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© Marcombo. La fotocopia no autorizada es un delito.
1. Preamplificador 50 MHz 2. Cascodo con FET y bipolar 3. Amplificador simétrico con MOSFET 4. Conexión en serie de etapas de amplificación 5 y 6. Control de ganancia con transistores complementarios 7. Control de ganancia con atenuador de entrada 8. Control de ganancia y alta impedancia de entrada 9 y 10. Control de ganancia con CA 3054 y MC 1496 11. Amplificador 300… 2 500 MHz con RF 2304 12. Preamplificador de microondas con CGY 59 13. Amplificador de microondas con CGY 31 14. Amplificador de microondas con CGY 40 15 y 16. Amplificación y conversión para 400 MHz a 3 GHz 17. Amplificador de microondas con control de ganancia, CGY 120
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El filtro de paso de banda de entrada se completa, en la salida, con un filtro con circuitos acoplados. Se puede así obtener una banda pasante de varios megahertz. Si es necesario, se deberá adaptar la salida con la impedancia de entrada del circuito de conversión. [B. Geiersbach, Funkamateur, Berlín, núm. 12/94, p. 1122.]
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Elevada impedancia de entrada (T1 FET), también elevada impedancia de salida, ya que T2 trabaja en base común. La baja resistencia de entrada de T2 hace que la capacidad drenador-graduador de T1 no intervenga como capacidad de realimentación. Cerca del umbral de base de T2, la tensión de drenador de T1 está fijada por el divisor formado por R 3 y R 4. Utilizable hasta 100 MHz. [Le Haut-Parleur, París, núm. 1808, p. 98 a 104.]
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La disposición simétrica permite una amplitud de entrada relativemente elevada con poca distorsión o intermodulación. Actuando sobre los graduadores 2 puede conseguirse un control de ganancia. [L’Électronique par le Schéma, Dunod, París, 1994, vol. 3, p. 127.]
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Permite un ahorro de intensidad de alimentación. El transistor de salida está polarizado por un divisor. Funcionando según el principio de reparto de intensidad, el control automático de ganancia (T2) permite reducir la ganancia en 30 dB, como mínimo. [H. Lythall, http://hem2.passagen.se/sm0vpo/blocks/ifamps-1.htm.]
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Respuesta en decibel bastante lineal en, al menos, 80 dB (ver escala a la derecha). Insertando (esquema de la derecha) una serie de diodos entre los dos emisores, se aumenta la amplitud admisible en la entrada en detrimento de la ganancia. La fuente de – 5 V, optativa, puede mejorar el comportamiento en las altas frecuencias.
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Variante del anterior, con entrada de alta impedancia. R 1 y R 2 forman un divisor de tensión, que permite una adaptación a una elevada amplitud de entrada, con compensación parcial de los defectos de linealidad entre T1 y T3. Para una banda de paso de 1 kHz, en el nivel de la demodulation, el ruido llevado a los terminales de R 2 es inferior a 0,5 µV.
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El reparto de intensidad modifica la ganancia en un margen de 80 dB para una variación de unos 0,5 V del potencial en la patilla 4. Ganancia máxima 0,8RL/RS , para RS > 1 kΩ. [Documentación Harris Semiconductor.]
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El amplificador diferencial actúa por reparto de intensidad. Para RE > 1 kΩ, la ganancia es RL/RE . Mediante Cn (fracción de picofarad), se puede compensar, si es preciso, lo que puede llegar, por diversas capacidades, de la patilla 3 a la patilla 14. [Documentación Harris Semiconductor.]
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El multiplicador permite una carga simétrica y, por tanto, una mayor amplitud de salida. En ausencia de corriente directa en el diodo, se ajusta S para una ganancia mínima. Las escalas representadas a la derecha de los esquemas facilitan la relación entre UV y la atenuación obtenida. Ganancia máxima: 0,5RL/RF para RF > 1 kΩ. [Linear/Interface ICs, Motorola, 1993.]
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A 900 MHz, ganancia y factor de ruido son, respectivamente, de 10 y de 1,8 dB. A 2,5 GHz, se obtiene una ganancia de 12 dB con una alimentación de 5 V, siendo el factor de ruido de 2,3 dB. La potencia de salida alcanza los 6 dBm. L debe presentar una impedancia superior a 150 Ω a la frecuencia de trabajo. [Documentación RF Micro Devices.]
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Utilizable entre 200 MHz y 2,5 GHz. Estos valores son válidos para 1,85 GHz, siendo la ganancia 12,5 dB, el factor de ruido 1,6 dB (alimentación de 3 V). A 950 MHz, la ganancia es 16 dB, el factor de ruido 1,2 dB, el punto de intercepción de orden 3 de – 4 dBm. [CD-ROM Siemens.]
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Contiene dos etapas con acoplamiento RC, equipadas con transistores GaAs. El circuito representado cubre de 0,8 a 1,8 GHz con una ganancia de 18 dB a 1,6 GHz, siendo el factor de ruido 4 dB. Se pueden alcanzar bandas de paso del orden de 2 GHz. El punto de intercepción de orden 3 (806/810 MHz) es de 32 dBm. A 800 MHz y con una alimentación de 4,5 V, se obtiene una potencia de salida de 20 dBm en 50 Ω. L 1: 8 espiras de hilo de 0,25 mm arrolladas sobre la resistencia de 39 Ω. L 2: 5 espiras del mismo hilo, arrolladas sobre una forma de 3 mm. [CD-ROM Siemens.]
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Contiene un transistor GaAs y tres componentes pasivos. Utilizable entre 100 MHz y 3 GHz, alimentación entre 3 y 5,5 V, 60 mA. Ganancia: 9 dB a 1,6 GHz, factor de ruido: 2,8 dB. La polarization de puerta (– 3… 0 V) determina la intensidad de alimentación. L 1 puede realizarse mediante una línea microtira de 5 mm (Z = 100 Ω). L 2, L 3: 5 espiras en hilo de 0,25 mm sobre una forma de 3 mm. [CD-ROM Siemens.]
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El módulo CF 750 contiene un transistor de efecto de campo GaAs. Éste presenta una transconductancia de 10 mA/V para una intensidad de drenador de 10 mA. Esta intensidad puede alcanzar 50 mA, cuando se unen las patillas S y M. En amplificación, ganancia y factor de ruido son, respectivamente, 11 y 1,6 dB a 900 MHz o 10 y 1,9 dB a 3 MHz. En conversión (de 900 hacia 45 MHz), se obtiene una ganancia de 15 dB con un factor de ruido de 4,5 dB. [CD-ROM Siemens.]
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Utilizable entre 0,8 y 2,5 GHz. La ganancia de potencia es de 22 dB a 900 MHz, cuando se alimenta con 3 V, 45 mA, y se llega a 24 dB con una alimentación de 5 V, 70 mA. El margen de control se extiende como mínimo en 50 dB. Vg (– 1… 0 V) deberá ajustarse según la intensidad de alimentación deseada. [CDROM Siemens.]
