D IS IS PO PO S
VO
AMP
fo
.1
IRCU IRCUIT IT
conv conven enie ient ntem emen ente te
MPLI MPLIFI FI ADOR ADORES ES
ampl amplif ific icad ad
(0
C AD O RE S
fa il
ra
microelectronica
rinica
Lo term termin inos os ganancia
fact factor or de ampl amplif ific icac acio io traves
re aci6 aci6n: n: [9.1]
-____2_
Ai
siendo
[9.2]
_Q_
i,
numero complejo.
(0
j,
la sefial
R,
traves
ViIii.
if
microelectronica
rinica
Lo term termin inos os ganancia
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-____2_
Ai
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[9.2]
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i,
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(0
j,
la sefial
R,
traves
ViIii.
if
amplificadores
Vo
a)
b)
c)
Yo,
,p
Avvj
microelectronica
intensidad
Yu
cormin pueden
er
ee Vi.
Esta serial
Vee.
mo tamb tamb en
enom enom ad
nc
ar
al
v.;
Vee, Yp BC,
Ypro Yprodu duce ce
CC.
na corr corr ente ente
IE ee da
qu
transistor.
co rien rien
Ie
BC
al
co ct
261
r: Ie
adc
quiescente, constantes. Vi,
VEE. VEB,
variable,
Vi
EB.
Vi,
Eor po
Vi=
vendra determinada ri.,
f\_1\i
b)
ig
2.
de colector, respectivamente).
microelectronica
262
ep les cci en la resistenci
RL
lect r. Si RL la serial de entrada,
cuyo
alor
Yo'
Vo
serial de salida Vi'
Yo'
variara
ic~
Vo
[9.3]
RL
_()_
i.
----'-
(l
[9.4]
"1
i,
R, co ci
enci
263
serial de
ci
ac la resistencia 9.2b.
razon
en
cormin pue-
Vas
VB Be
ve
Vi,
VB VE
,si cormin
VB
ee quiescente.
electronica fisica
264
microelectronica
Vi,
BB.
Vi,
lB. Vi
configuracion
cormin
em
sefial b g
variacion
carga,
Vo
,co es ic
Vee
BB a)
ib
ic
Vo
b)
ib
c=
ie
Vo
c)
{3i
el i,
[9.5]
r'""~
RL
40.
[9.6]
--"-
ib
potencia.
de eircuito amplificador
R,
bco Veb,
siendo gml
ra scon uc anci
el ra sist
microelectronica
10
so
ro
ef
rn lc
Fig.9.4. RB
BB
BB
cormin, ya
10
RB
BE
BB
0qu corrientes.
IX
plicacione de lo transistores co
tension BE la corrient
dispositivos amplific dore
267
la corrient
CE
IB IB
BE
Despejando
IB
BE
BB
resulta: [9.7]
16
12
80 40 BB
.0
ui de nt da la corrient IB
La BE
VBE(V)
microelectronica
268
Si se representa
IB
BE BB
RB
qu cort
VBBI ss
0.9
RB
5xl0
IB
ohrnios. BE
IB
BE
lo IB
BE,
60
0.6
YV
BE
BE
iitil
apro imados para transist re de si ic
BE
Esta aproxima-
BE IB
el CE
la corrient
Ie
Ic
[9.8]
CE
CE,
carg
denominada
estdtica Vee 30
respectiva1000 ohmios
IX Aplicaciones de lo transistores co
dispositivos mplifica ores
1 8 =1 4 0 J .
30
0J.lA
Fig.9.6.
puntos,
9.4, representada sobr
Qz,
ct
al
es
punt
quiescente
el ma simetricas
sefiales
ua Qo
en
Q7, Q7).
cual plante
F un d m en to s
270
de alimentaci6n
on
microelectronica
BH.
BB
YV
unica. cormin
os
lec
en
Re
RB
IBRB
IB
BE
[9.9]
Vee
BE
lec
sf
9.3.4. Acoplamiento de sefi les,
Vi,
Vi, Vi
em so queden ract came te en cort circ to
serial evando al transistor
re io de co te Ademas
RB
C,
serial).
1I21 fC
sf Vi
RB
la
272
microelectronica
Vee
ir it
pLific do pa
ei ales
er as ti iz nd
tr ns or
as
el ha si
de ermi ad
reviamen
serial
Yp Q"
lec
Yt
co
an
273
lc(mA)
=4011A
100
10011A
80
BOllA
=4011A p_p
t-
6011A 4011A
40
20
20
VCE(V)
b)
a)
9. el
rv ,m
serial
ie ,c
YVe
ia ra ,ta
nclu serial de
Vee-Segu
gati
-~(Rc/r').
ademas desfasad
e le c tr o n ic a
274
s ic a
microelectronica
la
es carga,
roduciendo
cons mo
dor sefial
sa id
se atemie sign fica vame te ec
RL no produc
ig 9.10
ningiin
IX
plicacione de lo transistores co
is ositiv
mplificadore
275
oae
=2701JA IdmA)
dinamlca estatlca
Fig.9.l1.
Vo
en paralelo ta
arga
dindmica,
qued
desplazado
Q'
276
microelectronica
se ia es de al ema.
AUTOPOLARIZACION
IB IB
Vee/R ).
pequefio
a.tc
adc ~d
(recue dese
ue
adJO-adc),
con
~d
~dJB'
~IB ~dc.
~dc
10
hasta elevado. 'o
de
',
277
Bn Bv
Pdc,
V CE ( Pdc'
to
Pdc,
[9.10]
'Es es
autopolartzacion
denominado circuito de polarizacion universa ()autopolarizacion
it
in lu
fi
na
que VB
B-V ,di
VB
278
microelectronica
que am
Ie
a.
base, corriente lB
traves
ad lB En esta circunstan
IB
r'
BE
as
es ci
9.
BB
co un resistencia,
RB
BB
en
RB
ee
Fi
.13.
279
[9.11]
Vee
ss
[9.12]
Rs
sa
Vee
[9.13]
E(
[9.14]
E(
'c
c ur va s 1 9 c o ns ta n
polarizaci6n
9. 4.
acio
un ac
on
nt
an
ai te
ccl(Rc +R
CE
VccIB
[9.13], con
10
10
IB
CE
BE
CE
CE
polarizacion.
cd
et
CE
Vi
Fig. 9.15 emisor, altemas.
elevado.
"~
Vo
se pued
(*)
aI
aj
sf se
~dc
~dc,
[9.15]
[9.16] con [9.17] Be Eob
[9.18] Es convenient
introducir losfactore de estabilidad, VB ~dc
SICBO
S'I,E
Al eB
(~dC
VHE.~
Al AV BE
ICBo.~
RB
a,
am
I) (R (~dC
(~dC
I) RE
1) RE
[9.19]
[9.20]
electronica fisica
microelectronica
s~
[9.21]
a1
ci de factor
YVB
eb
dc
Ale Para ut liza
s.
~~BO
AleBo
as form as an er re se co side
BE
ue pa
[9.22]
Ll BE S~ Ll os transistores
si ic
Yd
erma io
BE
UNION
sefialadas
cormin,
sefiales
DD
que
).
ec
en
acoplo,
en +Voo
vi
Fig. .1
G,
ar
am
Yd Vs GS
G- Vs
es egaGS
fisica
284
microelectronica
GG,
[R /(R +R )]V
GG
c,
/(R,
+R
DD,
RG
(r
veni
r:
).
[9.23]
ID
polarizacion:
Vos
[9.24]
ID(mA)
/dinamica transterencia"" -,
polarizacion
-0.5V
-1.5V,/
g.
[9.25] siendo Vos
fa
curv
tr nsferencia carg
estdtica Vo
-1
carg dindmica condensador Co)
(0
da,
Vi
Vgs-
Vi
serial Q' Vd
salida,
Q"
Fundamento
de electronic fisica
microelectronica
Vo
Vds
-idRO. Po
la ecuacion idRD
Av
v.
gs
gmRD
gs
me
JFET,
se comento an erionnente (cap 8),
vada.
sal GS
[9.26]
oo posi ivamente median
la es stenci
+Voo
+Voo
a)
b)
Fig. 9.18
ci
Vns
transistor.
caracteristicas,
serial el
e le ct ro n ic a
VGS=VOS
s ic a
microelectronica
VGs=Vosf2
lo(mA) Gs=8V 4.0 3.0
6V 5V
2.0
4V 1.0
3V
10
VG
DS
DS
12.
[9.27]
GS
Yp punt
de funcionamiento
GS
DS
DS,
Yp
el
co
GS.
do sf
extremadamente aislan te,
io
temperat ra
baja frecuencia
ct
audiofrecuenciai,
an es
F un d m e o s
290
de amplificacio tore bipolare
on
microelectronica
normalizado, NAo,
ns cu ci Td
.1
ja
(condensadores
es
ac (0 eactanci
capacitiva de co en 1I21tfC iendo
X,
en
1.0
10
frecuencia
(Hz)
IX Aplicaciones de lo transistores co
El
de
de
dispositivos amplijicad re
de
da
o nd e
or C,
ma ob
d o m ed i
or ma Thevenin) o r o nd i da de mpl do (filtro pasa-alta). La resistencia RI p r nc di mi de nt da de mpl do mi o rm i op (RI mo seiial, Vbe, mi de mi or As mi mo do sefial d e e n a d a (C o nd e d o d e o p on do o nd e d o men pu men pa vo on un - co nd e d o r d e g . 2 1 u ed e sefial d e e n r ad a Vi. analisis d e o m p o r on de omo di or de mi de or ma do bl omp mi facilmente Vbe oc nt en vo me od mi de ba de mpl dor serial d e e n r ad a , Vi. EI cocient Vbel Vi Alf represent cion d e o l ba de da de mpl do d ad o o r
[9.28]
~= v.
...j
Xci
1 I2 1
fc
d ad o
or
[9.29]
or
o,
m 6d u
lf I,
~f
( ad e
o)
de
omo:
[9.30]
[ 9. 3 1
d ad ,
cu nc de
Xci
-+
0,
qu mp
ceco. E n m b d e serial
me
de De
on nt or g u d a Xci
mpl a e
da d ed u Ri o,
da ue
f ra cc i6 n
do mi mp
VrelVi
da or
de Al mi mo
do di mi 1 b) . m6 o r d e V...j2 no na af uenc u en c d e o nd e d o d e o p
mp
0. 07 co e,
292
microelectronica
1.0 0.707
frecuencia
a)
g.
b)
21
Vb/V,.
C/
lJ...J2
1/2.
lJ...J2
de circuito amplificador.
J!F.
293
am lifica ores en 10 no qued
co tocirc itad
acoplamiento directo,
ct pacidade ap ci
ci
ca i) indu cion
ar itas as
~= aI(l-a),
cc
10
9.lla,
le
ef ct
ab
cormin,
ec en
(en disminuc2
c2
294
aj
ec en
ec
arnplificador, po cu
a)
1.0 0.707
fa
frecuencia
Fig. 9.22 emisor
1;'2.
(filtr pasa-baja). lu
ra it ui otra capacidade parasitas. sefial de salida de amplificador
facil
Vo.
el
[9.32]
v' Ahf
e2
1I21tfC
fe
[9.33]
El m6dulo
Ahf
Shf
[9.34]
[9.35]
frecuencia
baja
factor Ahf altas e2
intermedia
XeZ
c2
angulo
fez,
frecuencia, 1/12 es fe
por
c2
la sefial
denominada
2re
factor
al
que
microelectronica
(0
2-
en
ct
BB
BE
Re RE VEE
IK 100. Determinar lo
YV
VBE
Y~ 1K ohm.
60 hallar
ose
Ie
YRBd
BE
es
BE
IdmA) 4.0
se tiliza en
ci cuit
am lificado
20V,R
Ko
2=
E=
3.0
150llA
2.0
100ilA
1.0
50llA
VB el unto de funcionamien o.
10
sefial
+10V
IdmA) 4.0 3.0 2.0
1.0
2.6K
