Diodo Gunn

ESCUELA

DE

INGENIERIA

ELECTRONICA

EN

TELECOMUNICACIONES TELECOMUNICACIONE S Y REDES

DIODO GUNN

TEORIA ELECTROMAGNETICA II

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DIODO GUNN HIST HISTORIA ORIA 

1954, Shockley plantea la idea de dispositivos de resistencia negativa de dos puertas.

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1961, Ridley y Watkins describen un nuevo método de obtener una movilidad diferencial negativa en semiconductores.

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1962, Hilsum desarrolla un poco mas esta teoria

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1963,Gunn Descubre el efecto que lleva su nombre.

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Utilizando discos muy finos de GaAs(Arseniuro de Galio) tipo n.

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Sin embrago Gunn no relaciono sus descubrimientos con las teorías de Ridley y Watkins.





DIODO GUNN 

La generación de frecuencias para el rango de microondas se puede realizar de varias maneras, siendo las mas comunes el uso del Klystron, Magnetrón, sobre todo en aplicaciones de grandes potencias, para otros fines lo mas común es el uso de dispositivos de estado sólido como los transistores de





DIODO GUNN 

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También conocido como un dispositivo de transferencia de electrones (TED) Su construcción interna es a diferencia de otros diodos en que consta sólo de material semiconductor dopado N Existen tres regiones: dos de ellos están fuertemente dopada n en cada terminal, con una capa delgada de material ligeramente dopado en el medio. Cuando se aplica un voltaje al dispositivo, el gradiente eléctrico será más grande a través de la capa intermedia delgada Está basado en el





EFECTO GUNN 

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Este efecto es un instrumento eficaz para la generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores Cuando se aplica un pequeño voltaje continuo a través de una placa delgada de (GaAs) o (GaN), ésta presenta características de resistencia negativa. Si esta placa es conectada a un circuito sintonizado





EFECTO GUNN 

Por esta razón es importante que el voltaje aplicado debe ser el apropiado para permanecer en la región NDR (Resistencia Diferencial Negativa)

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La frecuencia frecuencia de operación operación dependerá dependerá de la distancia distancia que los dominios tienen que recorrer antes que el ánodo los los absorba

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Y en segunda instancia dependerá de la cantidad de voltaje aplicado, que será la que afecte la velocidad del dominio.







OSCILADOR GUNN EN LINEA COAXIAL Oscilación





OSCILADOR GUNN EN GUIA DE ONDAS





DIODO GUNN 

Por lo general existen 3 diseños diferentes de osciladores:

Coaxial. Funcionan a 15 GHz y ofrecen un





DIODO GUNN CONCLUSIONES 

El descubrimiento del efecto Gunn, en materiales como el GaAs, permite la generación de microondas,

Diodo Gunn

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