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TRANSISTOR BJT
TRANSISTOR MOS (MOSFET)
GRUPO BJT
GRUPO FET
(del ingles, Bipolar Junction Transistor). Transistores Bipolares de Unión
El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.
(del ingles Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Transistores Metal Oxido Semiconductor de Efecto de campo
En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.
Simbología NPN
Simbología N
Simbología PNP FUNCIONAMINETO
Simbología P FUNCIONAMIENTO
Emisor (E): (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga. Colector (C): (C): Se encarga de recoger portadores de carga. Base (B): (B): Controla el paso de corriente a traves del transistor. transistor. Es el cristal de en medio. Es uno de los primeros transistores creado en 1965.
Drenador(D):donde fluye la corriente ID, que es controlada por la tensión VGS entre la puerta (G) y la fuente. Puerta(G): es el que controla la corriente entre la fuente y el drenador. Fuente(S):
Dispositivo de de tr tres te terminales Corriente del emisor al colector controlada por la corriente inyectada i nyectada a la base La corriente de fuga es muy inestable. Las zonas zonas de puerta puertas s es es pequ pequeña eñas. s.
Es uno de los más recientes en la actualidad, el cuales los pueden llevar los dispositivos portables muy miniaturizados. Dispositivo de de tr tres te terminales Corriente desde la fuente al drenador, drenador, controlada por el campo eléctrico generado por la puerta. La corriente de fuga es muy mínima. En ausenc ausencia ia de voltaje voltaje de puerta puerta,, el el
Entre la puerta y el drenado hay una conexión galvánica. Su disparo es de corriente. La potencia del circuito de mando es de media a alta. Su complejidad es alta. La densidad de corriente es de media a baja. Tensión inversa media. La pérdida en conmutación es alta. Su potencia es media. La frecuencia es media. Su corriente es menor de 700 A. Con una unión bipolar. Definición de corte
semiconductor funciona como unión NPN, entre el drenador y la fuente. No hay necesidad du na conexión galvánica. Su disparo es de tensión. La potencia del circuito de mando es muy baja. Su complejidad es de baja a media. Su densidad de corriente baja a media. Tensión inversa baja. La pérdida en conmutación. Su potencia es baja. La frecuencia es alta. Su corriente es menor de 100 A. Es unipolar. Definicion de corte