UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
CURSO: Dispositivos y Componentes Electrónicos
INTEGRANTES: García Huarancca, Frank Anthony
1523110104
Cahuapaza Principe, John
1523120896
Cabezas Champi, Freddy
1523110131
Ponte Ayala, Juan Edison
1523120637
PROFESOR: Sánchez Hernández, Jaime Eloy
LIMA-PERÚ 2017
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica Escuela Profesional de Ingeniería Eléctrica
TRANSISTOR BIPOLAR
1.
OBJETIVO:
2. 3.
Determinar la curva característica del transistor en función de corriente de base (LB), corriente de conector y voltaje colector emisor. Determinar las características del transistor propuesto según el manual de reemplazo. Analizar cada uno de los componentes a utilizar. MONTAJE DEL CIRCUITO: CUADRO DE ANÁLISIS DE TENSIONES Y CORRIENTES:
Para el análisis de las distintas corrientes que aparecen en un transistor vamos a considerar un transistor de tipo PNP, que polarizamos tal y como aparece en la figura 1. Este tipo de polarización será el usado cuando el transistor trabaje en región activa, como se verá en los siguientes apartados. La unión emisor-base queda polarizada como una unión en directa, y la unión colector-base como una unión en inversa. En la figura 2. se muestran las principales corrientes (de electrones y huecos) que aparecen en el transistor tras aplicar la polarización indicada en la figura 1. Se puede observar lo siguiente: Figura 1. Polarización
Figura 2. Corrientes en TRT
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4.
Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn) debido a que la unión está en directa El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule por la base, sino que siga hacia el emisor (ICp) Entre el colector y la base circula una corriente mínima por estar polarizada en inversa (ICn más una parte ínfima de ICp) Por la base realmente circula una pequeña corriente del emisor, más otra de colector, más la corriente de recombinación de base (IEn+ICn+IBr)
FUNDAMENTO TEÓRICO:
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor , o sus siglas BJT ) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor , que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector , de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
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5. RELACIÓN DE MATERIALES, EQUIPOS E INSTRUMENTOS:
1 transistor BC 547 o BC 548
2 resistencias 150 ohm y otra de 5.6k ohm
2 potenciómetros 10k ohm o 50k ohm
Manual de reemplazo
Multímetro digital
Fuente dc variable
Microamperímetro dc
Miliamperímetro dc
Protoboard
Terminales
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