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Enciclopedia V ii ss u ua a ll de la Electr\u00f3nica INDICE DEL CAPITULO 7

TRANSISTO RES DE EFEC TO DE C AM PO LosFETs.......................................................... 1

EL SURG IM IENTO DE LA RADIO Losexperim e ntosde Faraday ..................... 99de cam p o ....................................... 107 efecto

electrom agn\u00e9tico ......................................... INTERC O M U99 NIC ADO R PO R LA RED ELEC TRIC A El c irc uito transm isor....................................10 una v\u00e1lvula diodo ....................................... 100 Principio b\u00e1sico de operaci\u00f3n de un receptor de radio .................................101







Cap\u00edtulo 7

Cap\u00edtulo 7

El Surgimiento de la Radio LOS EXPERIMENTOS DE FARADAY

en conjunto hasta 1873). Sus c\u00e1lcuFig. 1

Aunque se realizaron m\u00faltiples

nosa no era sino otra manifestaci n de este tipo de ondas (un salto imaginativo sorprendente para la \u00e9poFue precisamente Faraday ca). LAS ONDAS DE RADIO Y EL ESPECTRO ELECTROMAGN TICO cuando a una bobina se aplica un

Tan s\u00f3lo faltaba la comproba-

Este descubrimiento, aparenteric hHertz,quienutilizan-

LOS PLANTEAMIENTOS DE MAXWELL

En la d\u00e9cada de 1860, el f\u00edsico

Fig. 2







El Surgimiento de la Radio Fig. 4

das electromagnéticas, todos

Fig. 6

Para conseguir la transmisión siguió una transmisión transatlántica mara de chispas, la cual producía en su interior un arco eléctri-

Fig. 5.a

A pesar del gran avance que re-

Fig. 5.b Marconi viajó por toda Europa y LAS V

ción electromagnética sobre el aro

la práctica la validez de las

LVULAS DE

VACŒO

El primer antecedente de un dis-







Fig. 8

Fig. 9

tivo electrónico, fruto de Fig. 10

Capítulo 7

La inclusión de la

PRINCIPIO B SICO DE OPERACI N DE UN RECEPTOR DE RADIO

Antes de explicar cómo funcio-

plitud o AM. bre al que se le había aplicado un fundamental para el desarrollo deComo se mencionó anterior-

Con todo lo anterior, para la dé-

Este fen meno, conocido y pa-

función principal de

Fig. 11







El Surgimiento de la Radio

amplitud consiste nes en el mundo fue la KDKA de Pittsburgh; comenzó sus operaciones en 1920, cubriendo en ese año A partir de ese momento, la ra-

Fig. 12

ñalesde ambasemisorasllegarán al terfieran una con otra. La señal modulada en amplitud,

Obviamente, para la efectiva

De hecho, incluso en nuestra

Este problema fue solucionado modulaci n en amplitud; también a LAS PRIMERAS TRANSMISIONES él debemosel descubrimiento de la Oficialmente, la primera estación en forma que inició transmisio-

Fig. 13









LA EVOLUCI N

Capítulo 7 DE LAS

COMUNICACIO-

NES POR

ONDAS RADIALES

Ya en el número anterior habla-

Fig. 14 de éstas para invitar al público enministro eléctrico a distintas partes

Adecirverdad,casitodaslasesEl problema no podía resolverse

EL DESARROLLO DE LA RADIO COMERCIAL

Como ya mencionamos en el apartadoanterior,laprimeraesta-

ta sobre una frecuencia portadora, de modo que ambas viajen juntas

MO D ULACI N EN FM Y







El Surgimiento de la Radio ra (la cual fácilmente se veía afec- señales adicionales

Fig. 15

• En primer lugar, para colocar la sela resta se obtiene la señal R. Cada ñal original que se quiere transmitir, Pronto se descubrió que esta for• Inmediatamente después, y Sin duda alguna, estas son las

• A continuación se envía otra Es más, puesto que en la actua-

Este fenómeno se acentuó con

bién puede realizarse

Fig. 16







Capítulo 7

Transistores de Efecto de Campo ciones. LOS FET S

mente en mezcladores (tipo

Los transistores de efecto de

Es común encontrar a los FET’s

Fig. 1

La mayoría de los JFETtienen sus

Debido a que existe una gran

Fig. 2 Efecto de campo El efecto de campo es un fenó-

Cuando los electrones fluyen de EL JFET

Un FETde unión cuenta con una ˙fuente¨ y uno superior llamado drenaje o drenador¨; ambos son a ná lo g os al e m is or y c ol ec to r d e un transistor bipolar. Para producir un JFET, se difun-

cuánta corriente puede circular de








de un material N con una especiales (circuitos de carga de

FET de acumulaci n), que es un dispositivo que ha revolucionado la in-

Una delgada capa de dióxido de silic io (SiO 2) se En el MOSFET de enriquecimiendeposita en el lado iz-

En la figura 6B se muestra la ten-

Fig. 4

En el MOSFET de emelectrones libres fluyan de la fuente

nes libres a c irc ular de la

Por tal motivo, el MOSFETde en-

La capacidad para

Fig. 5

Cuando la puerta es lo suficien-







Capítulo 7

conectada. Y an-

Fig. 6 La V GS mínima que crea la aislamiento caes tan delgada, fácilvo. pa de inversión tipo N se llama tensi n umbral (V GS-Th ). Cuando FUNCIONAMIENTO DEL V GS es menor que V GS-Th, la coTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO rriente del drenador es nula; pero puerta-fuente es más positiva de + cuando V GS es mayor que V GS-Th, Los transistores de efecto de una capa de inversión tipo N coOtra manera en que se destruye r iar d e sd e m e no sd e 1 h a st a m ás de 5 volt. Los JFETy los MOSFETde empo-

truirá el MOSFET incluso al tocarlo - Rigidez mecánica. - Bajo consumo. - Amplificación con muy bajo nila razón por la que los MOSFET fre- Bajo ruido. - Fá cil d e fa br ic a r, o cu p a m en o r espacio en forma integrada. Muchos MOSFET están protegi- Muy alta resistencia de entra-










De esta manera, la corriente

Fig. 8

Sepuedenlevantarcurvascael punto de trabajo estático del Para dicho circuito, suponemos

Del análisis de dichas curvas surge que: VDD = 12 V RD = 1kΩ IDSS VGG = 2V IDSS = 10mA ID = _________. (VGS - Vp) 2 Vp = - 4V Vp 2 Del circuito propuesto, recorriendonde: IDSS= Máxima Corriente Estática de Drenaje permanente) y b) de refuerzo o en-Vp = Tensión de Bloqueo VGS + VGG = 0 L a ex p r e si ón d a da e s v ál id a pa ra : luego: Los símbolos más utilizados para VDS ≥ Vp - VGS C on d ic ió n co n oc id a c om o Fig. "de 10 En los transistores de efecto decanal saturado".







Fig. 11

RD

Capítulo 7

VDSQ = VDD - IDQ .

Fig. 12

Reemplazando valores:

VDSQ = 12 V - 2,5 mA . 1kΩ =

VDSQ = 9,5 V

Para saber si el cálculo

VGS = -VGG = -2 V

c ur v as d e sa lid a . Pa r a e ll o, de bUn e punto de la curva será: E n co n d ici on e sd e r e p os o , lacumplirse coque: VDS = 0 ; ID = VDD/ RD rriente de drenaje se calcula: Reemplazando valores: VDS ≥ Vp - VGS IDSS _________ VDS= 0V ; ID = IDq = . (VGS - Vp) 2 reemplazando valores: 2 Vp VDS=12V/ 1000Ω = 12mA 9,5 V ≥ 4 V - 2 V reemplazando valores: El otro punto de la recta se calpor lo tanto: 10mA cula: IDq = _________ . [(-2V) - (-4V)] 2 9,5 V ≥ 2V 4V 2 VDS = VDD ; ID = 0 IDq = 2,5mA

L o cu a l e s co r r ec t o.

Para continuar con el cálculo re-

Gráficamente, trazamosla recta

Reemplazando valores: VDS = 12V ; ID = 0mA

T r a z ad a la r ec ta e st á tic a d e ca r g a, s e c o m pr u eb a q ue a l co r t a r l a

Intercomunicador por la R d Eléctrica








pulsador P1, de tal manera c i a d e 1 m H y d o s c a p a c i t o r e sl a m a s a d e l s i s t e m a . de 4,7nF (C1-C2). La señal de 100kHz generaEste circuito genera una freda por Q1, llegará a las bases c u e n c i a d e a l r e d e d o r d ede los transistores Q2 y Q3 que sencillo, al accionar este CIRCUITO

Los emisores de Q2 y

paralelo con C3, estabili-







Capítulo 7 Fig. 3

en la línea de los Si va a utilizar el

En la figura 3 vemos el es- rra piezoeléctrica marcada en componentes asociados. Si va a utilizar el sistema co-

El circuito se conecta a un

Al montar el circuito trans-







El Surgimiento de la Radio

son dos NPN clase BC237, y funcionará, luego si se invierte C3 = 100µF x 25V – c a p .elec trolític o que Q3 es un tipo BC328. C4 = 47nF x 400V – capacitor de Con un osciloscopio, se poliéster C5=330nF x 400V – c apac itor de poliéster Si se tiene un Generador de D1 a D4 = diodo 1N4007 diodos rec BF, para verificar el funciona-tificadores DZ1 = diodo zener de 30V x 1 watt CIRCUITO ATENCION: JAF1 = im pedancia de 1m H ARMADO DEL Los componentes Q 1 =NPN tip o BC237 o BC548 RECEPTOR están conectados a la

LISTA DE MATERIALES DEL

Pa ra a rm a r e l re arrollamiento

alrededor

del miento del receptor, se puede

Para efectuar el arrolla-

RECEPTOR

R1 = 10M Ω R2 = 1kΩ R3 = 47Ω R4 = 3k3 R5 = 330kΩ R6 = 10kΩ R7 = 120kΩ R10 = 22kΩ C1, C6, C7, C8 = 0,1µF - capacitores cerám icos C2 = 47nF– capacitor de poliéster

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