Diagramas de los circuitos integrados CMOS.Descripción completa
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Logica CMOSDescripción completa
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CMOS
Descripción: Si queremos hacer un semáforo para alguna aplicación sencilla, como por ejemplo para una maqueta, sin necesidad de usar un programador, tenemos el proyecto de un cruce de semáforo controlado por un...
In this work, a highly linear Cascode CMOS LNA is presented. Linearity issues in RF receiver frontend are discussed, followed by an analysis of the specifications and requirements of a LNA through consideration of multi standard LNA. Device non linea
Descrição: Cmos Vlsi Design
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Politeknik Seberang PeraiFull description
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d) Investigue y explique detalladamente las razones por las cuales hay que manipular mucho cuidado los circuitos de tipo CMOS. Ejemplifique las formas correctas de emplearlos.
METAL-ÓXIDO-SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARIO (CMOS).
Es una clase importante de circuitos integrados. La tecnología del Cmos se utiliza adentro microprocesadores, microcontroladores, ESPOLÓN estático, y otra lógica digital circuitos. La tecnología del Cmos también se utiliza para una variedad amplia de circuitos análogos por ejemplo sensores de la imagen, convertidores de datos, e integrado altamente transmisores-receptores para muchos tipos de comunicación. Hay tres problemas principales relacionados con la tecnología CMOS, aunque no son exclusivos de ella: Sensibilidad a las cargas estáticas . Históricamente, este problema se ha
resuelto mediante protecciones en las entradas del circuito. Pueden ser diodos en inversa conectados a masa y a la alimentación, que, además de proteger el dispositivo, reducen los transitorios o zener conectados a masa. Este último método permite quitar la alimentación de un sólo dispositivo. Latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parásito en la estructura cmos
que se dispara cuando la salida supera la alimentación. Esto se produce con relativa facilidad cuando existen transitorios por usar líneas largas mal adaptadas, excesiva impedancia en la alimentación o alimentación mal desacoplada. El LatchUp produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentación, de modo que, si no se ha previsto, acarrea la destrucción del dispositivo. Las últimas tecnologías se anuncian como inmunes al latch-up. Resistencia a la radiación. El comportamiento de la estructura MOS es
sumamente sensible a la existencia de cargas atrapadas en el óxido. Una partícula alfa o beta que atraviese un chip CMOS puede dejar cargas a su paso, cambiando la tensión umbral de los transistores y deteriorando o inutilizando el dispositivo. Por ello existen circuitos "endurecidos" (Hardened ), fabricados habitualmente en silicio sobre aislante (SOI ).
Hay que especial atención cuando se utilizan circuitos integrados especialmente si son de tecnología CMOS, ya que la carga electroestática de nuestro cuerpo los
puede inutilizar. Para resolver este problema se puede emplear una pulsera conductora que se conectará debidamente a tierra, descargando la electrecidad estática que posea el cuerpo. Por lo anterior, los dispositivos CMOS son muy susceptibles al daño por descargas electrostáticas entre un par de pines. Estos daños pueden prevenirse:
Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales. Usando soldadores alimentados por batería o conectando a tierra las puntas de los soldadores alimentados por ac. Desconectando la alimentación cuando se vayan a quitar CI CMOS o se cambien conexiones en un circuito. Asegurando que las señales de entrada no excedan las tensiones de la fuente de alimentación. Desconectando las señales de entrada antes de las de alimentación. No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a tierra según se requiera.