Practica #4 “Medición de la amplitud y frecuencia de la salida de diferentes circuitos limitadores con diodos zener y obtención de sus gracas de transferencia”
Procedimiento 1.- btener la respuesta de salida de los siguientes circuitos
!plicando a la entrada una se"al senoidal de 1 $pp de amplitud a 1%&z.
'.- (legir la misma escala de sensibilidad )ertical para ambos canales* seleccionando acoplamiento !+ en el canal 1 y ,+ para el canal '. .- Para la obtención de las grcas de transferencia /$ salida )s $ entrada0* seleccionar el modo -2 en el osciloscopio colocando la misma escala de sensibilidad para ambos canales. Posteriormente Posteriormente selecciona acoplamiento 3, en los dos canales y ubica el punto en el centro de las coordenadas* despu5s seleccionar !+ para el canal 1 y ,+ para el canal '.
Simulaciones Para el circuito de la gura /a0
'.- (legir la misma escala de sensibilidad )ertical para ambos canales* seleccionando acoplamiento !+ en el canal 1 y ,+ para el canal '. .- Para la obtención de las grcas de transferencia /$ salida )s $ entrada0* seleccionar el modo -2 en el osciloscopio colocando la misma escala de sensibilidad para ambos canales. Posteriormente Posteriormente selecciona acoplamiento 3, en los dos canales y ubica el punto en el centro de las coordenadas* despu5s seleccionar !+ para el canal 1 y ,+ para el canal '.
Simulaciones Para el circuito de la gura /a0
!mplitud $pp
1
671 %&z
!mpl !mplit itud ud $pp
.88 .88
671 %&z
Para el circuito de la gura /b0
!mplitud $pp
1
671 %&z
!mplitud $pp 671 %&z
Para el circuito de la gura /c0
8.
!mplitud $pp
1
671 %&z
!mplitud $pp 671 %&z
Resultados Obtenidos Para el circuito de la gura /a0
11.1
Para el circuito de la gura /b0
Para el circuito de la gura /c0
Practica # 9denticación del tipo* terminales y estado de transistores bipolares de unión /:;<=s 0 usando el mult>metro digital marca !gilent
Procedimiento: 1.- ,el manual “,iscrete ?emicondutor Products” del fabricante ational ?emiconductor elegir ' transistores bipolares tipo P y ' tipo PP de aplicación para amplicadores de propósitos generales y conmutadores. btener sus @oAas de especicaciones t5cnicas. '.- 9ndicar la interpretación de su nomenclatura. .- ,el mult>metro digital seleccionar la función de o@m con un rango de %B y realizar el procedimiento para identicar las terminales emisor* colector y base. 4.- Cegistrar en una tabla para cada uno de los transistores los )alores de resistencia el5ctrica medidos entre las terminales cuando se polarizan directamente las uniones p-n en todo el procedimiento de prueba.
. +onforme los )alores de resistencia medidos* identica cada una de las terminales asi como el tipo de funcionalidad de cada transistor /buen estado* corto circuito o circuito abierto0. D.- Cepetir el procedimiento del punto y 4 pero a@ora eligiendo la función de prueba de diodos. 8.- Cepetir el punto pero teniendo en cuenta los )alores de )oltaAe realizados en el punto anterior.
Practica E D Amplifcador con Polarización fja en confguración Emisor Común
Introducción: El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas características eléctricas lineales que son utilizadas para amplificación. En estos circuitos, las señales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energía realizado a través de fuentes de tensión externas denominadas fuentes de alimentación o fuentes de polarización. as fuentes de alimentación cubren dos ob!etivos" proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la región lineal y suministrar energía al transistor, una parte de la cual va a ser convertida en potencia #amplificación$. os valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denominan punto de traba!o y se suele expresar por la letra %.
igura !
El transistor del circuito de la figura & esta polarizado con dos resistencias y una fuente de tensión en continua ' ((. En este circuito se verifica que"
)i suponemos que el transistor se encuentra en la región directa lineal, entonces se puede relacionar las intensidades de base y colector a través de la hFE y asignar una tensión base*emisor típica de +.'. El c-lculo de las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de traba!o %. ara este circuito, % viene definido por las siguientes ecuaciones"
En la figura &./ se muestra la representación gr-fica del punto de traba!o % del transistor, especificado a través de tres par-metros" 0 (%, 01% y la '(E%. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga est-tica" si % se encuentra en el límite superior de la recta el transistor estar- saturado, en el límite inferior en corte y en los puntos intermedios en la región lineal. Esta recta se obtiene a través de la ecuación del circuito que relaciona la 0 ( con la ' (E que, representada en las curvas características del transistor de la figura &./, corresponde a una recta. a tercera ecuación define la recta de carga obtenida al aplicar 2' al circuito de polarización, de forma que"
ara dibu!ar esta recta de una manera sencilla en el plano #' se seleccionan dos puntos"
, 0($ del transistor
(E
a) '(E3+, entonces 0 (3'(( 4 5(. b) 0(3+, entonces ' (E3'((. Estos puntos se pueden identificar en la figura &./ y representan los cortes de la recta de carga est-tica con los e!es de coordenadas.
6igura &./ ímite de operación de un transistor. 7na de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un transistor es seleccionar la ubicación del punto %. a selección m-s pr-ctica es situarle en la mitad de la recta de carga est-tica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor m-ximo, condición conocida como excursión m-xima simétrica. Evidentemente esta es una condición de diseño que asegurara el m-ximo margen del punto % a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. )in embargo, hay muchas otras condiciones de operación del transistor que exige un desplazamiento de % en uno u otro sentido. En estos casos la situación del punto % estar- definida por las diferentes restricciones.
POLARIZACIONES DC CON RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE. olarización 8( con retroalimentación de emisor. En este circuito la resistencia de realimentación es 5 E.
6igura b. olarización con retroalimentación.
9aremos la prueba de desestabilizar el punto %.
0( intenta aumentar mucho. ero al aumentar la 0 (, aumenta la ' E.
Entonces vemos que se da un fenómeno de :autorregulación:, intenta aumentar mucho pero al final aumenta menos. ;unque no se estabiliza, se desestabiliza menos, esa :auto corrección: se llama realimentación.
; este efecto de que una variable de salida afecte a la entrada se le llama realimentación, la salida afecta a la entrada, se auto corrige. ;dem-s se le llama :5ealimentación negativa: porque un aumento supone una disminución. )i un aumento supusiera otro aumento sería una :5ealimentación positiva:. En amplificadores es muy importante la realimentación, como se ver- m-s adelante. )eguimos analizando el circuito.
Podemos concluir Fue esta conguración de polarización de corriente de base presenta una meAor estabilidad pero no de las meAore* por lo Fue ms adelante se estudiaran otros tipos de polarizaciones Fue presentan una mayor estabilidad Fue la mencionada.
I"S#R$CCIO"ES: Gtilizar en 5sta prctica dos :;
(onsideremos el siguiente circuito
Ecuaciones de malla E=¿ I B + I C 1.− I ¿
CC = ¿ I B R B + V BE 2.−V ¿
CC = ¿ I C R C + V CE 3.−V ¿ 6igura
as siguientes consideraciones se tomaran para todos los circuitos posteriores I C β = ; βmin=100, βmax =300 y βtipica =200 I C = βI B I B V BE =0.7 ( Debidoa la polarizacion ) para β ≥ 100 I C ≅ I B
ara una óptima amplificación se tiene que tener en cuenta que el punto de operación debe de cumplir Q→ I C =6 mA y V CE =6 V ademasde qesaremosla βtipica =200
8e la ecuación = despe!amos a la resistencia al igual que de la ecuación > RB =
V CC −V BE
(
I C ) β
RC =
V CC −V CE I C
or lo tanto para el circuito de polarización de corriente de base teniendo en mente las condiciones anteriores tenemos que los valores de los resistores son" RB =376 !" RC =1 !"
8eterminación de la variación del punto de operación en reposo con beta mínima y m-xima
8e la ecuación de malla = despe!amos la corriente de colector I C =
(V CC −V BE ) β R B
8e la ecuación de malla / despe!amos el volta!e colector emisor V CE =V CC − I C R C
;hora para beta mínima y m-xima los respectivos resultados de 0c y 'ce I c 1=2.97 mA y V CE 1=9.03 I c 1= 8.92 mA yV CE 1=3.08
ara las respectivas variaciones de corriente y volta!e obtenemos # I =5.95 mA y # V C
CE
= 5.95 V
(onsideremos el circuito de la figura
?e puede obser)ar Fue el cto es similar al de la gura 1* tan solo se agregó el resistor C(* donde su función primordial es darle mayor estabilidad al
Ecuaciones de malla CC = ¿ I B R B + V BE + I E R E 2.−V ¿
E=¿ I B + I C 1.− I ¿
CC = ¿ I C R C + V CE + I E R E 3.−V ¿
6i ura Dc
5ealizando la misma analogía para este circuito que el visto anteriormente tenemos que los valores de los resistores son los siguientes, tomando las ecuaciones / y = tenemos" RB =
V CC −V BE− R E I E I β
( C )
RC =
V CC −V CE − R E I E I C
)e observa que para ambas resistencias se tiene una cierta dependencia de la resistencia del emisor, para este caso pr-ctico se tomara un valor de 5e 3 /++ ?, y por tanto obtendremos"
RB =356666 " R C =900 "
7na de las consideraciones importantes que debe de ser respetado para la m-xima estabilidad es la siguiente" A ¿ V E $ 0.10 V CC o V E $ 0.20 V CC
Entonces examinando esta condición de estabilidad obtenemos que 5e es igual a" /.* ara el /+@ de 'cc V E =1.2 V
or ley de ohm sabemos que
V = IR
, asi pues
Abservando lo anterior y que 0E es aproximadamente 0c
R E=200 "
+on este nue)o )alor de Ce los resistores complementarios toman
RC =800 " y RB =336666.66 "
=.* ara el =+@ de 'cc R E= 400 "los Resistores son → R C =600 " y R B= 296666.66 "
R E=
V E I E
→
1.2 V 6 mA
PROCE%I&IE"#O' 1. !rma el circuito amplicador de la gura DJ y mide el punto de operación en reposo /I0. VCC 12V R1 430kΩ
R2 1kΩ
C2
C1
100n
Q1
100n
2N2222A
igura !a Simulación (medición del punto )*'
+EC)
IC)
Simulación
D.KL $
#ransistor , #ransistor -
8.D8 $
.18 m! 4.L m!
.DK$
D.4' m!
VCC 12V XMM1
R1 430kΩ
R2 1kΩ
XMM3
Q1
2N2222A
'. !plica a la entrada del circuito* como se ilustra en la gura Db* una se"al senoidal de un 1%@z de frecuencia y una amplitud pico a pico de 1 m$* aumenta lentamente la amplitud de la se"al /obser)ando lo Fue ocurre con la se"al de salida0 @asta Fue a la salida se obtenga la mNima amplitud de la forma de onda sin distorsión alguna. 3uarda en G?: las grcas de entrada y salida /o respuesta0 del circuito* y calcula la ganancia de )oltaAe /!) 7 $salO$ent0. (stn en fase las se"ales de entrada y salidaQ (Nplica bre)emente. XSC2
XFG1
VCC
VCC
12V 430kΩ
100nF
C
R2
R1
C1
B
12V ;
1kΩ C2
Q1
100nF
2N2222A
igura !b
1
(
8
Simulación:
Entrada
Salida
6re7 1%@z
+PP
antes de distorsionarse
re. ,12z
+PP. 3'-+
+PP./0m+ %anaciade &olta'e ( A& )=
Vsal 5.2 V = =74.28 &eces Vent 70 mV
XSC2
VCC
XFG1
VCC B
12V
12V R2 1kΩ
R1 430kΩ
Q1
C1 100nF
C ;
1
(
8
C2 100nF
2N2222A
#ransistor ,
4.,/5
Entrada
Salida
6re7 1%@z
+PP
antes de distorsionarse
re. ,12z
+PP.600m+ %anaciade &olta'e ( A& )=
Vsal 5.92 V = = 78.1 &eces Vent 400 mV
XSC2
VCC
XFG1
VCC 12V
R1 430kΩ
C1 100nF
B
12V R2 1kΩ
Q1
C ;
C2 100nF
2N2222A
1
(
8
+PP.3'7-+
#ransistor -
4.-!,
Entrada
Salida
6re7 1%@z
+PP
re. ,12z
antes de distorsionarse
+PP. 5'8-+
+PP.600m+ %anaciade &olta'e ( A& )=
Vsal 781 mV = =78.1 &eces Vent 10 mV
XSC2
VCC
XFG1
VCC B
12V R1 430kΩ
12V R2 1kΩ
Q1
C1 100nF
C ;
1
(
8
C2 100nF
2N2222A
. !@ora* conecta en el (misor una CR 7 C1 7 1 S como lo muestra la gura Dc. Mide y registra de nue)o el punto de operación en reposo I /1cr $+(I0* es decir sin aplicar se"al en la entrada. !nota tus obser)aciones. VCC
VCC 12V
R1 430kΩ
12V R2 1kΩ
Q1
2N2222A
R3 1.0kΩ
XMM1
VCC
VCC
12V R1
12V R2
1kΩ
&edición del punto de reposo ()* con R E.,009*' 430kΩ
XMM2
Q1
2N2222A
R3
100Ω
RE.,009
+EC)
IC)
Simulación #ransistor , #ransistor -
&edición del punto de reposo ()* con R E.-009*' VCC
VCC 12V
12V
R1 430kΩ
R2
RE.-009
XMM1
Simulación
1kΩ
+EC)
IC)
!'!-+
6'6/6m A
XMM2
#ransistor , #ransistor -
Q1
2N2222A
R3 200Ω
&edición del punto de reposo ()* con R E.6009*' VCC
VCC 12V
R1 430kΩ
RE.6009
12V R2 1kΩ
Simulación
XMM1
XMM2
Q1
+EC)
IC)
!'8,8+
6'036m A
#ransistor , #ransistor -
2N2222A R3 200Ω
4.-Cepite el procedimiento del punto ' anterior. (s el mismo )alor de la ganancia de )oltaAe obtenida en el punto dosQ (Nplica. VCC
XFG1
VCC 12V
R1 430kΩ
C1 100nF
CeDtronix
12V R2 1kΩ
Q1
. B
C2 100nF
2N2222A
RE
XSC1
/
= > E
C
Simulacion' Con resistencia en el emisor (R E.,009*
Entrada
Salida
re. +PP ,12 antes de distorsion z
re. +PP. ,12z 5'!+
arse
+PP.,' 0-+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 8.62 V = = 8.4 &eces Vent 1.02 V
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en el emisor(RE.,009*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
re. ,12z
+PP
antes
de distorsionars e
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
+PP. 5'55+
#ransistor 4.-!, con resistencia en el emisor(RE.,009*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
re. ,12z
+PP
antes
de distorsionars e
XSC1
+PP. 7'0+
R1 430kΩ
C1 100nF
Simulacion' Con resistencia en el emisor (R E.-009*
Entrada
Salida
re. +PP ,12 antes de distorsion z
re. +PP. ,12z 5',! +
+PP.,' 5-+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 8.62 V = = 4.4 &eces Vent 1.02 V
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en el emisor(RE.-009*
Salida
CeDtronix
12V R2 1kΩ
Q1
. B
C2 100nF
2N2222A
RE 200Ω
Vsal 9 V = = &eces Vent 10 mV
Entrada
VCC 12V
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& )
arse
VCC
XFG1
/ = > E
C
6re7 1%@z
+PP
antes
de distorsionars e
re. ,12z
+PP. /'!+
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
#ransistor 4.-!, con resistencia en el emisor(RE.-009*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
re. ,12z
+PP
antes
de distorsionars e
+PP. 5'5+
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
Con resistencia en el emisor (R E.6009* XSC1
VCC
XFG1
R1 430kΩ
C1 100nF
CeDtronix
VCC 12V
12V R2 1kΩ
Q1
. B
C2 100nF
2N2222A
RE 400Ω
/ = > E
C
Simulacion' Con resistencia en el emisor (R E.600*
Entrada
Salida
re. +PP ,12 antes de distorsion z
re. +PP. ,12z 5',! +
arse
+PP.,' 5-+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 8.62 V = = 4.4 &eces Vent 1.02 V
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en el emisor(RE.600*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
re. ,12z
+PP
antes
de distorsionars e
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
+PP. /'3-+
#ransistor 4.-!, con resistencia en el emisor(RE.600*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
re. ,12z
+PP
antes
de distorsionars e
+PP. 8'/!+
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
.-+onecta un capacitor en paralelo con C R como lo muestra la gura Dd. bser)a y anota lo Fue ocurre con la amplitud de la se"al de salida. ?e modica el )alor de !)Q Por Fu5Q XSC1
VCC
XFG1
12V
al +onectar el capacitor en paralelo con la resistencia se logra dar ms estabilidad al circuito y tambi5n obtenemos una mayor ganancia de )oltaAe en la salida.
R1 430kΩ
C1 100nF
CeDtronix
VCC 12V R2 1kΩ
Q1
B
/ = >
C
C2 100nF
2N2222A
RE 100Ω
C3 4.7µF
. !umenta la amplitud de la se"al de entrada de modo Fue el transistor entre a las regiones de corte y saturación 3uarda en G?: la grca de la se"al de salida y mide sus )alores mNimo y m>nimo de la amplitud. (Nplica en Fu5 regiones est trabaAando el <:; y por Fu5Q
D. Cealiza un cuadro sinóptico para )aciar todos los resultados num5ricos resultantes de eNperimentar en los diferentes circuitos con los dos transistores /I1 y I'0* anotando tus obser)aciones para cada caso. 8. Cealiza tus conclusiones. +omplementa y resuel)e el cuestionario para Fue lo aneNes al reporte. +uestionario
1 9ndica la principal caracter>stica de la polarización Aa. ' +ul es la función de C RQ
Practica /;Amplifcador con polarización de colector< base en confguración Emisor común;'
Introducción En un proceso de diseño o de an-lisis de un amplificador es necesario conocer la respuesta del sistema tanto en 8( como en ;(. a selección del punto de traba!o % de un transistor se realiza a través de diferentes circuitos de polarización que fi!en sus tensiones y corrientes. En la figura a se incluyen los circuitos de polarización m-s típicos basados en resistencias y fuentes de alimentaciónF adem-s, se indican las ecuaciones que permiten obtener el punto de traba!o de los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en algunos casos importantes.
1.- ,ise"a un amplicador con :;< en conguración emisor comTn con polarización de colector base /como el Fue ilustra0 la gura 8a. +omo @emos )ista la importancia de mantener el punto de reposo en medio de la recta de carga para poder brindarle mayor estabilidad al circuito amplicador se dise"ara un circuito de polarización colector base el cual presenta una mayor estabilidad Fue los circuitos anteriores.
!"#$a %a. C!$&#!'( *+ ,(-a$!a&!/n *+ '$an!'($+ JT
! continuación se realizaran los clculos de los arreglo de resistencias para el circuito de polarización colector-base para poder obtener un punto de reposo en $+(I7D$ y 9+I7Dm!.
C(n!*+$+( +- !"#!+n'+ &!$&#!'(
Ecuacion de malla de entrada 1.−V CC = RC ( I C + I B ) + I B R B + I E R E
Ecuación de malla de salida 2.−V CC = RC ( I C + I B ) +V CE + I E R E
8e la ecuación = despe!amos el resistor de colector" RC =
V CC −V CE − R E I E I E
8e la ecuación / despe!amos el resistor de base" RB =
V CC − RC ( I C + I B )− R E I E I B
Ceniendo las consideraciones de 5e3/++ ?, =++ ? y con ++ ?, que corresponden a los valores permitidos para que haya una ganancia optima, exceptuando el valor de /++ ? que est- por deba!o del rango permitido se tiene" (on 5e3/++ ?
RC =893 " y RB =176.66 ! "
(on 5e3=++ ? RC =795.02 " y R B=176.66 ! "
(on 5e3++ ?
Polarización colector base con: las siguientes resistencias calculadas R E=100 " ( 200 " ( 400 "
RC =893 "( 795.02 "( 595.02 " RB =176.66 ! " (
::
::
RC =595.02 " y R B=176.66 ! " '.- repita las instrucciones y el procedimiento indicado en la prctica o D* agregando tambi5n al circuito dise"ado los capacitores + 1 y + ' a la entrada y la salida respecti)amente. a. !rme el circuito amplicador con :;< en conguración emisor comTn con la conguración emisor-base y mida el punto de operación en reposo. VCC 12V
RC
R Q1
2N2222A
RE
&edición del punto de operación en reposo ()* con RE.,009*' VCC 12V
RE.,009
RC 893Ω
R 177kΩ
2 DC 1e-009Ohm
+
.%5
A
-
Q1 +
.224
V
1 DC 10MOhm
Simulación #ransistor , #ransistor -
+EC) D.''4$
IC) .8LDm!
-
2N2222A
RE 100Ω
&edición del punto de operación en reposo ()* con RE.-009*' VCC 12V
RE.-009
RC 795Ω 2 DC 1e-009Ohm
+
.%%5 R 177kΩ
A
-
Q1 +
.216 -
2N2222A
RE 200Ω
V
1 DC 10MOhm
Simulación #ransistor , #ransistor -
+EC) D.'1K$
IC) .88Lm!
&edición del punto de operación en reposo ()* con RE.6009*' VCC 12V
RC 595Ω
RE.6009 2 DC 1e-009Ohm
+
.%%5 R 177kΩ
A
-
Q1 +
.216 -
2N2222A
RE 400Ω
V
1 DC 10MOhm
Simulación #ransistor , #ransistor -
+EC) D.'1K$
IC) .88Lm!
b. !plicando a la entrada del circuito una se"al de 1U@z y una )oltaAe pico a pico inicial de 1m$* aumentar lentamente la amplitud de la se"al @asta Fue en la salida obtenga un mNimo de amplitud de la forma de onda sin distorsionarse.
Simulacion'
XSC1
VCC 12V
Con resistencia en el emisor (R E.,009*
XFG1
CeDtronix
RC 595Ω
B
C2 R 177kΩ C1
Entrada
Salida
re. +PP ,12z de
re. ,12z
antes
distorsiona rse
100nF
+PP. 7',7 +
+PP.,'8+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 9.19 V = = 7 .4 &eces Vent 1.23 V
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en el emisor(RE.,009*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
re. ,12z
+PP
antes
de distorsionars e
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& )
+PP. -0'6+
Q1
100nF
2N2222A RE 400Ω
/ = >
C
Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
#ransistor 4.-!, con resistencia en el emisor(RE.,009*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
re. ,12z
+PP
antes
de distorsionars e
+PP. ,7'-+
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
Simulacion' (Con un areglo de resitencias de:R E.-009 = RC./739*
Con resistencia en el emisor (R E.-009*
Entrada
Salida
re. +PP ,12 antes de distorsion z
re. +PP. ,12z 5',! +
arse
+PP.,' 5-+
%anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 8.62 V = = 4.4 &eces Vent 1.02 V
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en el emisor(RE.-009*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
re. ,12z
+PP
antes
de distorsionars e
+PP. 7'05+
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
#ransistor 4.-!, con resistencia en el emisor(RE.-009*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
re. ,12z
+PP
antes
de distorsionars e
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& )
+PP. 5'5+
Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
Con resistencia en el emisor (R E.6009 = RC.3739 * XSC1
VCC
XFG1
CeDtronix
VCC 12V
R1 430kΩ
C1 100nF
12V R2 1kΩ
Q1
.
/ = > E
C
B
C2 100nF
2N2222A
RE 400Ω
Simulacion' Con resistencia en el emisor (R E.600*
Entrada
Salida
re. +PP ,12 antes de distorsion z
re. +PP. ,12z 5',! +
arse
+PP.,' 5-+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 8.62 V = = 4.4 &eces Vent 1.02 V
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en el emisor(RE.600*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
+PP
antes
de distorsionars e
re. ,12z
+PP. /',-+
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
#ransistor 4.-!, con resistencia en el emisor(RE.600*
Entrada
Salida
6re7 1%@z
re. ,12z
+PP
antes
de distorsionars e
+PP.600 m+ %anaciade &olta'e ( A& ) Vsal 781 mV = = &eces Vent 10 mV
+PP. /'8!+
+G(?<9!C9.Practica ">5
?Amplifcador monoetapa con Autopolarización (o polarización por di@isor de tensión* en confguración Emisor Común
PROCE%I&IE"#O: 1. ,ise"e un amplicador con :;< en conguración emisor comTn con polarización por di)isor de tensión /como el Fue se ilustra en la tabla 1. del documento sticas del transistor bipolar y 6(
Practica "> 7
?Amplifcador &ultietapa en Confguración Emisor Común
PROCE%I&IE"#O 1. !rme el circuito de la gura KJ siguienteV XSC1
CeDtronix
VCC
XFG1
12V
R1 82kΩ
.
R4 22kΩ
R3 820Ω
Q1
C1 Q2
C3 10µF
10µF
/ = > E
C
B
C4 10µF
2N2222A
5 8.2kΩ
2N2222A
2 22kΩ
R 1kΩ
4% 470Ω
C2 10µF
R2 220Ω
igura 7a '. Primero mida y anote el punto de operación en reposo de los transistores I1 y I'* es decir* sin aplicarle se"al del generador de funciones al circuito amplicador sino solamente con el )oltaAe de polarización $cc de la fuente de poder. VCC 12V
R1 82kΩ
R4 22kΩ
R3 820Ω
R 1kΩ
operación en3 reposo
+
.0%6
A
4 DC
Punto de
-
+
.552
A
DC 1e-009Ohm
Q1
-
+
Simulación
Q2 +
.5% -
2N2222A
2 22kΩ
R2 220Ω
V
2 DC 10MOhm
4.20 -
+EC)
IC)
.L8 $
.LL' m! .8K m!
V
2N2222A
#ransistor 5 4% 8.2kΩ , 470Ω #ransistor -
C2 10µF
4.'$
