Historia de la Memoria RAM
³La memoria RAM es una memoria volátil, es un tipo de memoria temporal que pierden sus datos cuando se quedan sin e nergía. Se utiliza generalmente generalmente para almacenar temporalmente datos, con este trabajo trabajo pretendemos mostrar la historia y la evolución de la memoria RAM a través del tiempo desde un punto de vista técnico.´ Mensionaremos clases de memorias. FPM-RAM Fecha de introducción: 1990 Descripción de la tecnología
Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu. La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser e n la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso más rápido de la FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos consecutivos. elocidad de transferencia: 200 MB/s V elocidad E DO-RAM Fecha de introducción: 1994 Descripción de la tecnología
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. V elocidad elocidad
de transferencia: 320 MB/s
B E DO-RAM
Fecha de introducción: 1997 de la tecnología
Descripción
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se ac cede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no pued e funcionar por encima de los 66 MHz. V elocidad elocidad de transferencia: Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s 1997
S D R S D RAM Descripción
de la tecnología
Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de e spera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior. Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores portátiles.
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PC66 Fecha de introducción: 1997 V elocidad elocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.
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PC100 Fecha de introducción: 1998 V elocidad elocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.
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PC133 Fecha de introducción: 1999 V elocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.
DD R- S D RAM Descripción
de la tecnología Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado.
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PC1600 - DD R200 Fecha de introducción: 2001 V elocidad de transferencia 1600 MB/s
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PC2100 - DD R266 Fecha de introducción: 2002 V elocidad de transferencia 2133 MB/s
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PC2100 - DD R266 Fecha de introducción: A mediados del 2003 Velocidad de transferenciaTecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.
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PC3200 ± DD R400 Fecha de introducción: Junio del 2004 V elocidad de transferencia Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.
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PC4200 ± DD R533 Fecha de introducción: A mediados del 2004 V elocidad de transferencia Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.2 GB/s.
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PC4800 ± DD R600 Fecha de introducción: A mediados del 2004 V elocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s.
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PC5300 ± DD R667 Fecha de introducción: A finales del 2004 V elocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.
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PC6400 ± DD R800 Fecha de introducción: A finales del 2004 V elocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.
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DD R3
± 800 Fecha de introducción: Junio del 2004 V elocidad de transferencia Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.
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DD R3
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DD R3
± 1333 Fecha deintroducción: Mayo de 2007 V elocidad de transferencia De las primeras memorias clasificadas como de ³Low-Latency´ con velocidades de transferencia de 10.667 GB/s @ 1333 MHz
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DD R3
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DD R3
± 1066 Fecha de introducción: Mayo del 2007 V elocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.
± 1600 Fecha de introducción: Julio de 2007 V elocidad de transferencia de la información 12.80 GB/s @ 1600 MHz
± 1800 Fecha de introducción: Agosto de 2007 Velocidad de transferencia 14.40 GB/s @ 1800 MHz
± 2000 Fecha de introducción: Marzo de 2008 (pruebas) V elocidad de transferencia 16.0 GB/s @ 2000 MHz
R D RAM Descripción de la tecnología También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit
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RAM BUS PC600 Fecha de introducción: 1999 V elocidad de transferencia 1.06 GB/s por canal, que hacen en total 2.12 GB/s @ 266MHz
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RAM BUS PC700 Fecha de introducción: 1999 V elocidad de transferencia 1.42 GB/s por canal, que hacen en total 2.84 GB/s @ 356 MHz
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RAM BUS PC800 Fecha de introducción: 1999 V elocidad de transferencia 1.6 GB/s por canal, que hacen en total 3.2 GB/s @ 400 MHz
E S D RAM Fecha de introducción: A mediados de año de 1999 Descripción de la tecnología Esta memoria incluye una pequeña memoria e stática en el interior del c hip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales. V elocidad de transferencia de la información: Hasta 1.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3.2 GB/s @ 150 MHz Flash Memory Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos la opción de utilizarla también como memoria RAM, a c ontinuación las características: Fecha de introducción Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunció el tipo NAND en el ISSCC. Descripción de la tecnología Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND. V elocidad de transferencia La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las mismas, se ha ido incrementando progresivamente, generalmente la velocidad es mayor en lectura que en escritura. Las más comunes actualmente tienen una velocidad de transferencia de ~20 MB/s, aunque la nueva gene ración de tarjetas permitirá velocidades de hasta 30 MB/s.
Historia de la Memoria ROM
El tipo más simple de ROM en estado sólido es de la misma antigüedad que la propia tecnología semiconductora. Las puertas lógicascombinacionales pueden usarse en conjunto para indexar una di rección de memoria de n bits en valores de m bits de tamaño (una tabla de consultas). Con la invención de los circuitos integrados se desarrolló la máscara ROM. La máscara ROM consistía en una cuadrícula de líneas f ormadas por una palabra y líneas formadas por un bit seleccionadas respectivamente a partir de cambios en el transistor. De esta manera podían representar una tabla de consultas arbitraria y un lapso de propagación deductible. En las máscaras ROM los datos están codificados en el mismo circuito, así que sólo se pueden programar durante la fabricación. Esto acarrea serias desventajas: Sólo es económico comprarlas en grandes cantidades, ya que el usuario contrata fundiciones para producirlas según sus necesidades. El producto entre completar el diseño de la máscara y recibir el resultado final es muy largo. Son inútiles para I+D por el hecho de que durante el desarrollo se ha de producir más de una. Si un producto tiene un error en la máscara, la única manera de arreglarlo es cambiando físicamente la ROM. Los desarrollos posteriores tomaron en cuenta estas deficiencias, así pues se creó la memoria de sólo lectura programable (PROM). Inventada en 1956 permitía a los u suarios modificarla sólo una vez con la aplicación de pulsos de alto voltaje. Eliminó los problemas 1 y 2 antes mencionados, ya que el usuario podía pedir gran cantidad de PROMs vacías y programarlas con el contenido necesario elegido por los diseñadores. En 1971 se desarrolló la memoria de sólo lectura programable y borrable (EPROM) que permitía reiniciar su contenido exponiendo el dispositivo a fuertes rayos ultravioleta. De esta manera erradicaba el punto 3 de la anterior lista. Más tarde en 1983 se i nventó la EEPROM, resolviendo el conflicto número 4 de la lista ya que se podía reprogramar el contenido mientras proveyese un mecanismo para recibir contenido externo (por ejemplo, a través de un cable serial). En medio de la década de 1980 Toshiba inventó la memoria flash, una forma de EEPROM que permitía eliminar y reprogramar contenido en una misma operación mediante pulsos eléctricos miles de veces sin sufrir ningún daño. Todas estas tecnologías mejoraron la versatilidad y flexibilidad de la ROM aunque el costo por chip incrementaba. Por eso las máscaras ROM fueron la solución económica durante bastantes años. Aún así, hay que tener en cuenta que las nuevas tecnologías con más capacidad de modificación estuvieron diseñadas para eliminar del mercado a las ROM y reemplazarla. El producto más reciente es la memoria NAND, otra vez desarrollada por Toshiba. Los diseñadores rompieron explícitamente con el pasado diciendo que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros y no de la antigua ROM. En 2007, NAND ha avanzado bastante en su meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a los choques físicos y una miniaturización extrema (como por ejemplo memorias USB y tarjetas de memoriaMicroSD). Uso
de la ROM para almacenamiento de software
Los ordenadores domésticos a comienzos de los años 1980] venían con todo su sistema operativo en ROM. No había otra alternativa razonable ya que las unidades de disco eran generalmente opcionales. La actualización a una nueva versión significa usar un soldador o un grupo de interruptores DIP y reemplazar el viejo chip de ROM por uno nuevo. Actualmente los sistemas operativos en general ya no van en ROM. Todavía los ordenadores pueden dejar algunos de sus programas en memoria ROM, pero incluso en este c aso, es más frecuente que vaya en memoria flash. Los teléfonos móviles y los asistentes personales digitales (PDA) suelen tener programas en memoria ROM (o por lo menos en memoria flash). Algunas de las videoconsolas que usan programas basados en la memoria ROM son la SuperNintendo, la Nintendo 64, la Se ga Mega Drive o la GameBoy. Estas memorias ROM, pegadas a cajas de plástico aptas para ser utilizadas e introducidas repetidas veces, son conocidas como cartuchos. Por extensión la palabra ROM puede referirse también a un archivo de datos que contenga una imagen del programa que se distribuye normalmente en memoria ROM, como una copia de un cartucho de videojuego. Una razón de que todavía se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad ya que los discos son más lentos. Aún más importante, no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la BIOS, o el sistema de arranque oportuno del PC normalmente se encuentran en una memoria ROM.
