CAPITULO 5 5.1) ¿Cuáles son las propiedades clave de las memorias semiconductoras? Presentan dos estados estables (o semiestables), que pueden emplearse para representar representar el 1 y el 0 binarios Puede escribirse en ellas (al menos una vez), para fijar su estado. Puede leerse para detectar su estado.
5.2) ¿Cuál de los dos significados se está empleando para el término memoria de acceso aleatorio? Las palabras individuales de la memoria son accedidas directamente mediante lógica de direccionamiento cableada interna, es posible tanto leer como escribir rápidamente datos nuevos en ellas, esto por señales eléctricas y son de carácter volátil 5.3) ¿Qué diferencia hay, en cuanto a aplicaciones, entre DRAM y SRAM? Las SRAM son más rápidas se utiliza como caché & la DRAM como memoria principal. 5.4) ¿Qué diferencia hay entre DRAM y SRAM en cuanto a características tales como velocidad, tamaño y coste? Las DRAM son más pequeñas las celdas y mas económicas que las SRAM. Tanto las RAM estáticas como las dinámicas son volátiles. Una celda de memoria RAM dinámica es más simple que una estática y en consecuencia más pequeña. Por tanto las DRAM dinámicas son más densas (celdas más pequeñas = mas celadas por unidad de superficie) y mas económicas que las correspondientes SRAM. Por otra parte una DRAM requiere de circuitería para realizar el refresco. En memorias grandes el coste fijo de la circuitería de refresco se ve más que compensado por el menor coste de las celdas DRAM. Así pues las DRAM tienden a ser las preferidas para memorias grandes. Un último detalle es que las SRAM son generalmente algo más rápidas que las dinámicas.
5.5) Explique por qué uno de los tipos de RAM se considera analógico y el otro digital. Porque la DRAM aunque almacena 0 y 1, puede almacenar cualquier valor de carga dentro de un rango, y su comparación con un valor umbral determina si esa carga se interpreta como uno o cero. La SRAM es digital porque se basan en los mismos elementos que se usan en el procesador, los valores binarios se almacenan utilizando configuraciones configuraciones de puertas que forman biestables.
5.6) Indique algunas aplicaciones de las ROM. Las microcomputadoras personales y de empresas usan ROM para almacenar sus programas de sistema operativo y sus intérpretes de lenguaje (BASIC). Los productos que tienen una microcomputadora para controlar su operación utilizan ROM para almacenar programas de control. Los programas de microcomputadora que se almacenan en ROM se conocen como programas firma(firmware) ya que no están sujetos a cambios.
5.7) ¿Qué diferencias hay entre las memorias EPROM, EEPROM y flash? EPROM.- Erasable PROM, memoria borrable. Está memoria fue de las más usadas en la antigüedad son las que traen una ventanita de vidrio a la mitad del encapsulado. Solo pueden programarse si se les borra antes exponiéndolas durante cierto tiempo a la luz ultravioleta. Esto introduce voltaje a las celdas para que después puedan ser grabadas. EEPROM.- Electrical EPROM, memoria borrable electrónicamente. Esta memoria puede ser borrada por medios electrónicos a través de una terminal conocida como Vpp. Los voltajes de borrado son de aprox. 13v. FLASH= Si la traducimos sería como rápida, y así lo es. Es igual que una EEPROM su diferencia radica en la velocidad de grabado de los datos, además que el voltaje usado para borrar es de 5v o 3.3v dependiendo de la memoria. Es la más usada actualmente y existe un sin número de variantes. Otra gran diferencia es la capacidad ya que las flash alcanzan ahora hasta los 80Gb y las usan como HDD en algunas PC’s. Otra mejora notable es el ciclo de borrado/escritura que le permite a una memoria trabajar cierto tiempo.
5.8. ¿Explique la función de cada uno de los terminales de la figura 4.5b? A0 - A1 = líneas de dirección. CAS = dirección de la columna seleccionar:. D1-D4 = líneas de datos. NC: = sin conectar. OE: habilitación de salida. RAS = dirección de selección de fila. Vcc: = fuente de tensión. VSS: = tierra. WE: habilitación de escritura.
5.9) ¿Qué es un bit de paridad? Un bit de paridad es un dígito binario que indica si el número de bits con un valor de 1 en un conjunto de bits es par o impar. Los bits de paridad conforman el método de detección de errores más simple.
5.10) ¿Cómo se interpreta el síndrome en el código haming? Un síndrome es creado por el XOR del código en una palabra con una versión calculada de ese código. Cada bit del síndrome es 0 o 1 según si hay o no una coincidencia en esa posición de bit para las dos entradas. Si el síndrome contiene todos los 0, se detecta que no hay error. Si el síndrome contiene uno y sólo un bit 1, entonces, ha ocurrido un error en uno de los 4bits de verificación. No es necesaria una corrección. Si el síndrome contiene más de un bit 1, entonces el valor numérico del síndrome indica la posición del bit de datos en el error. Este bit de datos se invierte para su corrección.
5.11) ¿Qué diferencia hay entre una SDRAM y una DRAM convencional? A diferencia de la DRAM tradicional, que es asincrónica, los intercambios de datos SDRAM con el procesador sincronizado a una señal de reloj externo y correrá la velocidad máxima del bus del procesador/ memoria sin imponer estados de espera.
PROBLEMAS: 5.1) Sugiera razones por las que las RAM han sido tradicionalmente organizadas en solo un bit por chip mientras que las ROM están normalmente organizadas en múltiples bits por chip. Debido a que las RAM son volátiles se pudo haber organizado en un solo bit ya que no necesitas refrescar su alimentación eléctrica continuamente; mientras que las ROM al no ser volátiles necesitan señales eléctricas continuamente.
5.2) Considera una RAM dinámica a la que deba darse un ciclo de refresco de 64 veces por milisegundo. Cada operación de refresco requiere 150 ns; un ciclo de memoria requiere 250 ns. ¿Qué porcentaje del tiempo total de funcionamiento de la memoria debe dedicarse a los refrescos? Debe dedicarse un 40% de la memoria a los refrescos
CAPITULO 6: MEMORIAS EXTERNAS 6,1 ¿Cuáles son las ventajas de usar un sustrato de cristal en un disco magnético? Mejora en la uniformidad de la superficie de la película magnética para aumentar discofiabilidad. Una reducción significativa en los defectos superficiales en general para ayudar a reducir lectura / escritura de errores. Capacidad para apoyar a alturas más bajas de moscas (que se describe más adelante).Mejor rigidez para reducir la dinámica de disco. Mayor capacidad para soportar golpes y daño
6,2 ¿Cómo se escriben los datos en un disco magnético? El mecanismo de escritura se basa en el hecho de que la electricidad que fluye a través de una bobina produce un campo magnético. Los pulsos se envían a la cabeza de escritura, y los patrones magnéticos se registran en la superficie inferior, con diferentes patrones de positivo y negativo corrientes. Una corriente eléctrica en el alambre induce un campo magnético a través del hueco, que a su vez magnetiza un área pequeña del medio de grabación. La inversión de la dirección de la corriente se invierte la dirección de la magnetización en el medio de grabación.
6.3 ¿Cómo se leen los datos en un disco magnético? La cabeza de lectura consiste en una parte protegida magneto resistencia (MR) del sensor. La Material de MR tiene una resistencia eléctrica que depende de la dirección de la magnetización del medio de moverse por ella. Al pasar una corriente a través del Sensor de MR, los cambios de resistencia son detectados como señales de voltaje.
6.4 Explicar la diferencia entre un sistema de grabación CAV y de varias zonas. Para la velocidad angular constante (CAV) del sistema, el número de bits por pista es constante. Un aumento de la densidad se logra con la grabación zona múltiple, en que la superficie se divide en un número de zonas, con zonas más lejos del central que contiene más bits que las zonas más cercanas al centro.
