TRABAJO 1ELECTRONICA-v2

FUNDACION PARA LA EDUCACION SUPERIOR SAN MATEO FACULTAD DE INGENIERIAS Y AFINES ELECTRÓNICA ANÁLOGA 2012 - 1

TRABAJO # 1 NOMBRE: DIEGO FERNANDO ARAGON GARCIA TEMA: Semiconductores. FECHA ENVIO: 19 de febrero 2012. FECHA DE ENTREGA: 22 de febrero 2012. Enviarlo vía e-mail antes de la hora de clase. 1. La atracción que experimenta hacia el núcleo electrón de valencia de un Átomo de cobre es a) Ninguna b) Débil c) Fuerte d) Imposible de describir 2. El semiconductor más empleado es a) Cobre c) Silicio b) Germanio d) Ninguno de los anteriores 3. Los Átomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el nombre de a) Enlace covalente b) Cristal c) Semiconductor d) Orbital de valencia 4. Un semiconductor intrínseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente causados por a) El dopaje b) Electrones libres c) Energía térmica d) Electrones de valencia 5. Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un a) Enlace covalente c) Hueco b) Electrón libre d) Recombinación. 6. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta como a) Una batería c) Un aislante


b) Un conductor

d) Un hilo de cobre

7. ¿Cuántos huecos presenta un conductor? a) Muchos b) Ninguno c) Sólo los producidos por la energía térmica d) El mismo número que de electrones libres 8. En un semiconductor intrínseco, el número de electrones libres es a) Igual al número de huecos b) Mayor que el número de huecos c) Menor que el número de huecos d) Ninguna de las anteriores 9. A temperatura ambiente un semiconductor intrínseco tiene a) Algunos electrones libres y huecos b) Muchos huecos c) Muchos electrones libres d) Ningún hueco 10. El número de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrínseco aumenta cuando la temperatura a) Disminuye b) Aumenta c) Se mantiene constante d) Ninguna de las anteriores 11. Los huecos se comportan como a) Átomos c) Cargas negativas b) Cristales d) Cargas positivas 12. Cuántos electrones libres contiene un semiconductor tipo p? a) Muchos b) Ninguno c) Solo los producidos por la energía térmica d) El mismo número que de huecos 13. Si un semiconductor intrínseco tiene un billón de electrones libres a la temperatura ambiente, ¿cuántos presentará a la temperatura de 75 OC? a) Menos de un billón b) Un billón c) Más de un billón d) Imposible de contestar


14. Los iones positivos son átomos que a) Han ganado un protón b) Han perdido un protón c) Han ganado un electrón d) Han perdido un electrón 15. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tip0 n? a) Neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente d) Tiene muchos huecos 16. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p? a) Neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente d) Tiene muchos electrones libres 17. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de a) 0,3 V c) 1 V b) 0,7 V d) 2 mV por "C 18. Para producir una gran comente en un diodo de silicio polarizado en directa, la tensión aplicada debe superar a) OV c) 0,7 V b) 0,3 V d) 1V 19. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente a) Muy pequeña b) Muy grande c) Cero d) En la región de ruptura

TRABAJO 1ELECTRONICA-v2

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