-> paginas 61-63.
1.-¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de cobre? a) 1 c) 18 b) 4 d) 29 2. La carga resultante de un átomo neutro de cobre es. a) c) -1 b) !1 d) !4 ". #i a un átomo de cobre se le e$trae su electr%n de &alencia' la carga resultante (ale a) C) -1 b) ! d) t4 4. La atracci%n atracci%n *ue e$perimenta e$perimenta +acia el núcleo del ,lectr%n ,lectr%n de (alencia (alencia de un átomo de cobre es a) inguna b) /bil c) 0uerte d) mposible de describir .¿cuántos electrones de (alencia tiene un tomo de silicio? a) c) 2 b) 1 d) 4 3. ,l semiconductor más empleado es a) Cobre c) #ilicio b) ermanio d) inguno de 1s anteriores5 6. ¿7u/ número de protones posee un átomo de silicio? a) 4 c) 29 b) 14 d) "2 8. Los tomos de silicio se combinan en una estructura rdenada *ue recibe el nombre de a) ,nlace co(alente b) Cristal c) #emiconductor d) rbital de (alencia 9. n semiconductor intr:nseco presenta algunos ;uecos a temperatura ambiente causados por a) ,l dopa
d) ,lectrones de (alencia
1. Cada electr3n de (alencia en un semiconductor intr:nseco establece un a) ,nlace co(alente c) ;ueco b) ,lectr%n libre d) =ecombinaci%n. 11. La uni%n de un electr%n libre con un +ueco recibe el nombre de a) ,nlace co(alente c) =ecombinaci3n b) >iempo de (ida d) ,nerg:a t/rmica 12. temperatura ambiente un cristal de silicio intr:nseco se comporta como a) na bater:a c) n aislante b) n conductor d) n +ilo de cobre 1". ,l tiempo *ue. >ranscurre entre la creaci%n de un ;ueco @ su desaparici3n se conoce como a) opaiempo de (ida d) &alencia 14. l electr%n de (alencia de un conductor se le denomina tambi/n por a) ,lectr%n ligado b) ,lectr%n libre
c) úcleo d) Arot%n
1. ¿cuántos tipos de Blu
19. ,n un semiconductor intr:nseco' el número de ,lectrones libres esD a) gual a1 número de +uecos b) a@or *ue el número de +uecos c) enor *ue el número de +uecos d) inguna de las anteriores 2. La temperatura de cero absoluto es igual a a) -26" C c) 2 C b) C d) C. 21. la temperatura de cero absoluto un semiconductor ntr:nseco presenta a) Aocos electrones libres b) uc+os +uecos c) uc+os electrones libres d) i +uecos ni electrones libres 22. temperatura ambiente un semiconductor intr:nseco >ieneD a) lgunos electrones libres @ +uecos b) uc+os +uecos c) uc+os electrones libres d) ingún +ueco 2". ,l número de electrones libres @ de +uecos en un semiconductor intr:nseco aumenta cuando la temperaturaD a) isminu@e b) umenta c) #e mantiene constante d) inguna de las anteriores 24. ,l Blu
2. Los +uecos se comportan como a) átomos b) Cristales
c) Cargas negati(as d) Cargas positi(as
23. cuantos electrones de (alencia tienen 1s átomos >ri(alentes? a) 1 b) "
c) 4 d) 5
26 ¿7u/ número de electrones de (alencia 5tiene un atom donador? a) 1 c) 4 b) " d) 5 28. #i *uisiera producir un semiconductor tipo p' ¿7u/ emplear:a? a) átomo aceptador b) tomos donadores c) mpureEas penta(alentes d) #ilicio 29. Los +uecos son minoritarios en un semiconductor tip a) ,$tr:nseco c) >ipo n b) ntr:nseco d) >ipo p ". ¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor tip p? a) uc+os b) inguno c) #olo los producidos por la energ:a t/rmica d) ,l mismo número *ue de +uecos "1. La plata es el me
a) enos de un bill%n b) n bill%n c) más de un bill%n d) mposible de contestar "". na Buente de tensi%n es aplicada a un semiconductor tipo p. #i el e$tremo iE*uierdo del cristal es positi(o' en *ue sentido circulan 1s portadores ma@oritarios? a) ;acia la iE*uierda b) ;acia la derec+a c) ,n ninguna diiecci3n d) mposible de contestar "4. Cuáles de las siguientes conceptos est3 menos relacionado con los otros tres? a) Conductor b) #emiconductor c) Cuatro electrones de (alencia d) ,structura cristalina ". ¿Cuáles de las siguientes temperaturas es apro$imadamente gual a la temperatura ambiente? a) FC c) FC b) 2 FC d) 6 FC "3. Cuantos electrones +a@ en la orbital de (alencia de un +omo de silicio dentro de un cristal? a) 1 c) 8 b) 4 d) 14 "6. Los iones positi(os son 3tomos *ue a) ;an ganado un prot%n b) ;an perdido un prot%n c) ;an ganado un electr%n d) ;an perdido un electr%n
"8. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n? a) eutro b) Cargado positi(amente c) Cargado negati(amente d) >iene muc+os +uecos
"9. n semiconductor tipo p contiene +uecos @ a) ones positi(os b) ones negati(os c) tomos penta(alentes d) tomos donadores 4. ¿cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p? a) eutro b) Cargado positi(amente c) Cargado negati(amente d) >iene muc+os electrones libres 41. ¿Cuál de los siguientes elementos no se puede o(er? a) ;uecos b) ,lectrones libres c) ones d) Aortadores ma@oritarios 42. La *ue se debe la Eona de deple$i%n? a) l dopa
c) 1 & d) 2 m& por FC
44. Aara producir una gran comente en un diodo de silicio polariEado en directa' la tensi3n aplicada debe superar a) & c) '6 & b) '" & d) 1 & 4. ,n un diodo de silicio la corriente in(ersa es nor- . malmenteD a) u@ pe*ueGa b) u@ grande c) Cero d) ,n la regi%n de ruptura
43. La corriente superBicial de Bugas es parte de a) La corriente de polariEaci%n directa b) La comente de ruptura en polariEaci%n directa c) La comente in(ersa d) La comente de ruptura en polariEaci%n in(ersa. 46. La tensi%n *ue pro(oca el Bundamento de a(alanc+a es a) La barrera de potencial b) La Eona de deple$i%n c) La tensi3n de cod d) La tensi3n de ruptura
48. La diBusi%n de electrones libres a tra(/s de la uni%n de un diodo produceD a) AolariEaci%n directa b) AolariEaci%n in(ersa c) =uptura d) La Eona de deple$i%n 49. Cuando la tensi%n in(ersa crece de & a 1 &' la Eona de deple$i%nD a) #e reduce c) o le ocurre nada b) Crece d) #e rompe . Cuando un diodo es polariEado en directa' la recombinaci3n de electrones libres @ +uecos puede AroducirD a) Calor b) LuE c) =adiaci%n d) >odas las anteriores
1. #i aplicamos una tensi3n in(ersa de 2 & a un diodo' la tensi3n en la Eona de deple$i%n serie de a) & b) '6 & c) 2 (
d) inguna de las anteriores 2. Cada grado de aumento de temperatura en la uni%n decrece la barrera de potencial en a) 1 m& c) 4 m& b) 2m& d) 1 m& ". La comente in(ersa de saturaci%n se duplica cuando la temperatura de la uni%n se incrementa a) 1 FC b) 2 FC
c) 4 FC Hd) 1 FC
4. La comente superBicial de Bugas se duplica cuando la tensi%n in(ersa aumentaD a) 6 por 1 b) 1 por 1
C) 2 por 1 d) 2m&
-> páginas de 89-90 l. Cuando la representaci%n de la comente en Bunci%n de la tensi%n es una l:nea recta' el dispositi(o se conoce como a) cti(o b) Lineal c) o lineal d) Aasi(o 2. ¿7u/ clase de dispositi(o es una resistencia? a) nilateral b) Lineal
C) lineal d) Iipolar5 ". ¿7u/ clase de dispositi(o es un diodo? a) Iilatera b) Lineal c) o lineal d) nipolar 4. ¿C%mo está polariEado un diodo *ue no conduce? a) irectamente b) lre(es c) nsuBicientemente d) n(ersamente . Cuando la comente por el diodo es grande' la AolariEaci%n esD a) irecta b) lre(es c) ,scasa d) n(ersamente 3. La tensi%n umbral de un diodo es apro$imadamente gual aD a) La tensi%n aplicada b) La barrera de potencial c) La tensi%n de ruptura d) La tensi%n con polariEaci%n directa
6.- La corriente in(ersa consiste en la corriente de Aortadores minoritarios @ a) La comente de a(alanc+a b) La comente con polariEaci3n directa c) La comente superBicial de Bugas d) La comente Jener 8.-,n la segunda apro$imaci%n' ¿7u/ tensi%n +a@ en un diodo de silicio polariEado en directo? .a) & b) '" & c) '6 & d) 1&
9.-,n la segunda apro$imaci3n' i*uC comente +a@ en un diodo de silicio polariEado en in(ersa? a) b) 1m c) " m d) inguna de las anteriores 1.,n la apro$imaci%n ideal' ¿cuál es la tensi%n en el diodo polariEado en directa? a) & b) '6 & c) a@or *ue '6 & d) 1 ( 11.La resistencia interna de un 141 es a) +oms C) 1 +oms b) '2" +oms d) 1 +oms 12.#i la resistencia interna es nula' la cur(a por encima de la tensi%n umbral es a) ;oriEontal b) &ertical c) nclinada 4K d) inguna de las anteriores 1". ,l diodo ideal es generalmente adecuado para a) etecci%n de a(er:as b) ;acer cálculos precisos c) Cuando la tensi%n de la Buente es pe*ueGa d) Cuando la resistencia de carga es pe*ueGa 14. La segunda apro$imaci%n Bunciona bien para a) etecci3n de a(er:as b) Cuando la resistencia de carga es grande c) Cuando la tensi%n de la Buente es grande d) >odas las anteriores 1. La única ocasi%n en la *ue es necesario utiliEar la >ercera apro$imaci3n es cuando a) La resistencia de carga es pe*ueGa b) La tensi3n de la Buente es mu@ grande C) #e detectan a(er:as d) inguna de las anteriores
13. ¿Cuál es la corriente en el circuito de la 0igura "-19 si el diodo es ideal? a) c) 1 m b) 14'" rn d) m . . 0igura "-19
16. ¿Cuál es la corriente en el circuito de la 0igu- . ra "-19 si se emplea la segunda apro$imaci%n? a) b) 14'" m
c) 1 m d) m
18. ¿Cuál es la corriente por la resistencia de carga en la 0igura "-19 si se emplea la tercera apro$imaci%n? a) c) 1 m b) 14'" m d) m 19. #i el diodo está abierto en la 0igura "-19' la tensi%n en la carga es a) C) 2 ( b) 14'" & d) -1 & 2. #i la resistencia de la 0igura "-19 no estu(iese Auesta a masa' la tensi%n medida entre la parte #uperior de la resistencia @ la masa ser:a de a) & c) 2 & b) 14'" & d) ' -1 &
21. La tensi%n en la carga es cero en la 0igura "-19. ,l problema puede deberse a a) n diodo en cortocircuito b) n diodo abierto c) na resistencia de carga abierta d) emasiada tensi%n de la Buente de alimentaci%n
-> paginas 146- 147
1. #i N,IN, 2 @ la tensi%n en el primario es de 12 &' ¿Cuál es el (alor de la tensi3n en el secundario? a) & c) 4 & b) "3 & d) 3 & 2. ,n un transBormador reductor' magnitud es a@or? a) >ensi3n en el primario b) >ensi%n en el secundario c) inguno de 1s dos d) o +a@ respuesta posible ". n transBormador tiene una relaci3n de espiras e 4 D 1. ¿cuál es la tensi%n de pico en el secundario si se aplican 11 & más a1 arrollamiento Arimario? a) 4'6 & c) 13" & b) 34'3 & d) 3 & 4. Con una tensi3n rectiBicada en media onda en la resistencia de carga' ¿durante *ue parte de un ciclo Circula comente por la carga? a) F c) 18F ' b) 9F d) "3F . #uponga *ue en un rectiBicador de media onda la tensi3n de red puede Bluctuar entre 1 @ 12 & rms. Con un transBormador reductor D 1' la tensi3n de pico en la carga es apro$imadamente de a) 21 & c) 29'3& b) 2 & d) "'4& 3. La tensi3n *ue se obtiene de un puente rectiBicador ,sD a) na seGal de media onda b) na seGal de onda completa c) na seGal de puente rectiBicador d) na onda sinusoidal 6. #i la tensi3n de red es de 11 & rms' una relaci3n de espiras de D 1 signiBica *ue la tensi%n en el secundario es apro$imadamente
a) 1 & b) 2" &
c) " & ' d) " &
8. ¿Cuál es la tensi3n de pic en la carga en un rectiBicador de onda completa si la tensi3n del secundario es de 2 & rms? a) & c) 14'l & b) '6 & d) 28'" & 9. #e desea *ue un puente rectiBicador proporcione una tensi%n de pic en la carga de 4 &. ¿ cuál es el (alor rms apro$imado de la tensi%n en el secundario? a) & b) 14'4 &
c) 28'" & d) 3'3 &
1. #i a una resistencia de carga se le aplica una tensi3n =ectiBicada de onda completa' ¿urante *ue Aarte de un ciclo circula comente por la carga? a) F c) 18F b) 9F d) "3F 11 tensi3n de pic en la-carga se obtiene de un Auente rectiBicador si la tensi%n en el secundario es de 1 & rms? M,mplee la segunda apro$imaci%n.) a) 9'2 & b) 1 &
c) 19" & d) 24'" &
12. #i la Brecuencia de red es de ;E' la Brecuencia de salida de un rectiBicador de media onda esD a) 2 ;E c) l ;E' b) ;E d) 2 ;E 1". #i la Brecuencia de red es de ;E' la BrecuenciaN de salida de un puente rectiBicador es a) 2 ;E c) 1 ;E b) ;E d) 2 ;E 14. Con la misma tensi3n en el secundario @ el mismo Biltro'
d) mposible saberlo
1. Con la misma tensi3n del secundario @ el mismo Biltro' ¿Cuál de 1s siguientes Bactores produce la enor tensi%n en la carga? a) n rectiBicador de media onda b) n rectiBicador de onda completa c) n puente rectiBicador d) mposible saberlo 13. #i la comente por la carga' Biltrada' es de 1 rn' ¿Cuál de 1s siguientes rectiBicadores tiene una Corriente de diodo de 1 m? a) n rectiBicador de media onda b) n rectiBicador de onda completa c) n puente rectiBicador d) mposible saberlo 16. ¿Cuál es la tensi%n pico a pico del riEado *ue se obtiene de un puente rectiBicador' ¿si la corriente Aor la carga es de m @ la capacidad del Biltro (ale 1. p0? a) 21'"p& c) 21'" m& b) 3'" n& d) 41'6m& 18. Cada uno de 1s diodos de un puente rectiBicador tiene una limitaci3n de má$ima corriente continua igual a 2 . ,sto signiBica *ue la comente continua por la carga puede tener un (alor má$imo de a) 1 c) 4 b) 2 d) 8 19. ¿cuál l es el &A en cada uno de 1s diodos de un Auente rectiBicador si la tensi%n en el secundario ,s de 2 & rms? a) 14'l & c) 28'" & b) 2 & d) "4 & 2. #i en un puente rectiBicador con Biltro con condensador a la entrada la tensi%n en el secundario umenta' entonces la tensi%n en la carga a) isminu@e b) #e mantiene constante c) umenta d) inguna de las anteriores
21. #i la capacidad del Biltro aumenta' entonces el =iEado a) isminu@e b) #e mantiene constante c) umenta d) inguna de las anteriores
=espuestas Cap:tulo 2 2-1. -" 2-". a) #emiconductor. 6) Conductor. c) #emiconductor. d ) Conductor. 2-. a) >ipo p. h) >ipo n. c) >ipo p. d) >ipo n. e) >ipo p. 2-6. 1'66. n @ "2 n.
2-9. ." 0O 4.46 0. Capítulo 3
"-1. 182 m. "-". mA. "-. m. "-6. 13 m. "-9. 19'" m' 19'" &. "6" mP. 1"' mP' "83 mP. "-11."'4 m' 14'" &' 4" mW, 21'" mP' 43 mP. "-1". 1 &' m. "-16. l'2 m. "-19. bierto.."-21. La resistencia está abierta' el diodo esto en cortocircuito' etc. "-2". o +a@ tensi%n de alimentaci%n' R, esta bierta' =? esto en cortocircuito' cone$i%n abierta entre la tensi%n de alimentaci%n @ la unidad medida. "-2. Ianda del cátodoO la Blec+a del diodo apunta +acia esta Ianda. "-26. 1 914D =' 1 =' =' 8 7O 141D=0 1.1 Q. R,=S 7O lll8D =''9 =. R, 21'6 kR. "-29. 23 Q=. "-"1. 4'46 A. "-"". Cuando la Buente de 1 & es normal' el diodo superior conduce produciendo una tensi3n en la carga de 14'" V. urante esta parte del Buncionamiento normal' el diodo inBerior está abierto. #i Balla la Buente de 1 &' el diodo superior se abre. ,ntonces la bater:a obliga a1 diodo inBerior a conducir. "-". La Buente de tensi3n no cambia' pero todas las demás (ariables decrecen. "."6- R' V,. VC, 11, 12, A' A2O como = es tan grande no tiene eBecto en el di(isor de tensi%nO por tanto' las (ariables asociadas con el di(isor de tensi%n no cambian.
CAP!"#$ 4
4-1.6'6 &. 22. &. 4-".6' &. 22." &' 22." &. 4-.&C. 11." & pico. 4-6. 21.21 &. 3'64 &. 4-9. 1 &.14.14 &. 4-11. 11.42 &. 6.23 &. 4-1". 19.81 &' 12.3&. 4-1..1 &. 4-16.21'2 m&. 62 m&. 4-19. =educido a la mitad.
4-21. 18'8 &' ""4 m&. 4-2". 18.8 &. 4.-2. 16.8 &D 16.8 &D noD ma@or. 4-26.9.28 m. 4-29. 18'8 &. 4-"1..6 &.-&. 4-"". 1.4&'-1'4&. 4-".2.32 &. 4-"6. .6 &. -89.6 &. 4-"9. ""9"'3 &. 4-41.4643.4 &. 4-4". 4.1 . 4-4. 21.21 &. 1'3 &.
