Transistores O transistor é um componente eletrônico que começou a popularizar-se na década de 1950, 1950 , tendo sido o principal responsável pela revolução da eletrônica na década amplificadores
e
de
1960. 1960.
interruptores
São
de
utilizados
sinais
principalmente
elétricos.
O
termo
como vem
de transferresistor (resistor/resistência de transferência), como era conhecido pelos seus inventores. O processo de transferência de resistência, no caso de um circuito analógico, significa que a impedância característica do componente varia para cima ou para baixo da polarização pré-estabelecida. Graças a esta função, a corrente elétrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parâmetros pré-estabelecidos pelo projetista do circuito eletrônico. Esta variação é feita através da variação de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente, ocasiona o processo de amplificação de sinal. Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal elétrico mais fraco num mais forte. Um sinal elétrico de baixa intensidade, como os sinais
gerados
por
um microfone microfone,,
é
injetado
num
circuito
eletrônico
(transistorizado por exemplo), cuja função principal é transformar este sinal fraco
gerado
pelo
microfone
em
sinais
elétricos
com
as
mesmas
características, mas com potência suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo se dá o nome de ganho de sinal.
Importância O transistor é considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenções da história moderna, tendo tornado possível a revolução dos computadores e equipamentos eletrônicos. A chave da importância do transistor na sociedade moderna é sua possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando técnicas simples, resultando preços irrisórios.
VMOS Transistores de Efeito de campo Transistores campo VMOS efeito ou FETs são uma forma de MOSFET de potência e esses componentes eletrônicos são usados para uma variedade de aplicações onde os poderes médio são obrigatórios. Os ganhos VMOS FET seu nome do fato de que é "Silicon Oxide Vertical Metal". A partir deste podese imaginar que o VMOS FET tem muitas semelhanças com tecnologia MOS, mas a estrutura é organizada com um V-groove que também adiciona uma nova dimensão ao VMOS nome. Quando VMOS FETs foram introduzidas pela primeira vez que fora realizada bipolar tecnologia de semicondutores em muitos aspectos, tornando o design de amplificadores muito mais barato e mais fácil. Desde sua introdução VMOS FETs tornaram-se firmemente estabelecida como útil poder MOSFET componentes eletrônicos que podem ser usados para uma variedade de aplicações de potência MOS variando de fonte chaveada para aplicações através de amplificadores de RF de média potência. Eles também são incorporados em muitos circuitos integrados, eles são capazes de mudar muito rapidamente.
VMOS estrutura FET VMOS FETs são capazes de superar muitos dos problemas que impediram FETs sendo usados em aplicações de potência. Sua nova estrutura permitiu poderes muito maiores para serem manipulados que era possível anteriormente com transistores bipolares de um tamanho equivalente e custo. A razão para esta grande melhoria está na estrutura do dispositivo. Para mostrar as vantagens de um dispositivo MOS FET VMOS tradicionais. Aqui pode-se observar que o dreno ea fonte são separados pelo portão. A corrente flui horizontalmente entre a fonte eo dreno, controlada pelo potencial no portão. Como a corrente flui somente através de uma área relativamente pequena, os valores de resistência podem ser elevados reduzindo a eficiência do dispositivo. O FET VMOS usa uma estrutura diferente O ponto mais marcante sobre o novo dispositivo é o groove V na estrutura que é a chave para o funcionamento do dispositivo. Pode ser visto que a fonte está no topo do dispositivo, e
o
ralo
permanece na
parte
inferior. Em
vez de
fluir
horizontalmente, como no padrão FET, a corrente neste dispositivo flui verticalmente dando o dispositivo de seu nome - Vertical Metal Oxide Silicon, VMOS.
Campo VMOS estrutura de transistor de efeito O dispositivo utiliza duas conexões para a fonte e, consequentemente, há uma área muito grande através dos quais a corrente pode fluir. Isto reduz a resistência ON do dispositivo que lhe permite lidar com potências muito superiores FETs convencionais. O portão consiste em uma área metalizada sobre o sulco V e este controla o fluxo de corrente na região P. Como a porta é fabricada, desta forma,
significa
que
o
dispositivo
retém
a
resistência
de
entrada
excepcionalmente alta típica da família de dispositivos MOS. A principal desvantagem do FET VMOS é que a estrutura é mais complicada do que um FET tradicional e isso torna um pouco mais caro.
Comparado ao MOSFET planar disponível comercialmente, o VMOS tem valores de resistência de canal menores e especificações de corrente e potência maiores. No VMOS, os níveis reduzidos de armazenamento de carga proporcionam períodos de chaveamento mais rápidos, quando comparados aqueles obtidos para construção planar convencional.
