MEMORIA RAM DINÁMICA DRAM (Dinamic Random Access Memory): Son memorias en las cuales el estado (0 ó 1) se almacena en un dispositivo electrónico cuya forma de funcionamiento podemos compararla con un condensador que tiende a descargarse. Por ello, cada cierto tiempo, entre 1 y 18 millones de veces cada segundo, hay que enviar una señal, que se denomina señal de refresco, que recuerde a la memoria la información que posee, ya que ésta, se pierde poco después de haberse introducid introducido. o. El microprocesador es el que da las órdenes oportunas para que la señal de refresco Llegue a la memoria. La frecuencia de esta señal de refresco tiene que ser suficientemente alta para que no de tiempo a que se pierda la informació información n contenida en la memoria. La capacidad de las memorias DRAM va de 64Kbit a 32Mbit (la capacidad de los chips de memoria se suele medir en bits y no en bytes). El tiempo medio de acceso de esta memoria oscila entre 80ns y 50ns. Actualmente no se emplean directamente los chips de memoria, sino que se agrupan varios en una placa, con un conector estándar para poder colocarse mejor; son los llamados SIMM (Single Inline Memory Module) que han existido de dos tipos: de 30 contactos (casi en desuso) y de 72 contactos. Posteriormente aparecieron los llamados DIMM (Dual Inline Memory Module), que tienen 168 contactos y su capacidad varía desde 8Mb hasta 128 MB. Las figuras siguientes representan los distintos tipos de módulos de memoria que se han existido y existen, así como los tamaños del bus de datos y direcciones de cada uno, en el caso de las memorias dinámicas la memoria direccionable es el doble del tamaño del bus de direcciones, ya que las direcciones se dividen en filas y columnas y se envían consecutivamente ambas por el mismo bus. El tamaño del bus de direcciones indica el máximo tamaño que puede tener una de dichas memorias, también las hay de menor capacidad, en ese caso no se utilizan las líneas de direcciones altas del bus.
Memoria RAM estática Es un tipo de memoria basada en semiconductores capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de refresco Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30
nanosegundos, mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos. .-Es una memoria estática que está compaginada con el procesador para evitar estados de espera y es capaz de soportar velocidades de bus de 100 y 133MHz, alcanzando velocidad de hasta menos de 10ns
A) SRAM PROVIENE DE ("STATIC READ ALEATORY MEMORY"), lo que traducido significa memoria estática de acceso aleatorio. Se trata de una memoria RAM que tiene la característica de estar construida a base de transistores (a diferencia de la memoria DRAM que la mayoría utilizamos en las computadoras, la cuál esta fabricada a base de capacitores). La característica mas importante de la memoria SRAM es que por las propiedades electrónicas del transistor, este no necesita estarse cargando constantemente de electricidad (a diferencia del capacitor de la DRAM, el cuál necesita constantemente recargándose, porque en caso contrario pierde el dato almacenado); por ello tienden a ser memorias sumamente rápidas y también costosas (ya que es mas caro fabricar un transistor que un capacitor). Son memorias físicamente semejantes a las memorias DRAM convencionales (SIMM, DIMM, RIMM, DDR, etc.), que tienen un conector para ser insertadas en una ranura especial para ellas en latarjeta principal (Motherboard).
B) MEMORIA CACHÉ: es sinónimo de SRAM, ya que es el tipo de almacenamiento en que más se basa su uso, sin embargo también es posible crear segmentos de Caché en discos duros yunidades SSD, cumpliendo la función de almacenar datos e instrucciones utilizadas frecuentemente, pero sin punto de comparación con respecto a la velocidad que logra desarrollar la SRAM.
Usos específicos de la memoria SRAM Se utiliza para agilizar la velocidad de acceso a datos en una computadora, evita el acceso del microprocesador a la memoria RAM convencional (en este proceso se pierde mucho tiempo), así que se encarga de almacenar datos e instrucciones frecuentemente utilizados, por lo que el microprocesador primero buscará en ella y es seguro que encuentre el dato de manera rápida; en caso de no hallar el dato entonces procederá a la RAM convencional.
FUNCIONAMIENTO DE UNA MEMORIA SRAM Ó CACHÉ 1) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica alta cuándo indica el valor 1. 2) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo indica el valor 0. 3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la información se pierde. 4) Este tipo de celdas no se descargan mientras la computadora este encendida, por ello es que son sumamente rápidas ya que no presentan el fenómeno de "refrescar memoria" de las memorias DRAM .
Animación de funcionamiento interno de una memoria SRAM
PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA SRAM Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria. 2.- Chips: son módulos de memoria volátil SRAM. 3.- Conector (80 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para SRAM. 4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria.
CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA SRAM
Son memorias caras y por lo tanto de m uy poco uso. Cuentan regularmente con 80 pines que se insertan en una ranura especial. Tienen por lo general muy poca capacidad de almacenamiento, pero son muy veloces. Puede convivir con otro tipo de memorias en la misma tarjeta principal ("Motherboard"). Actualmente se les clasifica en niveles ("Level"), por lo que se les identifica como L1, L2 y L3.
Niveles de Caché (L1, L2 y L3)
Memoria L1: se encuentra integrada dentro de los circuitos del microprocesador y eso la hace más cara y
más complicado el diseño, pero también mucho más eficiente por su cercanía al microprocesador, ya que funciona a la misma velocidad que él. Esta a su vez se subdivide en 2 partes. - L1 DC: "LEVEL 1 DATE CACHE": se encarga de almacenar datos usados frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlos, inmediatamente los utiliza, por lo que se ag ilizan los procesos. - L1 IC: "LEVEL 1 INSTRUCTION CACHE": se encarga de almacenar instrucciones usadas frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlas, inmediatamente las recupera, por lo que se agilizan los procesos. MEMORIA L2: esta es la que viene en forma de tarjetas de memoria, para ser insertada en una ranura (Slot) especial de la tarjeta principal (Motherboard) y funciona a la velocidad de trabajo de la misma. Actualmente la memoria L2 viene integrada en el microprocesador, se encarga de almacenar datos de uso frecuente y agilizar los procesos; determina por mucho si un microprocesador es la versión completa ó un modelo austero. MEMORIA L3: esta memoria es un tercer nivel que soportan principalmente los procesadores de la firma AMD®. Con este nivel de memoria se agiliza el acceso a datos e instrucciones que no fueron localizadas en L1 ó L2. Si no se encuentra el dato en ninguna de las 3, entonces se accederá a buscarlo en la memoria RAM
Conclusión Para resumir lo explicado anteriormente, la memoria RAM estática es rápida y cara, y la memoria RAM dinámica es más barata pero algo más lenta. Por ello, la RAM estática se usa para crear la caché de alta velocidad en la CPU, mientras que la RAM dinámica forma el extendido espacio del sistema RAM.
