Transistores: principales tipo de capsula To-3 En Electrónica Electrónica,, TO-3 es la designación de un tipo de encapsulado metálico utilizado en la fabricación de transistores y algunos otros circuitos integrados. integrados . El nombre proviene del JEDEC,, de su nombre en inglés Transistor Outline Package, Case Style 3 . JEDEC
Un transistor con encapsulado TO-3 (visto a la derecha) junto a otros encapsulados.
Aplicaciones típicas típicas El TO-3 se usa principalmente en aplicaciones de alta potencia donde se precisa de una buena disipación de calor como puede ser; amplificadores de audio profesional, instrumentos de medida electrónica, aplicaciones militares y en satélites.
Tenga en cuenta la ubicación de los terminales a los agujeros de montaje en el gráfico anterior, algunos dispositivos pueden tener un pasador fijado al cuerpo de metal del paquete A-3. Este es un dispositivo de orificio pasante, similar en tamaño a un paquete de To-23. A-3 paquetes con 8 terminales se utilizan para amplificadores operacionales, múltiples transistores o FET y otros semiconductores que requieren más de tres clavijas.
Disipadores térmicos Introducción.- Las potencias manejadas por los dispositivos
semiconductores, transistores, TRIAC, MOSFET, Reguladores de tensión, etc., es en muchos casos de una magnitud considerable. Además, el problema se agrava teniendo en cuenta que el tamaño de tales dispositivos es muy pequeño, lo que dificulta la evacuación del calor producido. Un cuerpo que conduce una corriente eléctrica pierde parte de energía en forma de calor por efecto Joule. En el caso de los semiconductores, se manifiesta principalmente en la unión PN, y si la temperatura aumenta lo suficiente, se produce la fusión térmica de la unión, inutilizando el dispositivo. Los dispositivos de potencia reducida, disipan el calor a través de su encapsulado hacia el ambiente, manteniendo un flujo térmico suficiente para evacuar todo el calor y evitar su destrucción. En los dispositivos de más potencia, la superficie del encapsulado no es suficiente para poder evacuar adecuadamente el calor disipado. Se recurre para ello a los radiadores (heatsinks), que proporcionan una superficie adicional para el flujo térmico. Propagación del calor.- El calor se transmite mediante tres formas conocidas: radiación,
convección y conducción. Por radiación recibimos los rayos del Sol. La radiación no necesita un medio material para propagarse, puede hacerlo a través del vacío. Todo cuerpo con una temperatura superior a los cero grados absolutos (kelvin) produce una emisión térmica por radiación, pero en el caso que nos ocupa es de una magnitud despreciable, y por tanto no se tiene en cuenta la emisión por radiación. La convección es un fenómeno que atañe a fluidos, tales como el aire o el agua. Favorece la propagación del calor en estos cuerpos, que son de por sí muy buenos aislantes térmicos. Un cuerpo caliente sumergido en aire, hace que las capas próximas al mismo se calienten, lo que a su vez ocasiona una disminución de su densidad, y por esto se desplazará esta masa de aire caliente hacia estratos más elevados dentro del recinto. Inmediatamente, el "hueco" que ha dejado este aire es ocupado por aire más frío, y así se repite el ciclo, generando corrientes conectivas que facilitan el flujo térmico. Este mismo fenómeno se da en el agua, o cualquier líquido o gas. La transmisión por conducción se manifiesta más obviamente en cuerpos sólidos. Curiosamente los cuerpos que son buenos conductores eléctricos, también lo son térmicos, y se explica a nivel subatómico. El cobre, la plata, níquel, aluminio, oro, etc., son excelentes conductores. Si aplicamos una llama a una barra de cobre, enseguida notaremos el calor por el extremo que lo agarramos. Este calor se ha propagado por conducción. En la disipación de calor de los semiconductores, solamente consideramos los dos últimos tipos de propagación: convección y conducción.
Analogía eléctrica.- Se puede establecer una correspondencia entre la Ley de Ohm y la
propagación térmica mediante la siguiente tabla de equivalencias: analogía térmica - Ley de Ohm intensidad ( I )
calor ( W )
tensión ( V )
temperatura temperatura ( T )
resistencia ( R )
Resist. térmica ( R )
V = IR
T = WR
Las unidades son W (watios), T (°C, grados centígrados) y R (°C/W)
T = Tj-Ta = W (Rjc + Rcd + Rda) Tj = temp. De la unión Ta = temp. Ambiente Rjc = resist. Térmica unión-cápsula Rcd = resist. Térmica cápsula-disipador Rda = resist. térmica disipador-ambiente La asociación de resistencias térmicas es igual que la asociación de resistencias. En serie, sumamos los valores de cada R, de manera que la resistencia térmica equivalente es mayor que cada una de las resistencias por separado. Lógicamente, cuanto mayor es la resistencia térmica, mayor dificultad para el flujo de calor. Cálculo del disipador.- La mayoría de fabricantes de semiconductores proporcionan los
datos suficientes para poder calcular el disipador que necesitamos. Necesitamos como punto de partida, la temperatura máxima que puede alcanzar la unión del transistor. Esta temperatura no se deberá alcanzar en ningún caso, para no destruir el componente. Normalmente el fabricante proporciona el "operating temperature range" por ejemplo, -65 to 200 °C indica que la temperatura máxima es de 200°C. Nosotros podemos tomar unos coeficientes de seguridad k como sigue: k = 0.5 para un diseño normal con temperatura moderada. k = 0.6 para economizar en tamaño de disipador. k = 0.7 cuando el disipador permanezca en posición vertical y en el exterior (mejora de convección).
Con el coeficiente k, y tomando la temperatura máxima de funcionamiento como Tj, tenemos la expresión:
T = k Tj - Ta = w (Rjc + Rcd + Rda)
Donde w representa la potencia en watios (calor) que disipará el componente.
Si no disponemos de estos datos, podemos tomar como Tj = 135 °C para transistores de silicio, y Tj = 90°C para transistores de germanio.
El flujo de calor, desde la unión PN hasta el ambiente tiene que atravesar varios medios, cada uno con diferente resistencia térmica.
Resistencia unión-cápsula (Rjc). Viene dado en manuales y tablas, y depende de la construcción de la cápsula. El tipo TO-3 disipa gran cantidad de calor. Resistencia cápsula-disipador (Rcd). Depende del encapsulado y del aislamiento, si lo hay, entre el componente y el disipador. El aislante puede ser mica, pasta de silicona y otros medios. Cada uno presenta diferente resistencia térmica. Resistencia disipador-ambiente (Rda). Este es el que tratamos de calcular.
Radiador para TO-220
radiador para TO-3
Ejemplo.- Vamos a utilizar un regulador de tensión LM317T con encapsulado TO-220 y
cuyos datos son los siguientes: De la datasheet sacamos estos datos: Tj = 125 °C Rjc = 5 °C/w De nuestro montaje y las tablas, deducimos:
Rcd = 1.4 °C/w (separador de mica) Ta = 25 °C (tomamos este valor) Cálculo de la potencia que disipa el LM317. La potencia que disipa el regulador es el producto de la V que existe entre la patilla de entrada y salida y la corriente que entrega el regulador. Por mediciones obtenemos: Vin = 12 voltios Vout = 6.3 voltios V = Vin-Vout = 5.7 voltios I = 0.9A es la corriente que entrega el regulador. Pot = 5.7 x 0.9 = 5.13 watios partimos de la expresión: T = Tj - Ta = w (Rjc + Rcd + Rda) Tenemos que calcular el valor de disipador que necesitamos, Rda. Despejamos y ponemos un k = 0.7 porque vamos a poner el disipador en el exterior y vertical. Rda = [(k Tj - Ta) / w] - Rjc - Rcd = [(0.7·125 - 25)/5.13] - 5 - 1.4 = 5.78 °C/w
Buscamos en catálogo y encontramos el radiador siguiente:
Tiene una R = 5 °C/w, es suficiente, máxime teniendo en cuenta que ya hemos tomado un coeficiente k de seguridad igual a 0.7 y nos aseguramos de sobra. Con este radiador, podemos calcular la temperatura que alcanzará el mismo cuando el LM317 disipa 5.13 w de una forma muy sencilla:
Td - Ta = Rda · w ---> Td = Rda · w + Ta = 5 · 5.13 + 25 = 50.65 °C
La elección del coeficiente k es arbitraria por nuestra parte. Podemos perfectamente elegir k=1 pero nos arriesgamos mucho. Es preferible en este caso subir la temperatura ambiente de diseño a 30 ó 35 grados, o incluso más para evitar que se destruya. Tener en cuenta que si el dispositivo está en una caja, la temperatura fácilmente sube a 40 grados y más. Obsérvese cómo influye en el regulador de tensión la diferencia de tensión en entrada y salida para la disipación de potencia. Este mismo radiador lo estoy utilizando con este regulador, que alimenta los filamentos de 3 válvulas tipos ECC82 y ECC83. El radiador está en el exterior y entrega 0.9A perfectamente, sin que hasta ahora haya tenido problemas. Cálculo de grandes radiadores.- Cuando tengamos que disipar potencias de más de 50
vatios, las dimensiones del radiador se disparan (y las pesetas también :). Es habitual en transistores de salida, sobre todo en amplificadores de clase A. A veces, es incluso difícil evaluar cual será la potencia que tenemos que disipar. Si por ejemplo, se trata de un amplificador clase A, la cosa es fácil, pues sabemos que la máxima potencia se disipa en el reposo y conociendo la corriente y la tensión a la que está sometido el transistor podemos inmediatamente saber la potencia. Pero en el caso de clase B o clase AB la cosa no es tan sencilla y tendremos que recurrir a predicciones más o menos acertadas, teniendo siempre presente que más vale tirar por lo alto para evitar fallos. La lógica nos dice que si tenemos un radiador con una resistencia térmica R y lo dividimos en dos partes iguales, entonces obtenemos dos radiadores cuya R es justo el doble. No es cierto. Dependerá de la geometría y características propias del fabricante. No hay más remedio que consultar datasheets, que para grandes radiadores de extrusión incluyen gráficas de R y longitud. Normalmente, en el caso anterior la R obtenida en cada una de las mitades es menor que el doble. El gráfico adjunto corresponde a un radiador de la casa Semikron (modedo P39):
Observamos el gráfico y vemos que el rendimiento disminuye con la longitud del radiador Por ejemplo, para 200 watios de disipación térmica, la R oscila entre 0.29 °C/w (200mm) y 0.38 °C/w (100mm) y no como era de esperar (0.58 °C/w para 100mm). Al revés, el rendimiento aumenta según la potencia que disipe. disipe. Por ejemplo, para una L=100mm la R varía desde 0.5 (75w) hasta 0.38 °C/w (200w). Si por ejemplo, necesitamos 0.4 °C/w para 200w vale con un radiador de 90mm, pero si sólo disipamos 75w de calor, entonces vamos a necesitar una longitud de 160 mm. (Porque la R se hace mayor) Tener en cuenta que la anchura (w) es constante y vale 300mm.
Varios transistores en un radiador.- Ya vimos como el sentido común nos jugó una
mala pasada en nuestro cálculo de la longitud del radiador. Examinemos otro proceso mental muy habitual en estas lides. Nos encontramos ante dos transistores que disipan cada uno 30 watios y decidimos poner ambos en el mismo radiador. Por tanto, debemos disipar un total de 60 watios, y con los datos del fabricante, sabemos que: Tj = 200 °C Rjc = 1.5 °C/w Rcd = 0.8 °C/w (separador de mica y cápsula TO-3) Cogemos una Temperatura ambiente de 30 grados (el radiador está al aire libre) Hacemos nuestros cálculos mecánicamente, y en seguida hacemos cuentas de la resistencia de radiador que necesitaremos:
Otra vez nos hemos equivocado!! Examinemos detenidamente la situación, dibujando un diagrama de analogía eléctrica:
La asociación de resistencias térmicas se tratan igual que las eléctricas, asociando series y paralelos llegamos al resultado de la Fig.3. La resistencia térmica total de los transistores (Rjd) es de 1.15°C/w en lugar de los 2.3°C/w que alegremente supusimos. O sea, hemos reducido a la mitad la Rjd por el mero hecho de utilizar dos transistores. Tiene sentido, porque proporcionamos dos caminos al flujo de calor. Calculemos de nuevo nuestro radiador:
La diferencia entre un radiador de 0.53°C/w y otro de 1.68°C/w es notable. Si en lugar de dos transistores, pusiéramos cuatro, la nueva Rjd valdría 0.575°C/w y el nuevo radiador que necesitaríamos tendría una R de 2.26°C/w. En resumen, podemos ahorrar en radiador si distribuimos el flujo de calor entre más transistores. Estos sencillos cálculos nos han mostrado que no siempre las cosas son como parecen. Si bien un primer vistazo nos condujo por el camino equivocado, un análisis con mayor detenimiento nos enseñó una realidad bien diferente.
Para saber más sobre cálculo de radiadores.- No es fácil conseguir información sobre
este campo, la info está dispersa y es incompleta. La mayor parte de lo que expongo lo he sacado de fabricantes, datasheets y algún libro de electrónica. La mayoría de la gente se desorienta bastante con unidades del tipo "°C/w" que le suenan poco menos que a chino. Desgraciadamente, esto es extensible a profesionales del ramo; lo habitual es que si pides un radiador por su resistencia térmica en °C/w en una tienda, el dependiente te mire con cara atónita. Y yo me pregunto cómo narices elige la gente un radiador. ¿Basándose en qué?. TABLAS DE RESISTENCIAS TERMICAS DE AISLADORES
Aisladores para TO-220 y TO-3
TABLAS DE RESISTENCIAS TERMICAS DE ENCAPSULADOS
TO-218
TO-220
TO-247
TO-5
TO-92
TO-220 El TO-220 es un tipo de encapsulado de dispositivos electrónicos, comúnmente usado en transistores transistores,, reguladores de tensión y diversos circuitos integrados. integrados. El encapsulado TO-220 trae usualmente tres patas, aunque existen también de dos, cuatro, cinco e, incluso, siete patas. Una característica notable de este tipo de encapsulado es el reverso metálico, que posee un agujero utilizado para montar el dispositivo sobre un disipador. Los componentes que poseen un encapsulado TO-220 pueden manejar mayores potencias que aquellos que son construidos sobre encapsulados TO-92 TO-92..
Componentes más conocidos que usan este encapsulado
7805, regulador de tensión de +5V 7805, 7812,, regulador de tensión de +12V 7812 LM317,, regulador de tensión LM317 LM340,, regulador de tensión LM340
Vista frontal del encapsulado TO-220.
Vista trasera del encapsulado TO-220.
TO-218 El A-218 es un tipo de plástico moldeado por paquete "transistor-esquema" que cuenta con una lengüeta metálica plana en su parte posterior (ver Figura 1) para permitir que se disipe relativamente grandes cantidades de calor. El A-218 es de uso general para los transistores de energía de la vivienda, tiristores y circuitos integrados con recuentos bajos de plomo. La lengüeta de metal en la parte posterior de la A-218 sirve como un disipador de calor en sí, pero tiene un agujero para que pueda ser atornillado sobre un disipador de calor más grande si se requiere capacidad de manejo de potencia más alta. Un típico paquete de TO-218 tiene 2 a 5 conductores. El paso de plomo (distancia entre los conductores) de un paquete A-218 varía, dependiendo del número de clientes potenciales. Por ejemplo, el 5-lead paquete TO-218 en la figura 1 tiene un paso principal de 2,54 mm, pero un 3-conducir TO-218 paquete equivalente puede tener un tono de plomo de 5,1 mm.
Descripción Cambie electrónico de Corriente directa Útil párrafo Interrumpir y / o Continuar La Corriente de Alimentación de la ONU Dispositivo. Su versatilidad lo HACE IDEAL PARA el Control de Corrientes Alternas, uña de Ellas es do utilización COMO INTERRUPTOR Estático ofreciendo Muchas Ventajas Sobre los Interruptores Mecánicos convencionales y los RELÉS. Funciona Como Interruptor electrónico y alzo una pila. ESPECIFICACIONES SCR Pico repetitivo de estado de tensión, Vdrm: 400 V Corriente de Disparo de puerta de Max, Igt: 50 mA Corriente IT promedio de corriente: 41 A El Estado actual de TI RMS (RMS): 65 A Sobrecorriente Máxima Representante actual no Itsm 50 Hz: 800 A
Corriente de retención Ih Max: 80 mA Encapsulado TO-218
TO-247 Cartera MOSFET de ST ofrece una amplia gama de voltajes de ruptura de -500 V a 1500 V, con puerta de carga baja y baja resistencia, combinado con-de-el estado envasado de la técnica. Tecnología de proceso de ST para los MOSFETs de alta tensión y baja tensión ha aumentado la capacidad de manejo de energía, lo que resulta en soluciones de alta eficiencia. Las principales características de nuestra amplia cartera incluyen: -500 V a 1.500 V Rango de tensión de ruptura Más de 30 opciones de paquetes, incluyendo el nuevo 4-lead TO247-4 con un pin de control dedicado para aumentar la eficiencia de conmutación y el de 1 mm de altura de montaje superficial PowerFLAT ™ 8x8 HV
Mejora de la puerta de carga y menor disipación de energía para satisfacer los requisitos de rendimiento exigentes de hoy en día Opción diodo cuerpo rápido intrínseca para las líneas de productos seleccionados En cada voltaje aplicaciones compatibles alcance como punto de carga, telecomunicaciones convertidores DC-DC, PFC, fuentes de alimentación conmutadas y equipos de automoción, ST tiene el MOSFET adecuado para su diseño. Resistencia de alta potencia no inductiva. · Térmicamente mejorado estándar A-247 paquete de Industria. · Resistencia térmica extremadamente baja, 0,9 ° C / W Resistencia punto caliente de lengüeta metálica. · Diseño completo de flujo térmico disponible para una fácil implementación. · Paquete delgado pequeño para instalación de PCB de alta densidad. · Compatible con RoHS.
Aplicaciones Aplicaciones · Circuitos de alta frecuencia y los amplificadores de potencia de RF. · UPS y circuitos de alimentación · Control de Motor y amplificadores de potencia / RF. · Equipo de alimentación Industrial. · Controladores PLC. · Protección de Corriente de arranque A-247 es una familia paquete paquete agujero a través de de multitud de ventajas. ventajas. La configuración configuración del paquete se muestra en Figura 1. El paquete tiene las siguientes ventajas: 1. Proporciona ventaja espacial sobre los paquetes de energía convencionales, con un cuerpo moldeado delgado y más pequeño Esquema de paquete. 2. Disipa el calor directamente a un disipador de calor externo a través de un chip expuesto adjuntar almohadilla en la parte de atrás de el paquete. 3. Reduce al mínimo el esfuerzo mecánico sobre la matriz durante el montaje del paquete moldeado por tornillos en lugar que a través de la soldadura de la matriz adjunta pad. 4. Buena solidez de plomo (15 milésimas de pulgada de espesor). El estándar a través de la huella hoyo y junta tamaños de agujero seguir a los de la actual familia A-220 paquete. El paquete A-247 no se recomienda para montaje en superficie. 5. Epoxi de alta conducción térmica se utiliza para unir el dispositivo a la matriz adjuntar almohadilla. El promedio θJC medido es 2,96 ° C / W.
Paquete Guía de montaje
Es importante que los paquetes estén montados correctamente si la funcionalidad completa se ha de lograr. Montaje del paquete a un disipador de calor debe hacerse de tal manera que hay suficiente presión de los tornillos de montaje para asegurar un buen contacto con el disipador de calor para el flujo de calor eficiente. Montaje incorrecto puede conducir a la vez problemas térmicos y mecánicos. Si se aprieta demasiado los tornillos de montaje hará que el paquete se deforme reducir el área de contacto con el disipador de calor y el aumento de la resistencia térmica de la caja de paquete para el disipador de calor, resultando en temperaturas más altas de troquel de funcionamiento. Extreme durante el apriete del montaje tornillos más allá de la fuerza de torsión recomendada causarán estrés físico grave con resultado de die agrietada y el fracaso IC catastrófica. Aunque la fiabilidad del paquete es excelente, el uso inapropiado inapropiado de los técnicas o herramientas inadecuadas durante el proceso de montaje pueden afectar a la fiabilidad a largo plazo del dispositivo e incluso dañarla.
Disipador de calor externa y PCB Conductores Directrices de alineación Para PCB agujeros diseños para adaptarse a los conductores del paquete, se recomienda agujero alineación correcta PCB para garantizar que la almohadilla expuestos a-247 se puede montar en el mismo plano de asiento del disipador de calor externa como la de otros paquetes de potencia similares de diferente grosor y el tamaño (por ejemplo, A-220), como se muestra en la Figura 6. Soldadura de A-247 lleva a la PCB se debe hacer antes de disipador de apriete del tornillo final.
Paquete curva Lead Proceso de plegado A-247 cable de Nacional Semiconductor requiere un conjunto preciso y herramientas apretadas controles. Curvas adicionales de plomo no se recomiendan ni garantizadas, como un conjunto correctos hasta puede potencialmente dañar el dispositivo y hacer que el dispositivo no funcional
TO-5 En electrónica, A-5 es una designación para un paquete de semiconductores de metal estandarizado utilizado para algunos transistores y circuitos integrados. El elemento que significa "esquema transistor" y se refiere a una serie de dibujos técnicos producidos por JEDEC.
Construcción Que típico paquete A-5 tiene un diámetro de base de 8,9 mm, un diámetro de la tapa de 8,1 mm, y una altura de 6,3 mm tapa. Diferentes fabricantes tienen diferentes tolerancias, y el factor de forma real puede variar ligeramente, dependiendo de la función. La ficha del metal por lo general se celebra el último pin-número, por ejemplo 8 en un amplificador operacional típica y el número de pines hacia arriba en sentido antihorario.
La A-5 es un tipo de "poder del metal" paquete (también conocido como paquete de 'cabecera de metal') para dispositivos semiconductores. Se sella herméticamente para proteger el dispositivo de los factores ambientales tales como los contaminantes y la humedad. La A-5 se utiliza comúnmente en los transistores y circuitos integrados de vivienda con recuentos bajos de plomo, tales como amplificadores operacionales. La A-5 está hecho principalmente de metal, con el microchip montado en la plataforma de troquel de la cabecera de metal y luego sellados con una tapa de metal mediante soldadura de alta corriente. La A-5 se parece a un A-52, pero es más grande que el segundo. La mayoría de los A-5 paquetes vienen con tres terminales, ya que la A-5 se utiliza comúnmente en dispositivos de tres terminales tales como transistores. Sin embargo, TO5 paquetes con más conexiones también son bastante comunes.
TO-92 El TO-92 es el encapsulado más utilizado en la construcción de transistores transistores.. El encapsulado está usualmente hecho de epoxy o plástico plástico,, y presenta un tamaño bien reducido y bajo costo .
Historia y origen Las siglas del encapsulado derivan de su nombre original en inglés: Transistor Outline Package, Case Style 92 .
Transistores Transisto res más comunes que usan este encapsulado
BC548, NPN BC548, BC558,, PNP BC558 2N3904,, General purpose NPN 2N3904 2N3905,, PNP 2N3905 2N3906,, General purpose PNP 2N3906 2N7000,, N-Channel FET 2N7000 PN2222A, 2N2222 NPN
El Esquema de transistor (A-92) es un paquete encapsulado basado en bastidor de conductores, de plástico que es muy adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento óptimo en el empaquetado transistor. Paquete pasante TO-92 estándar de la industria es fácilmente adaptable para su uso en equipos de inserción automática. La letra pequeña del pie está diseñado para ahorrar espacio en la placa al tiempo que proporciona un gran volumen y valor añadido, soluciones de bajo costo para una amplia gama de aplicaciones. A BOM verde es estándar, permitiendo que los dispositivos cumplan con los estándares RoHS aplicable Pb libre y. A-92 Características: Características: Paquete JEDEC estándar de esquema Servicios de prueba de llave en mano, incluyendo las opciones de la tira reactiva Materiales verdes son estándar - Sin plomo y RoHS
TO-92 Proceso Highlights Servicios backgrinding oblea disponibles
NiPdAu (PPF) o mate Sn opciones leadfinish Marcado láser en el cuerpo del paquete
Calificación Confiabilidad TO-92 Amkor paquete paquete de cualificación cualificación utiliza tres lotes de producción independientes independientes y un mínimo de 77 unidades por grupo de ensayo. Todas las pruebas incluyen precondicionamiento JSTD-020 humedad. MSL-JEDEC Nivel 1: 85 º C/85% RH, 168 horas MSL-JEDEC Nivel 3: 30 º C/60% RH, 192 horas UHAST 130 ° C / 85% RH, sin sesgo, 96 horas Temperatura ciclo -65 / +150 ° C, 500 ciclos De almacenamiento de alta temperatura de 150 ° C, 1.000 horas
Servicios de ensayo Generación / conversión Programa Sonda Wafer Burn-in -55 ° C a 165 ° C de prueba disponibles Tira de pruebas disponibles Servicio y soporte Amkor tiene una amplia base de recursos disponibles disponibles para ayudar a nuestros clientes introducir nuevos productos de calidad al mercado de forma rápida y con el menor coste posible. Leadframes personalizados Paquete completo caracterización Térmica, tensión mecánica y el modelado rendimiento eléctrico Montaje llave en mano, de prueba y nave de la gota Pruebas de fiabilidad de clase mundial y análisis de fallas A-92 Opciones de Envío bolsa antiestática Código de Barras Seque Paquete nave de la gota.
