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241$.'/#5 FGVTCPUKUVQTGU('6
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(/(&75Ï1,&$%È6,&$ 3UREOHPD
D Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) está unido al
terminal de fuente (S), constituyendo un dispositivo de dos terminales. Si la tensión en el dispositivo se denomina Y, y la corriente a través de él se denomina L, demostrar que:
ª § Y · § Y · º ¸¸ ¨¨ ¸¸ » , L N 9 S Y Y , '66 « ¨¨ 9 «¬ © S ¹ © 9 SW ¹ »¼
L
N 9 ,
S
'66
para ( @ Y@ 9 S
,
para YJ 9 S
E Hallar el valor de la resistencia variable del dispositivo cuando el canal del
transistor JFET está estrangulado. 6ROXFLyQ E R'6f
3UREOHPD
Se desea utilizar un transistor JFET de canal n como una resistencia controlada por tensión cuya característica de transferencia sea prácticamente lineal, para lo cual se aplica al dispositivo una tensión V DS pequeña. Demostrar que el valor de la resistencia variable del dispositivo rDS es:
§ 9 · ¨¨ ¸¸ . 9 ¹ © § 9 · ¨¨ ¸¸ © 9 ¹ S
U
'6
9
'6
,
'
S
*6
S
Hallar el rango de valores de r DS que se obtienen variando V GS desde 0 hasta 0.9Vp, 2 suponiendo que Vp=-4V e K=1mA/V . 6ROXFLyQ N: d 5'6 d N:
3UREOHPD
En el circuito de la figura, hallar el valor de R D, RS, RG1 y RG2 de forma que el valor de la corriente de drenador sea I D=IDSS /2 y que la tensión en RD, RS y entre los terminales drenador (D) y fuente (S) del dispositivo, sea la misma. Suponer que I DSS=8mA, Vp=-2V y que la corriente a través del divisor de tensión es de 1PA. V DD = 15V
R G1
RD
R G2
RS
6ROXFLyQ 5'N:56N:5*0:5*0:
3UREOHPD
En el circuito de la figura, hallar el valor de R D, R1 y R2, de forma que VDS=6V, VA=1V, RA=R1 // R2 = 54.5k:, teniendo en cuenta que los parámetros característicos del transistor JFET canal n son IDSS=10mA y Vp=-3.8V, y que en el circuito VDD=15V, RS=1k: y R3=3.3M:. V DD
R1
RD
R3 A
R2
RS
6ROXFLyQ 5'N:5N:5N:
3UREOHPD
Se desea polarizar el transistor JFET de la figura, cuyas curvas características se muestran en la figura F1, en el punto de trabajo V GS=-1.5V, VDS=6V. D Hallar el valor de R D, RS, RG1 y RG2, sabiendo que RG=RG1 // RG2 = 90k: y que VG=1.5V. E Trazar la recta de carga estática, indicando el valor de su pendiente. V DD = 1 5 V
R G1
, P$
RD
VGS = -2.0V
VGS = -1.5V
VGS = -1.0V
R G2
RS
VGS = -0.5V
9$ 9
figura F1
6ROXFLyQ D 5'N:56N:5*N:5*N:
3UREOHPD
D
En el circuito de la figura se emplea un transistor JFET de canal n cuyos parámetros característicos son Vp=-5V e IDSS=12mA. Hallar el valor de I D y VDS teniendo en cuenta que V DD=18V, RS=2k:, RD=2k:, RG1=400k:, RG2=90k:.
E
Si se cambia la resistencia R G2, ¿cuál debe ser el nuevo valor de R G2 si ID=8mA?
F
Con los mismos valores dados para al apartado D, pero cambiando el valor de VDD, hallar el nuevo valor que debe tomar para que ID=8mA. ¿Cuál es el nuevo valor de VDS?
G El circuito del apartado D se emplea para obtener una corriente de drenador
ID=2.5mA y una tensión drenador-fuente VDS=17.5V con una fuente de tensión VDD=30V. Hallar el valor de RG1, RG2 y RD teniendo en cuenta que RG=RG1 // RG2 t 100k: y RS=1.2k:. V DD
R G1
RD
R G2
RS
6ROXFLyQ D,'P$9'6 9E 5*N:F VDD=82.116V. VDS=50.116VG 5'N:
5*0:5*N: 3UREOHPD
En el circuito de la figura, V DD=15V, VSS=-9V, RG=100k:, RD=3.3k: y RS=6.8k:, y los parámetros característicos del transistor JFET de canal n, son I DSS=5mA y Vp=-6V. Hallar: D Valor de V0 si VGG=0V. E Valor de V0 si VGG=5V. F Valor de VGG para que V0=0V. V DD
RD
RG
VO V GG
RS
V SS
6ROXFLyQ D929 E 929 F 9**9
3UREOHPD
El transistor de la figura es un JFET canal p con IDSS=1mA y Vp=1V. Determinar el valor de la tensión de drenador VD, teniendo en cuenta que VDD=-12V, RD=47k:, R S1=5.6K:, RS2=3.3k: y RG=1M:. V DD
RD
RG
R S1
R S2
6ROXFLyQ 9'9
3UREOHPD
Demostrar que para que los transistores JFET canal n Q1 y Q2 estén trabajando en modo activo, es necesario que se cumpla que: , ' 56 J _9 S_ 9 '', ' 5 ' J _9 S_
Asumiendo que los parámetros característicos de los transistores JFET canal n Q1 y Q2 son idénticos, y que VDD=10V, |Vp|=2V e IDSS=4mA, hallar el valor de RS y RD de forma que: D VDG1=|Vp| y VDG2=2|Vp|. E VDG1=1.5|Vp| y VDG2=1.5|Vp|. V DD
RD
Q2
Q1
RS
6ROXFLyQ D5'N:56N: E5'N:56N:
