Facultad de Ing niería Eléctrica y Electró ica APELLIDOS Y NOMBRES
MATRICULA
Yanayaco Misari, Nick
TEMA
CURSO
Lab. De De Di Dispositivos El Electrón cos
INFORME
PREVIO
13190264
El Transisto Transistorr Bipola Bipolar PNP. Características Básicas
FECHAS
R alización
OTA
Entrega
NUMERO
6
GRUPO
“6” (jueve (juevess 2 – 4 p.m p.m.) .)
16 de
23 de
Octubre 2014
Octubre 2014
PROFESO
Ing. ng. LUI LUIS PAR PARETT ETT
I. TEMA: EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP CARACTERÍSTICAS BÁSICAS EXPERIMENTO
Transistor Descripción Caso y Aplicación Estilo code
ASY 26
Diag. 0 N
PNP – Ge T 05
25a
6
Máxima Corriente en el Colector (Amp) Ic
Colector a Emisor (volts) BVceo
Colector a Base (volts) BVcbo
Emisor a Base (volts) BVebo
Hfe β
Disipación Máxima del Colector (watts)
Frecue ncia (M Hz) ft
0.3
20
25
12
40
0.15
5
V. PROCEDIMIENTO:
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener el β (P1 = 0 Ω). b) Medir los voltajes entre colector – emisor (Vce), entre base – emisor (Vbe), y entre emisor – tierra (Ve). c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2
Valores ( R1= 56 KΩ )
Ic(mA.)
Ib (µA.)
β
Vce(v.)
Vbe(v.)
Ve(v.)
Teóricos
- 4.24
-0.106
40
-6.361
-0.3
-1.3992
TABLA 2
d) Cambiar R1 a 68K Ω, repetir los pasos (a) y (b), anotar los datos obtenidos en la Tabla 3 (por ajuste de P1).
Valores ( R1= 56 KΩ )
Ic(mA.)
Ib (µA.)
β
Vce(v.)
Vbe(v.)
Ve(v.)
Teóricos
-3.532
-0.088
40
-7.302
-0.3
-1.166
TABLA 3 e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K Ω , 250K Ω, 500K Ω y 1M Ω . Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce (Usar Re=0). Llenar la Tabla 5
P1
100K Ω
250K
Ic(mA.)
-24 4
-0.984
Ib(uA.)
-0.0 1
-0.025
Vce(v.)
-95 5
-11.016
Hallando el punto de operación
- Del Transistor ASY 26 Datos: R1= 56 KΩ R2= 22 KΩ Re= 0.33 k Ω Rc= 1 KΩ VBE= - 0.3 v P1= 0 KΩ β = 40
Datos: R1= 56 KΩ R2= 22 KΩ Re = 0 k Ω Rc= 1 KΩ VBE= - 0.3 v P1= 500 KΩ β = 40 ??ℎ =
(22).(-12) = - 0.457 v 56 + 22 + 500
? ?ℎ =
(22)(306) 56 + 22 + 250
= 21.163 kΩ
?? =
- 0.457 – (- 0.3) 21.163
= - 7 .419*10−3 mA
?? = (40) (- 7 .419*10−3)
?? = - 0.297 mA
- 0.297 = (-12) - ???
??? = -11.703 v
Datos: R1= 56 KΩ R2= 22 KΩ Re = 0 k Ω Rc= 1 KΩ VBE= - 0.3 v P1= 1000 KΩ β = 40 ??ℎ =
(22).(-12) = - 0.245 v 56 + 22 + 1000
? ?ℎ =
(22)(306) 56 + 22 + 250
?? =
- 0.457 – (- 0.3) 21.163
= 21.551 kΩ
?? = (40) (- 2.552*10−3)
- 0.102 = (-12) - ???
= - 2.552*10−3 mA
?? = - 0.102 mA
??? = -11.898 v
CONCLUSIONES
He podido concluir que cada transistor cuenta con sus propias características; influyendo en sus cálculos por eso con solo variar su Hfe todo los resultados varían dando así a cada uno de ellos diferentes puntos de operación y por ende diferente forma de trabajo para cada sistema o circuito plateado. BIBLIOGRAFÍA
-
Guía para mediciones electrónicas y prácticas de laboratorio. Stanley Wolf y Richard Smith.
