Curva Caracteristica Del Transistor

Laboratorio de Electrónica Facultad de Ingeniería mecánica Universidad del Atlántico

CURVA CARACTERISTICA DE LOS TRANSISTORES Ochoa Sebastián1; Sandoval R. María 1; Silva G. Javier 1; Rodríguez O. José 1; Galet V. Richard 1; lvarez Juan !arlos " #ar$sandovalrodriguez%hot#ail.co# 1: Estudiantes de la facultad de Ingenieria Mecanica 2: rofesor de Electrónica Fec!a de entrega: "#$"%$1% 

RESUMEN !on la realiz realizaci aci&n &n de esta esta e'(eri e'(erienc encia ia se busc& busc& analiz analizar ar e identi identi)ic )icar ar el co#(or co#(orta# ta#ien iento to del transistor* re(resentándolo en una serie de curvas (or #edio de di)erentes #ediciones de volta+e $ otros (ará#etros (resentes en un circuito ,ue se e'(licará detallada#ente a lo largo del (resente in)or#e. Palabras claves: &ransistores' claves: &ransistores' bi(olar' ganancia del transistor' transistor de base (ositiva))

1. INTROD TRODU UCCIÓN -l transistor está co#(uesto (or tres zonas de do(ado* co#o se ve en la )igura

#ientras ,ue el !olector i#(uri)icaci&n inter#edia.

(osee

una

2n tran transi sist stor or es si#i si#ila larr a dos dos diod diodos os** el trans transis isto torr tien tiene e dos dos unio unione nes s una una entr entre e el e#isor $ la base $ la otra entre la base $ el colector. -l e#isor $ la base )or#an uno de los diodos diodos** #ientr #ientras as ,ue el colect colector or $ la base base )or#an el otro. -stos diodos son deno deno#i #ina nado dos s 03iod 03iodo o de e#is e#isor or00 4el 4el de la iz,uierda en este caso5 $ 03iodo de colector0 4el de la derecha en e ste caso5.

2. MA MAR RCO TEO TEORICO ICO Figura 1) 1) artes de un transistor 

/a zona zona su(er su(erio iorr es el 0!ol 0!olec ecto tor0 r0** la zona zona central es la 0ase0 $ la zona in)erior es el 0-#isor0. -l -#isor está #u$ i#(uri)icado* la ase ase tien tiene e una una i#(u i#(uri ri)ic )icac aci& i&n n #u$ #u$ ba+a ba+a**

-l transistor bi(olar es un dis(ositivo de tres ter#in ter#inales ales 6e#isor 6e#isor** colect colector or $ base6* base6* ,ue* ,ue* atendiendo a su )abricaci&n* (uede ser de dos ti(os 787 $ 878. -n la )igura " se encu encuen enttran ran los los sí# sí#bol bolos de circ circui uito to $ no#enclatura de sus ter#inales. /a )or#a de distinguir un transistor de ti(o 787 de un 878

es observando la )lecha del ter6#inal de e#isor. -n un 787 esta )lecha a(unta hacia )uera del transistor; en un 878 la )lecha a(unta hacia dentro. 9de#ás* en )unciona#iento nor#al* dicha )lecha indica el sentido de la corriente ,ue circula (or el e#isor del transistor.

elevada* $ un diodo en inversa 4uni&n base6 colector5* (or el ,ue* en (rinci(io* no debe6ría circular corriente* (ero ,ue act
Figura 2.  *imbología + nomenclatura de un transistor)

Gracias a este dis(ositivo es (osible controlar  una gran (otencia a (artir de una (e,ue:a. -n la )igura  se (uede ver un e+e#(lo cualitativo del )unciona#iento del #is#o. -ntre los ter#inales de colector 4!5 $ e#isor 4-5 se a(lica la (otencia a regular* $ en el ter#inal de base 45 se a(lica la se:al de control gracias a la ,ue controla#os la (otencia. !on (e,ue:as variaciones de corriente a través del ter#inal de base* se consiguen grandes variaciones a través de los ter#inales de colector $ e#isor. Si se coloca una resistencia se (uede convertir esta variaci&n de corriente en variaciones de tensi&n seg
Figura 4. ,ircuito básico)

3el circuito anterior se (ueden obtener las siguientes ecuaciones* ,ue (osterior#ente a$udarán a hacer una co#(araci&n signi)icativa con el #onta+e e'(eri#ental $ los resultados ,ue este arro+e. 9su#iendo ,ue el transistor es un nodo* se a(lica la le$ de las corrientes de >irchho)) /!>* arro+ando co#o resultado ? @  

415

       

3e igual )or#a* a(licando la le$ de las tensiones de >irchho)) 4/A>5 sobre el transistor* se obtiene @

@

?B

    

Figura 3. rinci(io de funcionamiento)

-n resu#idas cuentas* un transistor se (uede considerar co#o un diodo en directa 4uni&n e#isor6base5 (or el ,ue circula una corriente

4"5

 9hora* si se estudia la tensi&n ,ue ha$ en cada nodo del transistor 4ver )igura =5* los valores de la ecuaci&n " se (ueden obtener de la siguiente #anera

a(ro'i#aci&n es usada con el )in de agilizar  cálculos* (ero no es reco#endable cuando se tienen )uentes de base #u$ (e,ue:as; de ahí a ,ue se considere la segunda a(ro'i#aci&n* la cual reco#ienda ,ue V- ? B* (ara transistores de silicio $ V- ? B* (ara transistores de ger#anio.

2.1.Curvas trasist!r  Figura 5. &ensiones en el transistor)

8ara el #onta+e de e#isor co#
45

!uando se está traba+ando ba+o la cone'i&n de e#isor co#
características

-'isten varias curvas características del transistor ,ue nos a$udan a gra)icar sus (ará#etros* entre esas curvas tene#os

2.1.1. Curva característica V"E#I" Mediante esta curva (ode#os deter#inar los e)ectos ,ue (roducen las variaciones de la tensi&n de (olarizaci&n V- sobre la corriente de base H. -stas grá)icas reciben el no#bre de curvas características de trans)erencia. /as curvas ,ue se obtienen son #u$ si#ilares a la de un diodo cuando se (olariza directa#ente. -stas tensiones (er#anecen (ráctica#ente constantes* (or lo ,ue serán de gran a$uda (ara localizar averías en circuitos con transistores. /a )unci&n ,ue liga V- con H  es l a característica de un diodo* $ (uede a(licarse dado ,ue la uni&n base 6 e#isor* es una (n nor#al* igual ,ue la de diodo* $ al (olarizarla* seguirá el #is#o co#(orta#iento ,ue a,uel.

4=5

!on base a la ecuaci&n anterior* es (osible entender (or ,ué con una (e,ue:a corriente de base se (roduce una corriente #ucho #a$or de colector.  9l igual ,ue en el análisis de diodos* en los transistores se (lantean dos a(ro'i#aciones del (otencial e#isor6base. /a (ri#era a(ro'i#aci&n considera a un transistor ideal* (or ende dice ,ue la di)erencia de (otencial de la base6e#isor es cero 4V- ? B5. -sta

del

Figura 6. ,urva característica - 0E I 0

/a curva re(resentada en la )igura sigue la e'(resi&n

2.1.2. Curva característica VCE#IC -sta curva característica ta#bién es conocida co#o )a#ilia de colector* $a ,ue son las corres(ondientes a la tensi&n e intensidad del colector. -n la siguiente )igura* se #uestran una )a#ilia de curvas de colector (ara di)erentes valores constantes de la corriente base.

Figura 8. ,urva real - ,E I , 

-n la Regi&n 9ctiva la corriente del colector no es total#ente inde(endiente de la tensi&n colectoremisor . 8ara valores altos de la corriente cobra i#(ortancia la resistencia interna del transistor. /a regi&n de saturaci&n no a(arece brusca#ente (ara V !-?B* sino ,ue ha$ una transici&n gradual. Aí(ica#ente se suele considerar una tensi&n de saturaci&n co#(rendida entre B.1V $ B.V.

Figura 7. ,urva característica - ,E I , 

Hdeal#ente* en la Regi&n 9ctiva* la corriente de colector de(ende e'clusiva#ente de la de base* a través de la relaci&n H !?I@H. 8or lo tanto* en el (lano V !-6H! la re(resentaci&n estará )or#ada (or rectas horizontales 4inde(endientes de V!-5 (ara los diversos valores de H 4en este caso se ha re(resentado 8ara H?B* la corriente de colector ta#bién debe ser nula. /a regi&n de corte está re(resentada (or el e+e de abscisas. 8or  contra* (ara V!-?B el transistor entra en saturaci&n* luego esta regi&n ,ueda re(resentada (or el e+e de ordenadas. asta a,uí se (resenta la característica ideal* (ero co#o era de es(erar* la realidad es un (oco #ás co#(le+a* $ las curvas ,uedarán co#o re(resenta la siguiente )igura

-stas curvas re(resentan* en cierto #odo* la )or#a de )unciona#iento del transistor. Se (uede co#(robar ,ue* (ara una tensi&n constante de colector6e#isor* si se (roducen (e,ue:as variaciones de la corriente de base 4del orden de K95 esto origina unas variaciones en la corriente de colector #ucho #ás elevadas 4del orden de #95* de lo cual se deduce la ca(acidad del transistor (ara a#(li)icar corrientes. Observa ,ue* en la #a$or (arte de las curvas* la tensi&n V!- a)ecta #u$ (oco a la corriente de colector H!. Si se au#enta V !-  de#asiado 4(or enci#a de V !-O5* la uni&n del colector  entra en la regi&n de ru(tura $ éste (uede llegar a destruirse. Sin e#bargo* si la tensi&n V!- es #u$ (e,ue:a 4(or deba+o de los B.V5* la corriente de colector será #u$ débil* obteniéndose una ganancia de corriente #u$ ba+a. -n conclusi&n* (ara conseguir ,ue el transistor traba+e co#o a#(li)icador de corriente* la tensi&n de (olarizaci&n inversa

V!- debe #antenerse (or enci#a de B.V $ (or deba+o de la tensi&n de ru(tura.

2.1.$. Recta de car%a del trasist!r  e#os de conocer el co#(orta#iento del transistor traba+ando con una deter#inada resistencia de carga $ averiguar el (unto de )unciona#iento del #is#o. 8ara ello* traza#os la recta de carga del transistor en las curvas de colector (ara (oder deter#inar los (untos de )unciona#iento. 8ara deter#inar la corriente ,ue circula (or el colector 4e#isor co#
8ara dibu+ar esta recta sobre la curva característica* lo (ri#ero ,ue ha$ ,ue hacer  es encontrar sus e'tre#os 4H !?B $ V!-?B5.

Figura 9. ecta de carga de un transistor 

-l &ut! de c!rte es donde la línea de carga corta a la curva corres(ondiente a la corriente de base igual a cero 4H ?B5. 3ada la escasa (olarizaci&n directa a ,ue ,ueda so#etido el diodo de e#isor6base* la corriente ,ue a(arece (or el colector es (ráctica#ente nula 4s&lo circula una (e,ue:ísi#a corriente de )uga H!-O5. aciendo una a(ro'i#aci&n* se (uede decir* sin e,uivocarse #ucho* ,ue el (unto de corte se da en la intersecci&n de la recta de carga con el e+e horizontal* es decir  cuando V!ecorte?V!!.

8ara V!-?B

8ara H!?B

/levando estos valores a la curva característica de colector* obtendre#os la recta de carga (ara una deter#inada resistencia de carga R / $ una )uente V !!.  9 lo larga de esta recta se (ueden distinguir  tres (artes )unda#entales (untos de corte* (unto de saturaci&n* (unto de traba+o.

Figura 10. 3ona de traba4o de un transistor)

-l &ut! de saturaci' a(arece donde la línea de carga corta a la intensidad de base de saturaci&n. -n este (unto* la corriente de colector es la #á'i#a ,ue se (uede dar (ara la o(eraci&n de transistor* dentro de los lí#ites de la recta de carga. aciendo una

a(ro'i#aci&n* se (uede decir ,ue el (unto de saturaci&n a(arece en la intersecci&n de la recta de carga con el e+e vertical* es decir* cuando

8ara corrientes de base su(eriores a la de saturaci&n se (roduce ta#bién el e)ecto de saturaci&n en el transistor. -l &ut! de tra(a)! es a,uél donde el transistor traba+a de una )or#a nor#al $ ,ue* nor#al#ente* se encuentra entre la zona de corte de saturaci&n. 8ara deter#inar el (unto de traba+o 4L5 de transistor (ara una deter#inada corriente de base 4H 5* se busca el (unto de intersecci&n de la recta de carga con la curva corres(ondiente a dicha corriente de base.

2.1.*. O(teci' de la +aacia a &artir de las curvas características

variaci&n de la corriente del colector $ la variaci&n de corriente de base. 8ara deter#inar dicha ganancia se (uede recurrir a las características del colector. !o#o e+e#(lo* su(onga#os ,ue las curvas características del transistor ensa$ado es la ,ue se #uestra en la )igura de la iz,uierda. 8ara un (unto de )unciona#iento situado en V!-?"BV* la intensidad de colector variará entre H!?"#9 e H!?=#9* #ientras ,ue la intensidad de base lo hará entre H ?B.1B#9 e H?B.1F#9. /a ganancia se calcula así

e#os de tener en cuenta ,ue (unto de )unciona#iento se encuentra traba+ando el transistor* es decir* la tensi&n ,ue se le está a(licando al #is#o* $ con ello* la ganancia calculada* será (ara esa tensi&n de traba+o* siendo (ara otra* otra ganancia di)erente de la calculada en otro (unto.

$. METODOLO+,A /os ele#entos electr&nicos ,ue se usaron en esta e'(eriencia )ueron los siguientes 6 6 6 6

" resistencias de 1>N. 1 transistor "7B=. 1 Puente. 1 Multí#etro.

-l #onta+e ,ue se realiz& es el ,ue se ilustra a continuaci&n

Figura 11. 5anancia de un transistor 

/a ganancia en corriente de un transistor se de)inía co#o la relaci&n ,ue se da entre la

1B

B*Q1 B*Q" B*Q B*Q= B*QF B*QQ B*Q B* B*1 B*1F B* B*F B*QF B*F B*F B*FF B*Q B*Q1 B*Q" B*Q B*Q= B*QF

Figura 12. Monta4e del circuito usado)

8aso seguido* se a+ust& la )uente del colector. /uego* se hizo variar la )uente de base de BV hasta B*V $ se to#aron los volta+es. /o anterior se re(iti& (ara di)erentes volta+es de )uente de colector* donde ta#bién se variaron los rangos de volta+e de la )uente de base. /os datos obtenidos en las #ediciones se #uestran tabulados en la tabla 1.

1=*

B*QFF B*Q B*Q B*Q B* B*" B*= B*F B*Q B*B

/os valores obtenidos (ara los valores de volta+e en cada (unto del circuito se (resentan en la tabla a continuaci&n. V B B*F B*FF B*QB1 B*Q1 B*Q"

F

B*Q"Q B*Q B*Q= B*QF B*QQ B*Q B*Q B*Q B* B*1 B*" B* B*F B*FF B*F

V B B*F B*FF B*QB 1 B*Q1 B*Q" B*Q" Q B*Q B*Q= B*QF B*QQ B*Q B*Q B*Q B* B*1 B*" B* B*F B*FF B*F 

V  RB

V  RC 

B*BB1Q B*BB"= B*BB1 B*BB= B*BB B*BB" B*B1= B*B"F B*B"

B*"QF B* B*FQ" B*B1 1*F= 1*1 1*FF =*" *Q

*QQ *Q *= *1 *Q *1" *B1 F*11 "*

B*BFF 1*B

*F *

B*==" B*BF"

"*= F*=1 B B B B*BB1 B*BB1F B*BB"Q B*BB= B*BBF" B*BB"

*Q *" B*BB=F B*BB=Q B*B" B*"B" B*"Q B* B*Q"1 B*= 1*Q"F

B*BQ B*BQ 1B 1=* 1=*1 1=*1 1=*QF 1=*F 1=*" 1* 1*"

B*B1F B*B"F B*BF B*B= B*BQ"F

*= =* Q* *FF 11*F

11*= *  F* "*F

B*1

1=*F

B*F

1*"Q

1=*

B*1BQ

"*Q

1=*

B*B

=* 1=*B=

1=* 1=*

B*BQF B*BQQ

Tabla 1. esultados obtenidos de la (ráctica)

*. RESULTADOS - ANALISIS

V CC 

B*Q1 B*Q" B*Q B*Q= B*QF B*QQ B*Q B*Q B*Q B*1 F B* B*= F B*Q B*F B*F B*FF B*Q B*Q1 B*Q" B*Q B*Q= B*QF B*QF F B*Q B*Q B*Q B* B*" F B*= F B*F F B*Q F B*

V CE

B B*BBB

B*BB B*B""

F =*

B*BB1" B*BB1 B*BB"

B*1 B*"F1 B*QF

=* =*Q =*QF

B*BB B*BB" B*BB=F B*BBQ B*BB B*B1" B*B1" B*B"F" B*"" B*1= 1*QF =*B= B B B*BB1"

B*=F B*FF B*B= 1*1 1*F "*F *=QQ =*QF =* =*= =*F =*Q B*BB=F B*B"1 B*1Q

=*FF =*= =*"1 * *"Q "*QQ 1*FQ B*Q1 B*1B= B*B1 B*BF B*B=QF 1B * *

!o#o (ri#er resultado e'(eri#ental* se deter#inará cuál es la ganancia (ro#edio de un transistor* luego este valor será co#(arado con el valor ,ue se #idi& con a$uda del #ultí#etro el cual )ue  β =202 . 8ara deter#inar la ganancia* nos basa#os en la ecuaci&n = #ostrada en el #arco te&rico* (ri#ero se calculan las corrientes ,ue circulan (or las resistencias base $ colector* luego se hace la divisi&n corres(ondiente $ se obtiene el valor (ro#edio de ganancia.  I C = β I B

V = IR * luego

 I =

V   R ; -ntonces

 I C =

V  RC   Rc



 I B=

V  RB  Rb

*

)inal#ente

0 0

tene#os

0

 I C 

0

 I B * donde la ganancia total será

0

 β =

0 n

∑ i=1

 β i

0

n

0

/a ganancia (ro#edio del ca(acitor es entonces V CC  V BE

I C 

I B

f(x) = 0 exp( 53.03 x )

0 0 0.5

0.55

0.6

0.65

0.7

0.75

β Gráfica 1. , urva característica e'(eri#ental

B*Q B*Q1 B*Q" 1=* B*Q B*Q= B*QF B*QFF B*Q B*Q B*Q B* B*"F

B*BBB"B" B*BBBBB1 1FF*=Q1F B*BBB"Q B*BBBBB1F 1= B*BBB B*BBBBB"Q 1F*=Q1F B*BBBQ"1 B*BBB= B*BB1Q"F B*BB= B*BB= B*BBQ B*BBFF B*B11F B*B1=F

B*BBBBB= B*BBBBBF" B*BBBBB" B*BBBB1F B*BBBB"F B*BBBBF B*BBBB= B*BBBBQ"F B*BBB1 n

∑ i =1

1"*Q=BF 1"*11FF 1*1B" "1*QQQQ "B*BF1BQ "B*BF 1F*QQ"1 11*" 1=F* 1Q*B

Tabla 2. -alor de ganancia e6(erimental del  transistor)

 β Teórico

0.01 0.01 0 0 0

f(x) = 0 exp( 52.1 x )

0

 β i n

del transistor V-6H (ara FV.

β Experimental   de error

2"2 17#'"8 9'"; Tabla 3. ,om(aración entre los valores de ganancia teóricos + e6(erimentales)

Se (uede observar ,ue el valor de la ganancia obtenido (or los datos e'(eri#entales nos da #u$ cercano al valor de ganancia (ro(io del transistor* con un valor #enor al . allando la curva característica del transistor  V-6H* tene#os

0 0.56

0.61

0.66

0.71

0.76

0.81

Gráfica 2. , urva característica e'(eri#ental

del transistor V-6H (ara 1BV.

0.02 0.01 0.01

f(x) = 0 exp( 48.5 x )

0.01 0.01 0.01 0 0 0 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85 Gráfica 3. , urva característica e'(eri#ental

del transistor V-6H (ara 1=*V. Mediante esta curva (ode#os deter#inar los e)ectos ,ue (roducen las variaciones de la tensi&n de (olarizaci&n V- sobre la corriente de base H. !onocidas co#o curvas características de trans)erencia. /as curvas ,ue se obtienen son #u$ si#ilares a la de un diodo cuando se (olariza directa#ente. 3ebido a ,ue el #ultí#etro ,ue se utiliz& (ara la e'(eriencia estaba ba+o de batería* este to#& una re)erencia di)erente* (or lo cual los valores to#ados se encontraban des)asados de los reales* sin e#bargo al calcular el des)ase (robando con otro #ulti#etro* se #odi)icaron los datos* estos sirven (ara ilustrarnos la )or#a de esta grá)ica. -n las )iguras 16 se a(recia el ca#bio transicional 4casi asint&tico5 del transistor; en este caso en valores des(ués de B*V debido a lo ,ue se #encion& anterior#ente. -sta e'(eriencia se si#ulo (ara obtener las curvas características te&ricas del transistor* se si#ul& en el (rogra#a Mulisi! * (uesto ,ue en este se (uede variar la ganancia* lo ,ue nos (er#ite obtener resultados #ás cercanos $ e'actos al de la e'(eriencia de laboratorio. /os resultados obtenidos de la si#ulaci&n* se (resentan a continuaci&n.

Figura 13. ,ircuito simulado en Multisim (ara %-)

0 0 0 0 0 f(x) = 0 exp( 14.95 x )

0 0 0 0 0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Gráfica 4. , urva característica te&rica del

transistor V-6H (ara FV.

Figura 14. ,ircuito simulado en Multisim (ara 1"-)

0 0

0

0

0

f(x) = 0 exp( 21.21 x )

0

0

0

0

f(x) = 0 exp( 21.99 x )

0 0

0 0

0

0

0

0

0 0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Gráfica 6. , urva característica te&rica del

0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Gráfica 5. , urva característica te&rica del

transistor V-6H (ara 1BV.

transistor V-6H (ara 1=*V. -n las grá)icas te&ricas* obvia#ente* se a(recia de una #anera #ás clara* la )or#a de esta curva característica* asint&tica al llegar a B*V co#o en una grá)ica (ara un d iodo. !o#(arando las grá)icas e'(eri#entales* obtene#os

te&ricas

$

0 0 0 0 Figura 15. ,ircuito simulado en Multisim (ara 1;'8-)

0 0 0 0 0 0.5

0.55

0.6

0.65

0.7

0.75

Gráfica 7. , urva característica te&rica del

transistor V-6H (ara FV. !urva -'(eri#ental* !urva ro+a6Ae&rica.

azul6

0

!o#o se (uede observar* los valores de la curva e'(eri#ental discre(an ligera#ente de la curva te&rica* lo ,ue nos (er#ite concluir  ,ue la e'(eriencia (ara la obtenci&n de la curva se realiz& en buenas condiciones.

0 0 0 0

-n esta (ráctica se (udo deter#inar otra curva característica* la cual nos (er#iti& a ,ué valor  #íni#o de H co#enzaba la conducci&n en el transistor.

0 0 0

Ib vs Ic (5V)

0 0 0.560.58 0.6 0.620.640.660.68 0.7 0.720.74 Gráfica 8. , urva característica te&rica del

transistor V-6H (ara 1BV. !urva azul6 -'(eri#ental* !urva ro+a6Ae&rica.

0.01 0.01 0 0 0

0

0 0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

Gráfica 10. , urva característica e'(eri#ental

0

del transistor H 6H! (ara FV.

0

Ib vs Ic (10V)

0 0.01

0

0.01

0 0 0.55

0.01 0.01

0.6

0.65

0.7

0.7

0

Gráfica 9. , urva característica te&rica del

0

transistor V-6H (ara 1=*V. !urva azul6 -'(eri#ental* !urva ro+a6Ae&rica.

0

0

0

0

0

0

0

0

Gráfica 11. , urva característica e'(eri#ental

del transistor H6H! (ara 1BV.

/as curvas H6H! te&ricas se #uestran a continuaci&n.

Ib vs Ic (14,93V)

IB-IC (5V)

0.02

0.01

0.02

0 0

0.01

0 0

0.01 0

0 0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

Gráfica 12. , urva característica e'(eri#ental

del transistor H6H! (ara 1=*V. !o#o se (uede a(reciar* el transistor no conduce (ara cual,uier valor de H* la línea ,ue se a(recia relativa#ente vertical* #uestra la zona de corte del transistor $ la curva ,ue se a(recia horizontal #uestra la zona de conducci&n del transistor. Si se hubiese to#ado #a$or n<#ero de datos* se (odría haber conseguido la zona de saturaci&n (ara el transistor* donde el valor de H ! no variaría (or #ás ,ue se au#entase H * obteniendo así* otra curva vertical (ara valores di)erentes de H  $ un valor a(ro'i#ada#ente constante (ara H !. /as curvas real#ente no son verticales* real#ente son una )unci&n lineal entre H 6H!* al ser valores #u$ (e,ue:os los de H ! no a(recia#os esta relaci&n lineal. Si calcula#os los valores de (endiente (ara la zona de corte en cada grá)ico* obtene#os

Gráfica 13. , urva característica te&rica del

transistor H6H! (ara FV.

IB-IC (10V) 0.01 0.01 0.01 0 0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

Gráfica 14. , urva característica te&rica del

transistor H6H! (ara 1BV.

IB-IC (14,93V) Grá)ico 1 Grá)ico " Grá)ico 

1=B*" 1"FB*B" 1111*B

Tabla 3. -alores de (endiente (ara cada gráfico)

0.02 0.01 0.01 0.01 0.01

7ota#os ,ue dicha relaci&n tiende a in)inito 4un valor de#asiado elevado5* lo ,ue e'(lica el (or,ué de la verticalidad a(arente de nuestra curva.

0.01 0 0 0

0 0

0

0

0

0

0

0

0

Gráfica 15. , urva característica te&rica del

transistor H6H! (ara 1=*V. -n la grá)ica (ara H 6H! te&rica se a(recia de una #anera #ás clara lo ,ue se (lante& anterior#ente* en la zona de corte del transistor* e'iste una relaci&n lineal entre la corriente de base $ la corriente del colector* ,ue gra)icado con las de#ás zonas del transistor se a(recia co#o una curva #ás vertical* dado a los valores de corriente de colector del orden de los #icro6a#(erios. -n las grá)icas te&ricas no se ilustra la zona de conducci&n del transistor dado ,ue el (rogra#a en ,ue se si#ul& nuestro circuito* no arro+aba volta+es #a$ores a los (resentados* (ero nos de+a aclarar #uchos (untos e'(licados. Si calcula#os de igual )or#a la (endiente (ara la zona de corte en cada grá)ico te&rico* obtene#os Grá)ico 1 Grá)ico " Grá)ico 

. CONCLUSIONES  9un,ue los transistores (ueden tener igual re)erencias en el #ercado* sus (ro(iedades constructivas acarrean ca#bios e'agerados en su )unciona#iento $ en su co#(orta#iento* (or lo ,ue (uede decirse* ,ue la curva (ara cada transistor es di)erente* de igual )or#a* (ero valores
1BF*B 11"*1F 1B"FB*1B

6

Tabla 3. -alores de (endiente (ara cada gráfico)

Se conclu$e al igual ,ue las grá)icas te&ricas* ,ue su valor de (endiente tiende a in)inito* lo ,ue e'(lica la verticalidad a(arente de nuestras grá)icas* en las te&ricas no se a(recia dicha verticalidad* (uesto ,ue solo se #uestra la zona de corte* $ (or tal nos #uestra #e+or la relaci&n lineal entre la corriente de base $ la del colector. -n está (ractica no se (udo calcular la curva real V!-6H! (uesto ,ue (ara trazarla se hacía necesario el e#(leo de dos )uentes* en donde (udiéra#os variar los valores de V!! #anteniendo una H constante 4V constante5. Ae&rica#ente se conoce la )or#a de esta curva* tal co#o se #uestra en el #arco te&rico* (ero habría sido #ás ilustrativo realizar una co#(araci&n te&rica6e'(eri#ental de esta curva* con )ines acadé#icos.

6

6 6 6 6

Se ubica la (unta (ositiva en el (ri#er  ter#inal* la negativa se coloca en los de#ás (uertos* se #ira en donde #arca o donde no. Se coloca el negativo donde #arc& $ se coloca el (ositivo en los otros dos ter#inales* se #ira donde #arca* $ se re(ite el (aso 1. Se veri)ica ,ue #ar,ue en los dos otros ter#inales. 3onde #arca #a$or es el e#isor. 3onde #arca #enor es el colector. -l (unto en co#
3e esta #anera se evita caer en el error de con)iar en la con)iguraci&n de )ábrica* $a ,ue (ueden e'istir transistores de)ectuosos.

"I"LIO+RA/,A I. II.

Sedra* 9. S#ith* >. 4"BBQ5. !ircuitos #icro electr&nicos. F -d. Mc GraT ill. Mé'ico. Malvino 9lbert* ates 3avid. rinci(ios de electrónica* -s(a:a*

III.

McGraT6illUHntera#ericana de -s(a:a* 1* (. 1B.  9le'ander !harles* Sadius MattheT. Fundamento de ,ircuitos El
Mé'ico* McGraT6illUHnter6a#ericana -ditores* "BB=* (. 1BF1