Informe Previo 7 Dispositivos Electrónicos

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y Telecomunicaciones

Lozano Torres, Franz Kenneth

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

PREVIO

REALIZACION:

07

15 DE JUNIO DEL 2017

NUMERO:

HORARIO: JUEVES 2pm – 4pm 4pm

06

15190258

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN. (Si). CARACTERÍSTICAS BÁSICAS.

ENTREGA: 22 DE JUNIO DEL 2017

Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

I.

Tema: EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN. CARACTERÍSTICAS BÁSICAS."

“

II.

Cuestionario previo:

2. Determinar el punto de operación del circuito del experimento utilizando un transistor bipolar NPN de modelo 2N3904 . Llenar las tablas 2, 3 y 5. Características del transistor modelo TR85: Transistor Description Case Diag N° Code and Style Application 2N3904

NPN-Si

T092

TI6

Maximum Collector Current (Amp)(Ic) 0.6

Typical Forward Current (Hfe)( ) 200



Maximum Collector Dissipation (Watts) (Pd) 0.5

El circuito a analizar es el siguiente:

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

2


En esta experiencia iremos variando los valores del potenciómetro P1, por ello expresamos nuestro circuito de la siguiente forma:

 =  + 

Luego hallamos un circuito equivalente aplicando el Teorema de Thévenin:


3


Donde:

 = +∗ ;  =  +∗ 

 y :  = + = 1 Ω12+ 220 Ω ≅ 9.84  ;  =  = 12  Haciendo  =  Ω ( =  Ω): 12  ∗ 22 Ω ≅3.38  ;  = +∗ = 56 Ω+ 22 Ω  ∗ 22 Ω ≅ 15.79 Ω  =  +∗  = 5656Ω Ω+ 22 Ω  = 1 Ω ;  = 220 Ω ;  ≅ 0.7  Silicio ;  =  ;  ≅  ;  = 200

Hallamos los valores máximos de



En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + ) − 0.7  ≅ 8.96   =  −  = 3.38  15.79  +  220 Ω+ 200Ω En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   = 12  − 8.96  ∗ 1.22 Ω ≅ 1.07  Hallamos  y  : 3.38  − 0.7   =  +−+1 = 15.79 Ω+ 201 ∗ 220 Ω ≅ 44.66 µ  =  ∗  = 8.96  ∗ 220 Ω ≅ 1.97  TABLA 2 ( =  Ω)  µ     .  44.66 µ  1.07  .  1.97 


4




 =  Ω ( =  Ω):  ∗ 22 Ω ≅2.93  ;  = +∗ = 12 68 Ω+ 22 Ω  ∗ 22 Ω ≅ 16.62 Ω  =  +∗  = 6868Ω Ω+ 22 Ω  = 1 Ω ;  = 220 Ω ;  ≅ 0.7  Silicio ;  =  ;  ≅  ;  = 200

Haciendo

En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + ) − 0.7  ≅ 7.36   =  −  = 2.93  16.62  +  220 Ω+ 200Ω En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   = 12  − 7.36  ∗ 1.22 Ω ≅ 3.02  Hallamos  y  : 2.93  − 0.7   =  +−+1 = 16.62 Ω+ 201 ∗ 220 Ω ≅ 36.65 µ  =  ∗  = 7.36  ∗ 220 Ω ≅ 1.62  TABLA 3 ( =  Ω)  µ     .  36.65 µ  1.62  .  1.62  Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de trabajo Q1 y Q2:


5




 =  Ω ( =  Ω):  ∗ 22 Ω ≅1.48  ;  = +∗ = 12 156 Ω + 22 Ω Ω ∗ 22 Ω ≅ 19.28 Ω  =  +∗  = 156 156 Ω + 22 Ω  = 1 Ω ;  = 220 Ω ;  ≅ 0.7  Silicio ;  =  ;  ≅  ;  = 200

Haciendo

En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + ) − 0.7  ≅ 2.47   =  −  = 1.48  19.28  +  220 Ω+ 200Ω En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   = 12  − 2.47  ∗ 1.22 Ω ≅ 8.99  Hallamos  : 1.48  − 0.7   =  +−+1 = 19.28 Ω+ 201 ∗ 220 Ω ≅ 12.28 µ 

 =  Ω ( =  Ω): 12  ∗ 22 Ω ≅0.80  ;  = +∗ = 306 Ω + 22 Ω Ω ∗ 22 Ω ≅ 20.52 Ω  =  +∗  = 306 306 Ω + 22 Ω  = 1 Ω ;  = 220 Ω ;  ≅ 0.7  Silicio ;  =  ;  ≅  ;  = 200

Haciendo

En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + ) − 0.7  ≅ 0.31   =  −  = 0.80  20.52  +  220 Ω+ 200Ω


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En la malla 2:

 =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   = 12  − 0.31  ∗ 1.22 Ω ≅ 11.62  Hallamos  : 0.80  − 0.7   =  +−+1 = 20.52 Ω+ 201 ∗ 220 Ω ≅ 1.54 µ  =  Ω ( =  Ω):  ∗ 22 Ω ≅0.46  ;  = +∗ = 12 556 Ω + 22 Ω Ω ∗ 22 Ω ≅ 21.16 Ω  =  +∗  = 556 556 Ω + 22 Ω  = 1 Ω ;  = 220 Ω ;  ≅ 0.4  Suposición ;  =  ;  ≅  ;  = 200 

Haciendo

En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + ) − 0.4  ≅ 0.18   =  −  = 0.46  21.16  +  220 Ω+ 200Ω En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   = 12  − 0.18  ∗ 1.22 Ω ≅ 11.78  Hallamos  : 0.46  − 0.4   =  +−+1 = 21.16 Ω+ 201 ∗ 220 Ω ≅ 0.92 µ 

Haciendo

 =  Ω ( =  Ω): 12  ∗ 22 Ω ≅0.24  ;  = +∗ = 1056 Ω+ 22 Ω Ω ∗ 22 Ω ≅ 21.55 Ω  =  +∗  = 1056 1056 Ω+ 22 Ω


7


 = 1 Ω ;  = 220 Ω ;  →   ≈ 0 ;  =  ;  ≅  ;  = 200 En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  =   −  =  ( + ) 0.24  ≈ 0   =  −  = 0.24  −21.55  +  220 Ω + 200Ω En la malla 2:  =  ∗  +   +   =  −  ∗  +   = 12  − 0  ∗ 1.22 Ω ≅ 12  Hallamos  : 0.24  − 0.24  ≅ 0 µ  =  +−+1 = 16.62 Ω+ 201 ∗ 220 Ω R

 µ 

 Ω 2.47  12.28 µ 8.99 

TABLA 5

 Ω 0.31  1.54 µ 11.62 

 Ω 0.18  0.92 µ 11.78 

 Ω 0  0 µ 12 

Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor pasa a la zona de corte, donde la corriente de colector (Ic) es mínima y el voltaje colector-emisor (Vce) es máximo.


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Informe Previo 7 Dispositivos Electrónicos

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