UNIVERSIDAD TÉCNICA DEL NORTE
FICA-CIERCOM
-INTEGRANTES: Daniel Osejos, Henry Avendaño
-FECHA16/06/2014
TEMA: Transistores
OBJETIVO GENERAL
Aprender a reconocer base emisor y colector en un transistor
OBJETIVOS ESPECIFICOS
Utilizando el multímetro buscar la base emisor y colector de un transistor
Buscar si un transistores tipo PNP o NPN .
Ver cómo trabajar un transistor polarizado con un divisor de tensión
MATERIALES
Fuente de 5v
Resistencias
Led
Transistores
Fotocelda
MARCO TEORICO
TRANSISTORES PNP Y NPN es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. 1 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, entre otros.
FUNCIONAMIENTO
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en inversa.1 Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.
FOTOCELDA Una fotocelda es una reisitencia, cuyo valor en ohmios varía ante las variaciones de la luz.
Estas resistencias están construidas con un material sensible a la luz, de tal manera que cuando la luz incide sobre su superficie, el material sufre una reacción química, alterando su resistencia eléctrica.
Una fotocelda presenta un bajo valor de su resistencia ante la presencia de luz, y, un alto valor de resistencia ante la ausencia de luz.
La fotocelda se emplea para controlar el encendido automático del alumbrado público. También se utiliza ampliamente en circuitos contadores electrónicos de objetos y personas, en alarmas, etc.
LEDS es una lámpara de estado sólido que usa ledes 2 (Light-Emitting Diode, Diodos Emisores de Luz) como fuente luminosa. Debido a que la luz capaz de emitir un led no es muy intensa, para alcanzar la intensidad luminosa similar a las otras lámparas existentes como las incandescentes o las fluorescentes compactas las lámparas LED están compuestas por agrupaciones de ledes, en mayor o menor número, según la intensidad luminosa deseada.
RESISTENCIAS es uno de los componentes imprescindibles en la construcción de cualquier equipo electrónico, ya que permite distribuir adecuadamente la corriente y voltaje a todos los puntos necesarios.
DIAGRAMA DE BLOQUES
FuenteFuenteResistenciaResistenciaTransistorTransistorResistenciaResistenciaLEDLEDFuenteFuenteResistenciaResistenciaResistenciaResistenciaResistenciaResistenciaLEDLED
Fuente
Fuente
Resistencia
Resistencia
Transistor
Transistor
Resistencia
Resistencia
LED
LED
Fuente
Fuente
Resistencia
Resistencia
Resistencia
Resistencia
Resistencia
Resistencia
LED
LED
TierraTierraTransistorTransistor
Tierra
Tierra
Transistor
Transistor
FuenteFuenteLDRLDRTransistorTransistorResistenciaResistenciaLEDLED
Fuente
Fuente
LDR
LDR
Transistor
Transistor
Resistencia
Resistencia
LED
LED
ResistenciaResistencia
Resistencia
Resistencia
DESARROLLO
Se identificara la base el común y el emisor del transistor
Se procede a armar cada uno de los circuitos planteados teniendo ya todos los elementos electrónicos previos.
Se conectara el multímetro en la escala correcta para sacar los diferentes valores que han sido pedidos para cada uno de los circuitos
DIAGRAMA CIRCUITALES Y DE RESULTADOS
CIRCUITO CON DIODO
I(A)
Vr (V)
Vd (V)
6mA
2,04v
2,97v
USANDO TRANSISTOR
I fuente
IB(A)
VR1(v)
VR2(v)
VD (v)
IC(A)
IE(A)
B
9,69
0,17uA
0,29V
1,04V
2,86V
4,87
4,68
28.6
CIRCUITOS
CIRCUITO #1
I fuente
VR1 (V)
VR2(v)
VR3(v)
VD (v)
IB(A)
IC(A)
IE(A)
B
2,39
4,88
4,28
0
0,6
0,17uA
2,22mA
2,38mA
13.05
CIRCUITO # 2
I fuente
VR1 V
VR2(v)
VLRD
VD (v)
IB(A)
IC(A)
IE(A)
B
0
0
0,09
4,33
0,005
0
0
0
0
CIRCUITO #3
Se reduce corta la energía al momento de oscurecer al circuito
I fuente
VRC (V)
VR1(v)
VR2(v)
VD (v)
IB(A)
IC(A)
IE(A)
B
9,15
1,3V
0,1
0,6
2,99
0,13uA
7,9mA
8,99mA
60.8
CIRCUITO #4
Sensor de oscuridad da luz cuando esta ya no hay
I fuente
VR1(V)
VR2(v)
VR3(v)
VD (v)
IB(A)
IC(A)
IE(A)
B
0
0
4,6
0
0,09
0
0
0
0
Con Luz
Sin Luz
I fuente
VRC1(V)
VR2(v)
VR3(v)
VD (v)
IB(A)
IC(A)
IE(A)
B
7,3mA
1,3
4,10
0,02
0,68
25uA
7,33mA
7,69mA
0.29
CIRCUITO #5
Este circuito el led se enciendo cuando existe ausencia de luz
Con Luz
I fuente
VR1 (V)
VR2(v)
VLDR
VD (v)
IB(A)
IC(A)
IE(A)
B
0,29
3,30
0
1,29
0,6
0
0
0
0
Sin Luz
I fuente
VR1 (V)
VR2(v)
VLRD
VD (v)
IB(A)
IC(A)
IE(A)
B
2,6mA
29,1
0,68
3,99
0,69
4uA
2,98mA
2,38mA
0.74
CIRCUITO #6
En este circuito con la presencia de luz el led se enciende
Con Luz
I fuente
VR1 (V)
VR2(v)
VLRD
VD (v)
IB(A)
IC(A)
IE(A)
B
6,99mA
1,6
0,68
0,68
2,66
1,03uA
5,44mA
6,43mA
5.28
Sin Luz
I fuente
VR1 (V)
VR2(v)
VLRD
VD (v)
IB(A)
IC(A)
IE(A)
B
0
0
0,09
4,33
0,005
0
0
0
0
CIRCUITO #7
I fuente
VR1 (V)
VR2(v)
VLRD
VD (v)
IB(A)
IC(A)
IE(A)
B
0
0
0
0
0
0
0
0
0
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
DANIEL OSEJOS
Aprendimos a identificar base, común y emisor de un transistor al mismo tiempo a ver si era PNP o NPN.
Cuando amplificamos corrientes pequeñas, obtenemos una ganancia notable en el emisor
Es necesario disponer las hojas de especificaciones de los transistores que utilizamos para conocer sus características.
Las corrientes medidas en base, colector y emisor son muy pequeña
HENRY AVENDAÑO
La mayoría de transistores analizados eran del tipo NPN.
Si los terminales del transistor no están correctamente identificados y conectados no obtendremos el resultado deseado en nuestro circuito
En uno de nuestros proyectos anteriores fue una fuente de voltaje de 5v que fue de gran utilidad para esta práctica, pues nos daba el voltaje requerido en los circuitos.
A la hora de hacer los circuitos ver correctamente como va a ir conectado el transistor.
BIBLIOGRAFÍA:
http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/resistores.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
ANEXOS
