UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA
ANÁLISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS ML-831/A
PREVION°4 Amplificador Diferencial Integrantes: Bazán Yaranga Cristopher
20112501F
Diburga Villanueva Reynaldo Jesús
20114545K
Fecha de entrega:24-03-2014
INDICE EQUIPOS E INSTRUMENTOS UTILIZADOS……………………………………………..
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PROCEDIMIENTO……………………………………………………………………………
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EQUIPOS E INSTRUMENTOS UTILIZADOS El salón de laboratorio es un espacio adecuadamente ambientado para realizar las diferentes experiencias. Está equipado con mesas, las suficientes para todos los grupos. Estos materiales se encuentran en el mismo ambiente, y nos son proporcionados al momento de las experiencias. En el presente experimento, los materiales que se nos proporcionaron fueron:
Materiales:
1 Osciloscopio digital
1 Multímetro digital
1 PROTOBOARD
1 GENERADOR DE ONDAS
2 TRANSISTORES 2N3904
2 Resistencias (10K , 8K , 1k a 1/2W)
1 FUENTE DC
Datos de algunos de los instrumentos utilizados: LOS TRANSISTORES El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador
Transistor de contacto puntual
Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector
Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como eldiamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Diagrama de Transistor NPN
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente.
PROCEDIMIENTO 1. Armar el circuito de la figura
2. Medir
y
3. Si no es igual a siguiente tabla.
, ajuste el valor de
No se modifique el valor de
hasta obtener la igualdad, llenar la
durante el resto del experimento.
4. Modo Diferencial: seleccione en el generador de ondas una onda senoidal de 100mV pico a pico con una frecuencia de 1 Khz y conecte esta señal entre las bases de y sin modificar ningún valor de resistencias y voltajes continuos. 5. Utilizando el osciloscopio medir las tensiones entre la base de mismo entre la base y tierra, graficándola anotando sus valores. 6. Con el OSCILOSCOPIO medir las tensiones entre grafique, también entre E y tierra. 7. Calcule la ganancia de
y
siendo
y tierra, y
y tierra, así
y tierra,
la onda senoidal de 100mV.
8. Usando el osciloscopio medir el valor de la tensión entre ganancia en modo diferencial (Ad).
y
, y hallar la
9. Modo Común: en el circuito anterior sin modificar los valores de las resistencias y las fuentes DC, conectar las bases de y . 10. Seleccione en el generador de ondas, una onda senoidal de 50 mV pico a pico y conecte esta onda a la base de y repetir los pasos 5,6 y 7. 11. Utilizando el osciloscopio medir el valor de la tensión entre ganancia en modo común (Acm).
y
y hallar la
