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Profesora : Lita sotoDescripción completa
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM
U.N.M.S.M FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES APELLIDOS Y NOMBRES
MATRICULA
Segovia P!ai"o A#va$o Sa#
%&%'(()'
CURSO
TEMA
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
EL TRANSISTOR MONOUNION *U+T
INFORME
FECAS
PREVIO
NOTA
REALIACIÓN
ENTREGA
(/ DE +U#IO DEL /(%0
(& DE +ULIO DEL /(%0
NUMERO
(' GRUPO
/ LUNES DE %( a1 2 %/31
PROFESOR
ING. LUIS PARETTO 4UISP %
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM
LABORATORIO 9: EL TRANSISTOR MONOUNION (UJT) INFORME PREVIO
Tema: Transistor monounion (UJT). Objetivos: a. Verificar en forma estática el estado operativo de un UJT. b. Verificar y determinar las características de funcionamiento de un UJT.
I!o"ma#i$ b%si#a: E& t"asisto" moo'i$: Es un tipo de transistor compuesto por una barra de silicio tipo N o P en cuyos etremos se tienen los terminales !ase " (! ") y !ase # (! #). En un punto de la barra más pr$imo a ! # se incrusta un material de tipo P o N dando lu%ar al terminal de emisor.
Smbo&o e ' *i"#'ito e+'iva&ete e ' t"asisto" UJT moo'i$ ti,o N &uando se polari'a el transistor la barra acta como un divisor de tensi$n apareciendo una VE!" de *+ a *,v. -l conducir el valor de !" se reduce notablemente. /bserva el circuito e0uivalente.
/
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM
/bservando el circuito de polari'aci$n de la fi%ura se advierte 0ue al ir aumentando la tensi$n V ee la uni$n E1!" se comporta como un diodo polari'ado directamente. 2i la tensi$n V ee es cero* con un valor determinado de V bb* circulará una corriente entre bases 0ue ori%inará un potencial interno en el cátodo del diodo (V 3). 2i en este caso aumentamos la tensi$n V ee y se superan los *4v en la uni$n E1!" se produce un aumento de la corriente de emisor (5 E) y una importante disminuci$n de !"* por lo tanto un aumento de V !E". En estas condiciones se dice 0ue el dispositivo se 6a activado* pasando por la 'ona de resistencia ne%ativa 6acia la de conducci$n* alcan'ando previamente la V E!" la tensi$n de pico (V p). Para desactivar el transistor 6ay 0ue reducir 5 E* 6asta 0ue descienda por deba7o de la intensidad de valle (5 v).8e lo anterior se deduce 0ue la tensi$n de activaci$n V p se alcan'a antes o despu9s dependiendo del menor o mayor valor 0ue ten%amos de tensi$n entre bases V!!.
2e utili'a en circuitos de descar%a en %eneradores de impulso* circuitos de bases de tiempos y circuitos de control de án%ulo de encendido de tiristores. El encapsulado de este tipo de transistores son los mismos 0ue los de uni$n.
P"o#eimieto:
I. CUESTIONARIO PREVIO A$1a$ e# "i$"i5o 6e #a Fig$a %, i7i"ia76o #o8 3o5e7"i91e5$o8 P% : P/ e7 ( ;, De ##e7a$ #a Ta<#a /. )
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM
VALORES TEORICOS
Ve*v (
Ie *1A (
V<% *v %'.(/)?%
V
I< *1A /.(@@
A# 7o a
I<%1=7
+ + 9100
470 56
=2.077 mA
2.077 × 10
V<%
−(¿¿−3 )( 470 )=19.0238 V ¿
20
V
%. A!85a$ g$a6a#1e75e e# va#o$ 6e P% a85a ##ega$ a# va#o$ 6e V3 o<8e$va76o #o8 1i#ia13e$=1e5$o8, vi8a#ia76o e# i785a75e 6e 6i83a$o 6e# U+T> ##e7a$ #a Ta<#a ). VALORES Ve*v TEORICOS %).?
Ie*1A .(/
V<%*v %?./(0
V
I<*1A ).?/
P%*; .?'0
VeV3 V3VBB(.@ *(.0&& */((.@ V3%).? V
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Vp
13.8
Ie ŋ R BB + R mín
( 0.655 ) ( 4700 ) +56 .(/ 1A
2
V P = I P1
V BB = I (ℜ+ R 1) V BB
I =
I =
I =
ℜ + P1
20 2200
6.2 P1
+ P
= 1
V P P1
13.8
P1
=30360
P1=4.896 KΩ 20
I<%
+ + 4700
470 56
=3.82 mA
3.82 × 10
V<%
−(¿¿−3 )( 470 )=18.2046 V ¿
20
− V
A!85a$ g$a6a#1e75e e# va#o$ 6e P/ o<8e$va76o e# 1i#ia13e$=1e5$o 6e Ie, a85a ##ega$ a# i785a75e 6e o<5e7"i97 6e #a "o$$ie75e 6e va##e *$e5o$7o a OH> ##e7a$ #a Ta<#a . VALORES TEORICO S
Ve*v %.)/
Ie*1A
V<%*v %'.(/)
V
I<*1A /.(@@
P%*; .?'0
P/*; .'@%
La "o$$ie75e 6e va##e e8 Ie 1A V3Ie*RBB1i7 R/ − V3 4 x 10 (0.75 ( 4700 )+56 ) V3%.)/ V VeV3 Ve%.)/ V 3
&
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM 20
I<
+ + 9100
470 56
=2.077 mA
2.077 × 10
V<%
−(¿¿−3 ) ( 470 )=19.023 V ¿
20
V
E# P% 7o 8e 1o6ii"a6o 8 va#o$ e75o7"e8 P% .?'0 ; V BB −V b 2= I e × P2
P 2=
V BB−V b 2 I e
=
20 −0.116 −3
= 4.971 kΩ
4 × 10
*o#&'sioes: •
•
2e puede comprobar como el transistor proporcionara los momentos de disparo por momentos específicos en el 0ue variara la corriente y el volta7e emisor. -simismo tambi9n podemos ver 0ue con la introducci$n del potenci$metro " se lle%ara al momento de disparo con la variaci$n de este elemento.
Bib&io-"a!a: • • • • •
6ttp:;;<<<.unicrom.com;buscar.asp 6ttp:;;6yperp6ysics.p6y1astr.%su.edu;6basees;electronic;uni7un.6tml 6ttp:;;es.slides6are.net;lu'nelly%on'ale';eposicion1transistores !oylestad1 =undamentos de circuitos elctrinocos. 2eparatas de la clase de laboratorio y teoría dispositivos electr$nicos.
