Informe Practica Polarizacion de Transistores

Universidad de Pamplona Pamplona - Norte de Santander - Colombia Tels: (7) 5685303 - 568530 - 5685305 - !a": 568#750 - $$$%&nipamplona%ed&%'o

Polarización de transistores. RESUMEN a pr*'ti'a reali+ada sobre la polari+a'i,n polari+a'i,n de transistores dio a 'ono'er m*s a'er'a del &so  apli'a'iones apli'a'iones de &n transistor% .dem*s de las 'on/i&ra'iones en emisor 'om1n2 estabili+ador 'on resisten'ia en el emisor2 divisor de tensi,n2  'on resisten'ia de retroalimenta'i,n2 se i+o &so de los volta4es  'orrientes &e pasan por el emisor2 base  'ole'tor de &n transistor% No solo se p&so en pr*'ti'a las /,rm&las de 'ada polari+a'i,n2 en la vida vida real real los valores valores te,ri'o te,ri'os s p&eden p&eden variar variar por 'ondi' 'ondi'ion iones es a las '&ales '&ales los elemen elementos tos est*n est*n e"p&estos% n el trans'&rso de la pr*'ti'a se di/eren'i, si en realidad el 'omportamiento de &n transistor p&ede llear a ser per/e'to% PNP2 polari+a'i,n e misor 'om1n2 po lari+a'i,n 'on Palabras clave: esisten'ia2 emisor2 base2 'ole'tor2 NPN2 PNP2 resi resist sten en'i 'ia a en el emis emisor or22 pola polari ri+a +a'i 'i,n ,n por por divi diviso sorr de tens tensi, i,n2 n2 pola polari ri+a +a'i 'i,n ,n 'on 'on retroalimenta'i,n2 be2 'e2 beta2 9sat2 9'2 t2 t2 p&nto %

resi resist sten en'i 'ia a

de

TRANSISTOR POLARIZATION. ASTRA!T

The practice carried out on the polarization of transistors revealed more about the use and applications of a transistor. In addition to the congurations in common emitter, stabilizer with resistan resi stance ce in the emitt emitter, er, volta voltage ge divid divider, er, and with feedback feedback res resistan istance, ce, the voltages and currents passing through the emitter, base and collector of a transistor were used. Not only the formulas of each polarization were put into practice, in real life the theoretical values can vary according to the conditions to which the elements are exposed. In the course of practice, it diered if in reality the behavior of a transistor could become perfect. Keywords! "es Keywords! esis isto tor, r, em emit itte ter, r, ba base se,, co coll llec ecto tor, r, N# N#N, N, #N #N#, #, co comm mmon on em emit itte terr po pola lari riza zati tion on,, polarization with resistance in the emitter, polarization by voltage divider, polarization with feedback resistance, $be, $ce, beta, Isat, Ic, "th, $th, point %.

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INTRO#U!!I$N

Se1 Se1n n (;T (;Transi ransist stor or;2 ;2 #08) #08)22 el tran transi sist stor or es &n 'omponente ele'tr,ni'o semi'ond&'tor &e tiene la /&n' /&n'i, i,n n de ampl ampli/ i/i' i'ar ar22 'ont 'ontro rola larr2 'onm 'onm&t &tar ar o re'ti/i re'ti/i'ar 'ar imp&ls imp&lsos os el<'tri el<'tri'os 'os%% Transist ransistor or es &na 'ontra''i,n de las palabras en inl
Ilustración 2

Ilustración 1

Cada Cada &na &na '&mp '&mple le 'on 'on &na &na de las las si& si&ie ient ntes es /&n'iones2 'omo se m&estra en la il&stra'i,n #: misor: emite ele'trones% >ase: mod&la o re&la el paso de los ele'trones% Cole'tor: re'ibe o re'ole'ta los ele'trones emitidos%

os transistores transistores permiten permiten 'ontrolar 'ontrolar  re&lar re&lar &na 'orriente rande a trav









en el *mbito de la ele'tr,ni'a 'omo2 por e4emplo2 en las memorias port*tiles%

diodo de emisor 'ontrola la /&ente de 'orriente del 'ole'tor%

n (Aalvino2 s%/%)2 'lasi/i'an 'lasi/i'an los transistores 'omo:

Trans ransis isto torr pnp: pnp: @isp @ispos osit itiv ivo o de dos dos &nio &nione nes s semi'ond&'toras2 /ormando tres +onas% Transistor &e 'ontiene &na rei,n n entre dos reiones p%

Trans Transist istor or bipolar bipolar:: .&el .&el en &e son ne'esar ne'esarios ios tanto los ele'trones libres 'omo los &e'os para el /&n'ionamiento normal% Transisto Transistorr @arlinton: @arlinton: @os transistores transistores 'one'tados 'one'tados para obtener &n valor B m& rande% l emisor del prim primer er tran transi sist stor or e"'i e"'ita ta la base base del del se& se&nd ndo o transistor%

Transistor &ni&ni,n% .breviado UDT (en inl
Transistor de e/e'to 'ampo: Transistor &e re&iere la a''i,n de &n 'ampo el<'tri'o para 'ontrolar s& 'ond&'tividad% Transistor de pe&e?a se?al: Transistor &e p&ede disipar 025  o menos% Transistor de poten'ia: Transistor &e p&ede disipar m*s de 025 % os transistores de poten'ia son /=si /=si'a 'ame ment nte e mao maore res s &e &e los los tran transi sist stor ores es de pe&e?a se?al% Trans ransis isto torr e"te e"tern rno o de pote poten' n'ia ia:: Trans ransis isto tor r 'one't 'one'tado ado en paralel paralelo o 'on &n 'ir'&i 'ir'&ito to re&la re&lador dor para a&mentar la 'antidad de 'orriente de 'ara &e p&ede re&lar el 'ir'&ito en 'on4&nto% l transistor e"terno: de poten'ia se a'tiva a &n nivel de 'orriente 'orriente predeterminado predeterminado  s&ministra s&ministra la 'orriente adi'ional re&erida por la 'ara% Trans ransis isto torr ideal ideal:: Prim Primera era apro" apro"im ima' a'i, i,n n de &n trans transis isto torr% n este este model modelo o se s&po s&pone ne &e &e &n transistor 'onsta solamente de dos partes: &n diodo de emis emisor or  &n diod diodo o de 'ole 'ole't 'tor or%% .l diodo diodo de emisor se le trata 'omo &n diodo ideal% Aientras &e al diodo de 'ole'tor se le 'onsidera 'omo &na /&ente de 'orriente 'ontrolada% a 'orriente en el

Ilustración 3










En este laboratorio aremos uso del transistor BJT, (unión bipolar). Según (Boylestad, Nashelsky, Nashelsky, s..) s..) en este este 'ap=t& 'ap=t&lo lo se anali+a anali+an n varias varias redes% redes% Cada dise dise?o ?o tamb tambi< i
'ole't 'ole'tor or

 &na l=nea l=nea verti'a verti'all para para el volta4 volta4e e

m*"imo de 'ole'tor a emisor

%

Ilustración 5

Polari+a'iones% Ilustración 4

Una Una ve+ 'ono' 'ono'id ida a la 9>2 9>2 se p&ede p&eden n apli apli'ar 'ar las las rela'i rela'iones ones de las e'&a'iones e'&a'iones (%) a (%3) (%3) para para determinar las 'antidades de inter son son simi simila lare res s para para vari varias as 'on/i&ra'iones2 de modo &e se p&ede derivar &na e'&a'i,n de otra 'on s,lo s&primir o arear &n tDT &e permita &n an*lisis de 'd de '&al '&al& &iier sist sistem ema a &e &e p&di &diera era empl emplea earr el ampli/i'ador de >DT%

mis misor or 'om1 'om1n: n: .&n .&n '&an '&ando do la red red empl emplea ea &n transis transistor tor npn2 npn2 las e'&a'i e'&a'iones ones  '*l'&l '*l'&los os apli'a apli'an n i&a i&alm lmen ente te bien bien para para &na &na 'on/ 'on/i i&r &ra' a'i, i,n n del del trans transis isto torr pnp pnp tan tan s,lo s,lo 'on 'on 'ambi 'ambiar ar toda todas s las las dire''iones de la 'orriente  las polaridades del volta4e% Se p&ede dividir en dos /&entes (s,lo para prop,s prop,sit itos os de an*l an*lis isis is)) 'omo 'omo se m&es m&estra tra en la il&stra'i,n 6%

P&nt P&nto o de oper opera' a'i, i,n n (): (): Como Como el p&nt p&nto o de opera'i,n es &n p&nto /i4o en las 'ara'ter=sti'as2 tambi tambi
Ilustración 6










n la il&st il&stra ra'i 'i,n ,n 72 se m&es m&estra tran n las las /orm /orm&l &las as a apli'ar%

Ilustración 9

Ilustración 7

Con resisten'ia en el emisor: Contiene &n resistor emisor emisor para para me4o me4ora rarr la estabi estabili lida dad d del del nive nivell en rela'i,n 'on la de la 'on/i&ra'i,n de polari+a'i,n /i4a2 'omo se m&estra en la il&stra'i,n 8%

@ivisor de tensi,n: Un 'ir'&ito de polari+a'i,n &e depe depend nda a meno menos s de2 de2 o &e &e en real realid idad ad sea independiente2 de la beta del transistor2 a el valor de beta no est* bien de/inido  es sensible a la tempera temperat&r t&ra% a% n la il&str il&stra'i a'i,n ,n 0 se m&estr m&estra a el 'ir'&ito polari+a'i,n por divisor de tensi,n%

Ilustración 10

Ilustración 8

n la il&st il&stra ra'i 'i,n ,n E2 se m&es m&estra tran n las las /orm /orm&l &las as a apli'ar%

n la il&stra'i,n 2 se m&estran las /orm&las a apli'ar%










Ilustración 12

n la il&s il&str tra' a'ii,n 3 se p&ed p&eden en obse observ rvar ar las las /orm&las a apli'ar%

Ilustración 13 Ilustración 11

ambi
%.

MATERIALES & METO#O

Protoboard% esisten'ias% Cables de 'one"i,n% A<=metro% !&ente de alimenta'i,n% Transistores #n#### a pr*'ti'a ini'ia probando &n transistor2 &sando &n m<=metro m<=metro se medir* en 'ada par de terminales en ambos sentidos de la si&iente manera: a 4&nt&ra base-emisor (>) deber=a 'omportarse 'omo &n diodo  'ond&'ir s,lo en &n sentido%












a 4&nt&ra base-'ole'tor (>C) deber=a 'omportarse 'omo &n diodo  'ond&'ir s,lo en &n sentido% ntre 'ole'tor-emisor (C) no deber=a 'ond&'ir en nin1n sentido% n la il&stra'i,n  se m&estra el 'omportamiento de &n transistor en b&en estado%

n el se&ndo se&ndo e4er'i'io debe 'al'&lar 9b2 9e2 9'2 '2 9sat2 p&nto   e la '&al se debe variar primero en &n #5G  l&eo en &n 50G2 de &n 'ir'&ito 'on resiste resisten'i n'ia a en el emisor emisor%% Con los datos datos te,ri' te,ri'os os obte obteni nido dos s se debe debe mont monta a en la prot protob oboa oard rd el 'ir'&ito mostrado en la il&stra'i,n 62 para medir los valores valores pr*'ti'os pr*'ti'os de del 'ir'&ito 'ir'&ito  por 1ltimo 1ltimo 'al'&l 'al'&lar ar el por'ent por'enta4e a4e de error error 'ompar 'omparand ando o los datos te,ri'os 'on los pr*'ti'os%

Ilustración 14

@esp @esp&< &
Se debe reali+ar n&evamente los '*l'&los para la polar polari+ i+a' a'i, i,n n por por divi divisi si,n ,n de tens tensi, i,n2 n2 en la '&al '&al obtendr*n los valores de t2 t2 9b2 9'2 '2 9sat2 p&nto   a las   # se les debe dar &n valor de HI% &eo de obtener los valores te,ri'os se debe monta montarr en protob protoboa oard rd los los eleme element ntos os 'omo 'omo se m&estra en la il&stra'i,n 7%










".

RESULTA#OS

os res<ados &e se obtienen de la pr*'ti'a son: JFE3 Polari+a'i,n por emisor 'om1n%

Ilustración 17

Para la polari+a'i,n 'on resisten'ia de retroal retroalime imenta' nta'i,n i,n n&evam n&evament ente e de debe debe 'al'&l 'al'&lar ar (Colo'ar los datos)2 a '  e se les debe dar &n valor de HI% Aonte en la protoboard el 'ir'&ito mostrado mostrado en la il&stra'i,n il&stra'i,n 8% Aida las 'orrientes  los volta4es del 'ir'&ito% Con los valores obtenidos reali'e el por'enta4e de error%

Ilustración 19










Ilustración 21

Gráfca 2.

Gráfca 1.

$alores teóri"os.

$alores pr%"&"os










Ilustración 23.

$alores pr%"&"os. Ilustración 24

'olaria"ión "on resisten"ia en el emisor.










Ilustración 26

Gráfca 4.

Gráfca 3.

$alores teóri"os.

$alores pr%"&"os.












Ilustración 30

Ilustración 28.

$alores pr%"&"os.










Ilustración 33

Gráfca 5.

$alores teóri"os

Ilustración 34










'olaria"ión por diisor de tensión.

Ilustración 36

Ilustración 37

Ilustración 38










Gráfca 9. Ilustración 40

$alores teóri"os.










'olaria"ión "on resisten"ia resisten"ia de retroalimenta"ión. retroalimenta"ión.

Ilustración 44

Ilustración 42.

$alores teóri"os.





















%.

#IS!USI$N 'O AN(LISIS #E RESULTA#OS)

Polari+a'i,n 'on emisor 'om1n: n la il&stra'i,n E podemos observar &e &sando le d< volta4es de Hir' Hir'o// o//22 sobre sobre la malla malla #del 'ir'&ito 'ir'&ito se p&ede p&ede obtener &n valor de 9'2 este se s&stit&e en 9b para obtener el valor de la 'orriente 9b2 el valor de B para todas todas las las polar polari+ i+a' a'io ione nes s de obti obtien ene e &san &sando do el m<=metro el '&al arro4o &n BFE3% n la il&stra'i,n #0 se ve el &so del volta4e base-emisor2 apli'ando le de volta4es de Hir'o// obtenemos la variable b% Para 'al'&lar el p&nto 2 &samos 'e2 ''2 9sat e 9'% Para allar 9sat dividimos d ividimos el '' entre '% n la r*/i'a   # se m&estra el p&nto  te,ri'o 

apro"imada a la 9b ini'ial pero se ve &n 'ambio sini/i'ativo de 'e% Pol Polari+ ari+a' a'i, i,n n por por divi diviso sorr de tens tensi, i,n: n: n esta esta polar polari+ i+a' a'i, i,n n se obti obtien ene e &n valo valorr de t t  t t 'al'&lados en la il&stra'i,n 372 para apli'ar la 9b apli'am apli'amos os le de volta4 volta4es es de Hir' Hir'o// o// sobre la malla   l&eo rempla+amos en 9' para obtener este este valo valorr de 'orri 'orrient ente e 'omo 'omo se obse observ rva a en la il&stra'i,n 3% n la il&stra'i,n 0 se apli'a le de volta4es de Hir'o// sobre la malla #2 apro"imando 9'K9e2 se despe4a ' para por <imo 'al'&lar 9sat% n la r*/i'a E  0 se observan los p&ntos  te,ri'o te,ri'os s  pr*'ti pr*'ti'os 'os de la polari polari+a' +a'i,n i,n  a1n se 'ons 'onser erva va 9sat 9sat dos dos ve'es e'es mao maorr a 9'% 9'% n la il&stra'i,n 3 se observa los valores pr*'ti'os de volta4e2 'orriente  resisten'ia de 'ada &no de los element elementos os  mallas mallas del 'ir'&i 'ir'&ito2 to2 a pesar pesar de &e










de' de'ir &e los tra transistore ores son a/e'tado ados notablem notablement ente e por los 'ambios 'ambios de temper temperat&r at&ra a a medida medida &e &n transi transistor stor re'ibe re'ibe &n a&ment a&mento o de volta volta4e 4e rad& rad&al alme ment nte e a&ment a&menta a s& temp temper erat at&r &ra a enerando &na varia'i,n a sea en base-emisor2 base-'o base-'ole' le'tor tor%% n la vida vida real los transi transistor stores es no podr*n tener valores de sat&ra'i,n ideal 'omo se m&estra en la parte teori'a%

Informe Practica Polarizacion de Transistores

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