Mạch ghép – chia công suất Wilkinson
Người soạn : KS. Nguyễn Thái Hùng
MẠCH GHÉP – CHIA CÔNG SUẤT WILKINSON I. Đặc tính cơ sở mạng 3 cửa : Các bộ chia và ghép công suất là các phần tử thụ động hoạt động ở siêu cao tần, được dùng để chia hoặc cộng công suất tín hiệu. Các phần tử này thường là các mạng 3 cửa hoặc 4 cửa.
Hình 1 : Mô hình mạng 3 cửa
Hình 2 : Mô hình mạng 3 cửa chia hoặc ghép công suất Ma trận tán xạ [S] của mạng 3 cửa có dạng : [S] =
S11 S12 S13 S21 S22 S23 S31 S32 S33
Nếu mạng 3 cửa trên là thụ động và không chứa phần tử định hướng từ, nó phải có tính chất thuận nghịch và ma trận [S] là đối xứng (S kl = Slk ). ). Để tránh tiêu hao công suất tín hiệu, ta luôn mong muốn rằng mạng 3 cửa là không tổn hao và có phối hợp trở kháng đồng thời tại 3 cửa. Như vậy, ta có thể thiết kế được mạng 3 cửa đồng thời thỏa được tất cả các tính chất : thuận nghịch, phối hợp trở kháng đồng thời tải 3 cửa, và không tổn hao ? Giả sử xét mạng 3 cửa có tính chất thuận nghịch, không tổn hao và phối hợp trở kháng đồng thời tại 3 cửa. Khi đó : S11 S12 S13 [S] = S21 S22 S23 S31 S32 S33
đ x S11 S12 S13 PHTK 0 S12 S13 = S12 S22 S23 = S12 0 S23 S13 S23 S33 tại 3 cửa S13 S23 0
Để không tổn hao thì phải thỏa tính chấp Kronecker : S 12 S 12 S 13
2
=0
(1) (2) (3) (4)
=0
(5)
=0
(6)
+
S 13
+
S 23
2
2
+ ∗
S 13
⋅
S 23
S 12
⋅ S 13
S 12
⋅
∗
∗
S 23
S 23
2
2
2
=1 =1 =1
1
Mạch ghép – chia công suất Wilkinson
Người soạn : KS. Nguyễn Thái Hùng
Các phương trình (4), (5), (6) cho thấy có ít nhất 2 trong 3 thông số S 12, S13, S23 phải bằng 0, nhưng điều này lại trái ngược với 3 phương trình trên. Như vậy, không thể tồn tại mạng 3 cửa đồng thời có cả 3 tính chất : thuận nghịch, không tổn hao và phối hợp trở kháng đồng thời cả 3 cửa. Ta chỉ có thể thiết kế được mạng 3 cửa đồng thời thỏa được 2 trong 3 tính chất này. II. Mạch ghép – Chia công suất WILKINSON : Hình 3 biểu diễn mạch ghép công suất Wilkinson :
Hình 3 : Sơ đồ mạch ghép và chia công suất Wilkinson với nguồn tại cửa 1 và 2 Chiều dài mỗi nhánh được thiết kế là λ/4, do đó mạch ghép – chia công suất Wilkinson chỉ hoạt động ứng với một tần số nhất định. Mạch này có thể được sử dụng để chia công suất từ cửa 3 qua cửa 1 và 2, ghép công suất từ cửa 1 và 2 ra cửa 3. Cửa 1 và 2 có tính đối xứng. Do đó : S 13 = S31 = S23 = S32 Mạch phối hợp trở kháng đồng thời tại 3 cửa với điện trở chuẩn R 0. Do đó, S 11 = S22 = S33 = 0. Như vậy : S11 S12 S13 [S] = S21 S22 S23 S31 S32 S33
0 S12 S13 = S12 0 S13 = ? S13 S13 0
Phân tích mạch hình 3 thành 2 mode : mode chẵn và mode lẻ
Hình 4 : Mạch ghép – chia công suất Wilkinson được chia thành 2 mode 1. Mode chẵn : Vì nguồn nối vào cửa 1 và 2 có giá trị bằng nhau (V in1 + Vin2)/2 nên dòng điện qua điện trở R bằng 0, do đo hở mạch đoạn nối giữa cửa 1 và 2 thông qua R. 2
Mạch ghép – chia công suất Wilkinson
Người soạn : KS. Nguyễn Thái Hùng
Khi đó, Mode chẵn được chia thành 2 thành phần độc lập nhau như hình 5.
Hình 5 : Mode chẵn được chia thành 2 thành phần độc lập nhau Trở kháng nhìn vào cửa 1 : 2 R0 Rine1
λ
jRa tg ( β ) 4
+
= Ra
Ra
λ
2
=
j 2 R0 tg ( β ) 4
+
Ra
( vì β =
2 R0
Để phối hợp trở kháng tại cửa 1 : R ine1 = R 0
⇒
Ra
= R
0
Để tính S13(hoặc S31), ta phải tính V 1 và V3, từ đó suy ra
λ
: hệ số pha [rad/m] )
2
V 3 V 1
2π
.
Quan sát đường truyền sóng không tổn hao trên R a, ta có biểu thức điện thế tại điểm x bất kỳ : V ( x )
= V + e
x − j β
+ V − e
jβ x
Chọn x = 0 tại cửa 1. Khi đó hệ số phản xạ tại điểm tải R 0 tại cửa 1 : Γ ( 0 ) =
R a
− R 0
R a
+ R 0
=
2
−1
2
+1
Ta có : S 31
=
V 3 V 1
=
V + e
− jβ
λ 4
V +
+ V − e + V −
jβ
λ 4
=
− j (V + − V − )
V +
+ V −
=
− jV + (1 − Γ )
V + (1 + Γ )
=
− j
2
Do tính đối xứng của mạch ta cũng suy ra S 22 = 0 và S 23 = S32 = S13 = S31 =
− j 2
2. Mode lẻ : Vì nguồn nối vào cửa 1 và 2 là đối nhau, và do tính đối xứng của mạch chia công suất Wilkinson nên ta có thể xem như mode lẻ gồm 2 phần đối xứng nhau qua điểm đất.
Hình 6 : Mode lẻ được chia thành 2 thành phần độc lập nhau Đoạn truyền sóng λ/4 có cửa 3 nối đất nên trở kháng đầu vào của đường truyền tại cửa 1 là hở mạch. Do đó R ino1= R/2. Để phối hợp trở kháng tại cửa 1(S 11 = 0) : R ino1 = R 0 ⇒ R = 2R 0 Tương tự, đối với cửa 2 ta cũng có S 22 = S11 = 0 Ngoài ra, ta cũng nhận thấy rằng cửa 1 và cửa 2 luôn luôn được cách ly nhau tại cả 2 mode chẵn và lẻ do cấu trúc hở mạch hoặc nối đất của mạch phẳng đối xứng của mạch. Do đó : 3
Mạch ghép – chia công suất Wilkinson
Người soạn : KS. Nguyễn Thái Hùng
S12 = S21 = 0 Hệ số còn lại cần tìm là S33, là hệ số phản xạ nhìn vào cửa 3 khi cửa 1 và 2 được gắn tải trở phối hợp R 0.
Hình 7 : Sơ đồ mạch ghép và chia công suất Wilkinson với nguồn tại cửa 3 Do tính đối xứng giữa cửa 1 và 2, khi đặt nguồn vào cửa 3 thì tín hiệu ra tại cửa 1 và 2 là giống nhau, nên điện trở R = 2R 0 nối giữa cửa 1 và 2 bị hở mạch.
Hình 8 : Sơ đồ mạch ghép và chia công suất Wilkinson với nguồn tại cửa 3 (R bị hở mạch) Vì đường truyền phần tư bước sóng nên điện trở nhìn vào mỗi đường khi đứng tại cửa 3 là : R in1 = R in2 = R a/R 0 = 2R 0 Suy ra điện trở nhìn vào cửa 3 : R in = R 0 ⇒ S33 = 0 (phối hợp trở kháng tại cửa 3). Từ các phân tích ở trên, ta có thể viết ma trận tán xạ [S] của mạch chia công suất Wilkinson như sau : − j / 2 0 0 0 0 1 [S] =
0 − j /
0 2
− j /
− j / 2
2
0
=
− j 2
0 0
1
1 1 0
Nhận xét : • [S] đối xứng qua đường chéo • Phối hợp trở kháng tại các cửa • Không thỏa mãn điều kiện Kronecker. Do đó có tổn hao. Chú ý : • Khi dùng để ghép công suất từ cửa 1 và 2 đến cửa 3, chỉ có thành phần mode lẻ bị tiêu tán công suất trên điện trở R = 2R 0. Còn thành phần tín hiệu trên mode chẵn không bị tiêu hao công suất.
4
Mạch ghép – chia công suất Wilkinson
Người soạn : KS. Nguyễn Thái Hùng
Khi dùng để chia công suất 3 dB từ cửa 3 đến cửa 1 và 2 đều được PHTK thì tín hiệu không bị tiêu hao công suất. Chỉ khi cửa 1 và 2 không được PHTK thì sẽ gây sóng phản xạ tại 2 cửa này và tín hiệu bị tiêu hao công suất trên điện trở R = 2R 0. • Các đặc tính phân chia công suất và phối hợp trở kháng của mạch Wilkinson chỉ đúng tại một tần số hoạt động f 0 định trước (do chiều dài mỗi đường là λ/4 tại f 0). Tại các tần số khác, các đặc tính này, nhất là sự phối hợp trở kháng tại các cửa, đều thay đổi. •
Tài liệu tham khảo
[1] Vũ Đình Thành, “Lý thuyết cơ sở kỹ thuật siêu cao tần”, Nhà xuất bản Đại Học Quốc Gia 2003. [2] Vũ Đình Thành, “Mạch siêu cao tần”, Nhà xuất bản Khoa Học và Kỹthuật.
5