Encapsulados De Los Diodos Wainder Peinado Regalado, Ana María Osorio Velazco Pamplona Norte de Santander ni!ersidad de Pamplona "ainderpere#$otmail%com, amariaosorio!#gmail%com
Este docume documento nto present presentaa el encapsu encapsulado lado de los Resumen - Este diodos, la curva característica de voltaje vs corriente de esté, tiempo tiempo de recup recupera eració ción n en invers inversaa de esté, esté, capacit capacitanci anciaa de transición y difusión de esté, la idea es tener en en cuenta todo lo referente a os diodos, como se forman y como es su corriente en directa como en inversa, ya que ellos se forman de una manera diferente en inversa que en directa,
This document presents the encapsulation of the diode , the characteristic curve of voltage vs. current is , recovery time Reverse is , capacitance transition and diffusion of this , the idea is to consider everything aout you diodes , as form and as its direct current and reverse , since they are formed in a different !ay than in direct inverse . Abstract -
Figura 1 &%
"#TR$%&''"$#
Es conocido generalmente en el campo de la electr'nica, (omo uno de los primeros componentes m)s importantes al momen omento to de mont montar ar un circ circui uito to,, * cont contie iene ne cier cierta tass características +ue se representaran en graicas e im)genes, este este elem elemen ento to tien tienee su cara caract cter eríst ístic icaa al mome moment nto o de dise-arse, como su polarizaci'n .in!ersa o directa/, *a +ue para cada tipo de uso tiene un componente dierente, gracias a estos conceptos se implementara la aplicaci'n de apartes te'ricos !istos con anterioridad, la !eracidad o !eriicaci'n de los mismos mediante la pr)ctica%
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()R'$ TE$R"'$.
En depend dependenc encia ia de la tensi' tensi'n n o !olta !olta0e 0e +ue sopor soportan, tan, la intensidad de la corriente de tra1a0o, la unci'n especíica +ue tendr)n asignada dentro de un circuito electr'nico * la potencia +ue disipan en "att, los diodos se comercializan con die diere rente ntess tipos tipos de enca encaps psul ulad ados os%% Adem) dem)s, s, un diod diodo o especí especíico ico puede tener tama-o * características características de tra1a0o tra1a0o dierentes, así como dierente orma de encapsulado%
En est staa il ilus ustr traaci ci'n 'n ap apar arec eceen !ar ario ioss di diod odo os de cara ca ract cter eríst ístic icas as * us usos os%% Di Die ere rente ntess * co con n en enca caps psula ulado doss tam1i2n dierentes% El tipo de encapsulado de estos diodos se identiica con las% Siguientes% Siglas3 4%5 DO67, 8%5 DO594, 6%5 SOD57:, 9%5 ;O56, 7%5 ;O59<, =%55 SOD5 =% SOD586 86,, :%5 >?L >?L,, <%5 WOW WOW%% Ade Adem) m)ss de es esto toss e0emplos e@isten muc$os% ;ipos m)s de% de% Encapsulados% Mues Mu estra tra de do doss di diod odos os re recti ctii ica cado dore ress de si silic licio io de dierentes características * encapsulados tam1i2n dierentes, am1os am1 os compara comparados dos con un c2n c2ntim timo o de eur euro% o% El dio diodo do de arri1a, de menor tama-o, puede soportar una corriente de 4 ampere * tra1a0ar con un !olta0e de 4 !olt% A ese diodo le corresponde un encapsulado DO594% El diodo de a1a0o, de ma*or tama-o, puede soportar una corriente de 4 ampere * tra1a0 tra 1a0ar ar,, igu igualm almente ente,, con un !ol !olta0 ta0ee de 4 !olt, per pero o a diere di erenci nciaa del ante anterio riorr a 2s 2ste te le cor corres respon ponde de un encapsulado R5=%
Bigura 8
&&&% A.
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olariación %irecta.
Para el caso en +ue el diodo esta polarizado directamente, e@istir) una representaci'n gr)ica, esta representaci'n est) dada por una cur!a típica del diodo +ue relaciona !alores representati!os del mismo, estos comprenden como primera instancia la corriente en unci'n de la tensi'n% Este suceso se puede e!idenciar en la Big% 9% En ella se o1ser!a como cuando el !alor de tensi'n es ,: V apro@imadamente .um1ral/, la intensidad de la corriente adopta un comportamiento de crecimiento progresi!o, esto de1ido a +ue un aumento determinado de la tensi'n dar) origen a un aumento en la corriente respecti!a% Bigura6,
polarizaci'n directa%
primera es la llamada (orriente de portadores minoritarios, la segunda (orriente supericial de ugas% La corriente de portadores minoritarios est) dada de1ido a la energía t2rmica +ue crea pares de electrones li1res * $uecos, mientras +ue la corriente supericial de ugas se da de1ido a impurezas en la supericie e imperecciones en la estructura interna del material%
&V%
T"E($ %E RE'&ER)'"$# E# "#*ER) %E/ %"$%$.
El tiempo de recuperaci'n en in!ersa de un Diodo es trrC 7S * la !elocidad de reducci'n de la corriente del Diodo es didtC<As% trr .tiempo de recuperaci'n in!ersa/3 es la suma de ta * t1% trrC taF t1 Por lo tanto, trr, representa el tiempo +ue durante el apagado del diodo, tarda la &ntensidad en alcanzar su !alor m)@imo .negati!o/ * retornar $asta un 87 G de dic$o !alor .;ípicamente 4 Hseg para los diodos normales * 4 Hseg para los diodos de recuperaci'n r)pida/, El tiempo de recuperaci'n en sentido in!erso se representa por trr% (uando el diodo est) polarizado directamente * el !olta0e aplicado se in!ierte repentinamente, idealmente se de1ería o1ser!ar +ue el diodo cam1ia en orma instant)nea del estado de conducci'n al de no conducci'n% Sin em1argo, de1ido a un nImero considera1le de portadores minoritarios en cada material, el diodo se comportar) como se muestra en la siguiente igura3
Bigura 9% (ur!a característica directa e in!ersa del Diodo%
B.
olariación "nversa.
(uando el diodo se encuentra polarizado en orma in!ersa, como primera medida se conoce +ue el !olta0e de la uente respecti!a caer) directamente so1re el diodo en cuesti'n, por lo cual tendr) un comportamiento de circuito a1ierto, es decir, no se dar) la circulaci'n de corriente .ca!e aclarar +ue de orma pr)ctica esta no es notoria, m)s sin em1argo te'ricamente e@iste una corriente ciertamente pe+ue-a, +ue para el caso oportuno no se $a de considerar, esta corriente es denominada corriente in!ersa de ugas/% Este suceso tam1i2n se puede o1ser!ar en la Big% 9%
ts 5 ;iempo de almacenamiento% ;iempo re+uerido para +ue los portadores minoritarios regresen a su estado de portadores ma*oritarios en el material opuesto% tt 5 &nter!alo de ;ransici'n% ;iempo re+uerido para +ue la corriente in!ersa se reduzca al ni!el asociado con el estado de no conducci'n%
C.
'orrientes en el diodo polariado inversamente.
;2cnicamente el comportamiento del diodo polarizado de orma in!ersa ciertamente posee dos tipos de corrientes% La
V%
'))'"T)#'") %E TE#"0# 1 %"2&"0#.
;odo dispositi!o electr'nico o el2ctrico es sensi1le a la recuencia%
Es decir, las características terminales de cual+uier dispositi!o cam1ian con la recuencia% &ncluso la resistencia de un resistor 1)sico, como el de cual+uier construcci'n, es sensi1le a la recuencia aplicada% A recuencias de 1a0as a medias se puede considerar +ue la ma*oría de los resistores tienen un !alor i0o% No o1stante, a medida +ue alcanzamos altas recuencias, los eectos par)sito capaciti!os e inducti!os empiezan a maniestarse * aectan el ni!el de impedancia total del elemento% En el diodo los ni!eles de capacitancia par)sita son los +ue tienen un ma*or eecto% A 1a0as recuencias * a ni!eles relati!amente 1a0os de capacitancia, la reactancia de un capacitor, determinada por @cC 48pi( en general es tan alta +ue se le puede considerar de magnitud ininita, representada por un circuito a1ierto e ignorada% A altas recuencias, sin em1argo, el ni!el de J( puede reducirse al punto de +ue crear) una tra*ectoria de Kpuenteo de 1a0a reactancia% Si esta tra*ectoria de puenteo ocurre a tra!2s del diodo, en esencia puede e!itar +ue 2ste aecte la respuesta de la red% En el diodo semiconductor p5n $a* dos eectos capaciti!os +ue tienen +ue ser considerados% Am1os tipos de capacitancia est)n presentes en las regiones de polarizaci'n en directa * en in!ersa, pero uno predomina so1re el otro en cada regi'n por lo +ue consideramos los eectos de s'lo uno en cada regi'n%
En la regi'n de polarizaci'n en in!ersa tenemos la capacitancia de transici'n o de regi'n de empo1recimiento .(; / en tanto +ue en la regi'n de polarizaci'n en directa tenemos la capacitancia de almacenamiento o diusi'n .(D /%
Por e0emplo los diodos de silicio marcaran una caída de !olta0e de %:! * los de germanio de %=! los diodos sc$ott* tienen una caída de !olta0e pe+ue-a, de solo %6!% A continuaci'n se descri1e la orma de pro1ar los diodos comunes encontrados en los circuitos electr'nicos,
45 Seleccione la escala Diodos en el multímetro% 85 (olo+ue la punta ro0a .positi!a/ en el )nodo del diodo * la punta negra .negati!a/ en el c)todo% 65 O1ser!e la lectura en el displa* del multímetro, la prue1a de diodos en general nos dar) como resultado 9 a : !% 95 A$ora in!ierta el orden de las puntas de prue1a, en esta prue1a del diodo el multímetro no de1er) registrar ningIn !alor% (onclusiones3 Si al pro1ar el diodo este no mide a1solutamente nada, entonces el diodo se encuentra en circuito a1ierto, si el diodo nos registra un !alor de o cercano a 2l, entonces el diodo est) en corto circuito% Si el diodo nos registra un !alor en am1os sentidos, se de1e a +ue el diodo tiene ugas * de1e cam1iarse% V&&%
2$R() %E R$3)R &# %"$%$.
En este artículo se entendio el concepto de los diodos * sus direntntes tipos de encapsulados +ue e@isten, tam1i2n se aprendio la manera de como pro1ar un diodo si +ueda en corto o circuito a1ierto, * sus respecti!as graicas, en in!ersa e directa * sus cur!as de caracterista%
(apacitancias de transici'n * diusi'n contra polarizaci'n aplicada en un diodo de silicio%
V&&&%
3"3/"$4R)2")
Electr'nica3 ;eoría de (ircuitos * Dispositi!os Electr'nicos% D2cima edici'n Ro1ert L% ?o*lestad Louis Nas$els* $ttp3electronicacompleta%comleccionesel5diodoattac$mentdiodo548 $ttp3"""%itelectronica%com84=8como5pro1ar5un5diodo%$tml
Representaci'n gr)ica * analítica de la cur!a característica, del Diodo de germanio * silicio% ($ristoer % omen4 V&%
2$R() %E R$3)R &# %"$%$.
La prue1a de diodos es mu* simple recuerde +ue un diodo conduce la corriente en un solo sentido% Adem)s los diodos marcaran dierencias en los resultados de medidas dependiendo de su tipo * material de construcci'n%
