador de alterna representa la fuente de información que se desea amplificar, filtrar, etc. Un ejemplo sería un circuito en el que ¼(t) es la señal procedente de un micrófono o de un reproductor MP3 que va a ser amplificada mediante un transistor antes de llegar a la entrada de un altavoz. En este caso, el punto de funcionamiento oscila alrededor del punto Q, calculado cuando ¼(t) = O (ver figura 7.37 (b)). Pequeñas variaciones en la señal de entrada producen pequeñas variaciones en la corriente de base IB, y esto se traduce en un cambio de curva característica del dispositivo (en la zona activa, las curvas características son rectas paralelas). La intersección de la curva característica correspondiente con la recta de carga proporciona el punto de funcionamiento del dispositivo en cada instante de tiempo, Q(t). Mientras que la variación en la entrada sea pequeña, el punto de funcionamiento permanece en la zona activa y el comportamiento será aproximadamente lineal.
7.4.4.
El transistor en corte y en saturación '-
Cuando la tensión de entrada es muy grande o muy pequeña la unión base-emisor del transistor queda polarizada en saturación o en corte, respectivamente (ver figura 7.38 (a)). En este caso, el punto de funcionamiento Q del transistor se encuentra en los dos extremos de la curva característica, esto es, zona de corte o zona de saturación según se muestra en la figura 7.38 (b ). Este es el funcionamiento típico en Electrónica Digital, donde el transistor se comporta prácticamente como un interruptor que está cerrado si el transistor trabaja en saturación (en estado lógico O) ,o abierto si el transistor trabaja en corte (estado lógico 1). Para el estudio de este tipo de circuitos basta con analizar las curvas características que determinan el punto de funcionamiento del transistor: • El transistor está en corte cuando la tensión de entrada no supera la tensión umbral del diodo (V, < 0,6). Esto hace que la corriente IB sea despreciable y, por tanto, el transistor no conduzca (Je muy pequeña) y tensión entre colector y emisor, VcE, viene fijada por el resto de la malla de salida (Vs y Re). • El transistor está en saturación cuando la entrada supera la tensión de polarización en activa del diodo (VBEsaturación rv 0'8). Esto hace que la corriente IB sea grande y, por tanto, el transistor conduzca con una corriente
342
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
le máxima (controlada por la recta de carga). Ahora, el valor de la tensión entre emisor y colector VcEsaturación es igual a 0,2V. Re
Vs
RL
Vi{t)
IE
(a)
IC
18
VCE (cte) '1
'
1 1
Q,)I
ti
Ve/Re
('ti
>
Activa
·-
o: -...._
U1
--···t··--··--··
''
1S=O ' --~c---
1 1
1 1
.Corte
'
VBE (b)
~
Ve',
VCE
(e)
Figura 7.38: (a) Circuito del transistor en corte y saturación. (b) Característica de entrada mostrando sus tres zonas de funcionamiento. (c) Característica de salida mostrando sus tres zonas de funcionamiento y curva característica del transistor y recta de carga representada en línea discontinua
A modo de resumen, en el cuadro 7.3 se presentan las tensiones de entrada típicas y el funcionamiento que tendría el transistor en cada caso. Conocer estos valores es importante para realizar un análisis aproximado de cómo se encuentra un transistor en un circuito.
7.4.5.
Modelos equivalentes del transistor bipolar
El análisis de los circuitos en los que existen transistores bipolares requiere emplear modelos equivalentes. Para conseguir resultados precisos es necesario utilizar modelos con ecuaciones no lineales, sin embargo, su resolución es complicada. Una manera de simplificar los cálculos se consigue linealizando el problema, esto es, se
343
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
Estado Corte Saturación Activa directa
½(V)
< 016 > 0'8 [0'6 - 0'7]
Cuadro 7.3: Relación entre valores de tensiones aplicadas en la base y modo de funcionamiento del transistor
definen modelos por partes más sencillos y lineales. Así, por ejemplo, el estudio de circuitos amplificadores de señales sinusoidales pequeñas se puede descomponer en dos partes, una dedicada al análisis del circuito en continua y otra dedica.da al análisis con señales sinusoidales de pequeña amplitud. Para ellos, se comienza especificando un punto de trabajo determinado por los valores medios de tensión e intensidad en el transistor (estudio en continua) y después se superpone una señal sinusoidal de pequeña amplitud (estudio de pequeña señal). Como vemos, resulta interesante disponer de modelos de continua de los transistores. En la figura 7.39 se muestras estos modelos para el caso de un transistor NPN. Así, encontramos un modelo para el transistor trabajando en corte (ver figura 7.39 (a)), otro modelo para el transistor trabajando en activa normal (ver figura 7.39 (b)) y otro para el transistor trabajando en saturación (ver figura 7.39 (e)).
e
e
B
e
B
~VCEsat
f1c B• ~ • Is
VBE
VBEsat
f
IE
lE
E
(a)
E (b)
E (e)
Figura 7.39: Modelos del transistor (a) trabajando en corte; (b) trabajando en activa normal; (e) trabajando en saturación
El modelo del transistor trabajando en corte se trata de un circuito abierto con lo que todas las intensidades son nulas y las tensiones dependen del resto del circuito. En el caso del modelo del transistor trabajando en activa, existe una fuente de intensidad dependiente de la corriente de base por la relación le= /3 IB
344
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
y la caída de tensión entre la base y el emisor se mantiene aproximadamente en VsE = 017V. Finalmente, en el modelo del transistor trabajando en saturación tenemos entre el colector y el emisor una fuente de tensión igual a la tensión entre colector y emisor en saturación (VcEsaturación = 0'2V) y la tensión entre base y emisor se mantiene aproximadamente en VBEsat = 0'8V.
7.4.6.
Transistores en conmutación
En esta sección, se estudia el comportamiento del transistor cuando cambia· de estado de corte a saturación y viceversa. Este comportamiento transitorio es fundamental para entender el comportamiento de los circuitos digitales, que presentan unos ciertos tiempos de retardo entre el momento en que se aplica un cambio a la entrada del dispositivo y éste se observa a la salida del mismo. Para entender los procesos que se producen en la transición entre estados, diremos que la tensión a la entrada puede variar instantáneamente, pero no la corriente, ya que ésta depende del flujo de cargas (electrones y huecos en los transistores bipolares) y es necesario un cierto tiempo para modificar las zonas de transición (procesos de extracción y de recombinación) y las concentraciones en las otras zonas. Para llegar a esta situación estable, es necesario retirar o inyectar cargas para modificar las concentraciones y esto requiere un cierto tiempo, es decir, es necesario mover las cargas almacenadas en la zona de base y en las zonas de transición. Los tiempos que caracterizan los dos transitorios son:
• Transitorio de corle a saturación (tiempo de conducción = ToN
= td + tr)
Cuando el transistor está trabajando en zona de corte, ambas uniones están en inversa, siendo su zona de transición ancha y en la zona de base existe un déficit de portadores minoritarios. En ese momento aplicamos una tensión en la base del transistor suficiente para hacerlo saturar. En el estado de saturación, la zona de transición de ambas uniones es muy estrecha y en la zona de base habrá un exceso de minoritarios. Por tanto, para conseguir el paso de corte a saturación es necesario suministrar a la base la carga suficiente para neutralizar las cargas iónicas existentes en la zona de transición de ambas uniones y establecer en la base un exceso de cargas. Distinguimos en el proceso dos tiempos:
• Tiempo de retardo (delay time), td: es el tiempo que transcurre desde el comienzo de la excitación de paso a saturación hasta que se inicia la respuesta. Durante un tiempo, se inyectan cargas al dispositivo que
345
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
se usan para reducir las zonas de transición y acumular cargas en las otras zonas. La intensidad de colector durante este tiempo permanece nula.
• Tiempo de subida (rise time), tr: es el tiempo desde que comienza a crecer la corriente de colector hasta que toma el valor de O, 9IcsatDurante este tiempo, las cargas acumuladas aumentan la concentración de minoritarios y con ello la componente debida a la corriente de difusión.
• Transitorio de saturación a corte (tiempo de corte
= Top F = ts + t ¡)
Cuando el transistor pasa de estado de saturación a corte habrá que extraer el exceso de minoritarios en la zona de base y las zonas de transición de ambas uniones se ensancharan. Distinguimos en el proceso dos tiempos:
• Tiempo de· almacenamiento (storage time), t 8 : es el tiempo desde que comienza la excitación de paso al corte hasta que inicia la disminución de la corriente de colector, es decir, durante este tiempo la intensidad de colector permanece constante e igual a su valor en saturación. • Tiempo de caída (fall time), t¡: es el tiempo que transcurre desde el final de t 8 ( momento en el que empieza a disminuir la intensidad de colector) hasta que Ic = O, licsat· EJEMPLO 6.4
Dado el circuito de la figura 7.40, determinar en que zona de trabajo se encuentra el transistor bipolar de ganancia de corriente (3 = 100. Supóngase la tensión entre colector y emisor en saturación igual a 0'2 V y la tensión base emisor de 0'7 V.
10V
lOV
1k0
Figura 7.40
346
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Para saber cómo se encuentra un transistor (activa, corte o saturación), hemos de ~studiar la corriente de base, de modo que: l. Si no existe intensidad de base en corte.
Is, el transistor no conduce, es decir, está
2. Si existe intensidad de base IB, el transistor conduce. Dependiendo del valor de dicha intensidad el transistor trabajará en activa o en saturación. Recordemos que: • Si f3IB < Icmax el transistor trabaja en activa. • Si f3IB > Icmax el transistor trabaja en saturación. donde Jcmax es la intensidad de colector máxima que podemos determinar a partir de la curva característica del transistor.
lOkO
10V lkO
10V
10V 10V
(a)
1k0
(b)
Figura 7 .41: (a) Malla entre colector y emisor. (b) Malla entre base y emisor
Vamos a calcular la intensidad de colector máxima utilizando la curva caracterís~ica. Para ello, aplicamos la ley de mallas de Kirchhoff a la malla de la figura 7.41 :a) y tomamos el valor de la tensión colector emisor en saturación: Vcc
= Ic máx.Rc + V c Esa.t
üendo Vcc = lOV la tensión que alimenta al colector a través de la resistencia Re = lkü = 10000 y VcE sa,t = 0'2V. Despejando y sustituyendo dichos valores )btenemos: Vea - VcEsat 10 - 0'2 ·= 9'8 10-3 A 1Cmáx = 1000 ' Re
347
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
A continuación, calculamos la intensidad de base a través de la malla indicada en la figura (malla de la figura 7.41 (b)) resultando:
siendo VB = lOV la tensión de base, RB = lOkO = lOOOOn la resistencia en la base y VBE la tensión entre base y emisor del transistor que según el enunciado es iguaJ a 0'7V . Despejando la intensidad de base se obtiene:
io - o'7
= 9'3 io-4v
10000
'
Teniendo en cuenta las aclaraciones indicadas al comienzo del enunciado, tenemos que: 1 f31B = 100 · 9'3 · 10-4 = 913 · 10- 2 > Icmáx = 9 8 · 10-3 A luego el transistor está trabajando en saturación. EJEMPLO
6.5
Dado el circuito de la figura 7.42, construir su característica de transferencia. Supóngase Ve = 5V f3 = 100, RB = 5Kfl, RE = 2KD., VBEsat = O'SV Y VcEsat = 0'2V.
salida
Ve
VB
Figura 7.42 Para construir la característica de transferencia debemos obtener las tensiones de entrada que separan las tres zonas de trabajo del transistor: corte, activa y saturación. FUNCIONAMIENTO DEL C IRCUITO
Cuando la tensión de entrada es nula o negativa, el transistor está en corte por lo que la corriente de estrada a la base es prácticamente nula y también lo será la
348
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
:orriente de colector. Por tanto, por la resistencia de emisor no pasará corriente ;¡ la tensión de salida será nula al no existir caída de tensión en la resistencia. 3i aumentamos la tensión de entrada VB llegará un momento que se alcance el .ralor de tensión umbral de la unión base-emisor del transistor con lo que dicha 1nión estará polarizada en sentido directo y comenzará la conducción. En ese nomento, el transistor está en zona activa. A medida que aumente la tensión base~misor, aumentará la corriente de base y como estamos en zona activa, también .o hará la corriente de colector dado que ic = (3í B i y la de emisor será: iE
= iB + ic = (1 + /3)is
~
decir, al aumentar la corriente de base crece la corriente de emisor, lo que mpone una mayor caída de tensión en la resistencia RE, esto es, la tensión de ,alida. :;i seguimos incrementando la tensión de entrada, llegará un momento que se tlcance la saturación, a partir del cual la corriente de colector dejará de aumentar rnnque la tensión de entrada siga creciendo (ic = f3iB deja de ser válida). Lo nismo sucede con la corriente de emisor ya que aunque i B aumenta, como ic ~ i B Jodemos decir que ÍE ~ íc. JÁLCULO DE VALORES )e
la malla de entrada o de control tenemos:
:;i partimos de tensión nula, la unión base-emisor no está polarizada en directa y a corriente de base será nula con lo que VB ~ VE. Esto será cierto hasta que el ;ransistor comience a conducir que será cuando VE > Vumbral. ?ara determinar cuando se alcanza la saturación, sabemos que la caída de tensión ~ntre el colector y el emisor de un transistor en saturación es aproximadamente }'2V con lo que en condiciones cercanas a la saturación podemos escribir:
le donde obtenemos: . i
B
=
Ve - Vcesat (1 + f3 )RE
=
(5 - 0'2) . _ , A 76 23 (1 + 100) · 2 · 103 µ
349
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
De la malla de entrada podemos obtener el valor de la tensión de entrada necesario para alcanzar esta corriente teniendo en cuenta que en saturación podemos suponer VsEsat ~ 0'8: VBsat
= VsEsat + is(RB + (1 + /3)RE = 5'71 V
Como la tensión de salida en estado de corte es nula y la tensión de salida en saturación es Vcc - VcEsat ~ Vcc, ya podemos dibujar la característica de transferencia del circuito. Ve - VcEsat
- - - - - - - - - - - - - - - - - ----
VBsat
Tensión de entrada
' EJEMPLO
Figura 7.43 6.6
El transistor de la figura 7 .44 alimenta una carga de 1000 a partir de una batería de 15V . Sabiendo que la caída de tensión entre colector y emisor en saturación es igual a 300 m V, calcula~ la potencia disipada por el transistor: (1) cuando trabaja en corte; (2) cuando trabaja en saturación. lB 15V "1000
Figura 7.44 l. Cuando el transistor está en corte se comporta como un circuito abierto con lo que la corriente de colector es prácticamente nula, resultando una potencia nula.
350
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
2. Cuando el transistor está en saturación tenemos de la malla del lazo controlado: 15 - VcEsat = 100 I despejando:
I =
15
- O' 3
100
= O' 147 A
Luego, la potencia_ será:
Psat =VI= 0'3 · 01147 = 0'0441 W
7.5.
Transistores de efecto campo.
Los transistores de Efecto Campo o FET (Field Effect Transistor) son dispositivos ,emiconductores en los que el control de la corriente producida en un canal que une :los electrodos externos, llamados Fuente (S) y Drenador (D), se realiza mediante ~l campo eléctrico creado al aplicar un potencial a otro terminal llamado Puerta
(G). 8xisten distintos tipos de transistores de efecto campo: los JFET (FET de unión PN) y los MOSFET (FET Metal Oxido Semiconductor). En los JFET el proce30 ocurre en el volumen del semiconductor ya que el canal se crea mediante dos ll.Iliones PN polarizadas en inversa. En cambio, el transistor MOSFET es un dispositivo de superficie en el que la conducción se realiza en un canal próximo a la mperficie del semiconductor. En este libro se estudian únicamente los transistores MOSFET ya que son los empleados en Electrónica Digital. 8n la superficie de un semiconductor aparece una barrera de potencial asocia:la a cierta distribución de carga espacial inmóvil, la cual puede ser debida a la :.tplicación de un carnpo externo, por el contacto con otro material de distinto potencial o por la pérdida de periodicidad que se produce en los extremos de la red cristalina, provocando nuevos estados electrónicos permitidos. Estos estados ,uperficiales pueden tener una energía próxima a la banda de valencia o bien próláma a la banda de conducción. De estas tres causas, la última es la predominante. De cualquier modo, sea cual sea la causa, su efecto es la presencia de una carga tnmóvil en la superficie que produce una barrera de potencial. Supongamos que inicialmente el potencial en la superficie es nulo y aplicamos llna tensión de polarización externa positiva o negativa. Podemos encontrarnos ~on las siguientes situaciones que nos llevarán a una· posterior clasificación de los MOSFET.
351
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
l. Acumulación o realce. La placa conductora se polariza positivamente con
respecto al semiconductor induciendo una concentración de electrones mayor en la superficie que en el interior del semiconductor. Este fenómeno permite aumentar la conductividad del conductor (ver figura 7.45 (a)) . 2. Deplexión o vaciamiento. La placa conductora se polariza negativamente con respecto al semiconductor induciendo cargas positivas en el mismo, recombinándose éstas con parte de los portadores mayoritarios. Ahora, la concentración de portadores mayoritarios en la proximidades de la superficie es inferior a la del interior del semiconductor. Este fenómeno permite reducir la conductividad del conductor (ver figura 7.45 (b)). 3. Inversión. Si la polarización negativa es muy intensa en la placa conductora, aparece un exceso de carga positiva comportándose el semiconductor como uno de tipo P aunque el material sea de tipo N (ver figura 7.45 (e)).
Metal
+ V
···------(;)~e e E)
E) V
0
G
V
+
f
t,+++~
:¡.
e.
e ..
ee e
Semiconductor
Semiconductor
N
N
E
.
Metal
++++++++
V
f
E
+
'\
'\
Semiconductor N
\ Recombinación
(a)
(b)
(e)
Figura 7.45: Comportamiento de los MOSFET dependiendo de la polarización aplicada: (a) acumulación; (b) deplexión y (e) inversión
Dentro de los MOSFET encontramos dos tipo~ dependiendo de la polaridad del canal: los MOSFET de canal No NMOS y los MOSFET de canal ~ o PMOS. A su vez, estos transistores, según su modo, de operación se pueden clasificar en MOSFET de acumulación 1 también llamados de enriquecimiento o realce, o MOSFET de vaciamiento, también llamados de deplexión. En la actualidad, los segundos están prácticamente en desuso. En la figura 7.46 se representa esquemáticamente la estru ctura de los MOSFET de acumulación, en (a) de canal N y en (b) de canal P. Como se aprecia en (a) , las dos zonas de tipo N empotradas en el sustrato de tipo P son los electrodos de fuente y de drenaje. La región comprendida entre la
352
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
:uente y el drenaje es el canal que está cubierto por una capa de aislante (Si02). ~a puerta la forma el electrodo metálico localizado sobre la capa de óxido. Fuente S
Puerta G
~ óxido
Sustrato tipo P
Drenaje D
Fuente S
Puerta G
Drenaje D
~ · . óxido
Sustrato tipo N . .
(a)
(b)
Figura 7.46: MOSFET de acumulación (a) canal N; (b) can~ P ~os símbolos más habituales utilizados para la representación en los circuitos de os MOSFET de acumulación son los que aparecen representados en las figuras r.47 y 7.48. Observe dos aspectos significativos del símbolo, en primer lugar, que el ;erminal de puerta no tiene conexión con el resto de terminales ya que, tal y como 1emos visto anteriormente, está aislado eléctricamente del resto del dispositivo. ~n segundo lugar, que los terminales de drenador y fuente están unidos a través le una línea discontinua. Esta línea hace referencia al canal que se va a formar. )e nuevo, la flecha indica el sentido en que circularía la corriente en el caso de :¡ue la unión PN estuviera polarizada en directa. Para simplificar la notación, 1ormalmente representaremos las puertas NMOS y PMOS como el primero de los ;ímbolos indicados en las figuras 7.47 y 7.48, respectivamente. ~os transistores MOSFET de acumulación de canal N se polarizan aplicando una ;ensíón positiva entre drenador y fuente (Vns) y una tensión positiva entre puerta r fuente (Ves), tal y como se representa en la figura 7.49. ~a tensión Vos atrae electrones del sustrato hacia la capa de aislante de Si02, ~reando un canal. En este canal con portadores entre drenador y surtidor, cuando :1.plicamos una tensión entre drenador y fuente superior a un valor umbral, se )roduce un campo eléctrico que provoca un movimiento de los portadores y, por ;anto, una intensidad In en el sentido de drenador a fuente que es, precisamente, .a magnitud a controlar mediante la tensión aplicada entre puerta y surtidor. ~sta intensidad depende tanto de la tensión entre drenador y surtidor como de la ;ensión entre puerta y surtidor. En el caso del MOSFET de acumulación de canal P la tensión Vns debe ser negativa y la tensión Vas también, de esta forma la :orriente fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador.
353
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFOIUvIÁTICA
D
D
D
~
G~
G
~
_j :.- • SS
'l
s
D
D
G
_j~
G ~:.-
'ls
s
s
• SS
G
~
~9 s
Figura 7.47: Símbolos de los MOSFET de acumulación de canal N
D
D
D
D
~
_j:
G~ G
s
'l 11>
•
~
SS
G
_j~
s
G ~:
•
.SS
'ls
s
Figura 7.48: Símbolos de los MOSFET de acumulación de canal P
'
lo
G
Sustrato tipo P
Figura 7.49: Polarización de un MOSFET de acumulación de canal N A partir de ahora vamos a centrarnos en el estudio del MOSFET de acumulación de canal N ya que para los JVIdSFET de canal P todos los razonamientos serían análogos sin más que tener en cuenta los sentidos de las tensiones y las corrientes. Además, con objeto de simplificar la notación y dado que los potenciales de drenador y puerta están referidos siempre al potencial de fuente, es decir, Ves = Ve - Vs, y VDs = VD - Vs, cuando el potencial de fuente esté a tierra (Vs = O), escribiremos Va en lugar de Ves y VD en lugar de VDS·
354
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
~ínalmente comentar la importancia de los MOSFET en Electrónica Digital de1ido a la sencillez de su estructura física, su alta impedancia de entrada, bajo onsumo y su facilidad de aislamiento. Todas estas características permiten una ,Ita densidad de empaquetamiento para integración en gran escala. Los micro.rocesadores, las memorias EPROM, RAM, FIFO y CAM y toda la Electrónica )igital de alta densidad están dominados por la tecnología MOS.
'.5.1.
Curvas características y modelo elemental de los transistores MOSFET
Ja curva característica In = f(Vn) nos muestra el efecto que sobre el funcio:amiento del dispositivo MOSFET tienen las tensiones Vn y Ve. Al aplicar una ensión de puerta Ve = cte lo suficientemente grande como para crear el canal de aversión, la corriente en el canal, In, será función de Vn y su expresión analítica e obtiene integrando la densidad de corriente sobre una sección transversal del anal. Su valor es:
In=k[(Va-Vr).Vv-V!].
(7.25)
iendo VT la tensión umbral que es el valor necesario para inducir suficiente car;a como para producir, por inversión, el canal entre drenador y fuente y k una onstante función de la geometría del dispositivo y de las constantes d el semiconluctor. Ja figura 7.50 muestra las curvas características de un t ransistor MOSFET. Enontramos distintas zonas de trabajo: 1. Zona de corte
El transistor está trabajando en zona de corte cuando Ve < VT con lo que no se crea el canal, siendo la corriente In nula, con independencia del valor de VD. Se corresponde con el eje horizontal de la gráfica. 2. Zona lineal Cuando aplicamos en puerta una tensión Va mayor que la tensión umbral VT, se crea el canal de inversión que conecta el drenador con la fuente. Si en el drenador aplicamos un potencial positivo respecto a la fuente y pequeño (Vn < < Vc - Vr) aparece una corriente de drenador, ID, que es proporcional a Vn, para Ve constante, esto es, se cumple: Vn
= RDID
(7.26)
355
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
i
' Zona triodo : Zona saturación 1
Zona de ruptura
r
:
Zona cuadrática
VGs:::3 V VGS=2 V VGS corte
, Zona lineal
/
Zona de corte
,_.;,1.-c=--'.,_---=----------1.,_ VDsat== VGs - VT
VDS
Figura 7.50: Curvas características y regiones de funcionamiento de los MOSFET Ahora, estamos en la zona lineal de la región triodo en la que el canal se comporta como una resistencia cuyo valor se puede controlar mediante Va.· En esta zona se ha simplificado la expresión (7.25) eliminando la corrección cuadra~t·1ca, 2iv2. D· (Ve- Vr) > O Vn > O Vn ~ (Vc-VT)
===}ID~ k(Vc - VT)VD
(7.27)
3. Zona cuadrática Al aumentar VD, conservándose todavía inferior a (Vc - Vr ), actúa la corrección cuadrática y entrarnos en la parte curva de la zona triodo, para la que no es válida la aproximación lineal y debemos usar la expresión completa de (7.25). Para cada Ve y Vr existe una tensión de saturación, VDsat = Vc-Vr , que marca el límite de la zona. 4. Zona de saturación o de corriente constaiite
Cuando VD > Vnsat comienza la ,región de saturación. Ahora, la corriente ID permanece invariante frente a los cambios en VD dependiendo únicamente de la tensión aplicada en puerta. En esta zona, el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la t ensión de puerta. La ecuación de la intensidad de drenador en este caso es:
ID = g(Vc- Vr)
356
(7.28)
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
siendo g la transconductancia del transistor.
5. Zona de ruptura Un transistor MOSFET puede romper por dos motivos. Bien porque se perfora el dieléctrico cuando la tensión Va supera un determinado valor que vendrá dado por el aislante 1 o bien porque en la unión PN del lado del drenador 1 polarizada en inversa, se supere el valor de la tensión de ruptura de dicha unión.
7.5.2.
Modelos equivalentes del transistor MOSFET
En la figura 7.51 se muestran los modelos utilizados para un transistor MOSFET :le acumulación de cada una de sus zonas de trabajo. Observe que los modelos 30n semejantes a los utilizados en los transistores bipolares solo que ahora están 5obernados por tensión en lugar de por intensidad. G
D
D
G
D
f10 VG
G • ,- •
IG
VG
Í1s s
(a)
s (b)
s (e)
8"1igura 7.51: Modelos de un transistor MOSFET de acumulación: (a) en zona de corte; '.b) en zona óhmica; (e) en zona de saturación
7.5.3.
Tipos de MOSFET
!\.unque se ha particularizado el estudio de la curva característica para un tran~istor MOSFET de canal N y en modo acumulación, existen tres tipos más, tal r como ilustra el cuadro 7.4. Tanto para canal N como para canal P p odemos 1acer trabajar al transistor en modo de acumulación o en modo de vaciamiento. ~n el modo de acumulación, para Va = O no hay canal, lo creamos al aplicar ~l potencial de puerta Va. Si el canal es N, la tensión es positiva (Va > VT y Vr > O) y si el canal es P , Vr es negativa. En el modo de deplexión, antes de
357
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
aplicar Ve ya hay canal, de forma que las características de transferencia ocupan dos cuadrantes. Estos dispositivos admiten potenciales positivos y negativos para el terminal de puerta. Caract. Transferencia
Caract. Salida
1
'º I
''
VG=O
,' ~
VG
Can al N Vaciamiento
VD
ID
ID
VG
¡
'
1
VT
Canal N Acumulación
VT
VG
VD
VD
VG
VG=O lo
Can al P Vaciainiento
VD
71
D
Canal P Acumulación
Cuadro 7.4
358
VT '
''
ID
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
7.6.
Resumen y Ecuaciones Básicas
Jurante este capítulo se han estudiado los siguientes conceptos fundamentales: • La teoría de bandas que nos permite definir un modelo de conducción. · • La conducción eléctrica en los semiconductores, material fundamental en el diseño de los distintos dispositivos electrónic.os. Se estudió la conducción en los semiconductores intrínsecos y la conducción en los semiconductores extrínsecos o semiconductores de tipo N o P. • El diodo o unión PN. Se analizó su comportamiento cuando es sometido a diferentes tensiones de entrada, se estudió su curva característica y los dos modos de funcionamiento de los diodos: polarización directa y polarización inversa. Además, se presentaron los modelos equivalentes del diodo que permitirán el análisis de los circuitos con estos dispositivos. También se estudió su comportamiento en conmutación. • El transistor bipolar o uniones PNP o NPN. Se analizó su comportamiento cuando es sometido a diferentes tensiones de entrada mediante su curva característica y se identificaron sus distintos modos de funcionamiento: corte, activo directo, activo inverso y saturación. Además, se presentaron los modelos equivalentes que permitirán el análisis de los circuitos con estos dispositivos. También se estudió su comportamiento en conmutación. • El transistor de efecto campo, en concreto, se estudian los transistores MOSFET. Se analizó su comportamiento cuando es sometido a diferentes tensiones de entrada mediante su curva característica y se identificaron sus distintos modos de funcionamiento: zona de corte, lineal, cuadrática, de saturación y zona de ruptura. Además, se presentaron los modelos equivalentes que permitirán el análisis de los circuitos con estos dispositivos. ~CUACIONES BÁSICAS
l. Conductividad en semiconductores: a
1
= Qe(np
µn
+ pp µp)
g;
2. Densidad de corriente de difusión: D = Qe(Dn + Dp~) donde Dn y Dp son las constantes de difusión d e los electrones y de los huecos 1 respectivamente. Sus valores vienen dados por Dn = µ~ kT y Dp = µ P kT siendo k la Qe Qe constante d e Boltzman y T la temperatura absoluta del semiconductor.
359
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
,
•
3. Modelo matemático del d10do: 1 4. Transistor bipolar: JE
= ls.(e qVdiodo nkT
-
l
)
= IB + le
a) Transistor en corte: lB '.::::'. O; le '.::::'. O y JE '.::::'. O.
b) TraDBistor en activa: le = /3 IB dado que leo '.::::'. O e) Transistor en saturación: le ,. ._., JE 5. Modelo matemático del tra~sistor :NIOSFET: ID= k
[(va -
VT),VD - v¡]
a) Transistor en corte: ID = O b) Transistor en zona óhmica: ID~ k(Va- VT)VD y VD= Riv e) Transistor en saturación: ID
7.7.
= g(Va - Vr)
Ejercicios de Autoevaluación '
l. La zona N de un diodo Zener se conecta al terminal positivo de una batería de lOV a través de una resistencia serie de 5000. La zona P del diodo se
conecta al terminal negativo de dicha fuente. Sabiendo que este diodo se caracteriza por Vd = 0'7V; rd = 10; Vz = 5V; rz = 100, ¿cuál es la corriente que circula por el diodo?. Solución: 9'8mA. 2. Calcular la tensión de salida ¼ en el circuito de la figura 7.52 cuando las tensiones de entrada son: (a) Vi = ¼ = 5 V, (b) Vi = 5 V y V2 = O V y (e) Vi = ½ = O V. Supóngase que el diodo tiene Rd = 300, V, = 0'6V, además en polarización inversa se considera la corriente nula y su resistencia infinita. Solución: (a) V 0 = 5V; (b) ¼ = 0'864V; (c) V0 = 0'736V. SV"'-
4'7k0
2700
D2
Figura 7.52
360
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
3. En el circuito de la figura 7.53 calcular la intensidad que circula por la fuente ¼ en función de V1 suponiendo que los diodos son ideales. Datos: R1 = 40KO, R2 = lOKD, R3 = 30K!1 y V1 = lOV. Solución:¼ < -2V, D1 no conduce, D2 conduce, 11 = OmA; -2V < ¼ < 715V ambos diodos 10 mA; ¼ > 7'5V D2 no conduce, D1 si conduce, 11 ,= conducen~ 11 = 5 V1+1omA
"f96
70
-
V1
R1
01 Vi
Rs
Figura 7.53 4. En el circuito de la figura 7.54 determinar la salida Vo en función de la entrada ½, suponiendo que ambos diodos son ideales. Datos: R1 = 15KD, R2 = lOKD , R3 = 5Kf! , V1 = 5V y ½ = lOV. Solución: ½ < 8'33V D2 conduce y D1 no conduce y Vo = 8'33V; 81 33V < ¼ < l 7'5V conducen ambos diodos y Vo = 2vit75 ; ½ > 17'5V D1 conduce y D2 no conduce y Vo = lOV. R1
D1
D2
+
Vo
Rs Vi
-
.
t, ,;;;
V1
V2
T
Figura 7.54 5. Determinar la región de funcionamiento y los valores de IB, l e y VcE del circuito de la figura 7.55 siendo RB igual a '(1) 300 kf! y (2) 150kD. El transistor empleado tiene f3 = 100. Prescindir de las corrientes de saturación
361
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
inversas. (Datos: VBE = 0'7V y VcEsat = OV). Solución: (1) en zona activa; (2) en saturación. Vcc::lOV
RB
Figura 7.55 6. En el circuito de la figura 7.56 el transistor bipolar tiene una /3 = 60. Expresar los valores de VB para que el transistor se encuentre: (a) corte; (b) activa; (e) saturación; (d) si VB = 5V y manteniendo el valor de Re = lKD entre que valores puede variar RE para que el transistor trabaje en zona activa?; (e) si VB = 5V y manteniendo el valor de RB = 50Kf2 entre que valores puede variar Re para que el transistor trabaje en zona de saturación?. Datos: RB = 50S"\ Re= lKO, R3 = 5Kf2 y Ve= lOV. Solución: (a) Vs < 0'7V en corte; (b) 0'7 < Vs < 8'97V en activa; (e) VB > 8'97V en saturación; (d) RB < 25'71Kü; (e) Re > 1'94Kf2 en saturación_y Re < l'94K!l en zona activa. Vo
Ve Re
Va
Figura 7.56 7. En el circuito de la figura 7.57 el transistor bipolar tiene una /3 = 80. Determinar la zona de trabajo del transistor cuando: (a) VB = lOV; (b)
362
CAPÍTULO 7. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
l2V y (c) Vs = l5V. Datos: R1 = 5KD, R2 = 3KO, Re = 150f2, Ve= 30V, VBEsaturací6n = 0'7V y VeEsaturacíón = 0'2. Solución: (a) activa; (b) activa; (e) saturación. VE
=
R1
Ve Va
R2
Re
Figura 7.57
363
Capítulo 8
Familias Lógicas
CONTEXTO El propósito de este capítulo es presentar algunas de las familias lógicas. E capítulo anterior hemos estudiado el comportamiento de diodos y transist< tanto bipolares como MOS, trabajando como conmutadores entre los estado corte y saturación. Éstos son precisamente los dispositivos con los que se in mentan las distintas familias lógicas. Cada familia lógica corresponde a una fo específica de diseñar los operadores básicos: AND, OR, NOT, NAND y NOF Las familias lógicas son el puente entre la Electrónica Digital y los Sistemrus gitales donde ya no se hace referencia a las estructuras internas de las puE lógicas pero la solución depende de ellas en cuanto a, por ejemplo, velocidad, sumo o margen de ruido. Así, un sistema de cálculo depende de la familia ló empleada para el diseño de sus memorias y de sus unidades de proceso. En creta, en este capítulo estudiaremos las bases de la integración a pequeña es
(SSI).
CONOCIMIENTO PREVIO NECESARIO Para entender los conceptos de este capítulo es necesario manejar con sol los conocimientos adquiridos en la parte II de la asignatura, es decir, maneji
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
circuitos, ley de Ohm, leyes de Kirchhoff, etc., así como el funcionamiento de diodos, transistores bipolares y transistores MOSFET, estudiados en el capítulo de dispositivos electrónicos.
OBJETIVOS DEL TEMA El objetivo del capítulo es conocer algunas de las familias lógicas, entre ellas la familia RTL, la familia DTL, la familia TTL, la familia ECL y las familia MOSFET .
. GUÍA DE ESTUDIO Lo conveniente es seguir el estudio del capítulo de manera secuencial. Es importante comentar que el contenido teórico de este capítulo se puede utilizar como ejercicios de autoevaluacíón del capítulo anterior.
366
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
8.1.
Introducción
Una familia lógica es un conjunto de circuitos digitales caracterizados por la forma de implementar las puertas básicas (NOT, AND y OR así como sus complementarias NAND y NOR) y por la naturaleza de la tecnología empleada (bipolar, MOS o CTVIOS). La característica esencial de cada familia lógica es que todos los circuitos de una misma familia tienen propiedades eléctricas y temporales semejantes, es decir, los mismos parámetros de conmutación. Esto implica que todos los circuí tos de una misma familia se pueden conectar entre sí directamente. Para conectar puertas de diferentes familias normalmente hay que utilizar circuitos especiales. En función del tipo de transistor utiliza.do para realizar las puertas, hay dos grandes grupos de farnilias:
• Familia bipolar, la cual utiliza como base los transistores BJT. Entre ellas se encuentran: DL( Logic Diodo\ RTL (Lógica Resistencia-Transistor), DTL (Lógica Diodo-Transistor), HTL (Lógica de alto umbral), ECL (Lógica de Emisores Acoplados), TTL (Lógica Transistor-Transistor). • Familia MOSFET, la cual utiliza como base los transistores MOS. Entre ellas se encuentran: PMOS (MOS tipo P)) NMOS (MOS tipo N), CMOS (l\1:0S complementarios) y BicMOS (CMOSBipolar). Además, dentro de cada familia existen subfamilias que tienen características especiales para mejorar determinados comportamientos específicos necesarios en aplicaciones particulares. Por tanto, a la hora de hacer un diseño habrá que elegir aquella familia y subfamilia que mejor cumpla los requisitos del mismo, en base al catálogo de funciones lógicas disponibles, coste final y características 1 es decir, en cuanto a la flexibilidad lógica, la velocidad de operación, el ruido, la temperatura de operación, el consumo de potencia, la tensión de alimentación y el área. El principal objetivo de este capítulo es describir cuantitativamente la realización de las puertas básicas utilizando circuitos integrados. La tecnología MOS, en concreto CMOS, es actualmente la que domina el mercado de los circuitos integrados gracias a una serie de ventajas entre las que sobresale un reducido consumo de potencia. Aunque las familias lógicas bipolares apenas se usan actualmente, serán estudiadas por motivos pedagógicos. De entre las familias de validez actual hemos seleccionado la TTL (Lógica Transistor- Transistor) como ejemplo d e lógica saturada en tecnología bipolar y la ECL (Lógica de Emisores Acoplados) como
367
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
familia rápida de lógica no saturada en tecnología bipolar. Existen otras familias (HTL, 12 1) que no las estudiaremos por limitaciones en la extensión del programa y en los objetivos pedagógicos aceptados para este material docente.
8.2.
Puertas lógicas
Las puertas lógicas son los circuitos digitales que permiten la implementación de las ecuaciones del álgebra de Boole. El álgebra de Boole es una lógica simbólica de dos estados, O o l. Una variable booleana A puede tomar uno de estos dos valores. El álgebra de Boole requiere, en principio, de tres funciones lógicas básicas llamadas AND, OR y NOT para irnplement_a r cualquier ecuación. No obstante, existen otras funciones tales como la función NOR o la NAND las cuales resultan muy útiles durante el diseño de los sistemas digitales.
La implementación de una puerta depende de la forma en que se defina una señal binaria. En un sistema de nivel lógico, un bit se caracteriza por uno de los dos niveles de tensión. Si la tensión más positiva es el nivel 1 y la otra el O, se dice que el sistema emplea lógica positiva. En cambio, si se asigna al potencial más negativo el 1 y al más positivo el cero tendremos lógica negativa. Nótese que el estado Ono representa necesariamente un nivel de tensión cero, aunque en algunos sistemas pueda serlo.
A continuación, estudiaremos el comportamiento de cada una de estas puertas básicas ante las posibles combinaciones de entrada así como el símbolo usado para su representación.
8.2.1.
La puerta NOT
La puerta NOT tiene una entrada y una salida. Su funcionamiento es el siguiente: su salida es el complementario de su entrada. .Supongamos una puerta N OT de entrada A y salida Y, su tabla de verdad y su símbolo se muestran en la figura 8.1.
A--[>--.Y Figura 8 .1: Tabla de verdad y símbolo de una puerta NOT
368
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
8.2.2.
La puerta OR
La puerta OR tiene dos o más entradas y una única salida. Su funcionamiento es el siguiente: su salida está en estado 1 si al menos una de sus entradas está en estado 1 y su salida es cero si todas sus entradas están a cero. Supongamos una puerta OR de dos entradas A y B, su tabla de verdad y su símbolo se muestran en la figura 8.2. A
B
V
o o
o
o
1
1
1 1
o
1 1
1
A
y
B
Figura 8.2: Tabla de verdad y símbolo de una puerta OR
8.2.3.
La puerta AND
La puerta AND tiene dos o más entradas y una única salida. Su funcionamiento es el siguiente: su salida está en estado O si al menos una de sus entradas está en estado O y su salida está a 1 si todas sus entradas están a l. Supongamos una puerta AND de dos entradas A y B, su tabla de verdad y su símbolo se muestran en la figura 8.3. A
B
y
o o o o 1 o 1 o o 1
1
y
1
Figura 8.3: Tabla de verdad y símbolo de una puerta AND
8.2.4.
La puerta NOR
La puerta NOR tiene dos o más entradas y una salida. Su funcionamiento es el siguiente: su salida está en estado Osi al menos una de sus entradas está en estado 1 y su salida está en estado 1 si todas sus entradas están a cero, es decir, es el complementario de una puerta OR. Supongamos una puerta NOR de entradas A . y B, y salida Y, su tabla de verdad y su símbolo se muestran en la figura 8.4.
369
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
B
V
o o
1
A
o 1 o 1 o o 1
1
o
Figura 8.4: Tabla de verdad y símbolo de una puerta NOR
8.2.5.
La puerta NANO
La puerta N AND tiene dos o más entradas y una salida. Su funcionamiento es el siguiente: su salida está en estado 1 si al menos una de sus entradas está en estado O y su salida está en estado O si todas sus entradas están a uno, es decir, es el complementario de una puerta AND. Supongamos una puerta NAND de entradas A y B y salida Y, su tabla de verdad y su símbolo se muestran en la figura 8.5. A
B
o o o 1 1 1
V 1 1
o
1
1
o
Figura 8.5: Tabla de verdad y símbolo de una puerta NAND
8.3.
Características de las puertas lógicas
En el diseño de las distintas puertas lógicas se emplean los dispositivos electrónicos analizados en el capítulo anterior. Estas puertas lógicas están en tecnología integrada por lo que para los diseñadores sólo son accesibles los terminales de entrada y de salida. Tal y como se ha visto ep el capítulo anterior, el paso de corte a saturación o viceversa de los dispositivos electrónicos no es instantáneo, y en consecuencia, tampoco lo serán lo? de las puertas. Esta circunstancia influirá notablemente en el diseño de un circuito digital. Análogamente, el nivel de tensión a la salida de las puertas disminuye. A esto hay que añadir, las variaciones de temperatura u otros cambios ambientales o las tolerancias de fabricación los cuales pueden modificar los niveles de tensión a la salida. D ado que cuando realizados el diseño de un circuito electrónico digital, las entradas en un determinado punto dependen de los niveles de salida de las puertas anteriores, es importante
370
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
que los niveles lógicos no se degraden significativamente a lo largo de las puertas lo que permitirá su uso en los circuitos reales. Por ello, resulta importante realizar la caracterización de los circuitos lógicos definiendo una serie de parámetros o características que modelan su comportamiento. Esto permite distinguir unos de otros dependiendo de sus prestaciones. A continuación estudiaremos estas características.
8.3.1.
Características estáticas
Las características estáticas definen el comportamiento en régimen estático o permanente de una familia lógica. Entre las características estáticas encontramos la de transferencia y las de entrada y salida. 1. Característica de transferencia
Se define como característica de transferencia a la relación entre la tensión de entrada y de salida. Es necesario especificar el número de entradas conectadas a alta y a baja, así como el número de circuitos que cargan la salida d e la puerta. Para calcular la curva de transferencia se considera que la puerta lógica, está conectada a la entrada y a la salida con otras puertas de la misma familia. La figura 8.6 muestra un ejemplo de curva de transferencia. Encontramos los siguientes parámetros: Vo
.
'
V{l)
''
' "- -1
' '.... '
"
:
...
( ,f
1 '
\1
'
1
1 1
' " 1 . . . , -1', 1 ' .... V(O} --------~---------,._-~' ...., ',
,
: Anchura 1 Transiclón'
'
Vi
Figura 8.6: Curva de la característica de transferencia a) Niveles lógicos : V(O) y V(l}.
b) Salto lógico: V(l)-V(O).
371
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
e) Punto umbral: punto de corte entre la recta que une ambos puntos de trabajo con pendiente -1 y la característica de transferencia.
d) Puntos de ganancia unidad: son los dos puntos de la curva de transferencia en los que la pendiente es -1 y definen la región de transición.
e) Anchura de transición: es el cambio en la tensión de entrada necesario para variar la de salida desde el valor del primer punto de ganancia unidad al valor del segundo punto.
2. Características de entrada y salida Las características de entrada y salida representan las tensiones de entrada (o salida) en función de las corrientes suministradas por la entrada (o salida). Se miden conectando puertas similares a la de prueba para tener en cuenta los efectos de la carga.
8.3.2.
Margen de ruido
En un circ:uito electrónico, se entiende por ruido a la presencia de cualquier señal no deseada. El ruido puede ser de origen externo o interno. Son de origen externo los debidos a la alimentación, disparos de triacs y otros conmutadores1 etc. y se producen casi siempre por acoplas capacitivos. Son de origen interno los generados por las impedancias parásitas y las espigas de corriente causadas por la conmutación de los propios circuitos lógicos. Evidentemente, es fundamental que el funcionamiento de las puertas lógicas no esté afectado por dicho ruido de manera que se puedan producir errores lógicos. El margen de ruido (Noise Margin, NM) es el grado de inmunidad del circuito lógico ante las señales no deseadas. Los valores NMH y NML corresponden a los márgenes de ruido para V(l) y V(O), respectivamente. La figura 8. 7 (a) muestra los valores de t ensión que corresponden a V(l) y V(O) mientras que en la figura 8.7 (b) se indican los recorridos de las tensiones de ~ntrada y salida correspondientes a V(O) y V(l). Se cumple:
donde VoH es el mínimo valor que puede adquirir el estado V(l), VoL es el valor máximo de la tensión de salida correspondiente al estado V(O), V1H es la tensión de entrada mínima necesaria para que el estado a la salida sea V(l) y finalmente
372
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
V1 L es la tensión de entrada máxima necesaria para que el estado a la salida sea V(O). Una señal no deseada de valor menor que NM no alterará el estado lógico mientras que si supera dicho valor, se convierte en señal de entrada en la zona de incertidumbre o provoca una transición no deseada. Vo Vo
!1
VoH .
!Vi
-------------1 NMH
1 ~
---------¡
V1H
Región incierta
---------. VIL
....,
VOL
-1
-------9'__________:_.___ l
VIL
Bj ...... Región incierta
VIH
....
(a)
NML
Vi
Vo L !Y<-----------~
Salida puerta 1
¡1i
'
Entrada puerta 2
(b)
Figura 8.7: (a) Característica de transferencia de tensión de un inversor real. Los puntos en que la pendiente es -1 definen los niveles lógicos alto y bajo. (b) Niveles de tensiones de entrada y salida empleados para definir el margen de ruido (NM) y la región incierta
8.3.3.
Flexibilidad lógica
Esta característica nos indica la capacidad de uso de una familia lógica. La forma de definir la flexibilidad es mediante las siguientes características: l. Cableado lógico. Es la capacidad de realizar una función lógica a partir
de la conexión externa de puertas sin necesidad de emplear una puerta adicional. 2. Salidas complementarias. Nos indica si la puerta dispone de la señal complementaría de su salida. 3. Fan-out. Es el número de circuitos que una puerta puede excitar. 4. Fan-in. Es el número de entradas que un circuito lógico puede admitir. Si excede de este valor, la puerta lógica producirá una salida en estado indeterminado o incorrecto.
373
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
5. La compatibilidad. Especifica con qué otras familias se puede unir. Los problemas fundamentales son los distintos niveles lógicos y las distintas impedancias. Sin embargo, siempre existe la posibilidad de diseñar un circuito de acoplo entre dos familias lógicas.
8.3.4.
Disipación de potencia
Las curvas de la figura 8.8 corresponden a las ondas típicas de tensión y de corriente en un circuito de puerta real. Observamos que en el consumo total de potencia de la puerta contribuyen tanto la disipación estática como la dinámica. Así, en cualquiera de los estados ni la intensidad ni la tensión son nulos por lo que la disipación de potencia en continua o estática no es nula y la puerta consume energía cualquiera que sea su estado. Por otro lado, la disipación de potencia dinámica tampoco será nula debido al tiempo finito de transición entre estados tal y como vemos también en la figura 8.8 en donde en los intervalos de conmutación, T1 < t < T2, y T3 < t < T4, tanto la tensión como la intensidad son distintos de cero. \
ll
t
1 1
1
ION
1 1 ----1---------·,1,,- - - 1 1
1 1 1 1
' •' IOFF...___________•-------~--------~1
1
1
T2
1
T3
""
T4
t
Figura 8.8: Ondas de corriente y de tensión reales de un interruptor
8.3.5.
Velocidad de actuación
La velocidad a la que puede trabajar una puerta depende del tiempo necesario para que una señal se propague desde la entrada hasta la salida y del tiempo de
374
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
transición de uno a otro estado. En la figura 8.9 se muestran las ondas típicas de entrada y de salida de un inversor así como los parámetros relativos a tiempos. Encontramos los tiempos de subida (tr) y de bajada (t ¡) que miden los tiempos de transición entre estados lógicos. Ambos se definen por el tiempo transcurrido durante la variación de tensión desde el 10 al 90 % de la diferencia V(l)-V(O). Estos tiempos son importantes ya que los flancos de subida y de bajada de la señal se emplean frecuentemente para excitar otros circuitos. También se define el tiempo de retardo td como la media de los retardos correspondientes a la subida y a la bajada del impulso que constituye la tensión de entrada (td = tdi ;td2 ) y el retardo de propagación tp, es la diferencia entre los momentos en que las tensiones de entrada y de salida están al 50 % de su valor. Finalmente, el tiempo necesario para que un circuito lógico lleve a cabo dos transiciones sucesivas se denomina tiempo de un ciclo. Normalmente, los sistemas digitales trabajan con tiempos de ciclo del orden de 20 a 50 veces mayor que el tiempo de retardo de la puerta. Vi
50%
1
t
1 1
1 1 1 1
Vo
, tf ,
:I
14
1
...
--1,....__,
1
l4
tr
1
1
:1
:1
:1
1
1
1
1
1 ____
t ___ 1 1
:
..¡1
90%
------------~--- -----~-----t-----r------
50%
-----------~-------4-----+----:--I 1 ; : l :
1 1
t
1
10%
-----------+------}-1
1
'
1
...
tdl
"''
td2
1
l
•'
t
Figura 8.9: Ondas de entrada y salida en un ciclo en las que se aprecia el tiempo de subida, el tiempo de bajada, el d e un ciclo y el retardo de propagación
Una forma muy habitual de comparar familias lógicas es mediante el producto de la potencia consumida y tiempo de retardo. Evidentemente, este parámetro interesa que sea mínimo lo que garantiza que se trata de una familia rápida y de bajo con sumo.
375
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
8.4.
Familia Lógica Bipolar (BJT)
Aunque actualmente no son casi utilizadas, la tecnología de integración más empleada a pequeña escala a finales del siglo XX fue la familia lógica transistortransistor (TTL). La puerta NAND es el bloque constructivo básico y su desarrollo procede de una anterior familia lógica llamada Lógica Diodo Transistor (DTL). Entre sus características cabe destacar, su tensión de alimentación (Veo) está comprendida entre los 4'75V y los 5'25V, sus niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión comprendida entre O'OVy 0'8V para el estado bajo y los 2'4Vy Veo para el estado alto. La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor característica, aunque ésta hace aumentar su consumo. Precisamente, para corregir este valor de consumo han aparecido diferentes versiones de TTL como .FAST, LS, S, etc. Por último, las señales de salida TTL se degradan rápidamente si no se transmiten a través de circuitos adicionales de transmisión. En esta sección comenzaremos por estudiar un inversor bipolar básico. Seguidamente, vamos a analizar la familia Lógica Resistencia Tuansistor (RTL) y la familia Lógica Diodo Tuansistor (DTL), lo que permitirá entender mejor el funcionamiento de la familia Lógica Transistor 'Iransistor (TTL). Para facilitar el análisis de las distintas familias, es importante indicar que, a excepción del transistor multiernísor de la familia TTL, los transistores trabajan en corte o saturación.
8.4.1 .. El inversor bipolar El inversor bipolar se muestra en la figura 8.10 (a). Observamos que cuando la tensión de entrada es menor o igual a la tensión de corte, ¼ < V,y, el transistor está cortado y, despreciando leo, la tensión de salida es Veo. Cuando¼ es ligeramente superior a la tensión de corte, la pequeña corriente de colector que se forma hace decrecer Vo desde Veo, de acuerdo a la ecuación:
Va = Vcc - IcRc En la región activa directa tenemos que VBE
= 0'7V y le =
¼ = RBIB + VBE
(8.1) {3 IB, por lo que:
(8.2)
de donde despejando IB,
½-VBE I B = - - -RB
376
¼-0'7 RB
(8.3)
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
Sustituyendo la expresión de le, en la ecuación (8.1) se obtiene: Vo
V. - 0'7 = Vee - /3 Rc-i __ RB
(8.4)
Según la ecuación (8.4) la tensión de salida Vo decrece cuando aumenta la tensión de entrada ¼-. Al aumentar ¼ el transistor se, termina saturando con lo que la tensión de salida resulta ser Vo = VeE(sat) = 012V. La característica de transferencia se muestra en la figura 8.10 (b). En esta figura se han señalado los puntos de pendiente -1 de manera que se puede determinar VoH, VoL, ½L Y ½H-
+ vcc
le
l
Vo
Re
~ -... va Vi
VY VBEon
(a)
Vi
(b)
Figura 8.10: (a) Circuito de un inversor BJT. (b) Característica de· transferencia Basándonos en estas observaciones es conveniente representar la característica de transferencia como en la figura 8.11. Los tres segmentos rectos representan el estado del circuito cuando BJT está en las regiones de corte, activa directa y saturación. Los valores de VoH, VoL, ½L y ViH se deducen de los puntos de inflexión A y B. El punto A representa la transición desde corte a activa directa, mientras que, en B el transistor está en el límite de saturación. Observamos que Von ~ Veo y VrL vale aproximadamente VEB(on) = 0'7Vy que VoL ,es aproximadamente VcE(sat) = 0'2V siendo V1H el valor de ¼ correspondiente a Yo = 0'2V obtenido de la ecuación (8.4). En resumen, el inversor se implementa mediante una etapa amplificadora en emisor común con una elección adecuada de las resistencias, de manera que, cuando la señal en la base del transistor conmuta entre los niveles lógicos V(O) y V(l), la
377
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
señal en el colector conmuta entre V(l) y V(O), respectivamente. Así pues, el transistor trabaja pasando de corte a saturación y viceversa. Este circuito presenta bajo fan-out y bajo margen de ruido. Vo VoH = Vcc
Corte A i---Activa Dí recta 1
VOL== VCE(sdt)
__
____ _, ____ ..,_B 1 1
VIL= VBE(on) VIH
Saturación Vi
Figura 8 .11: Representación con trazos rectos de la característica de transferencia de un inversor
8.4.2.
Lógica Resistencia-Transistor (RTL)
La Lógíca -de Resistencia-Transistor RTL es la clase más sencilla de circuitos digitales en donde se utilizan resistencias en la red de entrada y en la de salida, y transistores bipolares (BJTs) como dispositivos de conmutación. Veamos, a continuación la implementación de una puerta NOR y una puerta NAND en RTL.
8.4.2.1.
Puerta NOR en RTL
La figura 8.12 muestra el circuito correspondiente a una puerta NOR de tres entradas en tecnología RTL. Cada entrada usa un transistor bipolar y los colectores están unidos y apoyados a la fuente de alimentación (Vcc) a través de la resistencia Re. Trabaja en lógica positiva, es decir, V(l) = 1'8V y V(O)= 0'2V. Este circuito presenta bajo fan-out y bajo margen de ruido. Veamos su funcionamiento en las dos situaciones posibles, esto es, tendremos que comprobar su comportamiento cuando todas las entradas son cero en cuyo caso la salida es 1 y cuando alguna de las entradas o todas están a 1 en cuyo caso la salida es cero. • Todas las entradas a nivel lógico "O".
En este caso, la intensidad de base de los tres transistores es igual a cero y por tanto, los tres transistores están en corte, es decir, Ic '.: : '. O. Los tres transistores pueden ser sustituidos por un circuito abierto, desconectando
378
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
la salida de tierra. Por tanto, la tensión de salida tiende a aproximarse a la tensión de alimentación: Vo = Vcc - Rclc ~ Vcc = V(l)
Si quisiéramos conocer el valor final de la tensión de salida en el estado de alta sería necesario conocer el número de puertas que se conectan a la salida de esta puerta, ya que, cuantas más se conecten, menor será el valor de . la impedancia RL en paralelo y, por tanto, mayor el valor de la corriente Ic. Esta variación en el valor de I e hará que sea también mayor la caída en la resistencia Re . El límite se establece al evitar que se confunda el estado de alta. • Alguna de las entradas a nivel lógico "1 ".
Cuando al menos una de las entradas está en alta, el transistor de esa entrada tiene en su base una tensión de 1'8V, suficiente para poner a ese transistor en saturación. Ahora, en dicho transistor, la tensión colector-emisor es igual a su valor de saturación, esto es, VcEsat = 0'2V, situando el valor de la tensión de salida igual a 0'2V que es V(O).
Re
.. Te
RB
A
RB
B
RB
e
1 1 t 1 t 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
RL
Vol1
1 1 1 1 1 1 1 1 1
Figura 8.12: Puerta NOR en RTL
379
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
8.4.2.2.
Puerta NAND en RTL
La figura 8.13 muestra el circuito correspondiente a una puerta NAND de dos entradas en tecnología RTL. Existen dos transistores, de manera que el colector del primero está unido a una resistencia Re, su emisor al colector del segundo y el emisor del segundo a tierra. Trabaja en lógica positiva. Veamos su funcionamiento en las dos situaciones posibles, esto es, tendremos que comprobar su comportamiento cuando todas las entradas son 1 en cuyo caso la salida es "O" y cuando alguna de las entradas o todas están a ''O" en cuyo caso la salida es "1". Vcc
A
RB \
s--1'N'IL-
Figura 8.13: Puerta NAND en RTL • Todas las entradas a nivel lógico "1 ".
Cuando las dos entradas están en alta, ambos transistores conducen en saturación. La tensión colector-emisor de ambos es VcEsat = 0'2V, resultando que la tensión de salida es: Vo = VaETA(sat)
+ Va.ErB(sat) = 0'2 + 0'2 = o'4V
es decir, la salida está en baja, V(O). • Alguna de las entradas a nivel lógico "O".
En este caso, en la entrada conectada a baja la intensidad de base correspondiente, lB, es prácticamente cero y dicho transistor estará en corte, por lo que su intensídad de colector será aproximadamente cero (le :::::: O). Todos los transistores que estén por encima de ést e no conducirán y los que estén por debajo de él, cuando su entrada éste en alta conducirán su unión
380
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
base-emisor hacia tierra. Como le :::::=Ola caída de tensión en la resistencia Re es prácticamente nula resultando que:
= Veo - Role
Vo
e:=
Veo
esto es, un nivel V(l) en la salida.
8.4.3.
Lógica Diodo-Transistor (DTL)
Esta familia está compuesta por diodos y transistores, sin olvidar las resistencias. Los diodos se encargan de realizar la parte lógica y el transistor actúa como amplificador e inversor. Al realizar la lógica con diodos y usar el transistor como sumador se obtiene mejor fan-out y mejor margen de ruido. Este tipo de circuitos es la base de la familia TTL y su interés es puramente académico.
8.4.3.1.
Puerta NOR en DTL
La figura 8.14 muestra el circuito correspondiente a una puerta NOR de dos entradas en tecnología DTL. Veamos su funcionamiento en las dos situaciones posibles.
D1
03
Vo
D4
A
02
RB R
Figura 8.14: Puerta NOR en DTL
• Todas las entradas a nivel lógico "O". Para que el transistor conduzca es necesario ·que en el punto P exista una tensión suficiente para hacer conducir a los diodos Ds y D4 y que todavía
381
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
quede tensión suficiente para que el transistor pase a conducir. Así el valor de Vp necesario para que el transistor conduzca será:
Vp =
VD3
+ VD4 + VBEsat = 0'7 + 0'7 + 0'8 = 2'2V
Como los diodos D1 y D2 no conducen, ya que la tensión de ambas entradas está a nivel lógico cero (0'2V), no se supera el valor umbral de los diodos y el punto P queda conectado a tierra a través de la resistencia de R = 6'lKíl, resultando la tensión en dicho punto insuficiente para polarizar el transistor en activa, es decir, menor a los 2'2V calculados anteriormente. De este modo, la tensión de salida queda aislada de tierra, siendo su valor aproximadamente igual a Vcc, es decir, la salida está a nivel V ( 1). • Alguna de las entradas a nivel lógico "1 ".
El diodo asociado a la entrada con nivel lógico "1" conducirá y, por tanto, en el punto P tendremos una tensión de:
Vp
= V (1) - V, = 5 -
0'7 = 4' 3V
\
donde V1 es la tensión umbral del diodo que está en conducción. Esta tensión es suficiente para hacer conducir a los diodos D3 y D4 y el transistor ya que es mayor a 2'2V, valor calculado anteriormente. Ahora, la tensión de salida es igual a la tensión colector-emisor del transistor que en saturación vale VcEsat = 0'2V, es decir, la tensión de salida está a en nivel V(O). 8.4.3.2.
Puerta NANO en DTL
La figura 8.15 muestra el circuito correspondiente a una puerta NAND de dos entradas en tecnología DTL. Veamos su funcionamiento en las dos situaciones posibles. • Alguna de las entradas a nivel lógico
no".
El diodo cuya entrada esté a nivel lógico cero conducirá y, por tanto 1 en el punto P tendremos una tensión de:
Vp
= V(O) +V, = 0'2 + 0'7 = 0'9V
donde V, es la tensión umbral del diodo en conducción. Para que el transistor conduzca es necesario que en el punto P exista una tensión suficiente para
382
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
hacer conducir a los diodos D3 y D4 y que todavía quede tensíón suficiente para que el transistor pase a zona de saturación_ Así, la Vp necesaria para que el transistor conduzca será: Vp
= VD3 + VD4 + VBEsat = 0'7 + 0'7 + 0'8 = 2'2V
Como tenemos 0'9V, el transistor no conduce, comportándose como uncircuito abierto, desconectando la salida de tierra. La tensión de salida será aproximadamente Vcc, es decir, está a nivel V(l). • Todas las entradas a nivel "1 ".
Los diodos D1 y D2 no conducen con lo que en el punto P habrá una tensión igual a Vcc menos la caída de tensión en la resistencia de R = 5KO. Por otro lado, tal y como memos visto anteriormente, para que conduzcan los diodos D3 y D4 y el transistor es necesario disponer en el punto P de, al menos, 2'2V. Por tanto, ahora esos tres dispositivos conducirán: En esta situación, la tensión de salida será igual a la tensión colector-emisor de un transistor en saturación Vo = VcEsat = 0'2V, es decir, está a nivel V(O).
Re
Vcc
R 01
Vo
Figura 8.15: Puerta NAND en DTL
8.4.4.
Lógica Transistor Transistor (TTL)
Esta es la familia lógica más importante y es la más usada en tecnología bipolar por su alta velocidad, alto fan-out y alta flexibilidad lógica. Independientemente de la función lógica implementada, la parte de salida puede tener diferentes configuraciones de acuerdo a la aplicación en la que se quiera integrar:
383
FUNDAMENTOS F1SICOS DE LA INFORMÁTICA
• Por resistencia de colector. La resistencia de polarización va integrada en el propio circuito integrado. Esta configuración presenta el problema de que cuando el transistor conduzca existe una disipación de potencia en la resistencia provocando un calentamiento que hay que disipar y que impide un alto nivel de integración. Este inconveniente hace que no sea empleada hoy en día (ver figura 8.16 (a)). Vcc
vcc
R1
R2
Vcc Rexterna
R
\
(a)
(b)
Figura 8.16: (a) Configuración por resistencia de colector de una puerta NAND en TTL. (b) Configuración Colector Abierto de una puerta NAND en TTL
• Colector abierto. La configuración en colector abierto se muestra en la figura 8.16 (b). Esta configuración es exactamente igual a la de resistencia de colector, solamente que dicha resistencia no está integrada en el circuito sino que es externa. La principal utilización es el gobierno directo de cargas que precisan unas tensiones o corrientes superiores a los niveles de la familia. Por otro lado, permiten la realización de puertas AND pór conexión directa con sólo unir en paralelo las salidas de varios circuitos integrados.
• Totem-pole. La configuración Totem-pole se muestra en la figura 8.17. Con esta configuración se consigue: l. Cuando el transistor T4 conduce, el transistor T3 esté abierto. De esta
manera, se consigue tener un "1" en la salida pero con la ventaja de que
384
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
aunque pasa corriente por T4, como su caída de tensión es aproximadamente de cero voltios (0'2V), su disipación de potencia es próxima a O m W y la potencia disipada por R4 es baja ya que ésta es del orden de 100n. 2. Cuando T3 conduce, T4 está abierto, provocando que la intensidad por T4 sea cercana a O mA y por lo tanto, la potencia disipada en él sea próxima a O m W. Además como T3 conduce, su tensión colector-emisor es de 0'2V, siendo su potencia disipada del orden de OmW. Como se puede apreciar en los dos casos la potencia disipada es muy baja permitiendo altos niveles de integración. Vcc
R2
R1
Vo
Figura 8.17: Configuración Totem-pole de una puerta NAND en TTL • Triestado.
Esta configuración es similar a Totem-pole pero se ha añadido un nuevo emisor en el transistor multiemisor T1, un transistor T5, una resistencia Rs y un diodo D1 tal y como se muestra en la figura 8.18. El funcionamiento es el siguiente: l. Cuando se introduce un "1" lógico por la entrada de inhibición J del
transistor T5, éste conduce y el tercer emisor de T1 se fija al valor de saturación de la tensión colector-emisor de T5. Así, la unión base-emisor
385
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
del transistor T1 pasa a conducir y el diodo D1 también conduce. Esto provoca que T2, T3 y T 4 estén en corte, con lo que la salida queda aislada, tanto de tierra como de la fuente Vcc, por una alta impedancia (tercer estado), independientemente de la configuración lógica que exista en ese momento en las entradas A y B . 2. Cuando se introduce un "O" lógico por la entrada de inhibición J, el transistor Ts no conduce y el diodo D 1 tampoco de manera que no se altera la tensión de colector de T2 funcionando la puerta normalmente, en su configuración Totem-pole la cual será explicada detalladamente en la siguiente sección.
Vcc
Rl
Rs
R2 D1
Vo
Figura 8.18: Configuración Triestado de una puerta NAND en TTL
8.4.4.1.
Puerta NAND en TTL
Vamos a trabajar con la puerta NAND de dos entradas en tecnología TTL y configuración Totem-pole, mostrada en la 'figura 8.17. Su funcionamiento es análogo al de la correspondiente puerta DTL, sustituyendo los diodos de entrada por un transistor multiemisor (T1 ) cuyas uniones base-emisor sustituyen a los diodos D 1 y D2 de entrada y cuya unión base-colector sustituye a los diodos de umbral D 3 y D4. Este transistor presenta un camino de baja impedancia para extraer la carga de T2 hacia tierra en el paso de saturación a corte, aumentando la velocidad de
386
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
conmutación. Además, se incorpora una etapa de salida en forma de par activo (totem-pole) que actúa como una fuente de intensidad aumentando el fan-out y la velocidad. Todo ello hace que la puerta TTL sea la familia saturada más rápida. Por otro lado, en TTL se sustituye la resistencia de colector de la DTL por un transistor T4 que forma un par activo con T3. En la base de T3 se añade una resistencia, R3, para retirar la carga almacenada en su base cuando se tiene que pasar de saturación a cort~. El transistor T4 actúa como seguidor de emisor, generando una baja impedancia de salida. Finalmente, el diodo Do evita que T 4 conduzca cuando T3 está en saturación, ofreciéndole una resistencia de colector alta y, de esta manera, minimizando el consumo. Si no existiera Do, en la transición de T3 de saturación a corte, existiría un intervalo en el que T3 y T4 conducirían, ofreciendo un camino de baja impedancia de Vcc a tierra y un pico de corriente. Veamos su funcionamiento en las dos situaciones posibles, esto es, tendremos que comprobar su comportamiento cuando todas las entradas tienen nivel lógico "1", en cuyo caso la salida es "O", y cuando alguna de las entradas o todas tienen nivel lógico "O", en cuyo caso la salida es "l". • Todas las entradas a nivel lógico "1 ".
En la figura 8.19 (a) se muestra el análisis de esta puerta cuando todas sus entradas están a nivel lógico "l". Cuando las dos entradas están en alta, los diodos base-emisor de T1 están al corte, polarizados en sentido inverso, con lo que la tensión en la base del transistor T1 tiende a la tensión de alimentación. Por otro lado, para que la unión base-colector de T1 esté polarizada en sentido directo y de esta forma T2 y T3 pasen a conducción, se necesitaría como mínimo: VBET3
+ VBEr2 + VBcTl = 0'7 + 0'7 + 0'7 = 2'1 V
Por tanto, T2 .y T3 están en saturación y aparece a la salida:
Vo = VcET3(sat) = 0'2V = V(O) siendo realmente la tensión en la base del transistor T1 igual a VBET 3 sat 1 VBEr2sat + VcBT1 = 0 8 + 0'8 + 0'7 = 2'3V.
+
En este caso, T4 debería estar en corte lo cual ocurre gracias a la presencia del diodo Do. Si este diodo no existiera, el transistor T4 estaría en saturación dado que en su base existe VBETssat + VcET2 s~t = 0,8 + 0,2V = lV, tensión suficiente para que conduzca ya que para conducir necesita una tensión
387
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
igual a VcET3sat + VBET4sat = 0'2 + 0'8 = 1V, por lo que debería estar en saturación y no en corte. Sin embargo, cuando introducimos Do se resuelve el problema debido a que, ahora, la caída de tensión en la base de T4 necesaria para conducir sería VcET3 sat + VD 0 + VBET 4 = 0'2 + 0'6 + 0'8 = 1'6V con lo que el transistor no conduce al no existir tensión suficiente en su base. A1emás Do también influye disminuyendo el consumo. Va
Vcc
R2
A B
A B
(b)
(a)
Figura 8.19: Puerta NAND en TTL; (a) cuando todas las entradas están a nivel lógico 11 11 1 ; (b) cuando alguna de las entradas está a nivel lógico "0 11 • Alguna de las entradas está a nivel lógico "O".
Si al menos una de las entradas está en baja V(O) ..:_ 0'2V y suponiendo que la tensión base-emisor de un transistor en conducción es de 0'7 V, tendremos que en la base del transistor T1 existe una tensión de, VBT1
= V(O) + VBET1
. 0'2 + 0'7
= 0'9V
Para que la unión de colector de T1 esté polarizada en sentido directo y de esta forma T2 y T3 pasen a conducción, hemos visto en el caso anterior que se necesitaría del orden de 2'1 V. Como sólo existen 0'9V, implica que T2 y T3 están al corte dejando la salida aislada de tierra. En esta situación, en la base del transistor T4 existe una tensión igual a Vcc menos la caída de tensión en la resisten cia R2i es decir, una tensión cercana a Veo . Esto provoca la saturación del transistor T4 y que la tensión de salida suba hacia el valor de la fuente de alimentación. En la figura 8.19 (b) se muestra el análisis de esta puerta cuando alguna de sus entradas está a nivel lógico "On.
388
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
Tal y como se ha explicado, el funcionamiento del transistor T1 es como el de dos diodos en oposición y no como un transistor. Sin embargo, durante el paso de saturación al corte, T1 actúa como un transistor y reduce el tiempo necesario para extraer el exceso de carga en la base de T2 que estaba anteriormente en saturación. Como se puede apreciar en los dos casos, la potencia disipada es muy baja, permitiendo altos niveles de integración.
8.5.
Familia Lógica de Emisores Acoplados (ECL)
La familia ECL (Emitter Coupled Logic) es considerada como la más rápida actualmente, con tiempos de propagación menores de 1 ns. Se trata de circuitos en los que se evita la saturación de los transistores bipolares, con lo que disminuye el tiempo de conmutación. Su estructura básica se basa en un amplificador diferencial en el que una rama se conecta a una tensión de referencia, que determina el umbral y la otra rama con n transistores en paralelo a las n entradas. Esta configuración permite salidas complementarias a través de dos circuitos en colector común que toman la señal de los colectores de los transistores del par diferencial. De esta forma, se reducen las impedancias de salida, aumenta la velocidad de conmutación debido a la ganancia de corriente de las etapas en colector común y se obtienen niveles de tensión en la salida compatibles con las entradas de otras puertas de la misma familia. Comenzaremos analizando el amplificador diferencial para, seguidamente, en las siguientes secciones explicar el funcionamiento del inversor ECL y las puertas NORyNAND.
8.5.1.
Amplificador diferencial
El amplificador diferencial o par diferencial es la configuración de transistor rnás importante empleada en circuitos integrados siendo el elemento básico de la familia lógica ECL. La característica más importante es que la salida es proporcional a la diferencia entre las dos señales de entrada. Otro aspecto fundamental es la simetría que le confiere unas características especiales de análisis y diseño. Para lograr esta simetría es necesario que los transistores empleados en el amplificador diferencial sean idénticos~ aspecto que únicamente se logra cuando el circuito está fabricado en un chip. Realizar el amplificador con componentes discretos pierde sus principales propiedades al desaparecer la simetría.
389
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁT ICA
En la figura 8.20 se muestra la configuración básica de un amplificador diferencial donde los transistores T1 y T2 son idénticos y las dos resistencias de colector, Re, son de igual valor. El circuito posee dos entradas V1 y ½ y dos salidas Vd y Vc,2 . La simetría del amplificador diferencial permite simplificar su análisis convirtiendo las tensiones de entrada en tensiones de entrada en modo común, esto es, ambas entradas con la misma tensión, o en modo diferencial, esto es, las entradas con tensiones opuestas. Vcc
Re
Re
Vo
V1 Vo 1
RE
Figura 8.20: Configuración básica de un amplificador diferencial Definimos la entrada en modo común, Ve, y la entrada ·en modo diferencial, Vn, de las dos entradas como:
Ve
(8.5) (8.6)
Las tensiones de entrada originales, ½ y V2 , quedaran definidas como: (8.7)
(8.8) De este modo, cuando sólo tenemos aplicada la entrada V1, la salida correspondiente será : (8.9) vJ = Ac1 ·Ve + Av1 · Vn
390
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
siendo Ac1 la ganancia en modo común (cuando Vv modo diferencial (cuando Ve= O).
= O)
y AD1 la ganancia en
Análogamente, cuando sólo está presente ½, la salida es:
vJ = Ac2 · Ve + An2 · Vn
(8.10)
Aplicando el principio de superposición cuando están presentes las dos entradas, V1 y V2, y tomando la salida flotante entre los dos colectores, tendremos: Va
= v¿ - vJ = (Ac1 -
Ac2) ·Ve+ (AD1
+ ÁD2) · VD
Por otro lado, si el circuito es simétrico, se cumple que Ac1 AD1 = Av2 = An, resultando como salida:
Va= 2An ·VD= 2An
V1-V2 =AD· (Vi - ½) 2
Ac2
(8.11)
= Ac y (8.12)
es decir, la salida es proporcional, con coeficiente de proporcionalidad AD, a la diferencia entre las dos señales de entrada. La forma de obtener las expresiones de las ganancias se sale fuera de los objetivos de este texto, siendo sus expresiones:
(8.13) Ac
=
Voc ~ IcRc Ve IE(2RE)
(8.14)
donde r es la resistencia interna del emisor de valor muy pequeño. La ganancia en modo común Ac, es de valor muy pequeño dado que la resistencia de emisor RE es mucho mayor que la resistencia de colector Re mientras que la ganancia en modo diferencial An, es muy grande porque Re es mucho mayor que r. Precisamente, este valor alto de la ganancia en modo diferencial hace que la velocidad de conmutación de esta familia lógica sea alta. Finalmente comentar que la tensión de salida sea proporcional a la diferencia entre las señales de entrada y no dependa de la componente en modo común sólo se cumple en un amplificador ideal. En la práctica no sucede así y para medir esa desviación se introduce el concepto de relación de rechazo en modo común (RRMC) que es la relación entre la ganancia en modo diferencial y modo común:
RR!vlC= Av
Ac
391
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
8.5.2.
El inversor ECL
En la figura 8.21 se muestra uninversor ECL. Consta de un circuito de entrada constituido por un amplificador diferencial y una etapa de salida basada en un circuito seguidor de emisor que actúa como separador y restaurador de nivel, ofreciendo a la salida las señales Vo(t) = Vi y Vo(t) = ¼. En este circuito, cualquiera de las fuentes VsB, Vcc y VEE pueden llevarse a tierra. Sin embargo, siempre tiene que cumplirse que Vcc > VBB > VEE· La mayor inmunidad al ruido se consigue cuando es Vcc la que se conecta a tierra. En cualquier caso, el margen de ruido es bajo en este tipo de circuitos que tienen además, muy poca diferencia entre niveles lógicos. ----------------~---------~-,
l ----1 ...---------.-----..~ 1 - - - - -......-
Rc1
Ro
1 ...'....--.
Vcc
1 1 1 1
1'29V
1 1 1 1
1
1
1 1 1
1
1 1
Vi
1
~E3
RE
RE41
1 1
1
Amplificador Diferencial
1
,
1
·-------------------------- --~
Vo Vo
VEE
,_____________, 1
Seguidor dé Emisor
:
Figura 8.21: Puerta inversora en ECL
El principio de operación consiste en introducir por la base de T1 la tensión de entrada, ½, y por la base de T2 una tensión fijá de referencia VBB que define el modo común. Observamos que si en la base del transistor T 1 tenemos VsB las dos entradas son iguales y la salida diferencial es cero. En el funcionamiento de la puerta, cuando la entrada pasa de baja a alta o de alta a baja, se atraviesa este valor de referencia y, aparece una tensión diferencial que se traslada a la base de los transistores seguidores de emisor, T3 y T 4 para producir las salidas V0 y Vo. El efecto de los transistores seguidores es apoyar a tierra las salidas e introducir ganancias de corriente pero no de tensión.
392
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
Es importante aclarar que en los circuitos ECL los transistores T1 y T2 no pasan de corte a saturación sino que siempre trabajan en zona activa, esto es, siempre conducen aunque con distintos valores de corriente de colector (Io1 #- Ic2 ), que son los que producen distintos valores de la tensión diferencial. Así, un valor alto de la tensión diferencial se consigue con Ic1 # O y Ic2 '.::::'. O con lo que ½unto2 '.::::'. Vcc y "½mntol = Vcc - Rc1Ic1, que puede hacerse pequeña eligiendo adecuadamente el valor de la resistencia Rc1. De esta manera, se puede considerar que T2 no conduce dado que su intensidad de colector es muy pequeña y que el transistor T1 conduce en zona activa. Por ello, en muchas ocasiones, a efectos de análisis de :la puerta, es posible considerar que el transistor con intensidad de colector próxima a cero no conduce mientras que el otro transistor si lo hace en zona activa. A continuación, vamos a estudiar como se comporta el inversor. l.
¼ es baja, menor que
VBB·
La tensión de entrada al transistor T1 es menor a VBB haciendo que la intensidad de colector sea muy pequeña, la tensión en su emisor es igual a ½ - VBEi < VBB por lo que el transistor T2 conduce. El valor de la tensión en el colector de T1 es Vcc - Rc1Ic1 y como Ic1 ~ O este valor es próximo a Vcc, haciendo conducir al transistor T4 y quedando la salida por el terminal Va igual a: Vo = Vcc - VBE4 > VBB que es un valor alto. Por otra parte, como el transistor T2 está conduciendo, el valor de la señal en el punto 2 es Vcc -Rc2 · .Ic2- Este valor es suficiente para hacer conducir al transistor T3 en zona activa con lo que el valor de salida por el terminal Va es,
Va= Vpv.nto2 - VBE3 = Vcc - Rc2Ic2 - VBE3 que es un valor bajo ya que será menor a VBB por ser Ic2 un valor alto.
2. ½ es alta, mayor a VBB· Ahora la tensión de entrada al transistor T1 es mayor que VBB haciendo que la intensidad de colector sea alta, la tensión en su emisor será igual a ½ - VBEi > VBB por lo que el transistor T2 conducirá con una intensidad próxima a cero. El valor de la señal en el punto 1 es Vcc - Rc1Ic1 . Este valor es suficiente para hacer conducir a T4 en zona activa con lo que la salida por el terminal Va es, Vo
= Vpv.ntol
- VBE4
= Vcc -
Ic1Rc1 - VBE4
393
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
que es un valor bajo ya que será menor a VBs al ser Ic1 una intensidad alta. Por otro lado, como por el transistor T2 conduce una intensidad próxima a cero, la señal en su colector es Vcc - Rc2Ic2 ~ Vcc haciendo conducir a T3 y quedando la salida Va igual a: Vo
=
Vcc - VBE3 > VsB
que es un valor alto. En resumen, en arnbos casos, la salida Va es la inversa de la entrada. Como hemos estudiado, el funcionamiento del circuito se basa en la conmutación entre el estado de los transistores T1 y T2, la cual es muy rápida ya que los transistores no entran en saturación en ningún momento, siempre conducen con mayor o menor intensidad de colector. Por otra parte 1 se observa que la función de los transistores T3 y T4 es simplemente adaptar los valores de tensión que tienen en la base para hacerlos compatibles con los niveles lógicos de entrada de la familia.
8.5.3.
Puerta NOR en ECL
Para conseguir la función OR o NOR de varias entradas, se conectarán como se muestra en la figura 8.22 1 varios transistores en paralelo al transistor T1 de la puerta ECL inversora. Los terminales A, B y C, son las entradas de una puerta ECL. A la salida se obtendrán las funciones OR y NOR de estas entradas. El modo de funcionamiento es el siguiente: l. Todas las entradas tienen nivel lógico
no".
Las tensiones de entrada de los transistores T1 son menores a
haciendo que sus intensidades de colector sean muy pequeñas, la tensión en su emisor es¼ - VBE1 < VsB por lo que el transistor T2 conduce. En esta situación, los colectores de los transistores de entrada tienen una tensión próxima a Vcc, lo que significa que en la base de T4 hay tensión suficiente para hacerle conducir. De este modo, la salida··NOR será igual a: VBB
que representa a un nivel lógico alto dado que será mayor a VBB . Así mismo la tensión de colector de T 2 es Vcc - Rc2Ic2 valor suficiente para
394
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
hacer conducir en zona activa a T3, quedando la tensión de salida OR igual a: VoR = Veo - Re2Ic2 - VBE3 que es un valor bajo ya que será menor a alta.
VBB
al ser Ic2 una intensidad
Vcc
Ro
----r-----VNOR -----e-VOR
REl
RE4
RE3
VEE
Figura 8.22: Puerta NOR en ECL 2. Alguna entrada está a nivel lógico "1 ".
Ahora la t ensión de entrada a alguno de los transistores T1 es mayor que Vnn haciendo que su intensidad de colector sea alta, la t ensión en su emisor será ½ - VsE1 > Vnn por lo que el transistor T 2 conducirá con una intensidad próxima a cero. El valor de la tensión en el colector del transistor de entrada que conduce es Veo - R e1Ie1. Este valor es suficiente para hacer conducir a T4 en zona activa con lo que la salida por el terminal VNoR es, VNoR
= Veo -
Ic1Rc1 - VBE4
que es un valor bajo ya que será menor a Vns al ser Ic1 una intensidad alta. Por otro lado, como por el transistor T2 conduce una intensidad próxima a cero, la señal en su colector es Vec - Re2Ic2 ~ Vcc haciendo conducir a T3 y quedando la salida VoR igual a: Von == Vcc - VnE3
que es un valor alto ya que será mayor a VnB-
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
8.6.
Familia Lógica MOS
Hasta ahora, todas las familias estudiadas empleaban el transistor bipolar. En esta sección, vamos a estudiar las familias basadas en transistores de efecto campo. Las ventajas que suponen estas familias son la denBidad de integración al conseguir la misma función lógica en un área mucho menor, con un proceso de fabricación mucho más sencillo y un menor consumo. Esto permite la integración de funciones globales más complejas. Por ello, la integración a gran escala (LSI) y muy alta escala (VLSI) está dominada por la tecnología MOS (NMOS y PMOS) y CMOS. Realmente, la familia dominante a partir de cierto grado de integración es la CMOS la cual permite integrar sobre un mismo sustrato transistores MOS de enriquecimiento de ambos canales, esto es, NMOS y PMOS. De esta manera, se consigue anular el consumo de potencia estática aumentando el nivel de integración. A partir de la aparición de la tecnología CMOS, ésta fue desplazando a la TTL de tal manera que la mayor parte de la inversión industrial se volcó en esta tecnología y, en consec,uencia, su avance ha sido creciente. En la actualidad, existen variantes de familias CMOS con características optimizadas para diferentes aplicaciones si bien todas ellas son compatibles y mantienen las características que definen a una familia.
8.6.1.
El inversor MOS
La tecnología existente en la época en que aparecieron en el mercado las primeras fa.millas lógicas sólo permitía implementar sobre un sustrato transistores MOS de un único tipo, esto es, o bien de canal N o bien de canal P. Debido a la mayor movilidad de los portadores (electrones) en los dispositivos de canal N, se utilizó mayoritariamente la familia lógica NMOS. El inversor de esta familia se muestra en la figura 8.23, en el que los dos transistores son de canal N con sustrato común y trabajando en modo de realce. Su estructura es análoga a la del inversor básico en tecnología bipolar (RTL), sólo que ahora el transistor impulsor es MOS y la resistencia de carga se realiza en tecnología integrada mediante otro transistor operando en su zona triodo o zona de saturación y con el sustrato unido a tierra~ Recordemos como trabaja un transistor NMOS en modo realce. En condiciones generales, el transistor empieza a conducir cuando la tensión entre puerta (G) y sustrato (S) supera un valor umbral VT, (Ves > VT), y lo hace sobre la curva característica correspondiente a ese valor de Ves, pasando primero por las zonas
396
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
lineal y cuadrática comprendidas dentro de la región triodo y entrando después en saturación, en donde se cumple: Vns
= Vnssat = Vas - VT
A partir de ese momento la corriente se mantiene constante en su valor de saturación (ver figura 7.50). VD
N1
VG---t
Va carga
Vo-VT
--vo Vi
--1
N2 Impulsor
VT (a)
Vi
(b)
Figura 8.23: Puerta inversora en NMOS Veamos, en primer lugar, como se comporta el transistor de carga. Como la puerta está unida al drenaje se tiene Vns1 = Vos1 con lo que el transistor no conduce hasta que Vns 1 uo alcance el valor umbral VTl· El lugar geométrico de los puntos en donde Vns1 = Vas1 se ·muestra como línea discontinua en la figura 8.24 (a). Su pendiente nos permite calcular la conductancia incremental del transistor N1 funcionando como resistencia. Esta curva puede dibujarse junto con las curvas características del transistor N2, situada adecuadamente, es decir, con su origen en Vn resultando las curvas de la figura 8.24 (b). Vemos que a partir de ella se puede calcular el valor de la intensidad In2 en función de la tensión Vns2 para un determinado Vns1 = Vas1. Naturalmente, la resistencia de carga no es lineal. Además es importante subrayar que este transistor está siempre conduciendo en zona de corriente constante (saturación) debido a la polarización que fuerza que el drenador y la puerta estén al mismo potencial con independencia de que el transistor impulsor este conduciendo o en corte. El transistor impulsor no tiene ninguna limitación ·ya que su terminal de fuente no está unido a drenador. Por tanto, su punto de trabajo puede estar en cualquier
397
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
posición sobre sus curvas características. Cuando ¼ = O, el transistor N2 estará al corte ya que su tensión de puerta no supera la tensión umbral, presentando alta impedancia y no dejando pasar corriente (ID2 ~ O), resultando: (8.15)
siendo RDs1 la resistencia que emula el transistor N1 e ID la corriente entre drenador y surtidor de ambos transistores que es la misma al estar en serie (ID= ID1 = In2). 102
101 VDS1=VGS1
''
I
\VD51=VGS1 \1
VGS13
'
1
.
''
,•
,,''
''• t
VGS12
•
,,~
'
,I '\
I
VGS22
1
,.
1
'
1
I 1
I
VGS23
VGS11
''
VGS21
1\
' 1 '
1 \ 1
''
__.,,,,.,,,
\'l.
',
',... _
-···
........
VDS1
Vn
VD Vn'1
1
VDS2-=VO
-4-······--·-··-~---.....-·-·-·--·-··-··---VDS2=VO I VD51=VD-Vo!
(a)
(b)
Figura 8.24: (a) Curvas características del transistor N 1 . (b) Curvas características del transistor N2 y curva de carga que representa el lugar geométrico de los posibles puntos de operación del transistor de carga Cuando la tensión de entrada supera el valor umbral el transistor N 2 empieza a conducir en su zona lineal de manera que a medida que aumenta ¼ aumenta también la corriente, Iv. Al seguir aumentando ¼ el transistor N2 conduce en región triodo con mayor valor de Iv y con mayor caída de tensión en N1 con lo que disminuye la tensión de salida Vo de acuerdo a la expresión: (8.16)
El proceso continua hasta que la tensión de entrada ½ se acerca al valor de la tensión de alimentación VD. Cuando Vvs 1 no supere el valor umbral V Tu el transistor N1 pasará a corte ofreciendo una alta impedancia en la que cae toda
398
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
a tensión VD, quedando la tensión de salida prácticamente cero. Este valor bajo le la tensión de salida coincide con la conducción de N2, en su valor más alto de :orriente. ~ste circuito es notablemente más sencillo que su equivalente en tecnología TTL ' si bien mantiene un consumo permanente de potencia, el consumo es menor lado que con N2 cortado no hay conducción entre masa y VD y el consumo de >Otencia se produce cuando la salida está en bajo y en las conmutaciones. Además, os transistores MOS pueden conectarse como resistencias y, en consecuencia, os circuitos implementados con transistores MOS ocupan menos área de silicio. ~stas características permitieron aumentar de forma considerable los niveles de ntegración, dando lugar al desarrollo de los primeros microprocesadores. i'inalmente comentar que hay muchas más posibilidades de diseñar inversores ~OS combinando las distintas opciones de canal Po canal N y modo de realce o nodo de vaciamiento. De cualquier modo, el transistor que actúa como impulsor iempre está en la región triodo cuando la entrada está en alta. En cambio el ransistor que simula la carga puede estar en zona triado o en zona de saturación. ~n todos los casos las características de transferencia de los inversores dependen le la geometría del canal.
L6.2.
Puerta NOR en NMOS
Ja figura 8.25 (a) muestra el esquema de una puerta NOR con NMOS, la cual onsta de tres transistores NMOS, dos de ellos en paralelo haciendo la función le impulsores y el tercero actuando de carga. Al estar los impulsores en paralelo •astará con que uno tenga la entrada en alta para que entre en conducción y 3. tensión en su drenador sea la correspondiente en baja. Sin embargo, cuando mbas entradas están en baja los transistores impulsores no conducen, no hay orriente en el transistor de carga y la tensión de salida coincide, prácticamente, on la tensión de alimentación, VD, tal y como corresponde a una puerta NOR. )bserve que para aumentar el número de entradas a una puerta NOR basta con rrcluir más transistores impulsores en paralelo, manteniendo las correspondientes structuras.
L6.3.
Puerta NAND en NMOS
;a figura 8.25 (b) muestra el esquema de una puerta NAND con NMOS la cual onsta de tres transistores NMOS en serie, uno de ellos actuando como carga
399
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
VD VD N1
va Vo
A~
N2
B~
--
(a)
A~
N2
B~
N3
N3
-
(b)
Figura 8.25: (a) Puerta NOR en NMOS. (b) Puerta NAND en NMOS y los otros dos haciendo la función de impulsores. Al estar los impulsores en serie, sólo cuando ambas entradas a las puertas, A y B, están en alta, existe conducción entre Vn y tierra con lo que la salida está en baja. En cambio, cuando alguna de ·1 as entradas está en baja, el transistor NMOS correspondiente estará en corte (abierto) al no tener en su puerta tensión suficiente, provocando que no exista circulación de corriente entre su drenador y su surtidor. Esta ausencia de corriente hace que no exista caída de tensión en el transistor de carga y, por tanto, la tensión de salida sea Vn , esto es, el nivel lógico "1". Observe que para aumentar el número de entradas a una puerta N AND basta con incluir más transistores impulsores en serie.
8.6.4.
El inversor en CMOS
Los circuitos CMOS combinan transistores PMOS y NMOS. La circuitería del inversor CMOS básico se muestra en la figura 8.2q. Vemos como el inversor CMOS tiene dos MOSFET en serie de modo que, el transistor PMOS tiene su fuente conectada a Vn y el transistor NMOS tie~e su fuente conectada a masa. Las puertas de los dos transistores se interconectan con una entrada común. Los drenadores de los dos dispositivos se interconectan con la salida común. De este modo, este inversor tien e la rápida conmutación asociada a un MOS en conducción y un bajo consumo, al estar siempre uno de los transistores sin conducir. Por otra parte, los niveles lógicos se mantienen prácticamente en Vv para el nivel lógico alt o y "O" para el nivel lógico bajo (alto fan-out y fan-in) y tiene alta inmunidad al ruido.
400
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
Un transistor MOS, en continua, se comporta como un conmutador que para tensiones de puerta-surtidor menores a la tensión umbral (IVosl < IVTI), no conduce y cuando se supera este valor umbral el MOS conduce. De este modo, cuando ¼ es igual a VD, el transistor NMOS conduce dado que VosN = Vn y el PMOS está en circuito abierto ya que VasP = O, con lo que la salida Vo está en baja. Por contra, cuando la entrada¼ está en baja el transistor NMOS está en corte (VcsN = O) y el PMOS conduce (VcsP = -VD), quedando la salida conectada a la tensión de alimentación y aislada de tierra. Observe que al no cerrar circuito en ninguna de las configuraciones de entrada, no existe consumo en situaciones estacionarias. VD
Vi
--vo
Figura 8.26: Puerta inversora en OMOS
8.6.4.1.
Inversor de tres estados
En el circuito de la figura 8.27 se muestra un inversor CMOS de tres estados en donde se observa como al inversor convencional se le han añadido dos nuevos transistores para el control, uno de canal P en serie con la carga, Pcorttrol, y otro de canal Nen serie con el impulsor, Ncontrol· Ambos transistores están gobernados por una nueva entrada, C, para su control. Dicha entrada se presenta directamente al transistor de control N e invertida al transistor de control P. Así, cuando C está en baja, los dos nuevos transistores no conducen y la salida Vo queda aislada. Sin embargo, cuando G está en alta, los dos nuevos transistores conducen con muy baja impedancia, funcionando entonces el circuito como un inversor básico.
8.6.5.
Puerta NOR en CMOS
Una puerta NOR en CMOS se forma introduciendo transistores de canal P en serie y transistores de canal N en paralelo al inversor básico, tal y como se mues-
401
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
traen la figura 8.28 (a). Ahora basta con que una de las entradas esté en alta para que el transistor P correspondiente no conduzca mientras que el transistor N correspondiente lo haga en saturación o en zona triodo con lo que la salida está en baja al estar conectada a tierra a través del transistor de canal N que esté conduciendo y desconectada de la fuente al estar en corte alguno de los dos transistores P. Por contra, cuando ambas entradas están en baja, tanto el transistor P1 como el P2 estarán en conducción, mientras que ambos transistores N estarán cortados, resultando que la salida está en alta al estar conectada a VD a través de los transistores de canal P y aislada de tierra por estar en corte los transistores N. VD Pcarga
--vo
Vi \
e (a)
e
Vi
o o
o 1
tz tz
1 1
o
1
1
o
Vo
(b)
Figura 8.27: Puerta inversora de tres estados en CMOS
8.6.6.
Puerta NAND en CMOS
Una puerta NAND en CMOS se forma introd11ciendo transistores de canal P en paralelo y transistores de canal Nen serie al inversor básico, tal y como se muestra en la figura 8.28 (b) . Una vez más est~ circuito se puede analizar entendiendo que un estado bajo en cualquier entrada hace conducir a los transistores de canal P (P1 y P2) y corta a los transistores de canal N (N1 y N2). Así, basta con que una de las entradas esté en baja para que el transistor N correspondiente no conduzca mientras que el transistor P correspondiente esté en saturación o en zona triodo con lo que la salida está en alta al estar conectada con Vn a través del transistor de canal P que está en conducción y aislada de tierra gracias al transistor N que
402
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
~stá en corte. Por contra, cuando ambas entradas están en alta, tanto el transistor Ni como el N2 estarán en conducción, mientras que ambos transistores P estarán :;ortados, resultando que la salida está en baja al estar conectada a tierra a través ie los transistores de canal N y desconectada de Vn dado que los transistores P ~stán en corte. VD
A-------......f
VD
P1 PI
B--1,..-----......,_--1
P2
P2
Vo Vo
A-------,,---¡
N2
N1
B-------
(a)
(b)
Figura 8.28: (a) Puerta NOR en CMOS. (b) Puerta NAND en CMOS
S. 7.
Resumen
8n este capítulo, se han presentado el funcionamiento de las puertas lógicas básicas v que tecnologías encontramos para implementarlas. Para comparar las distintas :amilias se utilizan parámetros como: características estáticas, margen de ruido, 3.exibilidad lógica, disipación de potencia y velocidad de actuación. Dependiendo Je nuestro diseño digital será conveniente el uso de una u otra familia. En concreto, ,e han estudiado las familias lógicas RTL, DTL y TTL, la familia lógica ECL y .a familia lógica MOS (NMOS, PMOS y CMOS).
403
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
8.8.
Ejercicios de Autoevaluación
l. El circuito de la figura 8.29 corresponde a una puerta HTL la cual se trata de una modificación de DTL en la que el diodo intermedio ha sido sustituido por un Zener de 7 V. Analizar el circuito para las distintas configuraciones
de entrada. .-----.......-- Vcc
12KO
Rd
Va
01
02 B--t.a¡........i
Figura 8.29: Puerta de la familia lógica HTL 2. Dado el circuito de la figura 8.30, analice el comportamiento para las distintas configuraciones de las variables de entrada (A,B, C). Vc:c:=lOV
NR - - - - - . - - t{A,B,C) A - - NA Ne i---C B--"
Ns
Figura 8.30: Puerta de la familia lógica NMOS
404
CAPÍTULO 8. FAMILIAS LÓGICAS
3. Dado el circuito de la figura 8.31, analice el comportamiento para los dos valores de la variable de entrada½. ----~--VD
p
Vi
-----vo
Figura 8.31: Puerta de la familia lógica BicMOS
4. El circuito de la figura 8.32 corresponde a una puerta en CMOS. ¿Añadir los componentes necesarios para convertirla en una puerta triestado?. Analizar el circuito resultante para las distintas configuraciones de las señales de entrada. VD
P1
P2
Vo A---------1
B-------.
Figura 8.32: Puerta de la familia lógica CMOS
5. Dado el circuito de la figura 8.33, analice el comportamiento para las distintas configuraciones de las variables de entrada (A,B).
40fi
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
----~------.---VD
A--1
PA
8~
PB
r----t----<11r----Vo
T2
Figura 8.33: Puerta de la familia lógica BicMOS
406
/
Capítulo 9
Dispositivos Fotónicos
CONTEXTO En el siglo XX, la tecnología microelectrónica ha puesto al alcance de la sociedad una amplia gama de soluciones que han marcado nuestra evolución tecnológica. Sin embargo, dicha tecnología presenta unas limitaciones que frenan el desarrollo y han obligado a buscar nuevas soluciones. Una de las alternativas que está siendo más prometedora es el uso de dispositivos fotónicos. Los dispositivos fotónicos se tratan de componentes capaces de realizar las mismas funciones que los dispositivos electrónicos pero utilizando la luz como vehículo de transmisión. La Fotónica es la ciencia del manejo de la luz. Concretamente, engloba la generación, la det ección, el control de fotones, en particular en el espectro visible e infrarrojo, y su aplicación en diversos campos de la tecnología tales como las telecomunicaciones y en optoelectrónica. Su objetivo es convertir la luz en corriente eléctrica mediante la utilización de detectores, fotodiodos y células solares, o viceversa mediante la utilización de diodos emisores de luz. Entre las aplicaciones encontramos el almacenamiento óptico de datos (CD, DVD, HD DVD , UMD, BluRay), impresión láser, visualizadores, bombeo óptico de láseres de alta potencia y telecomunicaciones por fibra óptica. Algunas de estas aplicaciones serán estudiadas en otras asignaturas, en este capítulo únicamente se presentará, a modo de ejemplo, esta última aplicación. Los intentos por transmitir información por medio de la luz se remontan a hace
407
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMATICA
años, pero hasta hace poco no se había podido realizar la transmisión de modo eficiente y útil. Esto ha sido gracias al láser y la fibra óptica. El primero ha evolucionado hasta convertirse en un dispositivo fiable y de precio competitivo. El segundo se ha convertido en el medio de transmisión para la región del espectro en torno a lµm. En este capítulo se comienza estudiando de forma muy simple, las propiedades de la luz con el fin de entender el resto de las secciones. En el siguiente apartado se presentan algunos de los elementos optoelectrónicos más empleados. Finalmente, dada la importancia que actualmente tienen las comunicaciones ópticas, esta última sección se dedica a presentar, de una manera introductoria, los conceptos relacionados con este tipo de comunicaciones.
CONOCIMIENTO PREVIO NECESARIO Para entender los conocimientos de este capítulo es necesario manejar con soltura los conocimientos adquiridos en el capítulo de dispositivos electrónicos.
OBJETIVOS DEL TEMA Los objetivos del capítulo son: l. Conocer de una manera simple, algunas de las propiedades de la luz.
2. Estudio de algunos semiconductores optoelectrónicos. 3. Como caso de aplicación de los dispositivos optoelectrónicos se presenta un sistemas de comunicaciones ópticas.
GUÍA DE ESTUDIO
..
Lo conveniente es seguir el estudio del capítulo de manera secuencial. Este capítulo tiene una componente mayoritariamen~e t eórica por lo que no existen ejemplos a lo largo de él ni ejercicios de autoevaluación.
408
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
9.1.
Propiedades de la luz
La luz es la señal que se mueve más rápido en el Universo. Se trata de ondas transversales que, al contrario de las ondas sonoras (longitudinales), se propaga perpendicularmente a la dirección de vibración de los campos variables eléctricos y magnéticos que la componen. Además, no necesita como las ondas mecánicas un medio material para propagarse en el espacio, por lo cual, la luz de las estrellas y, en particular, del Sol nos llegan a través de la inmensidad del espacio vacío. La luz también puede definirse como un haz de . fotones (partículas sin masa) que transportan energía y cantidad de movimiento, capaces de interactuar con la materia. En definitiva, la luz es una radiación electromagnética que cuando se propaga se comporta como una onda electromagnética y cuando iteracciona con la materia, es decir, en los intercambios de energía, se comporta como una partícula. La amplitud de la onda en cada punto determina la densidad probable de los fotones en el mismo, de forma que donde aquélla sea nula lo será también la probabilidad de encontrar un fotón, mientras que en los puntos en que dicha amplitud sea máxima ocurrirá lo mismo para la probabilidad. De este modo la onda luminosa se convierte en una onda de probabilidad de presencia de un fotón. Veamos a continuación algunas de las características de la luz cuando se considera como una onda electromagnética y cuando se define a través de un modelo corpuscular.
9.1.1.
La luz como onda electromagnética
Cuando consideramos a la luz como una onda electromagnética, puede ser caracterizarla mediante los siguientes parámetros:
• Longitud de onda (A), que es la distancia lineal entre dos puntos equivalentes de ondas sucesivas. • Periodo (I' ), que es el tiempo necesario para el paso de dos máximos o mínimos sucesivos por un punto fijo en el espacio. • Frecuencia (v ), que es el número de oscilaciones por unidad de tiempo. • Amplitud (A), que es la longitud máxima respecto a la posición de equilibrio que alcanza la onda en su desplazamiento.
409
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
• Velocidad de propagación (V), que es la distancia que recorre la onda en
una unidad de tiempo.
• Fase (0), que es la situación de la onda en un determinado instante. La velocidad, la frecuencia, el periodo y la longitud de onda están relacionadas por las siguientes ecuaciones: ,\
c=Av=T 8n la figura 9.1 se muestra el detalle del espectro electromagnético. Las ondas J.e radio y TV son generadas por circuitos electrónicos, como osciladores LC, y ,on utilizadas en comunicaciones. Las microondas resultan adecuadas para los 3istemas de radar, navegación aérea y para el estudio de las propiedades atómicas
9.1.2.
La luz como modelo corpuscular
Cuando consideramos a la luz como modelo corpuscular, estará compuesta por pequeñas partículas denominadas fotones, cuya masa es nula y su energía se puede calcular mediante la expresión de Einstein: h·c E =-
(9.1) A donde h es la constante de Planck de valor 61626 · 10-34 Julios/segundo, A es la longitud de onda de la luz en metros y ·e es la velocidad de la luz en el medio en el cual se propaga (en el vacío la velocidad de la luz es 2'998 · 108 7;, ~ 3 · 108 ; ). Un término muy utilizado es la potencia que se define, en este caso, como la velocidad a la cual se libera energía, es decir, la potencia expresada en watios es:
P=E t
410
(9.2)
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
donde tes el tiempo. El comportamiento de la luz como partícula explica cómo las fuentes generan luz y cómo los detectores son capaces de reconvertir la luz en energía eléctrica. Frecuencias en Hz
1020 1019 101s 1011 1016 1015 1014 10l3 1012
1011 1010
Rayos Gamma RayosX
Rayos Ultravioleta Luz
visible
Rayos Infrarrojos Microondas
109 108 107
Ondas1v
106
Ondas Radio
105
1
Longitudes de Onda crecientes
Figura 9.1: Espectro Electromagnético
9.1.3.
Propagación de la luz
Se denomina rayo de luz a la dirección a lo largo de la cual se propagan las ondas de luz. En el vacío, la luz viaja en línea recta a la velocidad de 3 · 105 Ksm. En medios transparentes como el aire, agua o vidrio disminuye respecto al vacío. Estos medios quedan caracterizados por el índice de refracción n, que se define corno el cociente entre la velocidad en el vacío y la velocidad en el medio:
e
n=v
(9.3)
Así para el agua el índice de refracción es n = 1133, para el vidrio varía entre 1'5 y 1166 y para el aire resulta ser de 1'0003. Por ello, en la mayoría de los casos, se considera que la velocidad de la luz en el aire es la misma que en el vacío. Entre los fenómenos relacionados con la propagación de la luz encontrados: • REFRACCIÓN
Cuando un rayo de luz pasa de un material a otro diferente, cambia su velocidad y dirección en la frontera que separa ambos materiales. Este fenómeno
411
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
se debe al hecho de que la luz se propaga a diferentes velocidades según el medio por el que viaja. El cambio de dirección es mayor cuanto mayor es el cambio de velocidad, ya que la luz recorre mayor distancia en su desplazamiento por el medio en que va más rápido. Este cambio de dirección se denomina refracci6n. • REFLEXIÓN
Cuando la luz pasa de un material a otro diferente, parte de la luz no entra en el segundo material es decir, no es refractada sino que es reflejada de vuelta al primero. A este fenómeno se le llama ley de reflexión o simplemente reflexión. Se dice que existe reflexión total cuando la superficie refleja todos los rayos que inciden sobre ella. La figura 9 .2 muestra un rayo de luz que incide sobre una superficie entre dos medios transparentes, aire y agua. Se denomina ángulo incidente, 01 , al ángulo entre el rayo incidente y la normal y el plano definido por ambas líneas se denomina plano de incidencia. El rayo reflejado está incluido en este plano y forma un ángulo 0i con la normal. Por otro lado, el rayo que entra en el otro material se llama rayo refractado siendo 02 el ángulo de refracción. Cuando una onda atraviesa una superficie pasando a otro material donde la velocidad disminuye, el ángulo de refracción es menor que el ángulo de incidencia, esto es, el rayo refractado se aproxima a la normal mientras que si la velocidad aumenta, el rayo refractado se aleja de la normal. Rayo de luz reflejado
Rayo de luz
Aire
Agua
Rayo de
luz refractado
Figura 9.2: Refracción y Reflexión Vemos pues que el ángulo de refracción depende del ángulo de incidencia y de la velocidad relativa de las ondas en los dos medios. Sea v1 la velocidad
412
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
de la onda en el medio incidente y v2 la velocidad de la onda en el medio transmisor, los ángulos de incidencia y refracción vienen relacionados por: 1
- sen01
1
= - sen02
(9.4)
V2
VI
siendo esta ecuación válida para la refracción de cualquier tipo de onda incidente en la superficie que separa dos medios distintos. En función de los índices de refracción de los dos medios, que llama.remos n1 y n2 respectivamente, la ecuación (9.4) podemos reescribirla de la forma:
(9.5) Este resultado se conoce como ley de Snell o ley de la refracción. Si se examina la ley de Snell, se comprueba que un haz luminoso con cualquier ángulo de incidencia puede desdoblarse en una parte reflejada y otra transmitida, siempre que el índice de refracción del medio incidente sea inferior al del medio transmitido. En caso contrario, si se aumenta progresivamente el ángulo se alcanza un valor, llamado ángulo crítico, para el cual el haz de salida es rasante (sen02 = l). Para ángulos superiores se produce la reflexión total interna. No existe componente transmitida con lo que no se producen pérdidas en la reflexión lo que resulta fundamental en comunicaciones ópticas ya que de esta forma se consigue el confinamiento de la luz dentro de una fibra óptica (ver figura 9.3). 81
I
.
l
,/
¡--- 02= 90° ¡
(a)
(b)
i
~1~ I
(e)
Figura 9.3: Transmisión desde un medio de mayor índice a otro menor. Por encima del ángulo crítico se produce reflexión total. (a) Haz de salida con ángulo 02 • (b) Haz de salida rasante. (e) Reflexión total
• DIFRACCIÓN
La difracción es el fenómeno que se produce cuando las ondas alcanzan un obstáculo o abertura de dimensiones comparables a su longitud de onda. Se manifiesta en forma de p erturbaciones en la propagación de la onda, bien sea
413
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
flexionando la onda cuando rodea el obstáculo o produciendo una división de la misma a partir de la abertura. Un ejemplo de difracción lo tenemos cuando la luz pasa a través de una abertura circular pequeña. Si ponemos una pantalla al otro lado, no veremos un punto brillante, sino más bien un disco difuso rodeado de anillos circulares más tenues. Esto es debido a los fenómenos de difracción e interferencia (ver figura 9.4) .
Figura 9.4: Ejemplo esquemático de la difracción de un rayo de luz • INTERFERENCIA
La interferencia se produce cuando dos ondas que tienen la misma longitud de onda se superponen. El resultado depende de la fase en que se encuentren. Si las ondas están en la misma fase, el resultado es una onda cuya amplitud es la suma de las dos. A esto se le llama interferencia constructiva. Si la cresta de una onda coincide con el valle de la otra (la sondas están en contraía.se), se cancelan. A esto se le llama interferencia destructiva (ver figura 9.5). Un ejemplo de interferencia lo vemos cuando la luz se refleja en una pompa de jabón. Las líneas y círculos multicolor que se forman, son el resultado de la interferencia entre las ondas luminosas reflejadas en la superficie frontal y posterior de la pompa de jabón. lnterferenda Constructiva
Fase
~~ + ~
l nterferencia Destructiva Contrafase~
~
--------
Figura 9.5: Interferencia constructiva y destructiva de la luz
414
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
• EFECTO FOTOELÉCTRICO
El efecto fotoeléctrico consiste en la emisión de electrones por part e de un material fotosensible (típicamente metales y semiconductores) cuando incide sobre él una radiación electromagnética. El estudio del efecto fotoeléctrico lleva a enunciar las siguientes leyes: • Para cada material el efecto fotoeléctrico sólo se presenta si la frecuencia de la luz incidente es igual o superior a un valor característico del material llamado frecuencia umbral. Para la mayoría de los metales la frecuencia umbral está en la zona de radiación ultravioleta pero para otros como el cesio y el potasio es de 5'6 · 104 hertz, que corresponde a la radiación de color verde de manera que si su superficie se ilumina con naranja, cuya frecuencia es menor, por muy intensa que sea no arranca ningún electrón del metal. • La intensidad de la corriente de saturación fotoeléctrica es direct amente proporcional a la intensidad de la radiación incidente. • Para una determinada frecuencia, la energía cinética de los fotoelectrones no depende de la luz incidente sino de la frecuencia, aumentando con ella pero no en forma proporcional. • Aunque la luz incidente sea de intensidad baja si su frecuencia es superior al valor umbral el efecto fotoeléctrico se produce instantáneamente. El efecto fotoeléctrico dentro de la teoría fotónica de la luz se interpreta de la siguiente manera: Cuando un fotón choca con un metal o un semiconductor, es absorbido completamente y su energía E = hv pasa a uno de los electrones del material. Para extraer dicho electrón es preciso que la energía del fotón sea superior a un valor umbral Ea necesario para vencer la unión del electrón con el núcleo. Este valor umbral depende del material. Si E > Ea, la energía cinética máxima del electrón emitido es: 1 2 m v max = E - E 0
2
sustituyendo la ecuación de la energía y despejando hv queda:
hv
.
1
2
= E a + 2mvm ax
que es la ecuación de Einsten para el efecto fotoeléctrico. A E a, mínima energía para liberar el electrón del .mat erial, ·se le llama trabajo de extracción o función de trabajo. Con esta interpretación se comprende por qué el
415
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
efecto fotoeléctrico ocurre instantáneamente, sólo a partir de una frecuencia umbral v 0 = Efi, característica del material y también por qué la energía cinética máxima de los electrones emitidos no depende de la intensidad de la luz incidente (número de fotones) sino de su frecuencia. 0
9.2.
Elementos optoelectrónicos
"'ºs dispositivos optoelectrónicos son aquellos que trabajan conjuntamente con eñales electrónicas y luz. A nivel de componentes podemos distinguir tres tipos le dispositivos: l. Dispositivos emisores: son dispositivos que transforman la energía eléctrica
en energía luminosa. En este tipo encontramos los diodos LED o los láser que ya fueron estudiados en el capítulo de dispositivos electrónicos. 2. Dispositivos detectores: son dispositivos que transforman la energía luminosa en energía eléctrica. Entre éstos encontramos los fotorresistores, células fotovoltaicas, fotodiodos, fototransistores, los dispositivos de acoplamiento de cargas (CCDs) y los fotomultiplicadores. 3. Dispositivos fotoconductores : son dispositivos que conducen la radiación luminosa desde un emisor a un receptor. No se producen transformaciones de energía.
9.2.1.
Fotorresistores
Un fotorresistor o LDR (rrLight Dependent Resistor") es un componente electrónico cuya resistencia varia en función de la luz que incide sobre él. Este valor es bajo cuando hay luz incidiendo en el dispositivo pudiendo llegar a descender a 50!1 y es muy alto cuando el dispositivo está a oscuras... llegando a ser del orden de los megaohmios. Un fotorresistor está h echo de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio. Su funcionamiento se basa en el efecto fotoeléctrico. Cuando la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por el semiconductor suministrando a los electrones la suficiente energía para saltar a la banda de conducción. El electrón libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. En la figura 9.6 se muestra su símbolo así como un ej emplo comercial. Su uso se centra principahnente en la medida de la luz y en la det ección de cambios de luz.
416
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
(a)
(b)
Figura 9.6: (a) Fotorresistencia comercial. (b) Símbolo
9.2.2.
Células Fotovoltaicas
Una célula fotovoltaica, también llamada célula fotoeléctrica, es un dispositivo electrónico que permite transformar la energía lumínica que tienen los fotones en energía eléctrica por la aparición de un flujo de electrones libres debido al efecto fotoeléctrico, generando energía solar fotovoltaica. Un panel fotovoltaico está formado una red de estas células solares conectadas como circuito en serie para aumentar la tensión de salida hasta el valor deseado. Por otro lado se conectan varias de estas redes como circuito paralelo para aumentar la corriente eléctrica que es capaz de proporcionar el panel. El tipo de corriente eléctrica que proporcionan es corriente continua. En la figura 9.7 se muestran una placa fotovoltaica y su símbolo.
(a)
(b)
Figura 9.7: (a) Placa Fotovoltaica. (b) Símbolo
9.2.3.
Fotodiodos
Un fotodiodo es un dispositivo semiconductor construido con una unión PN sensible a la incidencia de luz visible o infrarroja de manera que conduce una cantidad de corriente proporcional a la cantidad de luz que incide sobre él. Esta corriente
417
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo, o sea, trabaja en polarización inversa. Cuando el diodo trabaja en polarización directa, la luz que incide sobre él no le afecta comportándose como un diodo convencional. En la figura 9.8 se muestra su símbolo y un ejemplo comercial. La mayoría de los fotodiodos disponen de una lente que concentra la cantidad de luz para mejorar su respuesta.
(a)
(b)
Figura 9.8: (a) Fotodiodo comercial. (b) Símbolo
El fotodiodo se utiliza como dispositivo detector de luz al convertir la luz eléctrica en electricidad. La diferencia con las fotorresistencias es que los fotodiodos responden a los cambios de luz más rápido por lo que pueden utilizarse en circuitos con tiempos de respuesta pequeños. Precisamente, por sus excelentes características en cuanto a linealidad, ruido y velocidad de respuesta, el fotodiodo es el sensor de luz más empleado en aplicaciones ópticas, tanto analógicas como digitales. Algunas de las aplicaciones típicas son como detectores de proximidad, detectores de color, aparatos de medición ópticos, sistemas de comunicaciones por fibra óptica y lectores de CDs. Su funcionamiento es el siguiente: Al llegar un fotón al fotodiodo con una energía superior a la energía de la banda prohibida del semiconductor se genera un par electrón-hueco. Esta generación de pares electrón-hueco se produce en la zona P, en la N y en la zona de transición. Cuando ocurre en la zona de transición o en sus proximidades, el campo eléctrico acelera los electrones hacia la zona N y los huecos hacia la zona P, apareciendo una carga negativa en la zona N y positiva en la z_pna P. Si se conecta un circuito externo entre el cátodo y el ánodo del fotodiodo, los electrones se moverán desde la zona N y los huecos desde la P hasta los electrodos opuestos, dando lugar a una corriente llamada fotocorriente. Por otro lado, los pares electrón-hueco generados fuera de la zona de transición pueden llegar a ésta por mecanismos de difusión o bien pueden recombinarse antes sin que participen en la fotocorriente. Dado que el mecanismo de difusión es relativamente lento, los fotodiodos se diseñan para que la probabilidad de recombinación sea elevada con el fin de no comprometer el tiempo de respuesta.
418
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
Vemos que el límite de la respuesta del fotodiodo lo establece la energía de cada uno de los fotones que incide sobre él, que debe ser igual o mayor que la energía de la banda prohibida. Se demuestra que la longitud de onda de la luz incidente debe ser menor que un cierto valor que viene determinado por la energía de la banda prohibida del semiconductor de que se trate:
>.(nm) <
1240 Eprohibida ( eV)
(9.6)
siendo Eprohibída la energía de la banda prohibida. Esta expresión nos permite calcular la longitud de onda máxima denominada longitud de onda de corte >.h. Se deduce que los fotones con diferentes longitudes de onda no tienen la rrúsma probabilidad de alcanzar la zona de transición. Así, cuando la luz incide en el fotodiodo, su intensidad va decreciendo exponencialmente a medida que lo atraviesa según la ecuación:
I(x) =lo· e-o:x
(9.7)
donde lo es la intensidad de la luz incidente, n es el coeficiente de absorción característico de cada material y x es la distancia recorrida por la luz desde que incide en la superficie del fotodiodo. Al inverso del coeficiente de absorción se le denomina coeficiente de penetración:
(9.8) El coeficiente de penetración representa la distancia a la que la intensidad de la luz incidente ha disminuido un 63 % del valor inicial. La profundidad de penetración depende del material y de la longitud de onda de la luz. En general, la luz de una longitud de onda pequeña (como la luz ultravioleta) se absorbe antes, mientras que las longitudes de onda más largas (como la luz infrarroja) penetran más en el cristal. Otro parámetro importante que determina la respuesta dinámica del fotodiodo es la capacidad de transición. Dicha capacidad viene dada en función de la tensión de la unión y de la tensión inversa aplicada al fotodiodo por la ecuación: 1
C = Co----;:==
. /1+ ¼ V Yo
(9.9)
donde Co es la capacidad de transición cuando no se aplica tensión al fotodiodo. Vemos como la capacidad de transición disminuye al aplicar tensión inversa. Es importante insistir que en el caso de los diodos el sentido normal de circulación de la corriente se produce cuando trabaja en polarización directa. En ese sentido,
419
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
el diodo deja pasar la corriente eléctrica y prácticamente no permite circulación de corriente en el sentido inverso. Sin embargo, en los fotodiodos la forma habitual de trabajo es en polarización inversa, es decir, la corriente, que varía con los cambios de luz, es la que circula en sentido inverso. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. En ausencia de luz la corriente presente es muy pequeña y recibe el nombre de corriente de oscuridad.
1.2.3.1.
Modelo equivalente del fotodiodo
81 modelo matemático más empleado que permite aproximar el comportamiento ::lel fotodiodo en la oscuridad y para la mayoría de las aplicaciones es el mismo que el modelo de un diodo. Las curvas características corriente-tensión de este dispositivo se presentan en la figura 9.9. Id
Oscuridad
Intensidad de luz creciente
Vd
Figura 9.9: Curvas características de un fotodiodo En la figura 9.10 se muestra el modelo de un fotodiodo en donde se han tenido en cuenta, además del modelo matemático, los siguientes aspectos: • La fotocorriente creada por la incidencia de luz se puede modelar como una fuente de corriente en paralelo cori el fotodiodo . • La capacidad de transición se puede modelar como un condensador en paralelo con los dos elementos anteriores. • Para modelar el comportamiento en zona inversa se puede considerar una resistencia Rp en paralelo con el fotodiodo, que refleje el incremento de
420
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
corriente de oscuridad con el incremento de tensión inversa debido a fugas y que, además, permita evaluar el ruido térmico en el fotodiodo. • Una resistencia serie, _Rs,· debida al semiconductor y a los contactos. Rs
~t.
a
lf
e
t
Rp
_ _ _ _ _ _ ____.__ _.......____ b
(a)
(b)
Figura 9.10: Modelo de un Fotodiodo Es posible realizar algunas simplificaciones de este modelo tanto cuando se trabaja en directa como cuando se trabaja en inversa.
1. Simplificaciones en zona directa
La resistencia en paralelo tiene un valor muy grande y la resistencia en serie un valor muy pequeño con lo que es posible despreciar ambas resistencias. El modelo resultante se muestra en la figura 9.11 (a) en donde se observa que la capacidad del fotodiodo no suele ser despreciable salvo que se midan señales de luz continuas, quedando reducido al modelo de la figura 9.11 (b). 2. Simplificaciones en zona inversa También en esta zona son despreciables la resistencias serie y paralelo. Además se suele ·considerar que el comportamiento como diodo es semejante a un circuito abierto o a lo sumo una fuente de corriente cuyo valor es la corriente inversa de saturación. Los modelos más habituales se muestran en la figura 9.12.
-------a lf
t ...__
e
...-----,...--... a
Id
lf
t
____....______ b
(a)
(b)
Figura 9.11: Modelos de un fotocliodo trabajando en zona directa
421
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMATICA
--a
.----.-- a lf
e
l
lf
t
._______._.. b
(a)
b
(b)
Figura 9.12: Modelos de un fotodiodo trabajando en zona inversa
l.2.3.2.
Tipos de Fotodiodos
l\.demás del Fotodiodo PN estudiado anteriormente, encontramos: l. Fotodiodo PIN.
En los fotodiodos PIN se modifica la estructura básica del fotodiodo introduciendo una capa de material intrínseco entre la zona P y N. La presencia de este material aumenta el campo eléctrico en la zona de transición. Dado que las concentraciones en las zonas P y N son bajas, la resistividad será alta. Por tanto) sólo se necesita una pequeña polarización inversa para aumentar la zona de transición hasta, incluso abarcar la distancia entre los terminales. En consecuencia, puesto que la zona de transición es ancha, la respuesta a longitudes de onda largas es muy buena y, además, la capacidad de transición es pequeña por lo que son fotodiodos muy rápidos. Son muy utilizados en comunicaciones. 2. Fotodiodo Schottky. En este fotodiodo, la zona de transición está, por la propia estructura del diodo, muy próxima a la superficie por lo que la respuesta a las longitudes de onda cortas (como las correspondientes a la luz ultravioleta) es buena.
3. Fotodiodo de avalancha: Cuando a un fotodiodo se le lleva a una zona de trabajo próxima a la avalancha aplicando una tensión 1nversa elevada, los electrones generados en la zona de transición por la incidencia de luz se aceleran fuertemente debido al campo eléctrico. Estos electrones adquieren suficiente energía de manera que al chocar con los átomos del semiconductor se generan nuevos pares electrón-hueco. De esta manera, se produce un efecto de multiplicación por avalancha consiguiéndose una ganancia elevada.
422
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
Vemos que ahora los pares electrón-hueco se crean por la incidencia de fotones sobre el semiconductor y por el choque de portadores con la malla cristalina de la zona de transición. Un inconveniente importante es que la ganancia en la zona de avalancha depende mucho de la temperatura por lo que, en muchos casos, es necesario refrigerar el fotodiodo y mantener la temperatura constante o bien regular la tensión inversa aplicada en función de la temperatura para mantener la ganancia.
9.2.4.
Fototransistores
Tanto la estructura interna de un fototransistor como su funcionamiento son semej antes a las de un transistor bipolar aunque ahora puede diseñarse para trabajar como transistor normal o como fototransistor cuando la luz que incide sobre el dispositivo hace las veces de corriente de base. Puede emplearse de cualquiera de las dos formas simultáneamente aunque su modo de trabajo habitual es como fototransistor para lo cual se deja sin conectar su terminal de base, incluso en algunos fototransistores no existe este termi~al. En la figura 9.13 se muestra su símbolo y un ejemplo comercial.
(a)
(b)
Figura 9.13: (a) Fototransistor comercial. (b) Símbolo El fototransistor es utilizado en aplicaciones donde es necesaria la detección de luz y al igual que en los fotodiodos el tiempo de respuesta es pequeño aunque mayor que en éstos. Sin embargo, ahora se dispone de una corriente eléctrica mayor. Algunas de las aplicaciones donde se emplean son en la activación automática de luces, de limpiaparabrisas o en la desactivación o conmutación de luces largas a cortas cuando viene un vehículo de frente. Su funcionamiento es el siguiente: Cuando un fotón con suficiente energía incide en la zona de transición se genera un par electrón-hueco. El campo eléctrico existente en la zona de transición acelera el electrón hacia la zona N (el colector) y el hueco hacia la zona P (la base)
423
FUNDAMENTOS F1SICOS DE LA INFORMÁTICA
creando una fotocorriente primaria. Vemos que el mecanismo de generación de esta corriente es igual al de los fotodiodos. El resto de funcionamiento del transistor es idéntico al de un transistor bipolar. El modelo equivalente del fototransistor es muy sencillo, basta con aplicar a un transistor un fotodiodo conectando al colector del transistor el cátodo del fotodiodo y el ánodo a la base (ver figura 9.14). Vemos que la corriente que entrega el foto diodo circula hacia la base del transistor. La corriente que entrega el transistor será (3 veces la corriente que entrega el fotodiodo. e
B
E
Figura 9.14: Modelo equivalente de un fototransistor \
9.2.5.
Dispositivos de acoplamiento de carga ( CCDs)
Los CCDs son dispositivos electrónicos corutituidos por una matriz de elementos fotosensibles, por ejemplo fotodiodos. Se basan en el efecto fotoeléctrico, esto es, la conversión espontánea de luz en corriente eléctrica. La sensibilidad del detector CCD depende de la cantidad de fotones que deben incidir sobre cada elemento para producir una corriente eléctrica. El número de electrones producido es proporcional a la cantidad de luz recibída. Inicialmente, fueron diseñados como memorias analógicas, actualmente son los sensores de imagen, por ejemplo para cámaras fotográficas digitales, por lo que su estudio se realizará como sensor de imagen. Analizando los CCDs como sensores de imagen v~mos que, en un primer diseño, deberían estar constituidos por una matriz de elementos fotosensibles (píxeles) de forma que, empleando la óptica conveniente para enfocar el objeto sobre el sensor, se podría obtener la información de la imagen efectuando la lectura de cada uno de los píxeles. Lógica.mente cuanto mayor sea el tamaño de la matriz, mayor será la resolución de la imagen, es decir, se necesitarían miles de píxeles lo que implica miles de fotodiodos con todos sus pines accesibles. Esta solución sería inviable. En los CCDs se resuelve este problema mediante un mecanismo que permite extraer
424
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
la información de cada uno de los píxeles por un único pin en forma de una lista de datos en serie. Los pasos que se han de seguir son los siguientes: 1. Conversión de la luz a carga eléctrica La estructura básica de cada píxel sensible de un CCD se muestra en la figura 9.15 (a). Cada píxel está constituido por tres electrodos separados de la zona activa por un aislante (óxido de silicio) . Cuando un fotón incide en la zona del electrodo positivo, se puede crear un par electrón-hueco por el mis~o mecanismo que en los fotodiodos. El electrón queda atrapado en la zona del electrodo positivo puesto que lo atrae, mientras que los electrodos laterales tienden a expulsarlo y evitar que sea atraído por el electrodo positivo del píxel adyacente para que no se mezcle la información de los diferentes píxeles Si sigue incidiendo la luz se crean más electrones y se va produciendo una acumulación de carga. El modelo equivalente eléctrico se corresponde al de un fotodiodo en paralelo con un condensador que refleja la acumulación de la carga durante el tiempo que se exponga el píxel a la luz hasta que se extraiga la información, llamado tiempo de exposición (ver figura 9.15 (b)) . 2. Transferencia de cargas. Una vez que el CCD ha sido expuesto un tiempo determinado a la luz, debemos mover la información de cada píxel a lo largo del dispositivo para llevarla al pin de salida. 3. Conversión de la carga a tensión. Transformamos la carga en una tensión de salida proporcional que refleje el nivel de luz incidente en el punto. Conductor
-V
......, T ~
+V
-V
T
.............. Óxido de silicio e
p
Fotón
(a)
.._.._............... b
(b)
Figura 9.15: (a) Estructura básica de un píxel de un dispositivo CCD. (b) Modelo equivalente
425
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
9.2.6.
Fotomultiplicadores
Al igual que los anteriores, los fotomultiplicadores son dispositivos que proporcionan a la salida una corriente proporcional a la luz incidente basándose en el efecto fotoeléctrico. Es un dispositivo empleado cuando el nivel de luz a medir es muy bajo. Algunas aplicaciones típicas son la espectrometría, los sistemas de medida remota de contaminación atmosférica mediante láser, astronomía, detectores de partículas y algunas aplicaciones médicas. Un fotomultiplicador está compuesto de un fotocátodo que emite electrones cuan:io sobre él inciden fotones con determinada energía. Seguidamente mediante un :ampo eléctrico se aceleran estos electrones hasta un ánodo llamado dínodo. La energía de estos electrones incidentes hace que desde el dínodo se emitan un número mayor de electrones secundarios hacia un segundo dínodo. Al final del proceso, el ánodo recoge todos los electrones obteniéndose a la salida una señal en forma de corriente, proporcional a la luz incidente. Dependiendo del modelo de fotomultiplicador, varía el número de dínodos. Lo más característico de los multiplicadores es su ganancia elevada lo cual es una ventaja frente a los dispositivos de estado sólido como los fotodiodos. Entre los inconvenientes del dispositivo están su elevado precio y tamaño, su fragilidad y su escasa duración debido al desgaste que sufre el último dínodo por el bombardeo de electrones. Por ello, no conviene que la corriente media de salida sobrepase 1- 2µA.
9.3.
Comunicaciones Ópticas
Evidentemente, en cualquier sistema de comunicaciones el objetivo es enviar información. Cuando hablamos de comunicaciones ópticas, la información se envía por medio de impulsos o de señales moduladas de luz. Se pueden distinguir tres bloques funcionales fundamentales: Emisor, Medi'o y Receptor. Además de estos bloques fundamentales, los sistemas de comunicaciones ópticas disponen de otros elementos que varían según la aplicación. Entre ellos encontramos los repetidores, necesarios cuando la distancia a cubrir es grande ya que la señal se va degradando. Los repetidores pueden ser solamente amplificadores de la señal o incluir además regeneradores de la misma. Actualmente, se utilizan amplificadores ópticos de fibra dopada los cuales amplifican directament e la señal óptica sin conversiones optoelectrónicas. Otros elementos pasivos son los acopladores y
426
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
multiplexores en longitud de onda los cuales se ocupan del encaminamiento de la señal óptica. EMISOR
El emisor será la fuente productora de luz, generalmente un diodo láser o un diodo emisor de luz (LED). Además este bloque contiene un conjunto de circuitos electrónicos cuyo fin es generar las señales a transmitir y a suministrar al dispositivo optoelectrónico. Las longitudes de onda más apropiadas para las comunicaciones ópticas están en la región del infrarrojo. Para que un dispositivo emisor de luz puede usarse para transmitir información es necesario que se cumplan varias condiciones: (1) que produzca un haz monocromático; (2) que la radiación se pueda acoplar a la fibra óptica con facilidad; (3) que la potencia óptica se pueda modular por medios electrónicos y (4) que la respuesta sea suficientemente rápida. MEDIO DE TRANSMISIÓN: FIBRA ÓPTICA
La fibra óptica es el medio fundamental para la transmisión guiada de la luz. Consiste en un material transparente y largo que confina y propaga ondas luminosas. Las fibras ópticas son :filamentos de materiales dieléctricos de alta pureza. Está compuesta de tres capas diferentes:
1. El núcleo central que lleva la luz y cuyo diámetro oscila entre 4 y 1000 µm dependiendo del tipo de fibra. 2. El revestimiento que cubre el núcleo del mismo material, frecuentemente vidrio de sílice, pero modificado para conseguir que el índice de refracción sea ligeramente inferior al del núcleo. Esta característica es fundamental para conseguir que la luz se guíe por el interior de la fibra. Cuando la luz que viaja por el centro o núcleo de la fibra incide sobre la superficie externa con un ángulo mayor que el ángulo crítico, toda la luz se refleja hacia el interior de la fibra sin pérdidas. 3. El recubrimiento que dota de protección al revestimiento de plástico o acrílico.
Tal y como hemos visto se guía sin pérdidas únicamente la luz que incide con un ángulo mayor que el ángulo crítico, 0c. Esta limitación condiciona el ángulo de entrada de la radiación por el extremo de la guía. En la figura 9.16 observamos
427
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
que el ángulo crítico determina un ángulo máximo de aceptación, am, por encima del cual la luz introducida no se guía. El seno de este ángulo recibe el nombre de apertura numérica (AN) siendo un parámetro fundamental que caracteriza la fibra óptica. nz Apertura
,#'
,,/"'
numérr·ca 0c ----------------am
Ángulo crítico
Figura 9.16: La luz se guía por encima del ángulo crítico. Este ángulo determina un ángulo de aceptación a la entrada
De la definición de ángulo crítico y aplicando la ley de Snell resulta:
(9.10) \
donde n 1 y n2 son los índices del núcleo y la cubierta, respectivamente. Si aplicamos nuevamente la ley de Snell en la entrada , tendremos:
(9.11) Entre las principales características de la fibra óptica encontramos que son compactas, ligeras, con bajas pérdidas de señal, amplia capacidad de transmisión, alto grado de confiabilidad debido a que son inmunes a las interferencias electromagnéticas de radio-frecuencia, al no conducir señales eléctricas son ideales para incorporarse en cables sin ningún componente conductivo pudiendo usarse en alta tensión, toleran altas diferencias de potepcial sin ningún circuito adicional de protección y no presentan problemas debido a cortocircuitos. Además, tienen un gran ancho de banda, que puede ~mplearse para incrementar la capacidad de transmisión y así, reducir el costo por canal. Con un cable de seis fibras se puede transportar la señal de más de cinco mil canales, mientras que es necesario 10.000 pares de cable de cobre convencional para conseguir servicio a ese mismo número de usuarios lo que supone un gran espacio y grandes volúmenes de material lo que eleva el costo. Otra ventaja es que con los cables de cobre es necesario instalar repetidores cada dos kilómetros debido a la atenuación de las señales mientras
428
CAPÍTULO 9. DISPOSITIVOS FOTÓNICOS
que con fibra óptica se pueden instalar tramos de hasta 70 km sin que halla necesidad de instalar repetidores lo cual reduce también el costo y hace más fácil su mantenimiento. RECEPTOR
El circuito de recepción es el elemento más complejo del sistema de comunicaciones ópticas. Consta de dos bloques funcionales elementales:
• Bloque detector encargado de detectar la luz. Generalmente se utiliza un dispositivo optoelectrónico semiconductor que se encarga de transformar· la luz percibida en corriente eléctrica. En comunicaciones ópticas se utiliza fundamentalmente el fotodiodo (PIN) y el fotodiodo de avalancha. La diferencia fundamental entre ellos es que el segundo tiene amplificación interna por generación secundaria de pares. • Circuito de recepción encargado de amplificar y depurar la señal recibida. Puede estar formado por distintos módulos tales como amplificador, filtro etc.
9.4.
Resumen
En este capítulo se ha realizado una descripción a modo de introducción de los dispositivos fotónicos comunes cuyos modos de funcionamiento son semejantes a los correspondientes dispositivos electrónicos, sólo que ahora, éstos se excitan con la luz. Para ello, ha sido necesario describir la luz como onda electromagnética y como modelo corpuscular. Finalmente, se muestra un ejemplo de aplicación en comunicaciones ópticas.
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;te libro engloba en una ünica obra los contenidos exigidos a los estudiantes de Fundamentos sicos de la Informática del grado en Ingeniería Informática. Su objetivo es presentar los principios isicos de física que permiten entender el funcionamiento de muchos de los dispositivos utilizados 1 informática. Todos ellos se abordan de forma sencilla y con numerosos ejemplos, totalmente ~sarrollados, que ayudan a su asimilación. Además, al final de cada capítulo, se proponen una rie de ejercicios con su solución. · ---~-,ido se divide en tres partes. En la primera se desarrollan los principios del electroma~netismo la base física de los sistemas di~itales y, en concreto, de la informática. La segunda se dedica de circuitos, que comprende los fundamentos para el estudio de los circuitos eléctricos. En parte se estudian los dispositivos electrónicos y fotónicos básicos que son necesarios en el cualquier sistema digital.
ISBN: 978-84-362-6977-2
Editorial
colección Grado Q
7 BB 4'B 2 69772
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