Descripción: informe final laboratorio 1 unmsm ing. celso
PREVIODescripción completa
cfbcvvfhbn mvcbhi cvnbdggb fgDescripción completa
mediciones electronicas
Informe previo laboratorio de electrónica 2Descripción completa
Descripción: Informe previo número 3 del curso de Electrotecnia UNMSM
Descripción completa
preDescripción completa
k
Descripción: sistemas digitales
111Equation Chapter 1 Section 1
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR MAYOR DE SAN MARCOS FACULT FACULTAD DE INGENIERÍA INGENIE RÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
I NFOR ORME PRE REVI O N°2 “ configur aci óndarl i ngt on”
Curso:
La b o r a t o r i od eCi r c u i t o sEl e c t r ó n i c o sI I
Profesor:
Ce l s oGe r ó n i moHu a má má n
Fecha:
0 50 52 0 1 7
Da t o sPe r s o n a l e s
Nombre: Al a r c ó nGu i l l e nF a b r i z i oAb e l a r d o
Código:
1 4 1 9 0 0 7 1
Universidad Nacional Mayor de San Marcos Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica “Confguración Darlington”
Introducción
y con ellas calcular la proporciona amplifcador eno AMP circuito lo que se asignado pretende en la dierentes voltajes pico pico diagrama del un amplifcador. para conocer Se comportamiento de las En electrónica, el transistor es n !is"ositi#o se$icon!ctor %e co$&ina !os transistores &i"olares en n t'n!e$ Darlington
(a #eces lla$a!o par Darlington) en n *nico !is"ositi#o+ Esta coni-ración sir#e "ara %e el !is"ositi#o sea ca"a. !e "ro"orcionar na -ran -anancia !e corriente /, al "o!er estar to!o inte-ra!o, re%iere $enos es"acio %e !os transistores nor$ales en la $is$a coni-ración+ La -anancia total !el Darlin-ton es el "ro!cto !e la -anancia !e los transistores in!i#i!ales+ Un !is"ositi#o t0"ico tiene na -anancia en corriente !e 1222 o s"erior+ Ta$&i3n tiene n $a/or !es"la.a$iento !e ase en altas recencias %e n *nico transistor, !e a40 %e "e!a con#ertirse 'cil$ente en inesta&le+ La tensión &ase5e$isor ta$&i3n es $a/or, sien!o la s$a !e a$&as tensiones &ase5e$isor, / "ara transistores !e silicio es s"erior a 1+67+ La &eta !e n transistor o "ar Darlin-ton se 4alla $lti"lican!o las !e los transistores in!i#i!ales+ La intensi!a! !el colector se 4alla $lti"lican!o la intensi!a! !e la &ase "or la &eta total+
Informe Previo N° 2 Página 2
Universidad Nacional Mayor de San Marcos Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica “Confguración Darlington”
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arco teórico $$!M!%& AMPLIFICADOR DARLINGTON !M"#EN '(!) DARLINGTON * El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Est+ compuesto internamente por dos transistores ,ipolares que se conectan es cascada como los podemos o,servar en la siguiente fgura. -entajas #mpedancia de entrada alta. Sensi,le a peque/as se/ales. !lta ganancia de corriente. #nconvenientes Mayor n0mero de componentes. (uede ser inesta,le con se/ales grandes
ateria!es " e#ui$os Informe Previo N° 2 Página %
Universidad Nacional Mayor de San Marcos Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica “Confguración Darlington” 1 uente de poder 1 proto,oard 1 condensadores Ci21u 3 condensadores CE233u 3 transistores 3N3314 o 3N3333 1 alicate de punta 1 osciloscopio 1 tester universal 'digital* 1 generador de audio 3 Sondas de osciloscopio
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Procedimiento (Teórico y Simulado) 1. Menciones algunas aplicaciones de la confguracion darlington y algunos codigo de su version de circuito integrado.
Cuando se quiere controlar un motor o un rel9: necesitas emplear un dispositivo que sea capa; de suministrar esta corriente. Este dispositivo puede ser un circuito %arlington.
Control de motores en cc.
)egulaci
Control de selenoides.
(ara alimentar una carga como un peque/o motor de corriente continua.
!mplifcadores de potencia de audio.
En resumen se utili;an ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy peque/as.
Algunos códigos de circuitos integrados
con confguraci: NE3>?: NE374: NE3>3: NE3>@: NE3>7 y NE3>>.
Informe Previo N° 2 Página '
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. !rmar el circuito con los valores=
R1 R R% Re Ci1( Ci% Ci
Informe Previo N° 2
!."#$ 1#$ 1&$ 1."'$ )* 1&&)*
Página (
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ANALISIS EN CC A12A3278
Circuito equivalente
Rbb=( R 1 ∥ R 2 ) + R 3= Vbb=
7.5 K .12 K
+
7.5 K 12 K
+ 100 K =104.6 K
Vcc. R 2 15 V .12 K = = 9.23 V R 1+ R 2 7.5 K + 12 K
Universidad Nacional Mayor de San Marcos Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica “Confguración Darlington” I 1 Vbb= Rbb . + 2. Vce 1+ℜ . Ic 2 EN&NCES β 1
Ic 2 =
Vcc =Vce 1+ Ic 2. ℜ →Vce 1 =Vcc − Ic 2. ℜ=6.09 V #c12#,3 Ic 2 5.94 mA Ic 1 = = =0.792 μ β 2 75 Vcc =Vce 1+ Vbe 2+ Ie 2. ℜ
Vbb −2. Vce 1 =5.94 mA Rbb +ℜ β 1. β 2
ENEM&S
BUE
$UE& %ES(ED!M&S -ce1
Vce 1=Vcc −Vbe 2− Ie 2. ℜ=15 V − 0.7 V −5.94 m .1.5 K =7.172
%. Calcular la ganancia de corriente: ganancia de voltaje: impedancia de entrada: impedancia de salida. ANALISIS EN AC
$a equivalencia en el circuito es=
SE #ENE BUE
Informe Previo N° 2 Página *
Universidad Nacional Mayor de San Marcos Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica “Confguración Darlington” Ie 1 ≅ Ic 1 + Ib 1= Ib 1 + βIb 1 ( β + 1 ) Ib 1 Ie 1 ≅ Ic 1 ≅ Ib 1. β Ie 2 ≅ Ic 2 ≅ Ib 2. β
C!$CU$!M&S $!S )ES#SENC#!S %E $&S EM#S&)ES=
ℜ 1=
26 mV
Ic 1
= β .
26 mV
Ic 2
ℜ 1= βRe 2= 375
ℜ 2= 4.99 ENC&N)!M&S $! )E$!C#&N EN)E #@ ! #,1 I 3. R 3 = Ib 1. ℜ 1
I 3. R 3 = Ib 1. βRe 1. β + Ib 2. ℜ 2. β I 3. R 3 =2. Ib 1. β . β . ℜ 2 I 3 =
2. Ib 1. β.
β. ℜ 2
R 3
!$$!N%& #i2i if = I 3 + Ib 1 if =
ℜ 2
2. Ib 1. β . β .
R 3
if = Ib 1. (
2. Ib 1. β . β .
if = Ib 1. β . β (
2. Ib 1. β . β .
R 3
ℜ2
ℜ2
R 3 2.
ℜ2
R 3
ay que tomar en cuenta que= I 3 + Ic 2=
+ Ib 1
+ β .2 Ib 2
Informe Previo N° 2 Página +,
+
+ 1)
1
)
β . β
Universidad Nacional Mayor de San Marcos Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica “Confguración Darlington” I 3 + Ic 2=
2. Ib 1. β . β .
ℜ2
R 3
I 3 + Ic 2= β . β . Ib 1. (
2.
+ β . β . Ib 1
ℜ2
R 3
+1)
-oltaje de entrada de entrada -g de= Vg=if . Rf + Ib 1. ℜ 1 β + Ib 2 ℜ 2 β + ( I 3 + Ic 2 ) . ( R 2 ∥ R 1 ∥ ℜ ∥ Rl )
Vg=if . Rf + Ib 1. ℜ 2. β . β + Ib 1 ℜ 2 β + ( I 3 + Ic 2 ) . ( R 2 ∥ R 1 ∥ ℜ ∥ Rl ) Ib 1. ββ
(
2
ℜ2
R 3
+
1
β . β
)
(
. Rf + 2. ℜ 2. β . β + β . β . Ib 1
(
2.
ℜ2
R 3
))
+ 1 . ( R 2 ∥ R 1 ∥ ℜ ∥ Rl)
Vg=¿
(ℜ+ ) 2
2
R 3
1
β . β
. Rf + 2. ℜ 2 +
((
2.
ℜ2
))
+ 1 . ( R 2 ∥ R 1 ∥ ℜ ∥ Rl )
R 3 Vg = Ib 1. ββ ¿
+. #ndique el o,jetivo de utili;ar la red constituida por )1:)3:)@:C3 en el circuito
$a presencia de resistencias y de condensadores es para poder polari;ar los transistores y de esta manera poder tra,ajar en peque/as se/ales para hacer el amplifcador. $a unci
Informe Previo N° 2 Página ++
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(
2
ℜ2
R 3
1
+
β . β
)
. Rf + 2. ℜ 2 +
ℜ2
R 3 Ib 1. ββ ¿
β . β . Ib 1 Av=
((
2.
(
V 0 = Vg
2
))
+1 . ( R 2 ∥ R 1 ∥ ℜ ∥ Rl )
)
ℜ2
+ 1 . ( R 2 ∥ R 1 ∥ ℜ ∥ RL) R 3 ( R 2 + R 1+ℜ) ¿
β . β . Ib 1
(
2
ℜ2
R 3
)
+ 1 . ( R 2 ∥ R 1 ∥ ℜ ∥ RL )
Rl . ( R 2+ R 1 +ℜ)
I 0 Av = = If
Ib 1. β . β (
2.
ℜ2
R 3
+
1
β . β
)
,. Medir la impedancia de entrada
(ℜ+ ) 2
2
R 3
1
β . β
. Rf + 2. ℜ 2 +
((
2.
ℜ2
R 3
¿
))
+ 1 . ( R 2 ∥ R 1 ∥ ℜ ∥ Rl)
Ib 1. ββ ¿ Vg Zi = =¿ If
!. Con un potenci
allando io
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Universidad Nacional Mayor de San Marcos Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica “Confguración Darlington” Io=
β . β . Ib 1 Io =
(
2
ℜ2
R 3
( I 3 + Ic 2 ) . ( R 2 ∥ R 1 ∥ ℜ ) ( R 2 + R 1 +ℜ+ Rl )
$a impedancia de salida la calcularemos como= Zo =
Vo Io
Informe Previo N° 2 Página +3
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-imu!aciones
Informe Previo N° 2 Página +%
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Conc!usiones Se demostr< que el amplifcador %arlington a la salida disminuye la impedancia que conlleva a que la corriente y la tensi
El en este equipo de transistor es demasiado alto y si el material es de silicio el -,e va a ser igual a 1.?v.
.ib!iograf/a
Informe Previo N° 2 Página +&
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