informe previo 3 transistor PNP

Laboratorio de Dispositivos y Componentes Electrónicos

UNMSM

U.N.M.S.M Facultad de Ing. Electrónica y Eléctrica Apellidos y Nombres

Matricula

Curso Tema Dispositivos y Dispositivos foto electrónicos de componentes dos terminales electrónicos Informe Fechas Nota Previo Realización Entrega Numero -

5 Grupo Numero: 21 Horario: 10-12

23/05/18 Profesor

Ing. Russell Córdova Ruíz

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I.

Objetivos : 1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP. 2. Comprobar las características de funcionamiento bipolar PNP

II.

Marco teórico



Transistor Bipolar PNP : Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente el transistor

está constituido por tres regiones semiconductores denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados PNP y NP, siendo el comportamiento de los transistores PNP totalmente análogos. Es un dispositivo electrónico de estado sólido consiste en dos uniones PN muy cercanas entre si, que permiten aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada es bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores más co nocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital. EMISOR: Se diferencia de las otras dos por estar

fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que este terminar funciona como emisor de portadores de carga. BASE: La intermedia, muy estrecha, que separa al emisor del colector. COLECTOR: De extensión mucho mayor. En su funcionamiento normal, la unión baseemisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores y la mayoría pasa al colector. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un bipolar

El transistor posee tres estados de operación: Zona de saturación: o El diodo colector esta polarizado directamente y el transistor se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un aumento adicional de la base no provoca un aumento de la corriente del colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado. Zona activa: o En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente, determinada por




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Zona de corto: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener un circuito baseemisor abierto, en estas circunstancias la corriente del colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito colector-emisor como un interruptor abierto.

o

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y colector.

De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares 2N3906 y BF494AB. (AC128 y AC126), (BD138, TR50 y TR85) 

2N3906

RANGOS SIMBOLO Colector-emisor voltaje VCEO Colector- base voltaje VCBO Emisor-base voltaje V EBO Colector corriente continua ID Disipacion total del dispositivo a T A =25°C PD Por debajo de 25°C Disipacion total de energía a T A =60°c PD Disipacion total del dispositivo a T C =25°C PD Por debajo de 25°C Union de funcionamientos y TJ , Tstg almacenamiento (rango de temperatura) CARACATERISITICAS TERMICAS Resistencia térmica, unión ambiente R JA Resistencia térmica, unión case R JC CARACTERISTICAS ELECTRICAS ɵ

ɵ

Colector-emisor voltaje de ruptura

V(BR)CEO

VALOR 40 40 5 200 650 5 250 1.5 12 -55 a +150

UNIDAD Vdc Vdc Vdc mAdc mW mW/°C mW/ mW mW/°C °C

200 83.3

°C/W °C/W

min 40

max -

unidad Vdc






BF494

Símbolo VCBO VCEO ICM Ptot hFE f t



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Parámetro Colector- base voltaje Colector-emisor voltaje Disipación máxima del colector Disipación total de energía DC Frecuencia de transición

Condiciones Emisor abierto Base abierta

TA =< 25°C IC=1mA , VCE= 10v IC=1mA , VCE= 10v, f=100Mhz

min 67 120

max 30 20 30 300 220 -

AC128

ESPECIFICACIONES MAXIMAS

Disipación total del dispositivo Tensión colector-base Tensión colector-base Tensión emisor-base Corriente del colector DC máxima Temperatura operativa máxima CARACTERISTICAS ELECTRICAS Producto de corriente-ganancia-ancho de banda Capacitancia de salida Ganancia de corriente continua Empaquetado



Simbolo PC VCBO VCEO VEBO IC TJ

Valor 1 32 16 10 1 100

Unidades W V V V A °C

f T CC (hfe)

1 200 45 TO1

Mhz pF

AC126 ESPECIFICACIONES MAXIMAS

Disipación total del dispositivo Tensión colector-base Tensión colector-base Tensión emisor-base Corriente del colector DC máxima Temperatura operativa máxima CARACTERISTICAS ELECTRICAS

Simbolo PC VCBO VCEO V EBO IC TJ

Valor 0.5 32 12 10 0.1 90

Unidades W V V V A °C

undidad V V mV mW

Mhz






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BD138 ESPECIFICACIONES MAXIMAS

Disipación total del dispositivo Tensión colector-base Tensión colector-base Tensión emisor-base Corriente del colector DC máxima CARACTERISTICAS ELECTRICAS Producto de corriente-ganancia-ancho de banda Ganancia de corriente continua Empaquetado

III.

Simbolo PC VCBO VCEO VEBO IC

Valor 12.5 60 60 0.5 1

Unidades W V V V A

f T (hfe)

75 40 - 160 TO 126

Mhz

Procedimiento Hallaremos la resistencia directa e inversa del transistor 2N3906. Directo Base - Emisor

Base – Colector

Colector - Emisor

Base – Colector

Colector - Emisor

Inverso Base - Emisor




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