UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR Escuela de Ingeniería Eléctrica MEBLEC: Modalidad de Enseñanza B-Learnin Cons!r"#!i$is!a
%"&a de A'rendiza(e )) *El MOS+ET, Transis!or de Ee#!o de Ca.'o Me!al O/ido Se.i#ond"#!or 0 V1 )12
Curso en Modalidad Semipresencial VISIÓN INSTITUCIONAL Constituirse en modelo de calidad, diversidad de servicios, pertinencia social e innovación, ubicándose a nivel nacional como líder en educación semi presencial y respeto al medio ambiente
MISIÓN INSTITUCIONAL
Formar profesionales con Alto Sentido Crítico y Ético, con capacidad de Autoformación Autoformación y con las Competencias Técnico-Cientícas Técnico-Cientícas requeridas requeridas para Resoler Resoler !ro"lemas mediante Soluciones 1 enfocadas al #esarrollo Social y Respetuosas del $edio Am"iente
DATOS GENERALES PARA EL APRENDIZAJE
Carrera: Ingeniería Carrera: Ingeniería Eléctrica Asignatura: ELECTRÓNICA Asignatura: ELECTRÓNICA I. Área de Formación en la Carrera: Electrónica Carrera: Electrónica y Control. Unidad Didáctica V: El V: El FET, Transistor de Efecto de Camo. Tema: !rinciales Características de los "#$FET.
Objetivo %& E'l E'lic icar ar el rinci rincii io o de f(nci f(ncion onam amie ient nto o de los los Transi ransist stor ores es de Efec Efecto to de Camo "eta etal #'ido $emi emicond(ct (ctor )aliéndose de s(s C(r)as r)as Características y s(s *o+as de Esecificaciones Técnicas.
En Abono a las iguientes Com!etencias %& INTER! INTER!RET RETA ACIÓN CIÓN E AT AT#$ T-CNIC T-CNIC#$ #$ de Transi ransisto stores res de Efecto de Camo. & CA!ACIA CA!ACIA !ARA !ARA C#"!RENER C#"!RENER rinciios rinciios de f(ncionamiento f(ncionamiento a tra)és de gr/ficos de c(r)as de transferencias.
Objetivo de "endimiento !osterior a la e'osición de los concetos de esta g(ía, el est(diante lograr/0 1 Identi Identific ficar ar las las difer diferenc encias ias entre entre (n 2FET 2FET y (n (n "#$FE "#$FET T. 1 Fami Famililiar ari3 i3ar arse se con con las las rin rinci cia ale less cara caract cter erís ístitica cass técn técnic icas as 4(e 4(e m(es m(estr tran an los los fa5ricantes de los "#$FET
2
Sección B FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA
#$% &rinci!io de Funcionamiento de los 'OFET% Este es el seg(ndo tio de FET m/s (tili3ado en el camo de la electrónica, el ectrónica, el rimero es el 2FET tal como se est(dió en g(ías anteriores, las siglas 4(ieren decir Transistor de Efecto de Camo "etal #'ido $emicond(ctor6 estos se s(5di)iden en0 1 "#$FE "#$FET T del Ti Tio o ECRE"E ECRE"ENT NTA AL, ele' ele'ión ión o Emo5r Emo5reci ecimie miento nto.. 1 "#$FE "#$FET T del Tio Tio INCRE" INCRE"EN ENTA TAL, L, Ac(m Ac(m(la (lació ción n o Enri4(eci Enri4(ecimie miento nto..
#$%$% 'OFET del Ti!o Decremental( De!le)ión o Em!obrecimiento% Estos tienen características m(y similares a los 2FET entre las 3onas de corte y sat(ración en I$$ ero l(ego tiene el rasgo adicional de características 4(e se e'tienden 7acía la región de olaridad o(esta ara 8 9$. Al ig(al 4(e el 2FET, 2FET, los 7ay de canal n y canal . La sig(iente fig(ra m(estra la estr(ct(ra 5/sica de (n "#$FET del tio ecremental0
Fi%& '( “MOSFET del Tipo Decremental de canal n” Tal Tal como (ede areciarse, es (n disositi)o de c(atro terminales0 1 rena+e, . 1 Com(erta, 9. 9. 1 F(ente, $. 1 $(strato, $$ $$. En alg(nos disositi)os el $$ est/ conectado internamente con la f(ente $6 la com(erta se enc(entra conectada a (na s(erficie de contacto met/lico, ero ermanece aislada del canal n or medio de (na caa m(y delgada de ió'ido de $ilicio :$ i#&, este ;ltimo es (n tio artic(lar de 3
aislante conocido como dieléctrico 4(e ocasiona camos eléctricos, esta caa de aislante tam5ién e'lica la alta imedancia de entrada característica en este disositi)o. La e'licación anterior re)ela re)ela el nom5re nom5re de "etal1 "etal1#'i #'ido1 do1$em $emico icond( nd(cto ctor6 r6 lo de metal metal or la laca laca met/li met/lica ca e'lic e'licada ada anteriormente, lo de #'ido or el $ i# y lo de $emicond(ctor or la artic(laridad de cómo se dif(nden dif(nden las las cargas cargas en en regiones regiones conformadas conformadas or materiales materiales del tio n y . Lo de de com(er com(erta ta aislada e'lica como en alg(nos te'tos estos disositi)os se denominan I9FET:FET de com(erta Aislada, Ins(lated 9ate&.
#$%*% +mbolo !ara 'OFET del Ti!o Decremental o de De!le)ión% La fig(ra m(estra el sím5olo de (n "#$FET ecremental o de ele'ión de canal n0
Fi%& )( “MOSFET del Tipo Decremental de canal n” La fig(ra < m(estra el sím5olo de (n "#$FET ecremental o de ele'ión de canal 0
Fi%& *( “MOSFET del Tipo Decremental de canal p” En am5as fig(ras, la com(erta est/ aislada de todo el c(ero del disositi)o, el drena+e y la f(ente est/n (nidos or (na línea indicando la formación de (n canal entre estos.
#$%,% O!eración #ásica - Caracter+sticas !ara 'OFET del Ti!o Decremental% !ara el f(ncionamiento m/s 7a5it(al de estos "#$FET se (tili3a esta olari3ación0
4
Fi%& +( “Polarizacin !a"it#al para MOSFET del Tipo Decremental” Tal como se (ede )er en la fig(ra anterior, estos "#$FET de canal n se olari3an ali alica cand ndo o (na (na tens tensió ión n osi osititi)a )a entr entre e y $ y entr entre e 9 y $ nega negatiti)a )a lleg llegan ando do 5a+o 5a+o cier cierta tass circ(nstancias 7acer ositi)a de ac(erdo al comortamiento 4(e se resenta en esta g(ía y 4(e se odr/ notar me+or en s( c(r)a característica6 los de canal son en forma in)ersa a los de canal n6 notar ara am5os casos, el sentido de circ(lación de las corrientes I . La fig(ra = m(estra la estr(ct(ra de5idamente olari3ada ara (n "#$FET decremental de canal n, en este caso, si alicamos (na tensión 8 9$ > ?, se atraer/ m/s electrones 7acia la 3ona de la (erta y se reeler/n m/s 7(ecos de dic7a 3ona, or lo 4(e el canal se ensanc7ar/, or lo tanto, ara )alores 89$ > ? el "#$FET de dele'ión tiene (n comortamiento de ac(m(lación. $i or el contrario damos )alores 89$ @ ? el efecto ser/ el contrario, dismin(yéndose la anc7(ra del canal. En definiti)a, )ol)emos a tener de n(e)o (n efecto de mod(lación de la anc7(ra de (n canal en f(nción de (na tensión alicada 8 9$, sin em5argo, em5argo, si seg(imos dismin(yendo dismin(yendo el )alor de 8 9$ odr/ llegar (n momento en 4(e el canal desaare3ca or comleto, esto s(ceder/ c(ando 8 9$ dismin(ya or de5a+o de (n )alor 8 9$off tal tal como s(cedía con los 2FET. 2FET.
F#ncionamiento de #n MOSFET del Tipo Decremental” Fi%& ( “Para principio de F#ncionamiento 5
e n(e)o las c(r)as características ara el transistor "#$FET de dele'ión :en este caso de canal canal n& son similares similares a las las )istas )istas ara 2FET. 2FET. Notar 4(e, en este este caso, caso, c(ando la la tensión 8 9$ alicada es cero, a la corriente or el disositi)o se le denomina I $$ or analogía al caso del 2FET, sin em5argo, en este caso no se trata de la m/'ima corriente 4(e odemos e'traer del disositi)o tal como se (ede )er en la c(r)a característica sig(iente0
Fi%& ( “C#r$a Caracter%&tica para #n MOSFET del Tipo Decremental” En otros te'tos el término ele'ión se cam5ia or "odo de AgotamientoB y el termino Ac(m(lación or "odo IncrementalB !or ;ltimo, recordar lo 4(e se mencionó ara el transistor 2T, en c(al4(ier caso, el f(ncionamiento del transistor de5e estar siemre dentro de la 3ona marcada or las características roias del transistor, es decir no se de5en s(erar los límites de I "a', ni de 8 $"a' ni or s((esto la c(r)a de la otencia m/'ima de la fig(ra D.
Fi%&.( “C#r$a de Potencia para #n MOSFET del Tipo Decremental” Las ec(aciones % y (tili3adas ara el 2FET son )/lidas ara el "#$FET del Tio ecremental. V GS
2
I I$$ (1− V ) P
Ec.%
89$ 8! (1−
√
I D I DSS
)
Ec. 6
#$%.% /ojas de Datos !ara 'OFET del Ti!o Decremental *0,121%
7
#$%3% 'OFET del Ti!o 4ncremental( Acumulación Acumulación o Enri5uecimiento% La sig(iente fig(ra m(estra la estr(ct(ra 5/sica de (n "#$FET del Tio Incremental0
Fi%& /( “E&tr#ct#ra '(&ica para #n MOSFET del Tipo Incremental de Canal n” !artimos de (na 3ona de material semicond(ctor tio en la 4(e aarecen dos 3onas tio n con contactos contactos met/licos met/licos a los los terminales terminales de drena+e drena+e y f(ente. f(ente. La 3ona ro+a reresentada reresentada corresonde a (na caa de material aislante, en este, al ig(al 4(e el anterior "#$FET anali3ado ó'ido de silicio6 or tanto, si nos fi+amos en el terminal de (erta, )emos como tenemos (na 3ona met/lica :corresondiente al contacto ó7mico& (na 3ona de ó'ido y (na 3ona de semicond(ctor. 8
Tam5ién Tam5ién este "#EFET tiene (n c(arto terminal, el terminal del $(strato :$$&, a(n4(e 7a5it(almente 7a5 it(almente éste se enc(entra conectado a la f(ente. Es reciso 4(e notemos (na característica f(ndamental de este disositi)o y es 4(e la (erta est/ aislada eléctricamente del disositi)o, es decir, no 7ay cone'ión eléctrica entre la (erta y el s(strato y 4(e tam5ién se (ede denotar la a(sencia de (n canal en y $. !or otra arte, indicar 4(e en este caso y el "#$FET anterior no se 7an reresentado las 3onas de carga de esacio 4(e e)identemente aarecer/n en las (niones n or simlificar los di5(+os, ya 4(e, en este caso, y a diferencia del 2FET, las 3onas de carga de esacio no +(egan (n ael rimordial en el f(ncionamiento del disositi)o.
#$%6% +mbolo !ara 'OFET del Ti!o 4ncremental% La fig(ra G m(estra el sím5olo de (n "#$FET Incremental o de Ac(m(lación de canal n y 0
Fi%& 0( “S%m"olo para #n MOSFET del Tipo Incremental de Canal n ) p” Notar en los sím5olos dos asectos significati)os, en rimer l(gar, 4(e el terminal de (erta no tiene cone'ión con el resto de terminales, ya 4(e tal y como 7emos )isto anteriormente, est/ aislado eléctricamente del resto del disositi)o. En seg(ndo l(gar, 4(e los terminales de drena+e y f(ente est/n (nidos a tra)és de (na línea discontin(a, esta línea 7ace referencia al canal 4(e inicialment inicialmente e no e'iste e'iste y 4(e l(ego l(ego se )a a formar formar y 4(e )eremos )eremos m/s adelante. adelante. e n(e)o, n(e)o, la la flec7a indica el sentido en 4(e circ(laría la corriente en el caso de 4(e la (nión n est()iera olari3ada en directa. !ara el f(ncionamiento m/s 7a5it(al, los transistores "#$FET de ac(m(lación se olari3an tal y como se resenta en la fig(ra %?6 Los transistores "#$FET de ac(m(lación de canal n se olari3an alicando (na tensión ositi)a entre drena+e y f(ente :8 $& y (na tensión ositi)a entre (erta y f(ente :8 9$&. e esta forma, forma, la corriente corriente circ(lar/ circ(lar/ en el sentido sentido de drena+e drena+e a f(ente. f(ente. En el caso del "#$FET de ac(m(lación de canal la tensión 8 $ a alicar alicar de5e ser negati)a negati)a y la tensión 89$ negati)a, de esta forma la corriente fl(ir/ en el sentido de la f(ente 7acia el drena+e. En lo s(cesi)o nos concentraremos en el "#$FET canal n y todos los ra3onamientos son a la in)ersa ara "#$FET de canal . 9
Fi%& '1( “Polarizacin para #n MOSFET del Tipo Incremental de Canal n ) p”
#$%1% &rinci!io de Funcionamiento !ara 'OFET del Ti!o 4ncremental de canal n% INFLHENCIA E 8 9$. $(ondremos en (n rinciio 8 $ ? y tam5ién 8 9$ ?, tal como m(estra la sig(iente fig(ra0
Fi%& ''( “E*ecto de +,S- a. /0 $oltio& ) ".10 $oltio&” A(n4(e ali4(emos (na tensión 8$ no circ(lar/ corriente alg(na or el disositi)o, ya 4(e la (nión de drena+e est/ olari3ada en in)ersa. $in em5argo, c(ando 8 9$ >? aarece (n camo eléctrico 4(e lle)a a los electrones 7acia la 3ona de la com(erta y ale+a de dic7a 3ona a los 7(ecos, no (diéndo (diéndose se esta5l esta5lecer ecer (na corriente corriente or estar la (erta (erta aislada. aislada. !ara )alores )alores e4(eos e4(eos de esta tensión 8 9$ alicada se crear/ (na 3ona de carga de esacio :sin ortadores&, sin em5argo, si seg( seg(im imos os a(me a(ment ntan ando do el )alo )alorr de esta esta tens tensió ión, n, la ac(m ac(m(l (lac ació ión n de elect electro rone ness se 7ar/ 7ar/ lo s(ficientemente imortante como ara decir 4(e tenemos (na 3ona n, es decir, se formar/ (n canal de tio n 4(e (nir/ los terminales de drena+e y f(ente tal como se m(estra en la fig(ra %.
10
Fi%& ')( “Formacin del Canal” e esta forma, c(anto mayor sea la tensión 8 9$ alicada mayor ser/ la anc7(ra anc7(ra del canal formado, es decir, de n(e)o tenemos (n efecto de mod(lación de anc7(ra del canal con la tensión 89$. !or otra arte, )emos 4(e en este disositi)o se rod(ce (n efecto de )ariación de (na carga almacenada con (na tensión alicada, este es recisamente el efecto 4(e se rod(ce en (n condensador condensador.. e esta forma, forma, estamo estamoss )iendo )iendo 4(e, de alg(na manera, manera, este este disositi)o disositi)o (ede comortarse como (n condensador. $i a7ora nos fi+amos en la fig(ra %5, al estar los terminales de f(ente, s(strato y drena+e a la misma tensión :or ser 8 9$ ?& las tensiones 8 9$ y 89 ser/n ig(ales, y or lo tanto el canal simétrico resecto de la (erta. !or tanto, )emos 4(e con la tensión 8 9$ odemos mod(lar la anc7(ra del canal, ero no 5asta con 4(e esta tensión sea ositi)a, sino 4(e de5er/ s(erar (n de1 terminado ni)el de tensión, a esta tensión (m5ral a artir de la c(al 7ay canal formado 4(e ermite la circ(lación de corriente entre el drena+e y la f(ente en alg(nos li5ros se le s(ele llamar 8 T :tensión de t7res7old&, a(n4(e en realidad tiene el mismo significado 4(e la tensión 8 9$off )ista ara el transistor 2FET, ya 4(e en am5os caso se trata del )alor mínimo de tensión ara el 4(e e'iste canal 4(e ermite la circ(lación de corriente. Al ig(al 4(e en el caso del 2FET, si a7ora alicamos )alores de tensión 8 $ e4(eos, la relación entre la corriente I y la tensión 8 $ alicada ser/ lineal, es decir, de n(e)o el disositi)o se comorta como (na resistencia c(yo )alor deender/ de la anc7(ra del canal y or lo tanto de la tensión 89$. La relac relación ión entre entre la la corrien corriente te de dren drena+e, a+e, el el )olta+ )olta+e e de drena+ drena+e e y el )olta+ )olta+e e de la com(erta, tiene la sig(iente lógica0
p ar(metro&” Fi%& '*( “L2ica de 3elacin de par(metro&” 11
INFLHENCIA E 8 $. $i (na )e3 4(e se 7a formado el canal alicamos (na tensión ositi)a en el drena+e, or el canal circ(lar/ (na corriente I en el sentido del drena+e 7acia la f(ente. $i a7ora nos fi+amos en la relación de tensiones 8 $ 89$ J 89, al ser 8 $ > ? tendremos 4(e 8 9 @ 89$, or lo tanto, la anc7(ra del canal ser/ menor del lado del drena+e tal como m(estra la sig(iente fig(ra0
Fi%& '+( “E*ecto de +DS en el canal” e n(e)o el comortamiento es el mismo 4(e 7emos )isto anteriormente ara el 2FET, ara )alores de tensión 8 $ e4(eos, el estrec7amiento del canal no ser/ imortante, or lo 4(e la relación entre la tensión alicada y la corriente 4(e circ(la ser/ lineal tal y como esta5lece la Ley de #7m. A medida medida 4(e el )alor de 8$ a(mente, el estrec7amiento comen3ar/ a ser imortante, )ariando la resistencia 4(e resenta el canal y erdiendo la linealidad de la característica6 7asta 4(e la tensión 8 $ alcance el )alor de 8 $$at, momento en el c(al el canal se 7a5r/ cerrado or comleto. A artir de este instante, si seg(imos a(mentando la tensión 8 $, or encima de este )alor 8 $$at, la corriente I se mantiene constante6 lo anterior se m(estre me+or il(strado en la sig(iente fig(ra0
12
Fi%& '( “Caracter%&tica ID4+DS para #n $alor + ,S con&tante” e n(e)o, la corriente no se an(la al cerrarse el canal, ya 4(e si ello s(cediese el drena+e y la f(ente estarían al mismo otencial, lo 4(e imlicaría 4(e 8 9$ y 89 ser/n ig(ales y or lo tanto el canal simétrico resecto a la (erta, es decir, la sit(ación en la 4(e est/5amos con 8 $ ?6 la c(r)a característica de este "#$FET es la sig(iente0
Fi%& '( “C#r$a Caracter%&tica para MOSFET del Tipo Incremental” Ig(almente, odremos disting(ir las K 3onas de f(ncionamiento del transistor0 13
ona de corte o de no cond(cción. • ona ó7mica o de no sat(ración. • ona de sat(ración o de corriente constante. • ona de r(t(ra. •
#$%7% 8onas de Trabajo !ara 'OFET del Ti!o 4ncremental de canal n% 8ona de corte o de no conducción% $e corresonde con el e+e 7ori3ontal de la gr/fica. En esta 3ona la corriente I ? con indeendencia del )alor 8$. Esto se da ara )alores de 8 9$ ≤ 8T, donde el canal no est/ comletamente formado.
8ona ó9mica o de no aturación% $e da ara )alores de 8 $ inferiores al de sat(ración, es decir, c(ando 8 $ ≤ 8 9$ J 8T, ara estos )alores )alores de tensión tensión el canal se )a estrec7ando estrec7ando de la arte del drena+e, drena+e, rincialmente, rincialmente, 7asta llegar llegar al estrang estrang(la (lamie miento nto comle comleto to ara ara 8$$at. En esta esta 3ona 3ona el tran transi sist stor or se com comor orta ta aro'imadamente como (na resistencia )aria5le controlada or la tensión de (erta, so5re todo ara )alores e4(eos de 8 $, ya 4(e a medida 4(e nos aro'imamos al )alor de 8 $$at, y ara cada )alor de 89$ se )a erdiendo la linealidad de5ido al estrec7amiento del canal 4(e se aro'ima al cierre.
Fi%& '.( “Comportamiento de #n MOSFET del Tipo Incremental como re&i&tencia $aria"le” 8ona de saturación o de corriente constante% Esta 3ona se da ara )alores 8 $ > 8 $$at . A7ora la corriente I ermanece in)ariante frente a los cam5ios de 8 $ y sólo deende de la tensión 8 9$ alicada. alicada. En esta 3ona el transistor transistor se comorta como (na f(ente de corriente controlada or la tensión de (erta 8 9$. La relación entre la 14
tensión 89$ alicada y la corriente I 4(e circ(la or el canal en esta 3ona )iene dada or la sig(iente ec(ación0
I M:
V GS −V T ¿
2
Ec.<
Fi%& '/( Para +DS1+DSSat el MOSFET &e comporta como #na *#ente de corriente controlada con la ten&in +,S5 8ona de "u!tura% Hn transistor "#$FET se (ede romer or dos moti)os. ien or4(e se erfora el dieléctrico c(ando la tensión 8 9$ s(era (n determinado )alor 4(e )endr/ determinado or el aislante, o 5ien or4(e en la (nión n del lado del drena+e :olari3ada en in)ersa& se s(era el )alor de la tensión de r(t(ra de dic7a (nión, dado 4(e esta (nión est/ olari3ada con (na tensión in)ersa de )alor 8$ la r(t(ra se rod(cir/ c(ando 8 $ ≥ 8r con indeendencia del )alor de 8 9$, or tanto en la 3ona de r(t(ra todas las distintas c(r)as en f(nción de 8 9$ se +(ntan en (na ;nica.
#$%2% /oja de Datos !ara 'OFET del Ti!o 4ncremental de canal n%
15
#$%$% &roblema $( de 'OFET del ti!o decremental de canal n% Tra3ar las características de transferencia ara (n "#$FET del tio decremental de canal n con I $$ %? mA y 8 ! 1K )oltios. $ol(ción0 En 89$ ? )oltios, I I$$ %? mA y en 8 9$ 8! 1K)oltios, I ? mA Htili3ando la ec(ación % o5tenemos la sig(iente ta5la y gr/fica0 I,
%K
%.
%?
N
O
K
.
89$
1O
1=
1K
1<
1.
1%
F%
16
V;
4D
?.? 1%.? 1.? 1<.? 1K.? %.?
%?.? =.O .=? ?.O ?.? %=.O
Sección C CUESTIONARIO A RESOLVER Y ENTREGAR En esta sección se resenta (n c(estionario 4(e de5es contestar y entregar seg;n las indica indicacio ciones nes 4(e se te den6 den6 este este c(esti c(estiona onario rio tiene tiene como como o5+eti o5+eti)o )o ind(ci ind(cirr al est(di est(diant ante e a la comrensión y en alg(nas reg(ntas, fomentar el asecto in)estigati)o so5re el tema. %& !ara (n "#$FET "#$FET como como el del ro5lema ro5lema % de esta esta g(ía :/gina :/gina %O& reite reite ese ese e+emlo, e+emlo, ero ara I$$ % mA y 8 ! 1 = )oltios. & E'lica E'lica la diferencia diferencia entre entre los tio tio de "#$FET "#$FET 4(e se e'lican e'lican en esta esta g(ía. <& En el rim rimer er /rraf /rrafo o de la /gi /gina na %%, %%, al "#$FET "#$FET se le comar comara a con con (n conden condensa sado dorr, e'li4(e las ra3ones. K& E'lic E'lica a 4(e se se signif significa ica el el )olta+ )olta+e e 8 T en esta g(ía. =& En la fig. fig. O de esta esta g(ía g(ía,, o5se o5ser) r)as as la c(r) c(r)a a de trans transfe fere renc ncia ia de (n "#$FET "#$FET del tio tio decremental, e'lica c(/l es la rincial diferencia entre esta y la c(r)a de transferencia de (n 2FET. O& "ira el el )ideo )ideo de los los "#$FET "#$FET a tra)és tra)és de este este linP0 linP0 7tts0QQ.yo(t(5e.comQatc7S)=dN) 7tts0QQ.yo(t(5e.comQatc7S)=dN)nT!T nT!TRo Ro y e'lica con t(s roias ala5ras como es 4(e se forma el canal en los "#$FET E enri4(ecimiento. D& !ara el mismo mismo )ideo anterior anterior,, e'lica e'lica como se le llama al )olta+e )olta+e en 4(e comien3a comien3a a formarse formarse el canal entre y $ en este tio de "#$FET. & "ira el )ideo ara ara !R#AR !R#AR HN "#$FET "#$FET a tra)és tra)és de este este linP0 linP0 7tts0QQ.yo(t(5e.comQatc7S)IRd3?K U e'lica las tres maneras de ro5ar (n "#$FET. 17
Sección D FUENTES DE CONSULTA %& oyles oylestad tad,, Ro5ert Ro5ert L.6 Nas7els Nas7elsPy Py,, Lo(is6 Lo(is6 Elect Electróni rónica0 ca0 Teoría oría de Circ(i Circ(itos tosB6 B6 $e'ta $e'ta Edició Edición6 n6 Editorial !rentice1*all6 "é'ico, %GGD. & Alg(na Alg(nass f(entes f(entes de Inte Interne rnett U yo(t(5 yo(t(5e. e. 3) A(ntes e Interretaciones del T(tor T(tor de la asignat(ra.
18
