UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
Apellidos y Nombres
N! de M"#r$%&l"
1. Cuet Cueto o Ccor Ccorii Hius Hiusto ton n 14190052
C&rso
Tem"
LABORATORIO DISPOSITIVOS ELECTR!ICOS
TRA!SISTOR BIPOLAR !P!
I'(orme "re#io
Fe%)"s
No#"
Re"li*"%i+'
E'#re,"
22 $e %unio
29 $e %unio
N-mero &
Gr&po. N-mero
/ro(esor 0or"rio
In'. Luis P(retto )uis"e
EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARARCTERÍSTICAS BÁSICAS I.
Marco Teorico El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres apas se!iondutoras on sus respetivos ontatos lla!ados" oletor#C$% base #B$ & e!isor #E$. La palabra bipolar se deriva del 'e'o que interna!ente e(iste una doble irulai)n de orriente* eletrones & la+unas o a+u,eros. A. CLASI-ICACION E LOS TRANSISTORES BIPOLARES* Los transistores bipolares se lasi/an de la si+uiente !anera* i.
ii.
por la disposii)n de sus apas*
transistor PNP.
Transistor NPN.
por el !aterial se!iondutor e!pleado*
iii.
Transistor de +er!anio.
por la disipai)n de potenia*
iv.
transistor de siliio.
transistor de ba,a potenia.
Transistor de !ediana potenia.
Transistor de alta potenia.
por la 0reuenia de traba,o*
transistor de ba,a 0reuenia. Transistor de alta potenia.
B. POLARI1ACION E LOS TRANSISTORES BIPOLARES*
Para que un transistor bipolar 0unione adeuada!ente% es neesario polari2arlo orreta!ente. Para ellos se debe u!plir que* o
o
La ,untura BASE 3 E4ISOR este polari2ado direta!ente% & La ,untura COLECTOR 5 BASE este polari2ado inversa!ente.
E,e!plo* Si el transistor es NPN% la base debe tener un volta,e positivo on respeto al e!isor & el oletor debe tener un volta,e ta!bi6n positivo pero% !a&or que el de la base. En el aso de un transistor PNP debe ourrir lo ontrario.
C. COI-ICACION E LOS TRANSISTORES BIPOLARES* Los transistores tienen un )di+o de identi/ai)n que en al+unos asos espei/a la 0uni)n que u!ple & en otros asos india su 0abriai)n. Pese a la diversidad de transistores% se distin+uen tres +randes +rupos* Europeos% 7aponeses & A!erianos. 8. Codi/ai)n europea* Pri!era letra A * 9er!anio B * Siliio Se+unda Letra A * iodo #e(epto los diodos t:nel$ B * Transistor de ba,a potenia * Transistor de ba,a 0reuenia & de potenia E * iodo t:nel de potenia - * Transistor de alta 0reuenia
L * Transistor de alta 0reuenia & potenia P * -oto 5 se!iondutor S * Transistor para on!utai)n ; * Transistor para on!utai)n & de potenia < * iodos de potenia 1 * iodo 1ener N:!ero de serie 8== 5 >>> * Para equipos do!6stios tales o!o radio% T?% a!pli/adores% +rabadoras% et. 8= 5 >> & la letra @% < o 1 * Para apliaiones espeiales. E,e!plo * A8>% es un transistor de potenia% de +er!anio & sus apliaiones son de ba,a 0reuenia.
2. Codifcación japonesa: Primero 0 (cero) : Foto transistor o otodiodo 1 : Diodos 2 : Transistor e!"ndo : emicond"ctor Tercero # : Transistor P$P de %F (radiorec"encia) & : Transistor P$P de #F (a"diorec"encia) C : Transistor $P$ de %F D : Transistor $P$ de #F
F : Tiristor tipo P$P$
9 * Tiristor tipo NPNP Cuarto N:!ero de serie * o!ien2a a partir del n:!ero 88 uinto India un transistor !e,or que el anterior E,e!plo*
Es un transistor PNP de R- on !e,ores araterstias t6nias que el DSA8F.
G. Codi/ai)n a!eriana* Anterior!ente los transistores a!erianos e!pe2aban su odi/ai)n on el pre/,o DN & a ontinuai)n un n:!ero que indiaba la serie de 0abriai)n. E,e!plo DNG=HH% DND>D% et. Atual!ente% ada 0bria le antepone su propio pre/,o% as se tiene por e,e!plo * TI888% EC98D% et. que orresponden respetiva!ente a TE@AS INSTR;4ENTS < S
'&TI*': 8. ?eri/ar las ondiiones de un transistor bipolar pnp D. Co!probar las araterstias de 0uniona!iento de un transistor bipolar PNP
III.
M#T%I#+ , -IP' TI+I/#D'
8. D. G. . H. F. J.
;n !ult!etro ;n !ilia!peri!etro. ;n !iroa!peri!etro. ;n volti!etro de ... ;n transistor DNG>=F. ;n Osilosopio. Resistores * ReK GG= Ω % ReK 8 Ω% R8K HF Ω% RDK DD Ω . Condensadores* CbK =.8 µ-% CK =.8 µ-% C e KG.G µ-.
>. ;na 0uente de .. variable 8=.Tres ordones AC 88. Cables onetores.#G oa(iales ORC$ 8D.;n poteni)!etro de 84 Ω 8G.;na plaa on 2)alo de G ter!inales 8.os plaas on 2)alo de D ter!inales 8H.;n +enerador de seMales
?I. C;ESTONARIO -INAL 8. E@PLICAR EL CO4PORTA4IENTO EL TRANSISTOR AL ACER S; ?ERI-ICACION OPERATICA CON EL O4I4ETRO.
aiendo las !ediiones respetivas se deter!in) los si+uientes datos Tabla8 Resistenia ireta#$ Inversa#$ Base3E!isor =.G=J H.HFH4 Base3Coletor =.DD= =.FF4 Coletor3e!isor =.HH4 H.F=4 a tabla de resistenia entre la base% el oletor & el e!isor veri/a que se u!ple on las espei/aiones del transistor dado. TablaD ?alores#R8KH F$ 4edidos
I#!A$
Ib#QA$
.G
8HJ
?e#v.$
?be#v.$
?e#v.$
=.>
=.GG
D.JG
?e#v.$
?be#v.$
?e#v.$
.G
=.G8F
8.JJ>
TablaG ?alores#R88KF $ 4edidos
I#!A$
Ib#QA$
H.
GJ.H
TablaH P8 I#!A$ Ib#QA$ ?e#v.$
8== D 8 .G
DH= =.HD .F 8=.JH
H== =.GD .DH 88.HF
84 =.=H = 88.>=
D. Representar la reta de ar+a en un +r/o I vs. ?e del iruito del e(peri!ento. ;biar los puntos orrespondientes a las tablas D" G & H
. n "3 re!iones de tra4ajo se enc"entran 5os p"ntos de 5as ta45as 2 6 7
Se enuentra en la re+i)n ativa de traba,o &a que el oletor esta polari2ado inversa!ente & el e!isor direta!ente.
8. -"3 s"ceder9a con e5 p"nto de operación si cam4iamos %1 a 120;7
Se !overa 'aia aba,o en o!parai)n a la reta o sea se ira 'aia la 2ona de orte
<. =p5icar comparati>amente 5o oc"rrido en 5a ta45a 8.
Por 0alta de tie!po no se pudo deter!inar los valores de la tabla
?. =poner s"s conc5"siones acerca de5 e=perimento. •
Se observa una orrelai)n entre el B te)rio on el pratio pero no en las tablas de volta,es.
Se !uestran a!bio en el Av uando no 'a& apaitor en la parte del e!isor. • Los transistores nor!al!ente deben respetar sus B para que as se onsidere su buen 0uniona!iento. • Se !uestra una resistenia pareida en la tabla 8 on las resistenias te)rias. &i45io!rafa •
I*.
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