UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI
Diego Lalaleo
[email protected] JFET
RESUMEN:
Los JFET son dispositivo semiconductor en el que que la corriente fluye por una zona denominada canal que une dos terminales que son fuente y drenador. drenador. Esta corriente se controla controla mediante un campo eléctrico originado por una tensión aplicada en un tercer terminal denominado puerta. Los JFET básicamente son de dos tipos, el de efecto de campo de juntura o JFET y el de efecto de campo de compuerta aislada IGFET ABSTRAC:
JFETs are semiconductor device in which the current flows through an area called a channel connecting two terminals that are the source and drain. This current is controlled by an electric field caused by an applied voltage in a third terminal called the gate. JFETs are basically of two types, the field effect or JFET junction and field effect IGFET Insulated Gate OBJETIVO GENERAL:
Conocer el funcionamiento de los transistores JFET a través de diferentes fuentes de consulta para realizar ejercicios prácticos.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS:
Comprender el funcionamiento básico de un JFET.
Relacionar los JFET y los BJT.
Conocer las Ventajas Ventajas que ofrece los transistores transistores JFET.
MARCO TEÓRICO: Los JFET
En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), V GS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación. Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dará una salida en el circuito que viene definida por la propia I D y la tensión entre el drenador y la fuente V DS. A la gráfica o ecuación que
relaciona estás dos variables se le denomina ecuación de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: óhmica y saturación. Ecuaciones del transistor JFET
Gráfica de entrada y de salida de un transistor JFET canal n. Las correspondientes al canal p son el reflejo horizontal de éstas. Mediante la gráfica de entrada del transistor se pueden deducir las expresiones analíticas que permiten analizar matemáticamente el funcionamiento de este. Así, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de f uncionamiento. Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de valores límite de I D viene dada por la expresión:
Siendo la I DSS la ID de saturación que atraviesa el transistor para V GS = 0, la cual viene dada por la expresión:
Los puntos incluidos en esta curva representan las I D y V GS (punto de trabajo, Q) en zona de saturación, mientras que los puntos del área inferior a ésta representan la zona óhmica. Para |VGS| > |Vp| (zona de corte): I D = 0 Ecuación de salida En la gráfica de salida se pueden observar con más detalle los dos estados en los que el JFET permite el paso de corriente. En un primer momento, la I D va aumentando progresivamente según lo hace la tensión de salida V DS. Esta curva viene dada por la expresión: expresarse como
que suele
, siendo:
Por tanto, en esta zona y a efectos de análisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor Ron. El valor de V DS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresión: VDS = VGS − Vp. Esta IDSAT, característica de cada circuito, puede calcularse mediante la expresión:
MOSFET
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
No se forman unión semiconductora entre canal y puerta Puerta separada del canal mediante una capa de Existe un cuarto terminal llamado sustrato Prestaciones similares a las del JFET Existen dos tipos , el empobrecimiento y enriquecimiento
CONCLUSIONES:
El funcionamiento de los JFET, un pequeño voltaje de entrada en los terminales puerta (G) y fuente(S) controla la corriente de salida en el termina drenador (D) .
Los transistores BJT son accionados con intensidad y los JFET con son accionados con voltaje.
Los transistores JFET por ser accionados con voltaje poseen una corriente mínima que produce que consuman poca potencia y los tiempos de conmutación son más rápidos que transistores BJT.
RECOMENDACIONES:
Se recomienda verificar si es un voltaje el que se va a utilizar para accionar un JFET , caso contrario el dispositivo sufrirá daños .
Se recomienda tener en cuenta que tipo de transistor se utiliza, si es JFET o BJT para elegir el voltaje o corriente para accionarlos.
Se recomienda utilizar los transistores JFET para accionamientos rápidos y para disipación de calor. .
BIBLIOGRAFÍA:
DÍAZ
Javier,
(2010),
jfet,
ingreso
02-ferbrero
del
2012.
Disponible
http://es.wikipedia.org/wiki/Wikipedia:Portada
DOVALE Mary,, (2009),estudio del funcionamiento de los MOSFET y el JFET, 01-febrero del 2012. Disponible http://www.slideshare.net/mdovale/mosfet-jfet
FERNÁNDEZ Adoración, (2008), transistor JFET, 02-febrero del 2012. Disponible
http://es.scribd.com/doc/8241546/JFET
