Diodos de Propósito General

Diodos de propósito general:

Los diodos rectificadores de propósito general tienen un tiempo de recuperación inversa relativamente grande, en el caso típico de 25μs, y se usan en aplicaciones de baja velocidad dond dondee no es crít crític ico o el tiem tiempo po de recu recupe pera raci ción ón,, com como lo son son los los rect rectif ific icad ador ores es y convertidores de diodo para aplicaciones con una frecuencia de entrada baja de hasta 1K!" #stos diodos cumplen especificaciones de corriente desde menos de 1$ y hasta varios miles de amperes, y las especificaciones de voltaje van de 5%& hasta 5K&" #n general, estos diodos se fabrican por difusión ' Consiste en la inserción de átomos dopantes dentro del semiconductor debido a la alta temperatura a que éste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentración de dopantes. El proceso consiste en introducir las obleas de semiconductor en un horno y dejar pasar a través de ellas un gas, el cual contiene las impurezas. a temperatura es de !"" a #$""%C para el &i '&ilicio( y de )"" a #"""%C para el *as '+rseniuro de galio(

(1)*"

Diodos de recuperación rápida:

Los diodos de recuperación r+pida tienen un tiempo de recuperación corto, en el caso normal menor ue 5μs" -e usan en circuitos convertidores de ./ a ./ y de ./ a .$, donde con frecuencia la velocidad de conmutación tiene una importancia crítica" #stos diodos abarcan especificaciones de voltaje desde 5%& hasta 0K&, y de menos de 1$ hasta cientos de amperes" ara voltajes nominales mayores ue %%&, los diodos de recuperación r+pida se suelen fabricar por difusión, y el tiempo de recuperación se controla por difusión de platino o de oro" ara voltaje nominales menores de %%& los diodos epita3iales ' a epitaia se refiere a un proceso en la fabricación de circuitos integrados. + partir de una cara de un cristal de material   semiconductor, o sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que  semiconductor, este. -ediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carácter ' o /(. /ara hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusión y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice recristalice con la estructura adecuada.  (2)*

proporcionan

velocidades mayores de conmutación ue las de los diodos por conmutación"

Diodos de carburo de silicio:

#l carb carbur uro o de sili silici cio o '-i. '-i.** es un mate materi rial al nuevo nuevo en la elect electró róni nica ca de pote potenci ncia" a" -us -us  propiedades físicas mejoran mucho las del -i y del 4a$s" -us principales características son •

•

.omportamiento ultrarr+pido en conmutación, la temperatura no influye sobre el comportamiento de conmutación"  6o tiene tiempo de recuperación inversa"

•

#l campo el7ctrico m+3imo es superior al ue soporta el -i"

•

8enor resistencia en conducción"

•

8ayor conductividad t7rmica"

#n la figura 1 se observa una comparación del diodo de -i. frente diodos de recuperación r+pida y ultrarr+pida, en el cual se observa ue su tiempo de recuperación del diodo de -i. es el mejor y sus p7rdidas son las m+s bajas"

Figura 1. .omparación de diodos de -i de recuperación r+pida y ultra r+pida frente a los diodos de -i., en una aplicación de un convertidor elevador" [3]

Las características el7ctricas de los diodos de -i. los hacen de gran importancia para aplicaciones de potencia a altas temperaturas y aplicaciones de conmutación a alta frecuencia"

Referencias: [1] 9/ifusión en estado sólido:" ;ien>estado>sólido   [2] 9#pita3ia:" ;i
#scuela

de

ingeniería"

/isponible

  [3] Lic" ?obert @sias Auispe ?omero" 9/ispositivos electrónicos de Bltima generación y alta potencia:" .eti, #scuela de ingeniería" /isponible http==;;;"usmp"edu"pe=vision2%12>lima=-#8@6$?@C-=seminariosDueves=dispositivos"pd f