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Mapeo de Conflictos: Síntesis conceptual del capitulo 2 del libro escrito por Raúl Calvo Soler.
MApeo y analisis complejoDescripción completa
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Descripción: El objetivo de este boletín es exponer cuáles ingresos presupuestarios de México podrían considerarse como derivados del sector energético, mientras se compara con algunas prácticas internacionales.
Tabla de mapeo geomecánico
Descripción: MONITOREO DE TEMPERATURA Y HUMEDAD EN ALMACENES
MAPEO
mapeo multidimensional
Descripción: geotecnia
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Descripción: informe
Descripción: cadena de valor
Memorias de África, partitura PianoFull description
Departamento de Electrónica
Electrónica Digital
Ma M apas de memor i a Bioingeniería Facult Facultad ad de Ingenierí Ingeniería a - UNER
31/05/2013
Electróni ca Di gitalElectrónica Di gital
1
Dir ire ecc ccion iona amiento de d e las memoria memori as
31/05/2013
Electróni ca Di gitalElectrónica Di gital
2
Espacio de d e direccione direccion es Es la capacidad de direccionamiento de la CPU y está definido por el tamaño del bus de direcciones. Bus de direcciones (AB Address Bus)
dirección de palabra física Electrónica DigitalElectrónica Digital
9
0
0000 ....
16383
3FFF
16384
4000 .....
32767
7FFF
32768
8000 ....
Dirección HA018
40959
9FFF
40960
A000 ....
49151
BFFF
41152
C000 .....
53247
CFFF
53248
D000 .....
Referencias H03FF = 1K
57343
DFFF
57344
E000 ....
H07FF = 2K
61439
EFFF
H0FFF= 4K
61440
F000
H1FFF = 8K H3FFF = 16K 31/05/2013
.... 65535
FFFF
CI #1 RWM 16K
CI #2 RWM 16K
Mapa de memoria Es la distribución de cada chip de memoria dentro del espacio de direcciones y está determinado por el rango de direcciones con el cual se selecciona cada chip mediante el CC
CI #3 ROM 8K CI #4 ROM 8K (13 bits)
Dirección del mapa de memoria
Chip 4 ROM 8K
HA000
CI #5 ROM 4K
H0000
0
H0018
24
H1FFF
8191
..... HA018
CI #6 ROM 4K
CI #7 ROM 4K
Dirección interna del CI
XX
..... HBFFF
1010 0000 0001 1000
CI #8 ROMDigitalElectrónica 4K Electrónica Digital
CI #8 .... ROMDigitalElectrónica 4K Electrónica Digital
FFFF
.... 1111 1111 1111 1111
11
Selección de cada CI dentro del mapa Bus
16 CC
14
Chip 1 RWM 16K
CC
14
Chip 2 RWM 16K
CC Chip 3 ROM 8K
13
de direcciones CC
13
Chip 4 ROM 8K
CC
12 CC
Chip 5 ROM 4K
12
CC
Chip 6 ROM 4K
12
Chip 7 ROM 4K
CC
12
Chip 8 ROM 4K
La parte alta del AD se usa para seleccionar cada memoria por medio de un circuito decodificador (combinacional); la parte baja se usa para direccionar . A15
Selección decodific ada Sistemas grandes • Se basa en decodificar las líneas de dirección para la selección • Reduce la cantidad de líneas de dirección del banco final • Permite el aprovechamiento integral del bus de direcciones Selecció n li neal Sistemas pequeños, cuando sobran líneas del bus de direcciones • Se necesitan tantas líneas de selección como chips de memoria contenga el banco
31/05/2013
Electrónica DigitalElectrónica Digital
15
Diseño
Ejemplo de selección lineal Se requiere un banco de memoria de 5 ROMs de 1 K x 8 y 1 RWM de 512 x 8. • Para direccionar la RWM se requieren 9 bits • Para direccionar las ROM se requieren 10 bits • Para seleccionar (método lineal) se requieren 6 bits (1 por cada CI) • Se requiere un total de 16 líneas de dirección (AB)
7 D . . . 0 D
8 A . . . 0 A
31/05/2013
7 D . . . 0 D
7 D . . . 0 D
7 D . . . 0 D
7 D . . . 0 D
7 D . . . 0 D
9 A . . . 0 A
9 A . . . 0 A
9 A . . . 0 A
9 A . . . 0 A
9 A . . . 0 A
Electrónica DigitalElectrónica Digital
16
Diseño
Mapa de memoria Bits de selección
Bits de dirección
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
….
A0
Rango
Bytes
CI
0
0
0
0
0
0
0
0
0
…
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
…
1
0000 03FF
1K
No usados
0
0
0
0
0
1
0
0
0
…
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
…
1
0400 07FF
1K
ROM #5
0
0
0
0
1
0
0
0
0
…
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
…
1
0800 0BFF
1K
ROM #4
0
0
0
0
1
1
0
0
0
…
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
…
1
0C00 0FFF
1K
No usados
0
0
0
1
0
0
0
0
0
…
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
…
1
1000 13FF
1K
ROM #3
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
…
1
1400 1FFF
3K
No usados
0
0
1
0
0
0
0
0
0
…
0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
…
1
2000 23FF
1K
ROM #2
31/05/2013
0
Electrónica DigitalElectrónica Digital
17
Diseño
Mapa de memoria (cont.) Bits de selección
Bits de dirección
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
….
A0
Rango
Bytes
CI
0
0
1
0
0
1
0
0
0
…
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
…
1
2400 3FFF
7K
No usados
0
1
0
0
0
0
0
0
0
…
0
0
1
0
0
0
0
1
1
1
…
1
4000 43FF
1K
ROM#1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
….
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
….
1
4400 7FFF
15K
No usados
1
0
0
0
0
0
0
0
0
….
0
1
0
0
0
0
0
0
1
1
….
1
8000 81FF
512
RAM
1
0
0
0
0
0
1
0
0
…
0
1
0
0
0
0
0
1
1
1
…
1
8200 83FF
512
RAM (espejo)
1
0
0
0
0
1
0
0
0
…
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
…
1
8400 FFFF
31K
No usados
31/05/2013
Electrónica DigitalElectrónica Digital
18
Diseño
Selección decodific ada Caso similar al anterior con direccionamiento de 8 bloques de 1K x 8 usando un decoder
• Para direccionar las RAM y ROM se requieren 10 bits • Para seleccionar (decoder) se requieren 3 bits (8 CIs) • Se requiere un total de 13 líneas de dirección (AB) • Se puede agregar un bit extra (14) para habilitar el decoder 31/05/2013
Electrónica DigitalElectrónica Digital
19
Mapa de memoria DECODER (activo por L) EN
A2
A1
A0
Bits de selección
A13
0
31/05/2013
A12
Direcciones físicas (10 bits)
A11 A10
A9
A8
A7
….
A0
Decoder
Direcciones
CI
0
0
0
-
-
-
…
-
D0
0000 - 03FF
ROM0
0
0
1
-
-
-
…
-
D1
0400 – 07FF
ROM1
0
1
0
-
-
-
…
-
D2
0800 – 0BFF
ROM2
0
1
1
-
-
-
…
-
D3
0CFF – 0FFF
ROM3
1
0
0
-
-
-
…
-
D4
1000 – 13FF
ROM4
1
0
1
-
-
-
…
-
D5
1400 – 17FF
ROM5
1
1
0
-
-
-
…
-
D6
1800 – 1BFF
ROM6
1
1
1
-
-
-
…
-
D7
1C00 – 1FFF
ROM7
Electrónica DigitalElectrónica Digital
20
Aumento de la capacidad: bancos de memoria
Expansió n de la longitu d de la palabra dato • Ejemplo: banco de 1K x 8 con memorias de 1K x 4
Expansión de la capacidad de almacenamiento • Ejemplo: banco de 2K x 4 con memorias de 1K x 4
Expansión de la capacidad y la lon gitu d de la palabra • Ejemplo: banco de 2K x 8 con memorias de 1K x 4
31/05/2013
Electrónica DigitalElectrónica Digital
21
Expansi ón del tamaño d e la palabra dato Bus de direcciones A0 – An-1
A0 – An-1
R/W’
Chip de Memoria
D0 – Dy-1
CS’
Bus de datos D0 – Dm-1
m: número de bits de longitud del nuevo dato y: número de bits de longitud del dato de cada memoria 31/05/2013
m / y = X memor ias necesarias Electrónica DigitalElectrónica Digital
22
Arquitectura g enérica Las líneas de direcciones entran en paralelo a todas las memorias Las líneas de control CS’ y R/W’ están conectadas en paralelo a cada memoria
Bus de direcciones A0 – An-1
A0 – An-1
A0 – An-1
A0 – An-1 MEM #0
R/W’
MEM #X-1
MEM #1
R/W’
R/W’
CS’
D0 – Dy-1
D0 – Dy-1
D0 – Dy-1
Bus de datos D0 – Dm-1 31/05/2013 Electrónica DigitalElectrónica Digital Nota: las líneas de control pueden variar según cada tipo de memoria
23
Diseño
Ejemplo: banco de 1K x 8 con memorias de 1K x 4 • #bits del AB de cada memoria?
10
• #bits del DB de cada memoria?
y=4
• #bits del DB del banco?
m=8
• # de memorias de 1K x 4?
x = m/y = 8/4 = 2
31/05/2013
3 D . . . 0 D
7 D . . . 4 D
9 A . . . 0 A
9 A . . . 0 A Electrónica DigitalElectrónica Digital
25
Expansi ón de la capacidad de almacenamiento N
2
N es la capacidad inicial de la memoria (n es el número de bits del bus de direcciones)
n
M es la capacidad final de la memoria (banco) (z el número de bits del nuevo bus de direcciones)
z
2
z
M
N
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2 2
z n
n
2
X
Número de memorias necesarias
Electrónica DigitalElectrónica Digital
26
Arquitectura g enérica Las nuevas líneas de dirección permiten la operación de cada una de las memorias actuando sobre el CS/
O E ’
R C / S W ’ ’
D .. .D
31/05/2013
A .. .A
0
n -1
O E ’
R C / S W ’ ’
D .. .D
A .. .A
0
n -1
O E ’
C S ’
R / W ’
A .. .A
0
n -1
D .. .D
0
0
0
m -1
m -1
m -1
Electrónica DigitalElectrónica 27 Nota: las Digital líneas de control dependen del tipo de memoria
Diseño
Ejemplo Banco RAM de 4K x 4 con memorias de 1K x 4 (selección lineal) Selección lineal se necesitan tantas líneas de dirección adicionales como memorias contenga el banco
Capacidad inicial
N = 1K = 1024 AB: n = 10 bits (A0…A9)
Capacidad fin al
M = 4K = 4096
Canti dad de memorias X = M / N = 4 memorias Nuevas líneas de direcci ón: 4 (A10, A11, A12, A13) (selección lineal) AB = 14 bits (A0…A13)
31/05/2013
Electrónica DigitalElectrónica Digital
28
3 D . . . 0 D
9 A . . . 0 A
3 1 A . . . 0 A s e n o i c c e r i d e d s u B 31/05/2013
’ ’ ’ W / E S R O C
3 D . . . 0 D
9 A . . . 0 A
3 D . . . 0 D
’ S C
9 A . . . 0 A
3 D . . . 0 D
’ S C
9 A . . . 0 A
’ S C
’ ’ W / E R O Electrónica DigitalElectrónica Digital
Circuito del ejemplo 29
Mapa de memoria Direccionamiento físico (de cada chip)
Direccionamiento (Selección de chip)
Dir. hexa
Chip
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
0400 a 07FF
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0800 a 0BFF
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1000 a 13FF
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2000 a 23FF
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
31/05/2013
Existen partes no usadas del espacio de direcciones: 0000 a 03FF 0C00 a 0FFF 1400 a 1FFF a 3FFF Digital Electrónica2400 DigitalElectrónica
RAM0
RAM1
RAM2
RAM3
30
Diseño
Ejemplo:
Banco RAM de 4K x 4 con memorias de 1K x 4 (selección decodificada) • Nuevas líneas de dirección m - n = 2 (A10, A11) Bus de dato s D0...D3 3 D . . . 0 D
3 D . . . 0 D
Memoria 0 1K x 4
Memoria 1 1K x 4
9 A . . . 0 A
’ ’ ’ W / E S R O C
9 A . . . 0 A
3 D . . . 0 D
3 D . . . 0 D
Memoria 2 1K x 4 9 A . . . 0 A
’ S C
’ S C
Memoria 3 1K x 4 9 A . . . 0 A
’ S C
Bus de direccio nes A0...A11
31/05/2013
1 1 A . . . 0 A s e n o i c c e r i d A10 e d s A11 ’ ’ u W / E B R O
D0 D1 D2 D3
Decoder 2 a 4 E0
E1
Electrónica DigitalElectrónica Digital
33
Diseño
Mapa de memoria A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A2
A1
A0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Direc. Hexa
Direc. Decimal
000 a 3FF
0a 1023
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
400 a 7FF
1024 a 2047
0
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
800 a BFF
2048 a 3071
1
0
0
0
1
0
1
C00 a FFF
3072 a 4095
1
1
1
1
Selección
Chip
Direcciones para cada chip
A11
A10
decoder
Dir. Hex
Dir. Decim.
Memoria
0
0
D0
000 a 3FF
0 a 1023
RAM 0
0
1
D1
400 a 7FF
1024 a 2047
RAM 1
1
0
D2
800 a BFF
2048 a 3071
RAM 2
1
1
D3
C00 a FFF
3072 a 4095
RAM 3
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A3
Electrónica DigitalElectrónica Digital
RAM0
RAM1
RAM2
RAM3
El mapa se aprovecha por completo en forma lineal 34
Expansión d e longitud de dato y de la capacidad total Ejemplo: banco RAM de 4K x 8 con memorias de 1K x 4 • Capacidad inicial
