Configuraciones básicas de los transistores JFET

Configuraciones básicas de los transistores JFET Los JFET pueden utilizarse en tres configuraciones fundamentales: surtidor  Común y drenador común. De igual comportamiento comportamiento que las tres tres respectivas configuraciones del transistor bipolar, sirven para los transistores de efecto de campo con graduador aislado o IGFET. La figura 1 y tabla 1.1 muestran estas tres configuraciones básicas y sus respectivas características. Los transistores utilizados en estos ejemplos son de canal tipo N; si se tratara de transistores con canal del tipo P, habría que invertir  las polaridades de la fuente de alimentación y los los sentidos delas corrientes

Figura1 las tres configu racion es básicas de los circ uito s amplific adores co n  transistor de efecto efecto de camp o de un ión. ión.

Tabla con co nfigu racion es b ásicas FET 

TIPO

JFET Con polarización fija

CONFIGURACIÓN

ECUACIONES PERTINENTES

VGSQ = - VGG VDS = VDD - IDRS

JFET Con autopolarización

VGSQ = - IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

TIPO

JFET Con polarización mediante divisor de voltaje

MOSFET De tipo decremental (todas las configuraciones arriba de los casos positivos donde = + voltaje) polarización Fija

MOSFET de tipo decremental polarización mediante divisor de voltaje

CONFIGURACIÓN

ECUACIONES PERTINENTES

VG = R2 VDD /(R1 + R2) VGS = VG - IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

VGSQ = + VGG VDS = VDD - IDRS

VG = R2 VDD /(R1 + R2) VGS = VG - ISRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

MOSFET de tipo incremental configuración por retroalimentación

VGSQ = VDS

MOSFET de tipo incremental Polarización mediante divisor de voltaje

VG = R2 VDD /(R1 + R2)

VDS = VDD - IDRS

VGS = VG - IDRS