F I E K
E L E K T R O N I K Ë Us h t r i mel a b o r a t o r i k e
St u d e n t
UNIVERSITETI I PRISHTINËS FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË
Drejtimi : KOMPJUTERIK Laboratori: ELEKTRONIKËS
Ushtrimi Nr.1 Karakteristikat e diodës së Si dhe Ge gjatë polarizimit të drejtë dhe të kundërt
Studenti Numri i indeksit Grupi Semestri
Mensur Sofiu 07149/09 III – (tretë)
Data e ushtrimit Data e dorëzimit Asistenti i lëndës Nota
www.e-Libraria.com
Fidel Krasniqi
Detyra: a)
Të realizohet qarku sipas figurës 1.1 dhe të nxiret karakteristika statike e diodës, kur ajo është e polarizuar në kahun e drejtë.
Në bazë të rezultateve të matjes të paraqitën në fletën milimetrike karakteristikat e diodës së shqyrtuar.
b)
Të realizohet qarku sipas figurës 1.2 dhe të nxiret karakteristika statike e diodës, kur ajo është e polarizuar në kahun e reverzë.
Në bazë të rezultateve të matjes të paraqitën në fletën milimetrike karakteristikat e diodës së shqyrtuar.
Mjetet: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.
Maketi. Dioda D (AA 134 – Ge) dhe (BA 170 , Si). Rezistori R=220 !. Miliampermetëri për rrymë të vazhdushme (mA). Mikroampermetëri për rrymë të vazhdushme("A). Voltmetri për tension të vazhdueshëm E=15 V. Potenciometri P= 1k!.
www.e-Libraria.com
Skema e lidhjeve: Polarizimi direktë
Fig 1.1 XMM1 1
XMM2
2
R
4
3
E 50%
D P 0
Fig 1.1 Multisim 8 Electronics WORKBENCH
www.e-Libraria.com
Polarizimi reverz
Fig 1.2
XMM3 5
XMM4
6
R
8
7
E 50%
D P
0
Fig 1.2 Multisim 8 Electronics WORKBENCH
www.e-Libraria.com
Rezultatet tabelare: Polarizimi direktë Për diodën e Germaniumit (Ge) - (AA 134)
0 0
0.1 0
0.2 0.3
0.3 0.5
0.65 3.5
0.7 4.1
0.75 5.0
0.8 5.6
0.4 1.0
0.5 1.7
0.6 2.5
0.4 0
0.5 0.1
0.6 0.6
Për diodën e Silicit (Si): - (BB 170)
0 0
0.1 0
0.2 0
0.3 0
0.65 0.7
0.7 1.4
0.75 5.8
0.8 12
www.e-Libraria.com
Polarizimi reverz (rryma e kundërt) Për diodën e Germaniumit (Ge):
0 0
0.1 0
0.2 0
0.3 0
0.65 0
0.7 0
0.75 0
0.8 0
0 0
0.1 0
0.2 0
0.3 0
0.65 0
0.7 0
0.75 0
0.8 0
0.4 0
0.5 0
0.6 0
0.4 0
0.5 0
0.6 0
Për diodën e Silicit (Si):
www.e-Libraria.com
Koment: Dioda është komponenti më i thjeshtë gjysmëpërçues, por luan rol shumë vital në sistemet elektronike. Karakteristikat e diodës mund të krahasohen me ato të një ndërprerësi (ventili) të thjeshtë. Dioda ideale është komponentë me dy terminale karakteristikat dhe simboli i së cilës janë paraqitur në Fig.
Për qarqet që do të analizohen, gjatë paraqitjes së karakteristikave tensionrrymë, ordinata do të jetë boshti i rrymës, ndërsa abshisa boshti i tensionit. Pra, dioda do të përçoj nëse tensioni në skajet e saja (anodë A dhe katodë K) është pozitiv, UAK > 0, dhe në këtë rast rryma është e pakufizuar. Në të kundërtën, pra për tensione negative, UAK < 0, dioda nuk përçon dhe rryma që kalon nëpër te është zero.
Karakteristikat statike të diodës gjysmëpërçuese
www.e-Libraria.com
Diagramet : Polarizimi direktë Për diodën e Germaniumit (Ge)
Për diodën e Silicit (SI)
www.e-Libraria.com
Diagrami: Polarizimi reverz (rryma e kundërt) Për diodën e Germaniumit (Ge):
Për diodën e Silicit (SI):
www.e-Libraria.com
UNIVERSITETI I PRISHTINËS FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË
Drejtimi :KOMPJUTERIK Laboratori: ELEKTRONIKËS
Ushtrimi Nr.2 Stabilizimi i tensionit me diodën - ZENER
Studenti Numri i indeksit Grupi Semestri
Mensur Sofiu 07149/09 III – (tretë)
Data e ushtrimit Data e dorëzimit Asistenti i lëndës Nota
www.e-Libraria.com
25.11.2010 07.11.2010
Fidel Krasniqi
Detyra: 1.
Të incizohet karakteristika statike e diodës së Zenerit
2.
Të vizatohet karakteristika statike e Zener Diodës dhe të llogaritet rezistenca dinamike e kësaj diode në pjesën punuese të karakteristikës. 3. Me potenciometër P të rregullohe tensoni i daljes dhe në këto vlera të matet tensioni i hyrjes, nëse : dhe . Mjetet: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.
Burimi i tensionit të vazhdueshëm E= 25 V. Dioda-Zener (Dz). Rezistori R=220 !. Ngarkesa Rng= 500 !. Miliampermetër për rrymë të vazhdushme (mA). Voltmetri për tension të vazhdueshëm (V). Potenciometri P= 1k!.
Skema e lidhjeve:
Fig 2.1
www.e-Libraria.com
XMM1
XMM2
1 4 2
E
3
R
50%
Dz
Rg
P
0
Fig 2.1 Multisim 8 Electronics WORKBENCH Rezultatet tabelare: Për diodën e Zenerit: Idz[mA] Udz[V] U[V]
0 0 0
2 2.2 3.1
4 4.6 6.5
6 6.5 9.5
8 6.7 10.5
10 6.7 11.5
12 6.7 12.6
14 6.7 14
16 6.7 15
18 6.7 16
20 6.7 17.3
Diagramet:
www.e-Libraria.com
22 6.7 18.2
24 6.7 19.4
26 6.7 20.5
28 6.7 21.5
30 6.7 22.4
Koment: Diodat e fabrikuara special për punë në regjionin e thyerjes quhen dioda të Zenerit. Dioda e Zener-it është e projektuar asisoj, që të mundësohet shfrytëzimi i plotë i këtij regjioni. Në Fig.2.1a është paraqitur karakteristika e diodës së Zener-it dhe simboli i saj, ndërsa në Fig.4.1b është paraqitur karakteristika shfrytëzuese e kësaj diode.
Fig.2.1a
Fig.2.1b
Lokacioni i regjionit të Zener-it mund të kontrollohet me anë të niveleve të ndryshme të dopingut. Rritja e dopingut, me rritjen e numrit të papastërtive të shtuara, do ta zvogëloj potencialin e Zener-it. Qarku i plotë ekuivalent i diodës së Zener-it përbëhet nga një rezistencë e vogël dinamike dhe një bateri njëkahore të barabartë me potencialin e Zener-it, siç është paraqitur në Fig.2.2a. Për të gjitha zbatimet e kësaj diode në qarqe të ndryshme, ne do ta shfrytëzojmë modelin e përafruar të paraqitur në Fig.2.2b, për arsye se të gjitha rezistencat e jashtme të qarqeve janë shumë më të mëdha se rezistenca ekuivalente e kësaj diode.
Fig.2.2a
Fig.2.2a
www.e-Libraria.com
UNIVERSITETI I PRISHTINËS FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË
Drejtimi : KOMPJUTERIK Laboratori: ELEKTRONIKËS
Ushtrimi Nr.3 Inçizimi i karakteristikave statike hyr!se dhe transmetuese t! tranzistorit bipolar
Studenti Numri i indeksit Grupi Semestri
Mensur Sofiu 07149/09 III – (tretë)
Data e ushtrimit Data e dorëzimit Asistenti i lëndës Nota
www.e-Libraria.com
30.11.2010 07.12.2010 Fidel Krasniqi
Detyra 1.
T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inçizohet karakteristika hyr!se e tranzistorit. p!r
2.
N! baz! t! qarkut t! dh!n! t! b!het inçizimi i karakteristik!s transmetuese t! tranzistorit
3.
Sipas qarkut n! fig. t! b!het inçizohet karakteristika statike dal!se e tranzistorit. p!r
Mjetet: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9.
Maketi, Potenciometri Potenciometri Rezistori Miliampermet!r i rrym!s s! vazhduar (mA) Mikroampermet!r i rrym!s s! vazhduar("A) Voltmet!r i tensionit t! vazhduesh!m (V) Tensioni i vazhduesh!m Tranzistori
www.e-Libraria.com
Skema e lidhjeve:
Rezultatet tabelare:
a)
p!r
0 0,05
10 0,19
6 20 0,20
30 0,21
40 0,22
10 0,4
6 20 0,9
30 1,5
40 2,25
b)
0 0
www.e-Libraria.com
c)
p!r
0 0
1 0,3
2 0,3
3 0,3
4 0,35
0 0
1 0,78
2 0,8
3 0,81
4 0,85
0 0
1 1,3
2 1,4
3 1,45
4 1,48
Diagramet: a)
www.e-Libraria.com
b)
c)
www.e-Libraria.com
Koment: Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor), ka tri shtresa gjysmëpërçuese me doping të ndryshëm dhe përmban dy kontakte pn. Një kontakt i vetëm pn i ka dy mode të punës- për polarizim të drejtë dhe revers. Transistori bipolar me dy kontakte pn, ka pra katër mode të punës, varësisht nga kushtet e polarizimit të secilit kontakt. Me tri regjione të ndara, transistori bipolar është komponentë me tri terminale, dhe parimi themelor i punës së transistorit është që me tensionin në mes të dy terminaleve të kontrollohet rryma nëpër terminalin e tretë. Në Fig. 1 është paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturës themelore dhe simbolet e të dy tipave të transistorit bipolar: npn dhe pnp.
Koncentrimi i dopingut të jopastërtive në emiter, bazë dhe kolektor mund të jetë i rendit 1019, 1017, dhe 1015 cm-3.
www.e-Libraria.com
UNIVERSITETI I PRISHTINËS FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË
Drejtimi : KOMPJUTERIKË Laboratori: ELEKTRONIKËS
Ushtrimi Nr.4 Inçizimi i karakteristikave statike FET tranzistorit
Studenti Numri i indeksit Grupi Semestri
Mensur Ssofiu 07149/09 III – (tretë)
Data e ushtrimit Data e dorëzimit Asistenti i lëndës Nota
www.e-Libraria.com
Fidel Krasniqi
Detyra: 1.
T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inçizohet karakteristika dalwse e FET. p!r
2.
T! realizohet qarku sipas figures dhe t! inçizohet karakteristika dalwse e FET. p!r
Mjetet: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.
Maketi, Potenciometri Potenciometri Miliampermet!r i rrym!s s! vazhduar (mA) Voltmet!r i tensionit t! vazhduesh!m (V) Burimi I tensionit tw vazhduesh!m Tranzistori FET
www.e-Libraria.com
Skema e lidhjeve:
Rezultatet tabelare:
a)
p!r
0 0
2 0.8
4 1.7
6 2
0 0
2 13
4 19
6 20
www.e-Libraria.com
0 0
2 4.5
4 20
6 22
0 14
2 19
4 23
6 23
-0,5 20
-0,75 20.5
b)
p!r
0 19
-0,25 19.5
Diagramet: a)
b)
www.e-Libraria.com
-1 21
Koment: Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor), ka tri shtresa gjysmëpërçuese me doping të ndryshëm dhe përmban dy kontakte pn. Një kontakt i vetëm pn i ka dy mode të punës- për polarizim të drejtë dhe revers. Transistori bipolar me dy kontakte pn, ka pra katër mode të punës, varësisht nga kushtet e polarizimit të secilit kontakt. Me tri regjione të ndara, transistori bipolar është komponentë me tri terminale, dhe parimi themelor i punës së transistorit është që me tensionin në mes të dy terminaleve të kontrollohet rryma nëpër terminalin e tretë. Në Fig. 1 është paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturës themelore dhe simbolet e të dy tipave të transistorit bipolar: npn dhe pnp.
Koncentrimi i dopingut të jopastërtive në emiter, bazë dhe kolektor mund të jetë i rendit 1019, 1017, dhe 1015 cm-3.
www.e-Libraria.com
UNIVERSITETI I PRISHTINËS FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE PRISHTINË
Drejtimi : KOMPJUTERIKË Laboratori: ELEKTRONIKËS
Ushtrimi Nr.5 RIDREJTUESI
Studenti Numri i indeksit Grupi Semestri
Mensur Sofiu 07149/09 III – (tretë)
Data e ushtrimit Data e dorëzimit Asistenti i lëndës Nota
www.e-Libraria.com
Fidel Krasniqi
Mjetet: 1. Ridrejtusi 2. Ndërprersat 3. Voltmetri 4. Miliampermetri
Detyra: a) Të kyqet nderprersi N1 dhe N5 dhe të vizatohet forma valore e tensionit ne pikat A dhe B. b) Të kyqet nderprersi N2 dhe te vizatohet forma valore ne dalje (B). c) Të kyqet nderprersi N3 dhe të vizatohet forma valore e tensionit ne daljen ne fundin e rezistences së shpenzusit Rsh. Të maten vlerat e rrymes dhe të tensionit sipas tabelës. d) Në bazë të rezultatëve të fituara të vizatohet karekteristika e ridrejtusit Ud=f(Id) Skema e lidhjeve:
www.e-Libraria.com
Rezultatet: Tensioni n! hyrje :
Tensioni n! dalje :
www.e-Libraria.com
Rasti me nj! diod!
Rasti me dy dioda :
www.e-Libraria.com
Rasti me dy dioda dhe nj! kondenzator :
Rasti me dy dioda dhe dy kondenzator
Rasti me dy dioda dhe tre kondenzator
www.e-Libraria.com
