Circuitos de Memoria

CIRCUITOS DE MEMORIA 1. CONOCIMIENTO TEORICO REQUERIDO •

El estudiante deberá tener conocimientos de memorias UVPROM.

•

Conocer software de grabación y edición de memorias. memorias.

2. COMPETENCIAS

•

 Al final de la ráctica ráctica el estudiante! Emleara memorias EEPROM ara usándolos en combinación con circuitos digitales M"# de uso esec$fico ara generar alicaciones combinadas.

3. MATERIALES, REACTIVOS Y EQUIPOS • • • • • • •

% Mult$metro % &readboard % 'enerador de se(al % )uente de alimentación % Circuito integrado *+%, EEPROM Resistencias de dise(o -islay &C-  "egmentos de dise(o

4. TECNIC TECNICA A O PROCED PROCEDIMI IMIENT ENTO O

E/traer de una memoria EEPROM *+%, una secuencia num0rica del 1 al 22 2 2 binario3 la cual debe ser deslegada en dos dislay &C-  "E'ME45O"3 directamente desde la memoria EEPROM.

Un circuito contador binario de bucle cerrado roorcionará las direcciones a la memoria y los datos e/tra$dos serán deslegados en los dislay3 dise(ar la lógica adicional ara 6ue este circuito funcione.

5. RESU RESUL LTADOS DOS

Parte 5.1 "e 7erifico el comortamiento del circuito3 introduciendo la osición de memoria en la 6ue se encuentra el dato resguardado or el *+%, e/resados en dislays.

0 0 0 0

U% +  , 9 : 8 * % *8 ** %2 *% %+ *1

 A1  A%  A*  A8  A:  A9  A,  A  A+  A2  A%1  A%% CE OE;VPP *8*

U* -1 -% -* -8 -: -9 -, -

2 %1 %% %8 %: %9 %, %

 % * , : 9 8

 A & C &#;R&O R&# =5

281 EEPROM

DISPLAY

%8 %* %% %1 2 %9 %:

::+

U8  % * , : 9 8

 A & C &#;R&O R&# =5 ::+

        0



%8 %* %% %1 2 %9 %:

 CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

En la ráctica reali>ada se logro e/itosamente el dise(o e imlementación de los circuitos lógicos3 con el dise(o de la memoria *+%,3 ermiti0ndonos acceder y comrender las caracter$sticas 6ue resguarda este C#3 además de sabe maniular la información almacenada. !. CUESTIONARIO

1. E"#$%&'e e$ (')*%+)a%e)t+ -e $+ %)te/ra-+ 'a-+  ' (')*%+)e. •

El C# *+%,3 es un disositi7o de memoria EEPROM con una caacidad de %, ?bits igual a %, 8+: bits3 tama(o de alabra de + bits y %% l$neas de direccionamiento. En dic@o C# osee almacenado los datos del 1 al 223 en sus resecti7as osiciones3 al momento de seleccionar la osición3 nos muestra el dato almacenado en los dislays.

2. Me)*%+)e a#$%*a*%+)e rea$e -e $a e"#er%e)*%a rea$%a-a.

=os disositi7os de memoria3 lograron facilitar y oder a7an>ar en el desarrollo de nue7as tecnolog$as3 se los uede utili>ar ara almacenar cual6uier tio de dato en forma binaria3 de la cual odemos e/traer en la osición re6uerida. Por eemlo como circuito de alicación se uede utili>ar ara oder mostrar 7alores con un tama(o de alabra de oc@o bits3 utili>ado en la alicación de un termómetro digital y la alicación de un A-C1+1+ 6ue nos ermita interretar esta se(al analógica y ueda ser traducida de forma eficiente or la memoria. 8. TRAAO DE INVESTIACION CIRCUITOS DE MEMORIA

=as caracter$sticas más imortantes de las memorias son! T%e#+ -e e*r%t'ra! Es el tiemo 6ue transcurre entre el momento en 6ue se resenta la información a almacenar en la memoria y el momento en 6ue la información 6ueda realmente registrada. T%e#+ -e $e*t'ra Es el 6ue transcurre entre la alicación de la orden de lectura3 y el momento en 6ue la información está disonible en la salida.

T%e#+ -e a**e+ Es a menudo3 la media de los dos tiemos de lectura y escritura definidos anteriormente. Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad de memoria hasta que esta lo entrega. T%e#+ -e *%*$+ -esu0s de una oeración de lectura o escritura3 es osible 6ue la memoria necesite un tiemo de reinscrición Bmemorias de ncleos de ferrita3 or eemloD3 o de recueración. El tiemo de ciclo es entonces la suma de este tiemo y del tiemo de acceso. También denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la memoria hasta que ésta se halla en disposición de efectuar una nueva operación de lectura o escritura. A**e+ a$eat+r%+ Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiemo de acceso a cual6uier osición de memoria es siemre el mismo. Cadencia de transferencia Es la 7elocidad a la cual la memoria aceta informaciones de lectura o escritura B&its or segundoD Ca#a*%-aEs el nmero de alabras o de bits 6ue la memoria uede almacenar. "e denomina tambi0n 7olumen. De)%-a- -e %)(+ra*%6) Es el nmero de informaciones or unidad de 7olumen f$sico. V+$at%$%-aEs el defecto de una memoria 6ue ierde la información almacenada3 si se roduce un corte de alimentación MEMORIAS. CLASI7ICACION ENERAL =as memorias ueden clasificarse atendiendo a di7ersos arámetros! Por el modo de acceso!  Acceso Aleatorio BRAMD  Acceso "ecuencial  Asociati7as Por el modo de almacenamiento! Volátiles 4o 7olátiles Por el tio de soorte "emiconductoras Magn0ticas -e ael Por su función o erar6u$a 5amón o borrador! B=#)O3)#)OD Central o Princial -e masas POR LA 7ORMA DE ACCESO Memorias de Acceso Aleatorio. -enominadas usualmente RAM BRamdon Access MemoryD3 son memorias en las 6ue cual6uier información uede leerse o escribirse con el mismo tiemo de acceso3 cual6uiera 6ue sea la c0lula de memoria elegida. Memoria de acceso secuencial o serie. Para la lectura o escritura de una determinada c0lula3 esreciso leer todas las c0lulas 6ue le receden f$sicamente Memoria asociati7a. Es una memoria direccionable or su contenido3 no or una dirección. POR EL MODO DE ALMACEAMIENTO Memoria 7olátil. Es a6uel tio de memoria 6ue ierde la información en ella almacenada3 al cortar la alimentación. Memoria no 7olátil. Retienen la información en modo ermanente an desu0s de eliminar o cortar la alimentación •

•

•

POR EL TIPO DE SOPORTE Memorias semiconductoras. "on a6uellas 6ue utili>an disositi7os semiconductores ara registrar la información Memorias magn0ticas. El registro de la información se reali>a or magneti>ación de un soorte de este tio. Memorias de ael. 4o son roiamente memorias. "in embargo3 el ael Bcinta erforada o taretaD ermite almacenar una información en forma de marca o erforaciones.

POR SU 7UNCION O ERARQUIA Me+r%a ta#6). "on generalmente de tio semiconductor y se caracteri>an or6ue la información en ellas se almacena durante un corto eriodo de tiemo. Puede decirse 6ue son memorias borrador3 de aso o adatadoras. "on memorias de baa caacidad y acceso ráido3 uesto 6ue normalmente se refieren a los registros generales incluidos dentro del roio sistema microcomutador. "u función será3 ues3 actuar como memorias de trabao au/iliares en las transferencias de información entre el sistema y las unidades e/teriores. =as memorias =#)O y )#)O son memorias eseciales del tio tamón cuyo nombre ro7iene de la forma de almacenar y e/traer la información de su interior. )#)O B)irst infirts outD3 rimero en entrar  rimero en salir3 es decir3 es lo 6ue se llama una fila de esera =#)O B=ast infirst outD3 la ltima información introducida en la memoria es la  primera en extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento. Memoria Central. Es la 6ue está incororada en la Unidad Central de Proceso de un ordenador. "u misión consiste en almacenar los rogramas y los datos imlicados en la eecución de las sucesi7as instrucciones. Fasta @ace algunos a(os3 las memorias centrales estaban formadas a artir de núcleos de ferrita o or @ilos lateados. Actualmente3 este tio de memorias @a sido desla>ado definiti7amente or las  memorias integradas a semiconductores . G la memoria central del sistema está formada or la asociación de un nmero de c@is de memoria RAM y ROM a semiconductores3 mayor o menor3 segn la caacidad de almacenamiento re6uerida or el sistema. MEMOR#A" "EM#CO4-UC5ORA" -E ACCE"O A=EA5OR#O BRAMD Usualmente se reser7a el t0rmino RAM ara a6uellas memorias 6ue ermiten leer y escribir en ellas. Para a6uellas 6ue siendo del siendo del tio RAM BAcceso aleatorioD3 solo ermiten la lectura se reser7a el t0rmino ROM o RPROM 0tc. En consecuencia3 una Hmemoria RAM semiconductoraH3 es una memoria de acceso aleatorio y 6ue ermite leer o escribir indistintamente3 una información sobre ella.

8*Iord / +&it "tatic RAM

ESQUEMA DE UNA MEMORIA RAM =as entradas de control C y R;I ermiten in@ibir la memoria y leer o escribir BReadIriteD resecti7amente.

)ig. % •

•

•

 "ituar en los terminales de -#RECC#O4 la combinación adecuada a la c0lula de memoria a oerar.  En el caso de lectura3 oner el terminal R;I a H1H3 y or ltimo ermitir el funcionamiento de la memoria3 es decir3 7alidar el roceso con CJH%H. En la salida de datos obtendremos la información almacenada en la dirección de memoria corresondiente.  En el caso de escritura3 además de la dirección adecuada es reciso situar en los terminales de Hentrada de datosH3 el dato a almacenar o escribir. A@ora el terminal R;I deberá onerse a H%H. Por ltimo3 7alidar la oeración con CJH%H3 la información a la entrada de datos 6uedará registrada en la dirección de memoria indicada.

-iagrama de los tiemos de se(ales 6ue inter7ienen en la oeración.

Ciclo de lectura

Ciclo de escritura

9.ILIORA7IA

:tt#;;#re%.*+;%-a--e$+*%r*'%t+%)te/ra-+ :tt#;;???.e*'re-.*';%)-e".#:#;C%r*'%t+@%)te/ra-+ :tt#;;a)tare.%t+re$%a.e-'.";a-r%a)at;%)-e"@ar*:%B+;EDI;E*%)t.#-(  :tt#;;???.e*'re-.*';%)-e".#:#;e$e*tr+)%*a@e+r%a