vrt1

   9    0    0    2    /    8    0    0    2   n   o    i    t    i    d   e

vrt

A-Z AZ

vergleichstabelle comparison table table d' équivalence tabella comparativa tabla comparativa transistor thyristor smd code diode ic linear digital analog

volume 1

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Titel

34-08

vrt 1 A-Z Vergleichstabelle 2008/2009neue Auflage

35-08

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vrt 2 0-µ Vergleichstabelle 2008/2009 neue Auflage

€19

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14

mem Datenbuch über Speicher (RAM, EPROM, EEPROM ...)

€17

60

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32

ddv 1 Datenbuch Dioden A-ZZY

€30

17

€0,00

33

ddv 2 Datenbuch Dioden 0..1N..1S..µ

€25

03

€0,00

101

tdv 1 Datenbuch Transistoren A-BUZ

€30

17

€0,00

104

tdv 4 Datenbuch Transistoren 2..40000..µ

35,28

€0,00

113

ttl-lex

40,39

€0,00

114

STK und STR Datenbuch über Hybrid ICs

19,90

€0,00

115

Audio Amp Datenbuch über audio amplifier  

19,90

€0,00

201

transistor 1 Vergleichstabelle A-Z

7,60

€0,00

202

transistor 2 Vergleichstabelle 0-µ

7,60

€0,00

403-06

vrt-disk 2006 CD-ROM

52,00

€0,00

403-07

vrt-dvd 2007 DVD neu jetzt auf DVD

52,00

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404

mem-disk 20 2000 Da Datenbank über memories CD CD-ROM

25,00

€0,00

405-06

cmos/ttl-disk 200 6 Datenbank a uf uf C DD-ROM

52,00

€0,00

406-05

tdv-disk 2005 Tr Trans is istor Date nb nbank auf CD-ROM

89,00

€0,00

407 407-05

lin lin-dis -disk k 2005 2005 Linea inearr Baut auteile eile Daten atenba ban nk auf auf CD-R CD-ROM OM

52,00

€0,00

408 408-06

optopto-di disk sk 2006 2006 Opt Opto Ele Elekt ktro roni nik k Daten atenba ban nk au auf CD-R D-ROM

52,00

€0,00

409-05

ddv-disk 2005 Dioden Date nb nbank auf C DD-ROM

52,00

€0,00

403-07u

Update vrt-dvd 2007 (Bitte geben Sie Ihre Seriennummer an)

35,90

0,00

405-06u

Update cmos/ttl-disk 2006 (Bitte geben Sie Ihre Seriennummer an)

35,90

0,00

406-05u

Update tdv-disk 2005 (Bitte geben Sie Ihre Seriennummer an)

61,45

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407-05u

Update lin-disk 2005 (Bitte geben Sie Ihre Seriennummer an)

35,90

0,00

408-06u

Update opto-disk 2006 (Bitte geben Sie Ihre Seriennummer an)

35,90

0,00

409-05u

Update ddv-disk 2005 (Bitte geben Sie Ihre Seriennummer an)

35,90

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Stadt/ Stadt/Lan Land: d:

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ISBN 978-3-937469-33-1 Dieses Buch ist hinterlegt und urheberrechtlich geschützt. Alle Rechte beim Herausgeber. Die Vervielfältigung, Übersetzung, Mikroverfilmung sowie die Einspeicherung und Verarbeitung von Daten in elektronischen Systemen ist strafbar. This book is deposited and protected by copyright. All rights reserved to the editor. The reproduction, translation, microfilming as well as storing and processing of data in electronic systems are liable to prosecution. Cet ouvrage est déposé et sa propriété littéraire est protégée. Tous les droits sont réservés à l’éditeur. La reproduction, traduction, le microfilmage ainsi que la mise en mémoire et le traitement de données dans des systèmes électroniques sont punissables. Questo libro è depositato e soggetto a protezione di diritto d’autore. Tutti i diritti presso l’editore. Sono passibili a sanzioni penali la ri-produzione, traduzione, riduzione microcinematografica microcine matografica nonchè la memorizzazione e l’elaborazione di dati in sistemi elettronici. Este libro ha sido depositado, derechos de autor reservados. Copyright en manos del editor. La multiplicación, traducción, toma de micropelìculas yel registro y la elaboración de datos en y con sistemas electrónicos serán perseguidos por la Ley. ITALIA INWARE SRL IMPRESSUM Herausgeber:

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Müeyyetzade Mah. Kemeralti Caddesi Büyük Baliki Han No. 10/11 TR-80030 Karaköy-Istanbul, Turkey Phone: (0212) 251 80 25 Fax: (0212) 251 69 93 Internet: www.asanelektronik.com www.asanelektronik.com

ELECTRONICA

2828 E. Colfax Ave Denver,CO. 80206 Phone:1-800-722-5578 Fax: 1-303-322-1135 Internet-Homepage: Internet-Homepage: www.Electronica-usa.com www.Electronica-usa.com

vrt volume 1 Inhaltsverzeichnis Seite Wichtige Hinweise Herstellerabkürzungen Vergleichstabelle Anschlußzeichnungen

       h       c       s        t       u       e        d

VI XXII 2 11 74

table of contents page Important notes Abbreviations of manufactureres Comparison table Pin assignment

       h       s        i        l       g       n       e

IX XXII 2 117 4

sommaire page Indications importantes Abréviations des fournisseurs Table d' équivalence Dessins des raccordements

XII XXII 2 1174

      s        i       a       ç       n       a       r         f

indice pagina Avvertenze importanti Abbreviazioni dei Fabbricanti Tabella comparativa Disegni di terminali

XVI XXII 2 117 4

      o       n       a        i        l       a        t        i

índice página Notas importantes Abbreviaciones des los Fabricantes Tabla comparativa Esquemas de connexion

XVIII XXII 2 1174

       l       o         ñ       a       p       s       e

V

Wichtige Hinweise zur Benutzung Im folgenden Tabellenteil werden die wichtigsten Halbleiter-Bauelemente – gleichgültig, ob es sich um Transistoren, Dioden, Thyristoren, integrierte Schaltungen etc. handelt – streng alphabetisch aufgeführt. Die einzelnen Typen sind mit den wichtigsten relevanten Kurzdaten versehen und es werden – soweit möglich und sinnvoll – geeignete Vergleichstypen genannt. Diese Tabelle wird mit jeder Neuauflage ergänzt und ausgebaut. Veraltete Typen werden niemals gelöscht. Alte Tabellen sollten daher stets ausrangiert werden (ein Informationsverlust dadurch ist ausgeschlossen!), damit keine wertvolle Zeit mit dem Suchen in vielen Tabellen vergeudet wird. Spalte 1 (»Typ«) Die Typenbezeichnungen entsprechen denen der jeweiligen Herstellerdokumentationen. Sie sind manchmal auf den Bauteilen selbst abweichend oder abgekürzt aufgestempelt. Bei mehreren gleichlautenden Typenbezeichnungen einer Bauteileart (z. B.»BF 232«) ist die Kurzbezeichnung des Herstellers in eckigen Klammern »[...]« zur Typenbezeichnung hinzugefügt. Selektionskennzeich nungen durch angehängte Buchstaben oder Ziffern wurden nur dann berücksichtigt, wenn dies in der Praxis und beim Typenvergleich wichtig ist. PUT P-FET Ref-D ROM-IC SA S SB S Se-Di Si-Br Si-Di Si-N Si-N Si-N-D -Dar arll Si-P Si-P Si-P-D -Dar arll Si-St FIußrichtung) sRAM-IC SUS Tetrode Ther Thermi mist stor or Th y Thy-Br Triac Trig Trigge gerr-Di Di T T L -I C

Spalte 2 (»Art«) Kurzdefinition des Halbleiter-Bauteils. Verwendete Abkürzungen: A/D-IC Analog-Digital-Wandler BiMO BiMOSS-IC IC inte integr grie iert rtee Sch Schal altu tung ng (Bip (Bipol olar ar,, + MOS-Technologie) CCD-IC Charge-coupled Device CMOS CMOS-Lo -Logi gicc Digi Digital tal-L -Log ogicic-Sc Scha haltu ltung ng (CMOS-Technologie) C-Di Kapazitätsdiode Diac 3-Schicht-Trigger-Diode, symmetrisch DIG-IC digitale in integrierte Sc Schaltung dRAM-IC Schreib-Lese-Speicher, dynamisch D/A-IC Digital-Analog-Wandler EARO EAROMM-IC IC Spei Speich cher er,, nic nicht htfl flüc ücht htig ig,, veränderbar ECLECL-Lo Logi gicc emit emitte terg rgek ekop oppe pelt ltee Logi Logicc EEPR EEPROM OM-I -IC C Spei Speich cher er,, nich nichtf tflü lüch chtitig, g, elektrisch löschbar EPRO EPROMM-IC IC Spei Speich cher er,, nich nichtf tflü lüch chtitig, g, UVUVlöschbar FPLA-IC = PAL, feldprogrammierbar F-Thy Frequenzthyristor GaAs Gallium-Arsenid Ge-Di Germaniumdiode Ge-N Germanium-NPN-Transistor Ge -P Germanium-PNP-Transistor GTO-Th -Thy absc bschaltb altbaarer (ga (gate tur turnn off) off) Thyristor Hybrid-IC integrierte S ch chaltung (Hybrid-Technologie) IC integrierte Schaltung I/O-IC Input/Output-IC fü für Mikrocomputer KOP-IC Komparator (Operationsverstärker) LIN-IC lineare integrierte Schaltung MOS-...* ...* mit inte ntegrier riertter Gate-Sc -Schutz utzdiode MOS-F MOS-FET ET-d -d Metal Metallo loxid xid-FE -FET, T, Verarm Verarmun ungst gstyp yp (depletion) MOS-F MOS-FET ET-e -e Metall Metalloxi oxid-F d-FET ET,, Anreic Anreicher herung ungsty stypp (enhancement) MOS-IC integrierte Schaltung (MOSTechnologie) iso-Gate Bipolar Transistor MOS-N/P-IGBT NMOS-IC N-Kanal-MOS-IC N-FET N-Kanal-Feldeffekt-Transistor Opto optoelektronisches Ba Bauteil O P -I C Operationsverstärker PAL-IC Logic Array, programmierbar PIN-Di PIN-Diode PMOS-IC P-Kanal-MOS-IC PROM PROM-I -IC C elek elektr tris isch ch prog progra ramm mmie ierb rbar ares es ROM ROM

TTLTTL-Lo Logi gicc UJT Varisto stor Z-DI Z -I C ...+Di .. . + R 50Hz-Thy μC-IC μ P -I C

programmierbarer Unijunction Transistor P-Kanal-Feldeffekt-Transistor Referenzdiode (hochkonstante Z-Diode) Nur-Lese-Speicher Silicon Asymmetrical Switch Silicon Bilateral Switch Selendiode Silizium-Brückengleichrichter Siliziumdiode Silizium-NPN-Transistor Sili Silizi zium um-N -NPN PN-D -Dar arliling ngto tonn-Tr Tran ansi sist stor or Silizium-PNP-Transistor Sili Silizi zium um-P -PNP NP-D -Dar arliling ngto tonn-Tr Tran ansi sist stor or Silizium-Stabi-Diode (B (Betrieb in in Schr chreib-L ib-Leese-Sp -Speich icher, er, stati tatissch Silicon Unilateral Switch P- + N-Gate-Thyristor temp temper erat atur urab abhä häng ngig iger er Wide Widers rsta tand nd Thyristor Thyristor-Brückenschaltung Vollwegthyristor 4-Sc 4-Schi hich chtt-Tr Trig igge gerr-Di Diod ode, e, asym asymme metr tris isch ch lineare in integrierte Sc Schaltung (TTL-Technologie) Digi Digita tall-Lo Logi gicc-Sc Scha halt ltun ungg (Transistor - Transistor Logic) Unijunction-Transistor spannun nungsabhän hängiger ger Wider derstan tand (VDR) Z-Diode (Betrieb in Sperrichtung) Spannungsregler, S pa pannungsstabilisator mit integrierter Damperdiode mit in integrierten Wi Widerständen Netzthyristor Ein-Chip-Mikrocomputer (MOS) Mikroprozessor, CP CPU (MOS)

Spalte 3 (»Kurzbeschreibung«) Kurzdaten bzw. Funktionsbeschreibung zum Typ. Verwendete Abkürzungen: A Antennen- und Breitbandverstärker AFC automatische Frequenznachstimmung AFT automatische Feinabstimmung AGC Regelspannungserzeugung ALC automatische Aussteuerung AM HF-Anwendungen (AM-Bereich) AP C automatische Phasenregelung ARI Autoradio In Informationssystem (B (BRD) Arr a y Anordnung mehrerer Elemente in einem Gehäuse asym asymmetrisch AV Audio/Video A/WA/W-Ve Vers rstt Aufn Aufnah ahme me-/ -/Wi Wied eder erga gabe be-V -Ver erst stär ärke kerr B Gleichstromverstärkung Backward Backward-Diode Band-S HF-Bandumschaltung

VII

       h       c       s        t       u       e        d

bidi bidire rekt ktio iona nall Br Btx Camera CATV CB CD Chopper contr.av .av.        h       c       s        t       u       e        d

CPU CRT CTV Dem Diskr DMA Dual od. E Equal ES D FB FED FIFO-IC FLT FM FRED FREDFE FET T F/V-Co F/V-Conve nverte rterr gep GI Gunn-Di HA HF hi-beta hi-current hi-def hi-power hi-prec hi-rel hi-res hi-speed hi-volt Horiz. h-ohm Ib Igt Ih Impatt-Di Indic. Ip IPD IR Is Iso Itsm Iv kV-GI L LCD L ED LIFO IFO-IC Limiter lo-drive lo-drop LogL lo-power lo-sat lo-volt M Min MMU Multipl

Klam Klamm merdi erdiod odee Brückengleichrichter Bildschirmtext Video-Camera Breitbandkabel-Verstärker CB-Funk CD-Spieler Meßzerhacker stoß toßspann annungsf gsfest (c (contro trolled lled avalanche) Computer-Zentraleinheit Bildschirm Farbfernsehanwendung Demodulator Diskriminator Direct Memory Access Controller Doppeltransistoren f. Differenzverstärker Doppeldiode Endstufen Entzerrer elektrostatische Entladung Fernbedienung Feldeffektdiode Silos lospeich icher (fi (firstrst-in in firs firstt-ou -out) Ziffernanzeigeröhren HF-Anwendung (UKW-Bereich) V-MO V-MOSS-FE FET T mit mit schn schnel elle lerr Inve Invers rsdi diod odee Umsetze Umsetzerr Frequenz Frequenz zu Spannu Spannung ng gepaarte Typen Gleichrichter (allgemein) Gunn-Diode TV-Horizontalablenkstufen HF-Anwendung (allgemein) hohe St Stromverstärkung für hohen Ausg usgangss gsstro trom hohe Auflösung hohe Au A usgangsleistung hohe Präzision erhöhte Zuverlässigkeit hohe Auflösung schnell für hohe Spannungen Horizontal für hochohmige Demodulatorschaltungen Durchbruchstrom oberer Zündstrom oberer Haltestrom Impatt-Diode Anzeige Höckerstrom Intelligent Power Device Infrarot Schaltstrom isoliert Stoßstromgrenzwert Talstrom Hochspannungsgleichrichter Leistungsstufen Flüssigkristallanzeige Leuchtdiodenanzeige Keller llersspeic eicher her (l(last ast-in -in fir first st--out out) Begrenzer für niedrige Ansteuerleistung kleiner Spannungsverlust Logic Level (U th ≈ 0,8...2V) gering ringeer Leist istung ungsver verbrau rauch niedrige Kollektor - EmitterSättigungsspannung für kleine Spannungen Mischstufen Miniaturausführung Speicherverwaltung Frequenzvervielfacher

NF Ni x Nois Noisee sup suppr pr.. n-ohm O OFW/SAW-Filter

OP-Amp. O SD pa r P EP PI P PLL Loop) PQ transistoren) progr PS PWM ra RadH re Recorder Reg S Schottky ser SHF S MD SMPS SMPS,, SN SN SS S SB stack sym TA Z tgq Thy-Br ThyThy-Mo Modu dull To n Tr Trig Trigge gerr-Di Di Tu n i n g Tunnel-Di TV UART Ub Ucc, Us UHF Uni US USART V VA VC Vertik. VHF Vid VI R Vt x V/F-Co V/F-Conve nverter rter X-Ra X-Rayy-pr prot ot.. ZF ZV ß (eff) (ss) (Ta (Ta = ...° ...°)) (Tc (Tc = ...° ...°))

VIII

NF-Anwendungen Nixie-Treiber (Ziffernanzeigeröhren) Stör Störun unte terd rdrü rück ckun ungg für niederohmige Demodulatorschaltungen Oszillatorstufen Oberflächenwellenfilter Operationsverstärker Bildschirmeinblendung parallel Spitzenausgangsleistung Bild im Bild phasenstarre Schaltung (Phase-locked HF-Ausgangsleistung (Sender programmierbar Stromversorgung Impulsbreitenmodulation rauscharm für Ra Raumfahrtanwendungen ausgelegt Regelstufen (AGC) Ton Tonband and und und Cass assetten ttenggeräte räte Regler Schaltstufen Schottky-Diode seriell HF-Anwendungen (>5 GHz) für Oberflächenmontage geta getakt ktet etee Scha Schalt ltne netz tzte teililee schnelle Schaltstufen Einseitenbandbetrieb Gleichrichterstapel, Gleichrichtersatz symmetrische Typen Suppressor-Diode Löschzeit Thyristor-Brückenschaltung Thyr Thyris isto torr-Mo Modu dull (me (mehr hrer eree Ele Eleme ment ntee in in einem Gehäuse) TV-Tonkanal Treiberstufen 4-Sc 4-Schi hich chtt-Tr Trig igge gerr-Di Diod ode, e, asymmetrisch HF-Abstimmung Tu n n e l d i o d e Fernsehanwendungen Universal-Sender/Empfänger, as asynchron Kippspannung Versorgungsspannung HF-Anwendungen (>250 MHz) Universaltypen Ultraschall Universal-Sender/Empfänger, synchron/asynchron Vor-/Eingangsstufen TV-Vertikalablenkstufen Video-Recorder Vertikal HF-Anwendungen (100...250 MHz) Videoendstufen NTSC-Farbkorrektur Videotext, Teletext Umsetzer Umsetzer Spannung Spannung zuFreque zuFrequenz nz Rönt Röntge gens nstr trah ahlu lung ngss ssch chut utzz Zwischenfrequenzstufen mit Zündverstärkung (Darlistor) Stromverstärkung b. 1kHz Effektivwert ( = RMS) Spitzenwert Umge Umgebu bung ngst stem empe pera ratu tur, r,fa fallllss nic nicht ht 25°C 25°C (freitragende Typen) Gehä Gehäus usee-Be Bezu zugs gste temp mper erat atur ur,, fal falls ls nich nichtt

= [T [Typ]: →

-/ . . . V . . .n s .../-ns ...μs ...+Diac .../...ns .ns μComp ≈ [Typ]

25°C (Leistungstypen) identisch mi mit [T [Typ], je jedoch: [Daten, Bild, Pin-Code, etc.] Verweis (siehe unter ...) nur UCE0 bekannt; sonst immer UCB0 oder UCB0 /UCE0 (Transistoren) Rückwärtserholzeit (Dioden) Einschaltzeit (Transistoren) Freiwerdezeit tq (Thyristoren) mit integriertem Diac Eins inscha chaltlt-/Au /Aussch schaltze ltzeiit (Tran ransisto istorren) Mikrocomputer dem genannten Typ ähnlich (Beschreibung siehe dort)

5 6 7 8 9 10 11 13

Spalte 4 (»Bild«) Angabe der Bildnummer (Ziffer) und der Pinbelegung (angehängter Buchstabe) bei diskreten Halbleitern. In der Pinbelegungstabelle muß die zuständige Spalte (»Transistor«, »FET«, »Thyristor«, »Diode«, »Z-IC«) beachtet werden. Bei ICs ist nur eine Prinzipzeichnung ohne Pinbelegung vorgesehen. Alle Zeichnunge n sind am Schluß der Tabelle zu finden. Das Gradzeichen (°) bedeutet: Gehäuse mit zusätzlichem Kühlblech oder Kühlkörper.

15 16 17 18

Spalte 5 («Hersteller«) Die Herstellernamen sind aus Platzgründen abgekürzt. Die vollständigen Name sind alphabetisch in der Herstellerliste ab Seite XXII zusammengestellt. Eine Gewähr für Vollständigkeit und Lieferfähigkeit kann nicht übernommen werden. Sind für einen Typen mehrere Hersteller genannt, so wurden die Daten nur von einem verwendet, da bei unterschiedlichen Messbedingungen die Daten eines Typs von Hersteller zu Hersteller etwas differieren können.

++

Anpassung erforderlich die ungle ungleiche iche Pinbeleg Pinbelegung ung erfor erfordert dert evtl. evtl. andere Montage Ersatzty Ersatztypp ist ist etwas etwas größer größer oder mit anderem Rastermaß Ersatzty Ersatztypp mit mit schwäc schwächere herenn Grenzd Grenzdaten aten niedr niedrige igere re Gren Grenzfr zfrequ equen enzz (fT) Typ ist auch auch mit mit ander anderen en Zünddate Zünddatenn erhältlich (siehe tht) Ersatz-I Ersatz-IC C ist ist nicht nicht pinko pinkompat mpatibel ibel oder oder mit anderem Rastermaß Typ ist auch auch mit mit andere anderenn Zündda Zünddaten ten erhältlich (siehe tht) und der Ersatztyp hat ein anderes Gehäuse geringer geringeree Strom Stromvers verstärk tärkung ung (B, h FE, ß, hfe) Nr. 1 + 5 Ersatz Ersatztyp typ mit mit einges eingeschr chränk änktem tem Temperaturbereich höhere höhere Sätti Sättigu gungs ngsspa spann nnung ung (UCESat ) entsprec entsprechend hender er Widersta Widerstand nd extern extern erforderlich

Viele Viele weite weitere re Vergl Vergleich eichsmö smöglic glichkei hkeiten ten

Spalte 7 (»ECA-Info«) Hinweis auf weitere detailiertere Daten (data), Original Datenblätter (pdf) oder Pinbelegungen (pinout) die den Rahmen dieser Vergleichsliste sprengen würde finden Sie in der Onlinedatenbank von ECA unter http://www.ecadata.de/ suche/. Informationen über den Zugang zu den ECA Internet Datenbanken erhalten sie auch unter http://www.shop.eca.de. In allen kritischen Anwendungsfällen sollten die relevanten Parameter der Vergleichstypen mit denen des Originals verglichen werden, um »Überraschungen« vorzubeugen! Trotz sorgfältiger Recherchen bleibt Irrtum vorbehalten. Für Folgeschäden in der Praxis kann nicht gehaftet werden.

Spalte 6 («Vergleichstypen«) Bei der Angabe der Ersatztypen wird nur eine Auswahl der zum Originaltyp »Nahverwandten« genannt. Es sind vorzugsweise Typen, die nicht allzu schwer beschaffbar sind. In der Praxis sind häufig weitaus mehr Ersatztypen einsetzbar, als in dieser Tabelle Platz finden konnten. Die Kennzeich nung » + + « nach dem letzten Ersatztyp soll besonders darauf aufmerksam machen. Die »Selector-Tafeln« in den ECA-Datenbanken im Internet http://www-ecadata.de , auf CD oder als Buch bergen ungeahnte weiterführende Möglichkeiten. Diese Informationen sollten ohnehin für einen exakten Typenvergleich in kritischen Fällen herangezogen werden. Wenn nicht durch Fußnoten gekennzeichnet, weisen die angegebenen Ersatztypen gleiche oder bessere elektrisc he Daten auf und sind ohne mechanische Probleme einsetzbar. Auf gleiche Pinbelegung wurde nur bei Leistungstypen und ICs Rücksicht genommen, da bei kleinen Bauformen die Anschlüsse leicht passend vertauscht werden können. Ein Nachprüfen auf unterschiedliche Belegun g ist dringend zu empfehlen und mit dieser Tabelle leicht durchzuführen. Folgt einem Vergleichstyp ein Herstellername (abgekürzt) in eckigen Klammern, so stammt die Angabe von diesem Hersteller und wurde vom Autor nicht überprüft (!). Zum Teil mußte auf die ausführlichen ECA-Datenbanken und CD-ROMS verwiesen werden, um den Rahmen dieser Tabelle nicht zu sprengen. Die ungeheure Vielfalt der Bauformen und Vergleichsmöglichkeiten lassen sich bei digitalen LogicSchaltungen, Spannungsreglern, Z-Dioden, Thyristoren und Operationsverstärkern in diesem Rahmen nicht erschöpfend darstellen. Fußnotenverzeichnis zum Ersatztyp bei Ersatztypen in Klammern ( ): 1 mit mit integ integrie riert rter er Damp Damperd erdiod iodee 2 Damperd Damperdiode iode zwische zwischenn Emitt Emitter er und Kollektor extern notwendig 3 Gehäu Gehäuse se nicht nicht isolie isoliert rt 4 anderes anderes Gehäuse Gehäuse - evtl. evtl. mechanis mechanische che

IX

       h       c       s        t       u       e        d

Important Notes on Use In the following table section the most important semiconductor components – irrelevant as to whether it is dealing with transistors, diodes, thyristors integrated circuits etc. – are listed in strict alphabetical order. The individual types are provided with the most important relevant short da ta, and – as far as possible and as far as purpose ful – suitable comparative t ypes are named. This table is supplemented and extended with every new edit ion. Old types are never cancelled. Old tables should therefore always be removed (there is absolutely no risk of information loss) thus preventing valuable time being spent on searching through stacks of tables. Si-N Si-N-D -Dar arll Si-P Si-P Si-P-D -Dar arll Si-St

Column 1 (“Type”) The type designations correspond to those of the respective manufacturer documentations. They are sometimes stamped on the components themselves in a deviating or abbreviated form. With several identical type designations of one kind or component (e. g. “BF 232”) the abbreviation of the manufacturer is added in square brackets “[...]” to the type designation. Selection identifications through added on letters or figures are only then considered if this is important in practice and with type comparison.

       h       s        i        l       g       n       e

sRAM-IC SUS Tetrode Ther Thermi mist stor or Th y Th y-B r T r iac Trig Trigge gerr-Di Di TTL-IC L-IC TTLTTL-Lo Logi gicc

Column 2 (“Device”) Short definition of the semiconductor component. Used abbreviations: A/D-IC Analog-to-digital converter BiMO BiMOSS-IC IC Inte Integr grat ated ed circ circui uitt (Bi (Bipo pola lar, r, + MOS MOS technology) CCD-IC Charge-coupled device CMOS-Lo CMOS-Logic gic Digital Digital-log -logic ic circuit circuit (CMOS (CMOS technol technology ogy)) C-Di Capacitance diode (Varactor, varicap) Diac 3-layer-trigger diode, symmetrical DIG-IC Digital in integrated ci circuit dRAM-IC Read-wr -write ite memo emory, dyna ynamic D/A-IC Digital-to-analog converter EARO EAROMM-IC IC Memo Memory ry,, nonv nonvol olat atilile, e, alte altera rabl blee ECL-Lo -Logic Emitt itterer-cou coupled led logi logicc EEPROM EEP ROM-IC -IC Memory, Memory, nonvolat nonvolatile, ile, electric electrically ally erasable erasable EPRO EPROMM-IC IC Memo Memory ry,, non nonvo vola latitile le,, UVUV-er eras asab able le FPLA = PAL, field programmable F-Thy Fast thyristor GaAs Gallium arsenide Ge-Di Germanium diode Ge-N Germanium NPN transistor Ge-P Germanium PNP transistor GTO-Thy Gate turn off thyristor Hybr Hybrid id-I -IC C Inte Integr grat ated ed circ circui uitt (hyb (hybri ridd tech techno nolo logy gy)) IC Integrated circuit I/O-IC Input/output IC IC fo for mi microcomputer KOP-IC Comparator (operational am amplifier) LIN-IC Linear integrated circuit MOS-. OS-... ..** With With inte integr grat ated ed gate gate prot protec ecti tion on diod diodee MOSMOS-FE FETT-dd Meta Metall oxid oxidee FET, FET, dep deple letition on typ typee MOSMOS-FE FET-e T-e Metal Metal oxide oxide FET, FET, enhan enhance cemen mentt type type MOS-I S-IC Inte Integgrate ated cir circcuit uit (M (MOS tec techhnolog logy) Iso-gate bipolar transistor MOS-N/P-IGBT NMOS-IC N-channel MOS-IC N-FET N-channel field-effect transistor Opto Optoelectronic component OP-IC Operational amplifier PAL-IC Programmable logic array PIN-Di PI N d i o d e PMOS-IC P-channel MO MOS-IC PROM PROM-I -IC C Elec Electr tric ical ally ly prog progra ramm mmab able le ROM ROM PUT Programmable Un Unijunction trtransistor (UJT) P -F E T P-channel field-effect transistor Ref-Di Reference di diode (h (highly st stable ZZ-diode) ROM-IC Read-only me memory SA S Silicon asymmetrical switch SB S Silicon bilateral switch Se-Di Selenium diode Si-Br Silicon bridge rectifier Si-Di Silicon diode Si-N Silicon NPN transistor

UJT Varistor Z-DI Z- IC ...+Di . .. + R 50Hz 0Hz-Thy μC-IC μ P- I C

Sili Silico conn NPN NPN Darl Darlin ingt gton on tran transi sist stor or Silicon PNP transistor Sili Silico conn PNP PNP Darl Darlin ingt gton on tran transi sist stor or Silicon-stabi-diode (o (operation in in forward direction) Read-write me memory, st static Silicon unilateral switch P- + N-gate thyristor Temp Temper erat atur uree depe depend ndin ingg resi resist stor or Thyristor Thyristor br bridge co configuration Full-wave thyristor 4-la 4-laye yerr trig trigge gerr diod diode, e, asym asymme metr tric ical al Line inear in integ tegrat rated cir circuit cuit (TTL te technol nology ogy) Digi Digita tall logi logicc circ circui uitt (tra (trans nsis isto torr - tran transi sist stor or logic) Unijunction transistor Voltage depending resistor (VDR) Z-diode (operation in reverse direction) Voltage re regulator, vo voltage st stabilizer With integrated damper diode With integrated resistors Thyristo istorr fo for ma mains ins ope operratio tion Single-chip mi microcomputer (MOS) Microprocessor, CP CPU (M (MOS)

Column 3 (“Short description”) Short data or description of function of each type. Used abbreviations: A Antenna and wideband amplifiers (CATV) A FC Automatic frequency control AF T Automatic fine tuning AGC Automatic gain control ALC Automatic level control AM RF application (AM range) APC Automatic phase control ARI Traffic information system (West Germany) Array Arrangement of numerous elements in a single case asym Asymmetrical AV Audio/Video A/WA/W-Ve Vers rstt Reco Record rd/p /pla layb ybac ackk ampl amplif ifie ierr B DC forward current gain Backward Backward di diode Band-S RF band switching bidi bidire rekt ktio iona nall Bidi Bidire rect ctio iona nall diod diodee Br Bridge rectifier Bt x Interactive video text Camera Video camera CATV Broad ba band cable amplifier CB CB-radio CD CD-player Chopper Chopper contr. av. Controlled avalanche CPU Central processing unit CRT Cathode ray tube CTV Color TV Dem Demodulator Diskr Discriminator D MA Direct memory access controller Dual Dual transistors for differential amplifiers or dual diode E Output stages Equal Equalizer ESD Electrostatic discharge

X

FB F ED FIFO-IC FL T FM FRED FREDFE FET T F/V-Co F/V-Conve nverter rter gep GI Gunn-Di HA HF hi-beta hi-current hi - de f hi-power hi-prec hi-rel hi-res hi-speed hi-volt Horiz. h-ohm Ib Igt Ih Impatt-Di Indic. IR Ip I PD Is Iso Itsm Iv kV-GI L LCD L ED LIFO-IC Limiter lo-drive lo-drop LogL lo-power lo-sat lo-volt M Mi n MMU Mu l t i p l NF Ni x Nois Noisee supp suppr. r. n-ohm O OFW/SAW-Filter

OP-Amp. O SD pa r PE P PI P PLL PQ progr PS PWM ra RadH re Recorder Reg S

Remote control F i e l d e f fe c t d i o d e First-in Fi First-out me memory Fluorescent tubes RF application (FM range) V-MO V-MOSS-FE FET T with with fas fastt para parasi siti ticc diod diodee Converte Converterr freque frequency ncy to to voltage voltage Matched types Rectifier (general) Gunn diode TV horizontal deflection stages RF application (general) High current gain For For hig high outpu tput curre rrent High definition High output power High precision High reliability High resolution High speed For high voltages Horizontal For hi high im impedance de demodulator ci circuits Break-over current Gate trigger current Holding current Impatt diode Indicator Infra-red Peak point current Intelligent power device Switching current Insulated Surge current Valley point current High voltage rectifier Power stages Liquid crystal display Light-emitting diode Last-in first-out memory Limiter Low dr drive po power re required Low voltage drop Logic Level (U th ≈ 0,8...2V) Low power co consumption Low collector - emitter sa saturation voltage For low voltages Mixer stages Miniaturized Memory management unit Frequency multiplier AF applications Nixie driver (digital display tubes) Nois Noisee supp suppre ress ssio ionn For low impedance demodulator circuits Oscillator stages Surface acoustic wave filter Operational amplifier On-screen display Parallel Peak envelope power Picture-in-picture Phase-locked loop RF-output power (transmitter transistor) Programmable Power supply Pulse-width modulation L o w n o is e Designed for space aviation use (radiation hardened) AGC stages Tape and casse ssette tte rec recorde rder Regulator Switching stages

Schottky ser SHF SMD SMPS SMPS,, SN SN SS SS B stack sym T AZ tgq Thy-Br ThyThy-Mo Modu dull

Schottky diode Serial RF applications (>5 GHz) Surface mounted device Swit Switch ch-m -mod odee powe powerr supp supplilies es Fast switching stages Single sideband operation Rectifier stacks Symmetrical types Suppressor diode Reset-time Thyristor br bridge co configuration Arra Arrang ngem emen entt of of num numer erou ouss thy thyri rist stor orss in in a single case To n TV sound channel Tr Driver stages Trig Trigge gerr-Di Di 4-la 4-laye yerr trig trigge gerr diod diode, e, asym asymme metr tric ical al Tu n i n g RF tuning diode Tunnel-Di Tunnel diode TV Television applications UART Universal asynchronous receiver/transmitter Ub Break over voltage Ucc, Us Supply voltage UHF RF applications (>250 MHz) Uni General purpose types US Ultrasonics USART Universal synchronous/   asynchronous receiver/transmitter V Pre/input stages VA TV vertical deflection types VC Video recorder Vertik. Vertical VHF RF applications (approx. 100...250MHz) Vid Video output stages VI R NTSC color correction Vtx Video text, teletext V/F-Co V/F-Conve nverte rterr Convert Converter er voltag voltagee to frequ frequency ency X-Ray -Ray-p -pro rot. t. X-ra X-rayy prot protec ecti tion on ZF IF stages ZV Integrated trigger amplification (Darlistor) ß Short-circuit current gain at 1 kHz (eff) r.m.s. value (ss) Peak value (Ta = ... ...°) °) Ambien ient tem tempperat rature ure ifif not not 25°C 25°C (Tc (Tc =... =...°) °) Case Case refe refere renc ncee temp temper erat atur uree if not not 25° 25°C C (power types) = [Typ]: Identical with [type], however: [data, case, Pin-Code, etc.] See under → -/ . . . V Only UCE0 known; otherwise always UCB0 or UCB0 /UCE0 (transistors) .. . n s Reverse recovery time (diodes) .../-ns Turn-on time (transistors) . . . /. . . n s Turnrn-on/t on/tuurnrn-off off tim time (tra transis nsisttors ors) ...μs Circuit commutated turn-off time tq (thyristor) ... + Diac With integrated diac μComp Microcomputer Similar to the named type ≈ [Typ] (description see there) Column 4 (“Fig.”) Related drawing number (figure) and pin assignment (appended letter) with discrete semiconductors. In the pin assignment table, the associated column (“Transistor”, “FET”, “Thyristor”, “Diode”, “Z-IC”) must be observed. With ICs just a schematic drawing is provided without pin assignment. All drawings are situated at the end of the table. The degrees mark (°) means: case with additional heat sirik. Column 5 (“Manufacturer”) The names of the manufacturers are abbreviated to save space. The complete name of each manufacturer is listed alphabetically alphabetically on page XXII. We cannot vouch for completeness

XI

       h       s        i        l       g       n       e

Column 7 (“ECA Infos”) Further informations about this type like particularized data (data), original data sheets (pdf ) or pinout (pinout) you will find in the ECA online data base under http://www.ecadata.de/search/. Please visit also our main page site http://www.eca.de for additional informations about our online data base. In all critical application cases the relevant parameters of the comparison types are to be compared with those of t he original in order to prevent any “surprises”! Despite very careful research, errors excepted. There is no liability for failure in practice.

and availability. If a number of manufacturers are named fo r a single type, data is given of only one, due to the data of a single type differing from one manufacturer to another slightly under unlike measurement conditions.

       h       s        i        l       g       n       e

Column 6 (“Comparison types”) With the details on the alternate types, just a selection of the types “closely related” to the original type is given. They are preferably types which are not too difficult to obtain. In practice there are usually many more alternate types applicable than there is room for in this table. The characterizing mark “+ +” after the last alternate type is to attract particular attention. The “Selector tables” in the ECA data bases under http:// www.ecadata.de/search/ , on CD-ROM or as books conceal unsuspected furthering possibilities. These ECA data books should by all means be consulted for an exact type comparison in critical cases. If not otherwise mentioned in footnotes, the given alternate types have the same or better electrical data and can be applied without mechanical problems. The same pin assignment has only been given att ention to in the case of power types and ICs, as with smal l components the connections can be easily exchanged to fit. A check on any differing assignments is very much advised, and with this table is easy to carry out. When a comparison type is followed by a maker’s name (abbreviated) in square brackets, this means the data stems from this manufacturer and has not been verified by the author. In order not to exceed the capacity of this table, the detailed ECA data bases online or on CD-ROM have partly had to be referred to. The incredible variety of the components and comparison possibilities cannot be fully shown in this scope with digital logic circuits, voltage stabilizers, Z-diodes, thyristors and operational amplifiers. Footnote list on the comparison type with comparison types in brackets ( ): 1 with with integ integrat rated ed dam dampe perr diode diode 2 damper damper diode diode betwe between en emitte emitterr and collecto collectorr necessary externally 3 not not insu insula late tedd case case 4 differen differentt case case - possibly possibly mechanic mechanical al adaption necessary 5 the differin differingg pin pin assig assignme nment nt possi possibly bly requires different assembly 6 alternat alternatee type is is a little little larger larger or with with a differ different ent pin-spacing 7 alternat alternatee type type with with lower lower maximu maximum m ratings ratings 8 lower lower trans transiti ition on freq frequen uency cy (fT) 9 also with other other gate gate trigg trigger er current current 10 alternat alternatee IC is not pin-c pin-comp ompatib atible le or with with a different pin-spacing 11 also with other other gate gate trigger trigger current current and and the the alter alternat natee type type is with with differ different ent case case 13 lower lower forw forward ard curr current ent gain gain (B, (B, h FE, ß, hfe) 15 No. 1 + 5 16 equivale equivalent nt type type with limit limited ed tempera temperature ture rang rangee 17 higher higher satu saturat ration ion voltag voltagee (UCESat)

18 suitable suitable resistor resistor require requiredd extern externally ally

++

Many further further comparis comparison on possi possibili bilities ties

XII

Indications importantes pour I’utilisation Le tableau suivant énumére par ordre alphabétique les principaux composants de semi-conducteurs, qu’il s’agisse de transistors, de diodes, de thyristors, de circuits intégrés, etc. Chaque composant est suivi des principales caractéris tiques abrégées le concernant, et, dans la mesure du possible et lorsque cela présente un intérê t, de ses équivalents appropriés. Ce tableau est complété et remodelé à chaque nouvelle édition. Les composants vieillis ne sont jamais effacés. Les tableaux plus anciens peuvent ainsi être mis hors d’usage (puisque les pertes d’informati ons sont exclues), ce qui évite de rerdre un temps précieux en effectuant des recherches dans plusieurs tableaux. Colonne 1 («Type») Les références des composants sont identiques à celles se trouvant dans la documentation du fabricant. Elles sont parfois indiquées différemment ou en abrégé sur les composants mêmes. Lorsque plusieurs composant s du même type ont la même référence («BF 232» par exemple), la désigna tion abrégée du fabricant entre crochets «[...]» suit. Les repéres de sélection indiqués par les lettres ou les chiffres n’ont été mentionnés que lorsque cela s’est avéré important dans la pratique ou pour les équivalents. Si-Br Si-Di Si-N Si-N Si-N-D -Dar arll Si-P Si-P Si-P-D -Dar arll Si-St

Colonne 2 («Genre») Courte définition du composant de semi-conducteur. Abréviations utilisées: A/D-IC convertisseur a na nalogique-numérique BiMO BiMOSS-IC IC circ circui uitt int intég égré ré (bip (bipol olai aire re,, + tech techno nolo logi giee MOS) CCD-IC circ ircuit uit int intéégré à ac accoup ouplem lement de de ch charg arge CMOS CMOS-Lo -Logic gic circui circuitt logique logique numér numériqu iquee (techn (technolo ologie gie CMOS) C-Di diode à capacité variable Diac diode de déclenchement à 3 couches, symétrique DIG-IC circuit intégré numérique dRAM dRAM-I -IC C mémo mémoir iree à lect lectur uree-éc écri ritu ture re,, dyn dynam amiq ique ue D/A-IC convertisseur n um umérique-analogique EARO EAROMM-IC IC mémo mémoir ire, e, non non vol volat atilile, e, alté altéra rabl blee ECLECL-Lo Logi gicc circ circui uitt de de log logiq ique ue coup couplé lé à I’é I’éme mett tteu eurr EEPR EEPROM OM-IC -IC mémo mémoire ire,, non non volat volatile ile,, effaça effaçable ble par électricité EPRO EPROMM-IC IC mémo mémoir ire, e, non non vol volat atililee effa effaça çabl blee par par U.V. U.V. FPLALA-IC PAL, rés réseau log logique que pr progra grammable ble pa par I’utilisateur F - Th y thyristor de fréquence GaAs arséniure de gallium Ge-Di diode au germanium Ge-N transistor NPN au germanium Ge-P transistor PNP au germanium GTOGTO-Th Thyy thyr thyris isto torr déb débra ranc ncha habl blee (ga (gate te turn turn off) off) Hybr Hybrid id-I -IC C circ circui uitt inté intégr gréé (tec (techn hnol olog ogie ie hyb hybri ride de)) IC circuit intégré I/O-IC circuit in intégré en entrée-sortie po pour mi microordinateur KOPKOP-IC IC comp compar arat ateu eurr (am (amplif plific icat ateu eurr opér opérat atio ionn nnel el)) LIN-IC circuit in intégré lilinéaire MOSMOS-.. ...* .* avec avec diod diodee de de pro prote tect ctio ionn gri grillllee int intég égré réee MOSMOS-FET FET-d -d FET FET à oxy oxyde de méta métalli lliqu que, e, type type de dépl dépléti étion on MOSMOS-FE FETT-ee FET FET à oxy oxyde de méta métalllliq ique ue,, type type d’enrichissement MOS-IC circ ircuit int intégr égré (te (techno hnolog logie MOS) transistor bipolaire iso-grille MOS-N/P-IGBT NMOS-IC circ ircuit intég tégré MOS à ca canal N N-FET canal N transistor à effet de champ Opto composants op opto-électroniques O P -I C amplificateurs d’opération PAL-IC CI PA PAL ré réseau lo logique pr programmable PIN-Di d i o d e PI N PMOS-IC -IC circu rcuit intég tégré MOS à canal P PROM PROM-I -IC C ROM ROM prog progra ramm mmab able le à I’él I’élec ectr tric icit itéé PUT transistor uni-jonction (UJT) programmable P - F ET canal P transistor à effet de champ Ref-Di diode de tension de référence (diode de Zene ener hau haute constan tance) ROM-IC mémoire de des co constantes SA S interrupteur asymétrique au silicium SB S interrupteur bilatéral au silicium Se-Di diode au sélénium

sRAM-IC SUS Tetrode Ther Thermi mist stor or Th y Thy-Br Triac Trigger-Di TTL-IC -IC TTL-Logic UJT Varist istor Z-DI Z -I C ...+Di .. . + R 50Hz 50Hz-T -Thy hy μC-IC μ P -I C

silicium redresseur à pont diode au silicium transistor silicium NPN tran transi sist stor or Darl Darlin ingt gton on de sili silici cium um NPN NPN transistor silicium PNP tran transi sist stor or Darl Darlin ingt gton on de sili silici cium um PNP PNP diode rég. de tension au silicium (fonct. en sens direct) mémoire à lecture - écriture, statique interrupteur unilatéral au silicium P- + N-gate-thyristor rési résist stan ance ce dépe dépend ndan antt de de temp tempér érat atur uree thyristor thyristor à pont thyristor bi bi-directionnel diode de de dé déclenchement à 4 couches, asymétrique circ circuuit inté ntégré gré lin linééaire aire (tech echnolo ologie gie TTL TTL)) circu rcuit log logique que num numériq rique (transistor - logique de trans.) transistor unijonction résist istanc ance dé dépen pendant ant de de te tensi nsion (VDR) diode de Zener (fonctionnement en sens d’état bloqué) régulateur de tension, stabilisateur de tension avec diode d’amortissement intégrée avec résistances intégrée thyr thyris isto torr pou pourr app applilica cati tion on sect secteu eurr micro-ordinateur sur une pastille (MOS) microprocesseur, CPU (MOS)

Colonne 3 («Description succ.») Caractéristiques abrégées et descriptif des fonctions des composants. Abréviations utilisées: A amplificateurs d’antenne et à large bande AFC correction automatique de fréquence AFT accord précis automatique AGC réglage automatique de gain ALC modulation automatique AM application HF (gamme AM) AP C déphasage automatique ARI système d’information autoradio (RFA) Array disposition de de pl plusieurs él éléments da dans un boîtier asym asymétrique AV Audio/Vidéo A/WA/W-Ve Vers rstt ampl amplifific icat ateu eurr de lec lectu ture re/e /enr nreg egis istr trem emen entt B amplification de courant continu Backward diode unitunnel Band-S diode de commutation HF bidirektional tête ête bèc bèchhe Br redresseur à pont Btx vidéotex Camera caméra vidéo CATV amplificateur-câble à large bande CB radio CB

XIII

      s        i       a       ç       n       a       r         f

CD Chopper contr. av. CPU CRT CTV Dem Diskr DMA Dual E Equal ES D FB FED FIFO-IC

      s        i       a       ç       n       a       r         f

FL T FM FRED FREDFE FET T F/V-Co F/V-Conve nverte rterr gep GI Gunn-Di HA HF hi-beta hi-cu i-curr rren entt hi-def hi-power hi-prec h i -r e l hi-res hi-speed hi-volt Horiz. h-ohm Ib Igt Ih Impatt-Di Indic. Ip IPD IR Is Iso Itsm Iv kV-GI L LCD L ED LIFO-IC Limiter lo-drive lo-drop LogL lo-power lo-sat lo-volt M Min MMU Multipl NF N ix Nois Noisee supp suppr. r. n-ohm O

lecteur de disques compacts chopper de mesure avalanche contrôlée unité centrale de traitement terminal de visualisation à écran cathodique application télévision en couleurs démodulateur discriminateur contrôleur mémoire accès direct trans. do doubles po pour am amplific. de de di différence ou duo-diode é t a g es f i n a u x correcteur décharge électrostatique commande à distance diode à effet de champ CI mé mémoire oire FIFO (pr (premi emier en entré tré, pr premier ier sorti) tubes afficheurs application HF (gamme OUC) V-MO V-MOSS-FE FET T avec avec diod diodee inve invers rsee rapi rapide de converti convertisse sseur ur fréquen fréquence ce - tension tension types appariés redresseur (en général) diode Gunn étages à déflection horizontale télévision application HF (en général) amplification de courant élevée pour pour cour couran antt de sort sortie ie élev élevée ée haute définition puissance de de sortie élevée haute précision fiabilité accrue haute résolution rapide pour tensions élevées horizontal démodulateur à haute impédance courant de rupture courant d’amorçage courant de maintien diode Impatt indication courant de pointe device de puissance intelligent infrarouge courant de commande isolé courant de choc courant de bas niveau redresseur très haute tension étages de puissance indication à cristaux liquides voyant lumineux à diode CI mé mémoire ire LIF LIFO O (d (dernie rnierr en entré tré, pr premier ier sorti) limiteur pour faibles drive de puissance faible pe perte de de te tension Logic Level (U th ≈ 0,8...2V) faib aible con consomm ommatio ationn de de pu puiss issanc ance basse tension de saturation collecteur - émetteur pour faibles tensions étages mélangeurs modéles type miniature unité de gestion mémorie multiplicateur de fréquence application AF driver type nixie (tubes afficheurs) supp suppre ress ssio ionn de para parasi site tess démodulateur de basse impédance étages d’oscillateur

OFW/SAW-Filter

OP-Am -Amp. O SD pa r P EP PI P PLL PQ prog PS PWM ra RadH re de gain/AGC) Reco Record rder er Reg S Schottky ser SHF S MD SMPS, SN SS S SB stack sym TA Z tgq Th y -B r ThyThy-Mo Modu dull To n Tr Trig Trigge gerr-Di Di asymétrique Tu n i n g Tunnel-Di TV UART Ub Ucc, Us Us UHF Uni US USART V VA VC Vertik. VHF Vid VI R Vt x V/F-Co V/F-Conve nverter rter X-Ra X-Rayy-pr prot ot.. ZF ZV ß (eff) (ss) (Ta (Ta = ...° ...°)) (Tc (Tc =... =...°) °) = [Typ]: →

-/ . . . V

XIV

filtre de surface onde acoustic amplifi lifica catteur eur opéra ératio tionne nnel affichage de film écran parallèle puissance de sortie de pointe image dans image boucle à verrouillage de phase puissance de sortie HF (transistors émetteurs) programmable alimentation électrique modulation de largeur d’impulsion à faible bruit étudié po pour le les ap applications aé aérospatiales étages de réglage (réglage automatique magn magnét étop opho hone ness et et app appar arei eils ls à cas casse sett ttes es régulateur étages de commutation diode Schottky sériel applications HF (>5 GHz) pour montage en surface alim limentati tatioon à dé découp oupage étages de commutation rapide opération à bande latérale unique montages à diodes types symétriques diode Zener fortes surcharges temps d’effacement thyristor à pont modu module le thy thyri rist stor or (pl (plus usie ieur urss élém élémen ents ts dan danss un boîtier) canal son TV étages driver diod diodee de décl déclen ench chem emen entt à 4 couc couche hes, s, diode de réglage HF diode à effet de de tu tunnel applications de télévision emetteur/récepteur universel asynchrone tension de retournement tension d’alimentation application HF (>250 MHz) types universels ultra-son emetteur/récepteur universel synchrone/asynchrone étages d’entrée étages de déflection verticale TV enregistreur vidéo vertical application HF (env. 100...250 MHz) étages finaux vidéo correction des couleurs NTSC vidéotexte, télétexte converti convertisseu sseurr tension tension - fréque fréquence nce prot protec ectition on cont contre re les les rayo rayons ns X étages FI avec renforcement d’amorçage (darlistor) amplification de courant (transistor) pour 1 kHz valeur effective ( = RMS) valeur de créte temp tempér érat atur uree ambi ambian ante te,, lors lorsqu qu’e ’ellllee diff diffèr èree de 25°C(composants en saillie) temp tempér érat atur uree de réfé référe renc ncee du boît boîtie ier, r, lorsqu’elle diffère de 25°C (composants de puissance) identique à [type], toutefois: [caract., fig., Pin-Code, etc.] renvoi (regarder sous ...) seul UCE0 est connu; sinon, toujours

. . .n s .../-ns .../...ns ,..μs ...+Diac μComp ≈ [Typ]

UCB0 ou UCB0 /UCE0 (transistors) temps de de re recouvrement in inverse (d (diode) temps d’etablissement (transistors) temps d’ d’etablissement/de co coupure (transistors) temps de de recouvrement (t(thyristor) avec diac intégrée micro-ordinateur analogueau composant cité (des (descr crip iptition on,, voir voir com compo posa sant nt cité cité))

2 3 4 5 6 7 8 9

Colonne 4 («Fig.») Indication du numéro de la figure (chiffre) et de la connexion (lettre). Veuillez consulter la colonne correspondante («transistor», «FET», «thyristor», «diode», «Z-IC») dans le tableau des connexions. Pour les circuits intégrés (IC), seul un croquis de principe sans indication de la connexio n est prévu. Tous les croquis se trouvent en bas du tableau. Le signe degré (°) signifie: boîtier avec dissipateur de chaleur supplémentaire.

10 11 13

Colonne 5 («Fabricants») Par faute de place, les désignations fournisseur seront indiqués sous une form raccourcie. La liste des noms complets apparaîtront, par ordre alphabétique, sur la page XXII. Sous réserve de garantie concernant l’intégralité et possibilité de fourniture. Dans le cas où plusieurs fournisseurs seront nommés pour un type déterminé, la publication ne concerne qu’un seul étant donné que les données d’un type diffèrent selon le fournisseur et les conditions de mesure différentes.

15 16 17 18

Colonne 6 («Types d’equivalence») Les indications concernant les composants de rechange constituent un choix d’éléments analogues au composant original. II s’agit en règle générale de composants relativement faciles à obtenir. En pratique, les composants de rechange pouvant être utilisés sont souvent beaucoup plus nombreux que ceux qui ont pu trouver place dans ce tableau. Le double astérisque « + + » noté après le dernier composant de rechange a pour but d’attirer I’attention sur ce dernier point. Les tables «Selector» se trouvant dans les brochures de caractéristiques et les CD-ROM ECA et http://www.ecadata.de contiennent un grand nombre de possibilités autres que celles contenues dans ce tableau. En outre, ces brochures de caractéristiques ECA sont à conseiller pour une comparaison exacte des composants en cas de doute. Les composants de rechange indiqués sans note renvoient à des éléments présentant des caractéristiques électriques semblables ou meilleures et pouvant être insérés sans problèmes mécaniques. Nous n’avons accordé d’importance à une connexion, identique que pour les composants de puissance et les circuits intég rés (IC), les sorties des petits composants pouvant être aisément échangées. II est fortement recommandé de vérifier si I’agencement est identique, vérification qui peut être facilement effectuée à I’aide de ce tableau. Dans le cas où un type d’équivalence est suivi d’un nom de fabricant (en abrégé) entre crochets, cette indication provient du fabricant et n’a pas été vérifiée par I’auteur! Pour ne pas dépasser le cadre de ce tableau, il s’est parfois avéré nécessaire nécessaire de renvoyer aux aux brochures de de caractéristiques détaillées ECA. Les circuits logiques numériques, régulateurs de tension, diodes de Zener, thyristors et amplificateurs opérationnels présentent une telle diversité de formes et d’éléments équivalents qu’il était impossible de les présenter de manière exhaustive dans le cadre de ce tableau.

diode diode d’amo d’amortis rtisseme sement nt externe externe entre entre émetteur et collecteur nécessaire boît boîtie ierr non non iso isolé lé boîtier boîtier diffé différen rent. t. Adapta Adaptation tion mécaniq mécanique ue éventuellement requise connex connexion ion diffé différen rente, te, néce nécessi ssite te éventuellement un montage différent le compos composant ant de de rechang rechangee est un un peu plus grand grand ou a une dimension de trame différente composan composantt de rechang rechangee dont les les valeurs valeurs limit limites es sont plus faibles fréqu fréquenc encee limi limite te plu pluss bass bassee (fT) ce type peut peut être être égalemen égalementt obten obtenuu avec d’autres caractéristiques d’allumage le circui circuitt intégré intégré (IC) de recha rechange nge n’est n’est pas compatible avec la broche ou a une dimension de trame différente. ce type type peut peut être être égale égalemen mentt obtenu obtenu avec d’autres caractéristiques d’allumage et le type équivalent a un autre boîtier. amplific amplificatio ationn de coura courant nt plus plus basse basse (B, hFE, ß, hfe) No . 1 + 5 type d’équ d’équival ivalence ence avec avec gamme gamme de de températ température ure limitée. tension tension de saturati saturation on plus plus haute haute (UCESat) résistan résistance ce externe externe corresp corresponda ondante nte nécessa nécessaire ire

+ + nombreux nombreux composan composants ts équival équivalents ents Colonne 7 («ECA-info») Nom du volume ECA dans lequel les caractéristique s exactes du composant recherché ainsi que d’autres composants équivalents sont répertoriés. Afin d’éviter les «surprises», il est recommandé de comparer les principaux paramètr es des composants équivalents à ceux de I’original en cas de doute quant à I’utilisation. http://www.ecadata.de Les soins apportés dans les recherches ne peuvent exclure entièrement les erreurs. Nous ne pouvons être tenus responsables des dommages consécutifs occasionnés dans la pratique.

Liste des notes affectées aux composants de rechange pour les composants de rechange entre parenthèses ( ): 1 avec diode diode d’am d’amorti ortissem ssement ent intégrée intégrée

XV

      s        i       a       ç       n       a       r         f

Avvertenze importanti per I’uso Nella seguente parte di tabelle vengono riportati i più· importan ti elementi di costruzione di semiconduttori, ind ipendentemente se si tratta di transistori, diodi, tiristori, circuiti integrati ecc. I singoli tipi sono provvisti dei brevi dati più· rilevanti e in quanto possibile e conveniente vengono indicati anche i tipi comparativi appropriati. Questa tabella viene integrata ed ampliata con ogni nuova edizione. I tipi vecchi non vengono mai cancellati. Tabelle vecchie pertanto dovranno essere sempre messe da parte (una conseguente perdita di informazioni è impossibile!), per evitare la perdita di tempo prezioso nel dover cercare tra numerose tabelle.

      o       n       a        i        l       a        t        i

Colonna 1 («Tipo») Le denominazioni di tipo corrispondono a quelle delle rispettive documentazioni dei produtto ri. Sono a volte applicate a timbro in modo variato o abbreviato sugli elementi di costruzi one stessi. In caso di più denominazioni di tipi identici di una specie di elementi costrutt ivi (ad esempio «BF 232») la denominazione in breve del produttore è aggiunta tra parentesi angolare «[...]» alla denominazione del tipo. Contrassegni selettivi per mezzo di lettere o cifre introdotte saranno tenuti in considerazione solo se ciò sia importante nella pratica e al paragone dei tipi. Colonna 2 («Specie») Si-P Transistore silicio PNP Si-P Si-P-D -Dar arll Tran Transi sist stor oree Dar Darliling ngto tonn di di sil silic icio io PNP PNP Definizione in breve dell’elemento costruttivo a semiconduttore. semiconduttore. Si-St Diodo stabi (stabilizzatore) Abbreviazioni usate: (fun (funzi zion onam amen ento to in in dire direzi zion onee di flus flusso so)) A/D-IC Convertitore a na nalogo-digitale sRAM sRAM-I -IC C Memo Memori riaa di di scr scrit ittu tura ra-l -let ettu tura ra,, sta stati tica ca BiMO BiMOSS-IC IC Circ Circui uito to inte integr grat atoo (bi (bipo pola lare re,, + tecn tecnol olog ogia ia SUS Switch unilaterale al silicio MOS) Te t r o d e P- + N-Gate-tiristore CCD-IC Dispos positi itivo per acco ccoppiam iamento di car cariica Ther Thermi mist stor or Resi Resist sten enza za dip dipen ende dent ntee di tem tempe pera ratu tura ra CMOS-Lo CMOS-Logic gic Circuito Circuito digitale digitale logico logico (tecnolo (tecnologia gia CMOS) CMOS) Th y Tiristore C-Di Diodo di capacità Th y -B r Collegamento a po ponte a titiristore Diac Diodo Trigger a 3 strati, simmetrico T r iac Tiristore a onda intera DIG-IC Circuito integrato digitale Trig Trigge gerr-Di Di Diod Diodoo ecci eccita tato tore re (tri (trigg gger er)) a 4 str strat ati,i, dRAM-IC Memoria d i sc scrittura-lettura, dinamica asimmetrico D/A-IC Convertitore d ig igitale-analogo TTL-I L-IC Circu rcuito ito lilineare are int inteegrato rato (te (tecno cnolog logia TTL) TL) EARO EAROMM-IC IC Memo Memori ria, a, non non tra trans nsititor oria ia,, vari variab abililee TTLTTL-Lo Logi gicc Circ Circui uito to dig digitital alee logi logico co (lo (logi gica ca tra trans nsis isto tore re ECLECL-Lo Logi gicc Logi Logica ca con con acc accop oppi piam amen ento to in emet emettitito tore re - transistore) transistore) EEPR EEPROM OM-IC -IC Memo Memoria ria,, non trans transito itoria ria,, cancell cancellab abile ile UJT Transistore unijunction elettricamente (monogiunzionale) EPRO EPROMM-IC IC Memo Memoria ria,, non non trans transito itoria ria,, cance cancella llabil bilee a Varis ristor tor Resis sistenz enza dip dipeenden dente di di ten tensio sione (V (VDR) UV Z-DI Diodo Z (funzionamento in senso di nonF-Thy Tiristore di frequenza conduzione) FPLA-IC PAL, programmabile a campo Z- IC Regolatore di tensione, stabilizzatore di GaAs Arsenide di gallio tensione Ge-Di Diodo a germanio ...+Di Con diodo damper integrato Ge-N Transistore a germanio NPN ...+R Con re resistenze integrate Ge-P Transistore a germanio PNP 50Hz-Thy Tiristore di rete GTOGTO-Th Thyy Tiri Tirist stor oree dis disin inse seri ribi bile le (gat (gatee tur turnn off off)) μC-IC Microcomputer ad un chip (MOS) Hybr Hybrid id-I -IC C Circ Circui uito to inte integr grat atoo (tec (tecno nolo logi giaa ibri ibrida da)) μ P -I C Microprocessore, CPU (MOS) IC Circuito integrato I/O-IC Input/output-IC pe p er m miicrocomputer Colonna 3 («Descrizione somm.») KOP-IC Comparatore ( am amplificatore Dati in breve ossia descrizione di operazionale) funzionamento relativo al tipo. LIN-IC Circuito integrato lineare Abbreviazioni usate: MOS-. OS-... ..** Con Con diod diodoo di prot protez ezio ione ne inte integr grat atoo Gate Gate A Amplificatore di antenna e a banda larga MOSMOS-FE FET-d T-d FET-o FET-ossi ssido do meta metalli llico co,, tipo tipo esa esauri urimen mento to A FC Correzione di frequenza automatica (depletion) AF T Sintonizzazione automatica di precisione MOS-F MOS-FET ET-e -e FET-o FET-oss ssido ido meta metalli llico co,, tipo tipo arric arricch chime iment ntoo AGC Generazione tensione di regolazione (enhancement) ALC Modulazione automatica MOS-I S-IC Cir Circui cuito integ tegrat rato (te (teccnol nologi ogia MO MOS) AM Applicazione alta frequenza (campo AM) Transistore bipolare Iso-Gate MOS-N/P-IGBT APC Regolazione au automatica de delle fa fasi NMOS-IC Canale NN-MOS-IC ARI Sistema informativo autoradio (RFT) N-FET Canale N transistore ad ad ef effetto di ca campo Array Disposizione di più elementi in un Opto Componenti opto-elettronici involucro OP-IC Amplificatori operazionali asym Asimmetrico PAL-IC Array logica, programmabile AV Audio/Video PIN-Di Diodo PIN A/W A/W-Ver -Verst st Ampl Amplif ific icat ator oree di regi regist stra razi zion one/  e/  PMOS-IC Canale P-MOS-IC trasmissione PROM PROM-I -IC C ROM ROM elet elettr tric icam amen ente te prog progra ramm mmab abililee B Amplificazione a corrente continua PUT Transistore monogiunzionale (UJT) Backward Diodo ba backward programmabile Band-S Com Commutazi azione one band ande ad alta fre freque quenza P -F E T Canale P transistore ad effetto di campo bidi bidire rekt ktio iona nall Diod Diodoo a graf graffa fa Ref-Di Diodo di di ririferimento (d (diodo Z al altamente Br Raddrizzatore a ponte costante) Bt x Videotesto ROM-IC Memoria di di so sola le lettura Camera Videocamera SA S Switch assimetrico al silicio CATV Amplificatore a cavo mu multigamma SB S Switch bilaterale al silicio CB Radio banda J Se-Di Diodo selenio CD Giradischi CD Si-Br Silicio raddrizzatore a ponte Chopper Interruttore rotante Si-Di Diodo silicio cont contr. r. av. av. Resi Resist sten ente te alla alla tens tensio ione ne impu impuls lsiv ivaa Si-N Transistore silicio NPN (controlled avalanche) Si-N Si-N-D -Dar arll Tran Transi sist stor oree Dar Darliling ngto tonn di di sil silic icio io NPN NPN

XVI

CPU CR T CTV Dem Diskr DMA Dual E Equal ESD FB F ED FIFO-I FO-IC C FL T FM FRED FREDFE FET T F/V-Con F/V-Conver verter ter gep GI Gunn-Di HA HF hi-beta hi-curre rrent hi - de f hi-power hi-prec hi-rel hi-res hi-speed hi-volt Horiz. h-ohm Ib Igt Ih Impatt-Di Indic. Ip I PD IR Itsm Is Iso Iv kV-GI L LCD L ED LIFO-IC Limiter lo-drive lo-drop LogL lo-power lo-sat lo-volt M Mi n MMU M u l t ip l NF Ni x Nois Noisee supp suppr. r. n-ohm O OFW/SAW-Filter

OP-Am -Amp.

Unità centrale computer Schermo Applicazione TV a colori Demodulatore Discriminatore Controller accesso diretto memoria Transistori doppi am amplificatori differenziali o diodo doppio Stadi finali Equalizzatore Scarica elettrostatica Telecomando Diodo ad effetto di campo Memoria silo ilo (first irst-i -inn firs firstt-ou -out) Tubi indicatori cifre Applicazione alta frequenza (campo onde ultracorte) V-MO V-MOSS-FE FET T con con dio diodo do d’in d’inve vers rsio ione ne rapido Convert Convertitor itoree frequen frequenza/t za/tensi ensione one Tipi appaiati Raddrizzatori, in genere Diodo Gunn Stadi di deflessione orizzontale TV Applicazione al alta frfrequenza (g (generale) Alta amplificazione di corrente Per al alta corr orrent ente d’u d’usscita ita Alta definizione Alta potenza d’uscita Alta precisione Affidabilità elevata Alta risoluzione Rapido Per alte tensioni Orizzontale Per circuiti di demodulazione ad alta impedenza Corrente di rottura Corrente d’innesco superiore Corrente di mantenimento Diodo Impatt Indicazione Corrente di punto di picco Attrezzo di potenza intelligente Infrarosso Max. corrente d’urto ammissibile Corrente di commutazione Isolato Corrente di punto di valle Raddrizzatore d’alta tensione Stadi di potenza Indicatore a cristalli liquidi Indicatore a diodi luminosi Memo emoria cantina tina (las last-in t-in firs firstt-oout) ut) Limitatore Per ba basse potenza di di vo volante Modesta perdita di tensione Logic Level (U th ≈ 0,8...2V) Modesto consumo di po potenza Bassa tensione di saturazione collettore - emitter Per basse tensioni Stadi di messaggio Esecuzione in miniatura Unità d’amministrazione memoria Moltiplicatore di frequenza Applicazioni bassa frequenza Eccitatore-Nixie (t(tubi in indicatori cifre) Sopp Soppre ress ssio ione ne dis distu turb rbii Per circuiti di demodulazione a bassa impedenza Stadi di oscillatore Filtro di superficie onda Amplifi lificcatore tore operaz raziona onale

O SD pa r PE P PI P progr PLL PQ PS PWM ra RadH re Recor ecorde derr Reg S Schottky ser SHF SMD SMPS SMPS,, SN SS SS B rale stack sym T AZ tgq Thy-Br ThyThy-Mo Modu dull involucro) To n Tr Trig Trigge gerr-Di Di Tu n i n g Tunnel-Di TV UART Ub Ucc U S UHF Uni US USART V VA VC Vertik. VHF Vid VI R Vtx V/F-Co V/F-Conve nverter rter X-Ra X-Rayy-pr prot ot.. ZF ZV ß (eff) (ss) (Ta (Ta = ... ...°) °) (Tc (Tc = ... ...°) °) = [Typ]:

XVII

Avviso di schermo Parallelo Potenza massima di uscita Figura in figura Programmabile Inserimento in fase rigida Potenza di uscita HF (transistori trasmettitori) Alimentazione di corrente Modulazione larghezza dell’impulso Silenzioso Resistente alla radiazione, concepito per usi spaziali Stadi regolatori (AGC) Regi Regist stra rato tore re a nast nastro ro e a cass casset ette te Regolatore Stadi di rottura Diodo Schottky Seriale Applicazioni HF (>5 GHz) Per montaggio sulla superficie Part Partii del del circ circui uito to comb combin inat ator orio io a cadenza Stadi di rottura rapidi Azionamento a banda unilate Raddrizzatore a più strati, serie raddrizzatori Tipi simmetrici Soppressori di sovratensioni Tempo d’interdizione Ponte di tiristori Modu Modulo lo a tir tiris isto tore re (più (più elem elemen entiti in un Canale del suono TV Stadi di eccitazione Diod Diodoo ecci eccita tato tore re (tri (trigg gger er)) a 4 stra stratiti,, asimmetrico Diodo si sintonizzatore ad ad al alta fr frequenza Diodo Tunnel Applicazione TV Trasmettitore/ricevitore universale asincrono Tensione diretta di rottura Tensione di alimentazione Applicazioni a frequenza ultraelevata (>250 MHz) Tipi universali Ultrasuono Trasm asmettito titorre/ri e/riccevito vitorre unive iversa rsale sincrono/asincrono Prestadi e stadi entrata Stadi di deflessione verticale (TV) Registrazione video Verticale Applicazioni frfrequenza al altissima (ca. 100...250 MHz) Stadi finali video Correzioni colori NTSC Videotesto, teletesto Conver Convertito titore re tensione/ tensione/freq frequenz uenzaa Prot Protez ezio ione ne cont contro ro i rag raggi gi X Stadi di frequenza intermedia Con intensificazione dell’accensione (darlistor) Amplificazione corrente fino a 1 kHz Valore effettivo ( = RMS) Valore di punta Temp Temper erat atur uraa amb ambie ient ntal alee qua qualo lora ra non non 25°C (tipi cantilever) Tem Tempera peratu tura ra di rife riferi rime ment ntoo car carca cass ssa, a, qualora non 25°C (tipi di potenza) Identico con [Tipo], tuttavia: [dati, Fig., codice pin, ecc.]

      o       n       a        i        l       a        t        i

→

-/ . . . V .. . ns .../-ns . . . /. . . n s ...μs ... + Diac μComp ≈ [Typ]

Rimando (vedasi sotto ...) Noto solo UCE0; altrimenti sempre U CB0 oppure UCB0 /UCE0 (transistori) Tempo di ricupero di ritorno (diodi) Tempo inserzione (transistori) Tempo inserzione/interruzione (transistori) Tempo di disinnesco (tiristore) Con diac integrato Microcomputer Simile al al titipo in indicato (v (vedasi re relativa descrizione)

6 7 8 9 10 11 13

Colonna 4 («Fig.») Indicazione del numero della figura (cifra) e dell’occupazione pin (lettera inserita) a semiconduttori discreti. Nella tabella di occupazione pin dev’essere osservata la competente colonna («transistore», «FET», «tiristore», «diodo», «Z-IC»). Presso ICs è previsto solo un disegno di principio senza occupazione pin. Tutti i disegni si trovano in calce alla tabella. II segno di grado (°) significa: carcassa con supplementare lamiera di raffreddamento o corpo di raffreddamento.

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Colonna 5 («Produttori») I nomi dei produttori sono stati abbreviati per ragio ne di spazio. Nomi completi si trovano raggruppati in ordine alfabetico a pagina XXII. Non può essere assunto alcuna garanzia per completezza e disponibilità. Ove vengono indicati più fabbricanti per uno stesso tipo allora soltanti i dati di uno solo sono stati utilizzati, giacchè in caso di condizioni di misurazione differenti i dati un tipo variano leggermente da fabbricante a fabbricante.

      o       n       a        i        l       a        t        i

++

eventualmente un altro montaggio II tipo tipo di ricambi ricambioo è alqua alquanto nto più più grosso grosso o con altra misura modulare. Tipo di ricam ricambio bio con con dati dati limiti limiti più debo debolili Frequ Frequenz enzaa limit limitee più più bassa bassa (fT) II tipo tipo è ottenibi ottenibile le anche anche con altri altri dati di accensione IC di ricambio ricambio non è compati compatibile bile con pin pin o con con altra misura modulare II tipo tipo è ottenibi ottenibile le anche anche con altri altri dati di accensione e il tipo di ricambio possiede un’altra carcassa. Amplifi Amplificazi cazione one di corren corrente te meno meno forte forte (B, hFE, ß, hfe ) No. 1 + 5 Tipo di di sostituz sostituzione ione con con gamma gamma di tempe temperatu ratura ra limitata. Tensione Tensione di satur saturazio azione ne più più alta alta (U CESat ) È necessa necessaria ria ester esternam namente ente una resis resistenz tenzaa adeguata

Numeros Numerosee altre altre possibil possibilità ità di parag paragone one

Colonna 7 (« ECA-Info») Nome del volume ECA nel quale si possono trovar e dati esatti e ulteriori paragoni per il tipo ricerc ato. In tutti i casi d’impiego critici si dovranno paragonare i parametri rilevanti dei tipi di paragone con quelli dell’originale per prevenire alle «sorpre se»! http://www.ecadata.de/ Malgrado le scrupolose ricerche, rimangono comunque riservati eventuali errori. Non si possono rispondere di danni verificatisi in pratica.

Colonna 6 («Tipi corrispondenti») Nell’indicazione dei tipi di ricambio viene indicata solo una scelta di «parenti stretti» del tipo originale. Si tratta in prevalenza di tipi non difficilmente reperibili. In pratica spesso è impiegabile un numero assai maggio re di tipi di ricambio di quanto si potevano piazzare nella tabella. II contrassegno « + + » dopo I’ultimo tipo di ricambio dovrà sottolineare in particolar modo questo fatto. Le tavole «Selector» nei registri dei dati ECA contengono non immaginate ulteriori possibili tà. Di questi registri di dati ECA ci si dovrà servire in ogni modo per un esatto para gone dei tipi in casi critici. Se non contrassegnati da note in calce, i tipi di ricambio indicati presentano dati elettrici identici o migliori e sono impiegabili senza problemi meccanici. Di un’identica occupazione pin si è tenuto conto solo presso tipi di potenza e ICs poiche presso piccole forme di costruzione gli attacchi possono essere scambiati in modo facilmente adattato. Un ulteriore controllo in merito ad una differente occupazi one è urgentemente consigliabile e facilmente da realizzare per mezzo di questa tabella. Se un tipo di confronto è seguito da un nome di fabbricante (abbreviato) tra parentesi quadre, I’indicazione proviene da questo fabbricante e non è stata verificata dall’autore (!). Per non superare I’ambito di questa tabella si doveva in parte far riferimento ai dettagliati registri di dati ECA. L’immensa foltità delle forme costruttive e delle possibilità di paragone non può venir rappresentata in modo esauriente per circuiti logici, digitali, regolatori di tensione, diodi Z, tiristori ed amplificatori operazionali. Elenco delle note in calce presso tipi corrispondenti tra parentesi ( ): 1 Con diodo diodo dampe damperr integ integrat ratoo 2 Diodo Diodo damper damper tra emettit emettitore ore e collet collettore tore esternamente necessario 3 Carc Carcas assa sa non non isol isolat ataa 4 Altra Altra carcass carcassaa - eventua eventualme lmente nte necess necessario ario un un adattamento meccanico 5 L’occup L’occupazio azione ne pin inuguale inuguale richiede richiede

XVIII

Notas importantes para el uso En las tablas de la sección siguiente se indican los componentes electrónicos más importantes en orden estrictamente alfabético, independientemente de que se trate de transistores, diodos, tiristores o de circuitos integrados, etc. Junto a los diferentes componentes se indican brevemente los datos carac terísticos más relevantes y, de ser posible y de interés, lo s modelos de repuesto adecuados. La presente tabla se actuali za y amplia en cada nueva edición. De ella jamás se borran los modelos antiguos. (De este modo queda descartada cualquier pérdida de información ). Por ello deberían retirarse de la circulación las tablas antiguas, a fin de no perder un tiempo valioso consultando varias tablas. Columna 1 («Tipo») Los códigos de los diferentes modelos de componentes corresponden a los de las documentaciones de los respectivos fabricantes. EI código impreso sobre el componente puede diferir o estar abreviado en algunos casos. Cuando varios componentes del mismo tipo tienen el mismo código (por ejemplo «BF 232») se añadido la abreviatura del fabricante encerrada en corchetes «[...]». La caracterización de componentes sel eccionados mediante letras o cifras pospue stas al código sólo se ha tenido en cuenta cuando reviste importancia en la práctica o al comparar diversos modelos o variantes. Si-Di Si-N Si-N Si-N-D -Dar arll Si-P Si-P Si-P-D -Dar arll Si-St

Columna 2 («Tipo-categoria») Definición breve del tipo de componente semiconductor. Abreviaturas empleadas: A/D-IC Convertidor a na nalógico-digital BiMO BiMOSS-IC IC Circ Circui uito to inte integr grad adoo (bi (bipo pola lar, r, + tec tecno nolo logí gíaa MOS) CCD-IC Disp ispositiv itivoo por por aco acoplam lamien iento de ca carga rga CMOS-Lo CMOS-Logic gic Circuito Circuito lógico lógico digital digital (tecnolo (tecnología gía CMOS) CMOS) C-Di Varicap (diodo capacitivo) Diac Diac (diodo trigger simétrico de 3 capas) DIG-IC Circuito in integrado di digital dRAM dRAM-I -IC C Memo Memori riaa de lect lectur uraa y escr escrit itur uraa (RAM (RAM)) dinámica D/A-IC Convertidor di d igital-analógico EARO EAROMM-IC IC Memo Memori riaa no vol volát átilil de de cont conten enid idoo vari variab able le ECLECL-Lo Logi gicc Lógi Lógica ca de emis emisor or acop acopla lado do EEPR EEPROM OM-IC -IC Memo Memoria ria no no volát volátilil de borr borrado ado elé eléctr ctric icoo EPRO EPROMM-IC IC Memo Memori riaa no no vol volát átilil de borr borrad adoo por por ultravioleta FPLA-IC PAL, programable por zonas F - Th y Tiristor de frecuencia GaAs Arseniuro de galio Ge-Di Diodo de germanio Ge-N Transistor NPN de germanio Ge-P Transistor PNP de germanio GTOGTO-Th Thyy Tiri Tirist stor or desc descon onec ecta tabl blee (ga (gate te turn turn off) off) Hybr Hybrid id-I -IC C Circ Circui uito to inte integr grad adoo de tecn tecnol olog ogía ía híbr híbrid idaa IC Circuito integrado I/O-IC Circuito in integrado de de en entrada/salida pa para microordenador KOP-IC -IC Compara arador (a (amplif plific icaador opera eracion cionaal) LIN-IC Circuito integrado lineal MOS-...* ...* Con di diodo pr prote otecto ctor de de com compuerta erta MOSMOS-FE FETT-dd FET FET de meta metall-óx óxid idoo-se semi mico cond nd.. de vaciamiento (depletion) MOS-F MOS-FET ET-e -e FET de metal metal-ó -óxid xido-s o-sem emico icond nduct uctor or de enriquecimiento (enhancement) MOS-IC Circ ircuito ito in integ tegrado ado (en (en tecno cnolog logía MOS) Transistor bipolar isocompuerta MOS-N/P-IGBT NMOS NMOS-I -IC C Circ Circui uito to inte integr grad adoo MOS MOS de cana canall N N-FET Transistor de efecto de campo de canal N Opto Componentes optoelectrónicos O P -I C Amplificador op operacional PAL-IC Matriz ló lógica pr programable PIN-Di Diodo PIN PMOS PMOS-I -IC C Circ Circui uito to inte integr grad adoo MOS MOS de cana canall P PROM-IC Memoria RO ROM pr programable eléctricamente PUT Transistor un uniunión (U (UJT) pr programable P - F ET Transistor de efecto de campo de canal P Ref-Di Diodo de referencia (d (diodo Zener de de gr gran constancia) ROM-IC Memoria de lectura solamente SA S Interruptor asimétrico de silicio SB S Interruptor bilateral de silicio Se-Di Diodo de selenio Si-Br Puente re rectificador de de silicio

sRAM sRAM-I -IC C SUS Tetrode Ther Thermi mist stor or Th y Thy-Br Triac Trig Trigge gerr-Di Di TTL-IC -IC TTLTTL-Lo Logi gicc UJT Varist istor Z-DI Z -I C ...+Di .. . + R 50Hz-Thy μC-IC μ P -I C

Diodo de silicio Transistor de silicio NPN Tran Transi sist stor or Darl Darlin ingt gton on de sili silici cioo NPN NPN Transistor de silicio PNP Tran Transi sist stor or Darl Darlin ingt gton on de sili silici cioo PNP PNP Diodo estabilizador de silicio (funcionamiento con polarización directa) Memo Memori riaa de de lec lectu tura ra y esc escri ritu tura ra está estáti tica ca Interruptor de de si silicio un unilateral Tiristor de puertas P y N Resi Resist sten enci ciaa depe depend ndie ient ntee de temp temper erat atur uraa Tiristor Puente de tiristores Triac Diod Diodoo trig trigge gerr de 4 capa capas, s, asim asimét étri rico co Circu ircuiito inte ntegrad rado lilinea neal (t(tecno cnolog logía TTL TTL) Circ Circui uito to digi digita tall (de (de lógi lógica ca tran transi sist stor or-transistor) Transistor uniunión Resiste stencia cia dep dependi ndiente nte de tensió sión (VDR) Diodo Zener (funcionamiento con polarización inversa) Regulador o estabilizador de tensión Con diodo supresor integrado Con resistencias integradas Tiristor de red Microordenador de un solo chip (MOS) Microprocesador, CPU (MOS)

Columna 3 («Descripción breve») Breve descripción de la función o los datos del modelo correspondiente. Abreviaturas empleadas: A Amplificador de antena y de banda ancha AFC Control automático de recuencia AFT Ajuste fino automático AGC Obtención de la tensión regulada ALC Ajuste automático de ganancia AM Aplicación en alta frecuencia (gama de AM) AP C Control automático de fase ARI Sistema de información por autoradio (RFA) Array Montaje de varios componentes en una sola cápsula asym Asimétrico AV Audio/Video A/WA/W-Ve Vers rstt Ampl Amplifific icad ador or de regi regist stro ro yrep yrepro rodu ducc cció iónn B Ganancia de corriente continua Backward Diodo ba backward Band-S Conmuta utació ción de gama en alta lta frec recuenc encia bidi bidire rekt ktio iona nall Diod Diodoo bidi bidire recc ccio iona nall Br Puente rectificador Btx Teletexto Camera Cámera de video CATV Amplificador pa para ca cable de de ba banda an ancha CB Para radioaficionados (banda ciudad)

XIX

       l       o         ñ       a       p       s       e

CD Chopper cont contr. r. av. av. CPU CRT CTV Dem Diskr DMA Dual E Equal ES D FB FED FIFO-IC FL T FM FRED FREDFE FET T F/V-Co F/V-Conve nverte rterr gep GI Gunn-Di HA HF hi-beta hi-cu i-curr rren entt hi-def hi-power hi-prec hi-rel hi-res hi-speed hi-volt Horiz. h-ohm Ib Igt Ih Impatt-Di Indic. Ip IPD IR Is Iso Itsm

       l       o         ñ       a       p       s       e

Iv kV-GI L LCD L ED LIFO IFO-IC Limiter lo-drive lo-drop LogL lo-power lo-sat lo-volt M Min MMU Multipl NF N ix Nois Noisee supp suppr. r.

Compact disc Inversor de medida Aval Avalan anch chaa con contr trol olad adaa (re (resi sist sten ente te a los los picos de tensión) Unidad central de proceso Pantalla Televisión en color Demodulador Discriminador Controlador de acceso directo a memoria Trans. dobles para amplificador diferencial o diodo doble Etapas de salida Ecualizador Descarga el electrostática Mando a distancia Diodo de efecto campo Memori oria silo silo (firs firstt-in in firs irst-ou t-outt) Válvulas display de cifras Aplicación en alta frecuencia (gama de FM) V-MO V-MOSS-FE FET T con con diod diodoo inv inver erso so rápi rápido do Convert Convertidor idor de de frecuenc frecuencia ia a tensión tensión T i p os a p a r e j a d o s Rectificador, en general Diodo Gunn Etapas de barrido horizontal en televisión Aplicación en alta frecuencia (en general) Amplificación de de, co corriente el elevada Para Para gran gran inte intens nsid idad ad de sali salida da Definición alta Gran potencia Gran precisión Gran fiabilidad Resolución alta Rápido Para altas tensiones Horizontal Para circ. demoduladores de alta impedancia Corriente de encendido Corriente superior de encendido Corriente superior de corte Diodo impatt Display Corriente de pico Aparato potencia de inteligente Infrarrojo Corriente de encendido Aislada Corriente máxima de un pulso de corriente Corriente de valle Rectificador de de alta te tensión Etapas de potencia Display de cristal líquido Display de diodos luminiscentes Memoria ria pila pila (las last-in t-in first irst-o -ouut) Limitador Para baja volante de potencia Baja caída de tensión Logic Level (U th ≈ 0,8...2V) Bajo consumo de potencia Tensión baja de saturación colector - emisor Para bajas tensiones Etapas mezcladoras Tipo miniatura Unidad de gestión de memoria Multiplicador de frecuencia Aplicación en baja frecuencia Excitador Nixie (válvulas-display de cifras) Supr Supres esió iónn de ruid ruidoo

n-ohm O OFW/SAW-Filter

OP-Amp. O SD pa r P EP PI P PLL PQ progr PS PWM ra RadH re Recorder Reg S Schottky ser SHF S MD SMPS SMPS,, SN SN SS S SB stack sym T AZ tgq Th y -B r ThyThy-Mo Modu dull To n Tr Trig Trigge gerr-Di Di Tun Tuning Tunnel-Di TV UART Ub Ucc, US UHF Uni US USART V VA VC Vertik. VHF Vid VI R Vt x V/F-Con V/F-Conver verter ter X-Ra X-Rayy-pr prot ot.. ZF ZV ß (eff) (ss) (Ta (Ta = ...° ...°)) (Tc (Tc = ... ...°) °) = [Typ]:

XX

Para circ. demoduladores de baja impedancia Etapas osciladoras Filtro de superficie onda Amplificador o pe peracional Avisar de pantalla Paralelo Potencia de punta de salida Figura en figura Circuito-lazo de enganche en fase Potencia de salida de alta frec. trans. para emisión) Programable Alimentación de corriente Modulación de anchura de pulsos De bajo ruido A prueba de radiaciones (para uso en astronáutica) Etapas reguladas (AGC) Magnetófonos y ca cassettes Regulador Etapas conmutadoras Diodo Schottky Serie Aplicaciones de alta frecuencia (>5 GHz) Componente de montaje superficial Fuen Fuente tess de alim alimen enta taci ción ón conm conmut utad adas as Etapas de conmutación rápidas Banda lateral única Columna o grupo de rectificadores Tipos simétricos Diodo supresor Tiempo de apagado Puente de tiristores Módu Módulo lo de de tiri tirist stor ores es (va (vari rios os com compo pone nent ntes es en una cápsula) Canal de sonido en TV Etapas excitadoras Diod Diodoo trig trigge gerr de 4 capa capas, s, asim asimét étri rico co Dio Diodo de sinto ntoniza izació ción de aita fre frecue cuencia Diodo tunel Aplicación en televisión Emisor/receptor as asíncrono un universal Tensión de encendido Tensión de alimentación A p l i c ac i o ne s en en al al t a fr fr e c u e n c i a (>250 MHz) Componentes universales Ultrasonidos Emis Emisoor/re r/reccepto ptor sí síncro crono/a o/asín síncro crono uni uni versal Etapas previas o de entrada Etapas de barrido vertical en televisión Aparato de video Vertical Aplicación en alta frecuencia (entre unos 100 y 250 MHz) Etapas de salida de video Corrección de color (NTSC) Videotexto, teletexto Convert Convertidor idor de de tensión tensión a frecue frecuencia ncia Prot Protec ecci ción ón cont contra ra rayo rayoss X Etapas de frecuencia intermedia Con amplificación de encendido (darlistor) Ganancia de corriente a 1 kHz Valor efficaz ( = RMS) Valor de punta a punta Temp Temper erat atur uraa amb ambie ient nte, e, de no ser ser 25° 25°C C (modelos de montaje libre) Temp Temper erat atur uraa de de ref refer eren enci ciaa de de la la cáp cápsu sula la,, de no ser 25°C (modelos de potencia) idéntico al [modelo], aunque: [datos, figura, terminales, etc.]

→

-/ . . . V . . .n s .../-ns .../...ns ...μs ...+Diac μComp ≈ [Typ]

Referencia (véase ...) Sólo de conoce U CE0 ; normalmente se indican siempre U CB0 o bien UCB0 /UCE0 (transistores) Tiempo de recuperación con pol. inversa (diodos) Tiempo de de co conexión (t(transistores) Tiempo de conexión/de bloqueo (transistores) Tiempo de conmutación Con diac integrado Microordenador Similar al al mo modelo in indicado (v (véase al allí la la descripción)

3 4 5 6 7 8 9 10

Columna 4 («Fig.») Indica el número de la figura (cifras) y la distribución de los terminales (letras siguientes) en los semicond-uctores discretos. En la tabla de terminales deberá consultarse la columna correspondiente («transistor», «FET», «tiristor», «diodo», «Z-IC«). Para los circuitos integrados sólo se indica un croquis sin la distribución de terminales. Todos los esquemas se encuentran al final de la tabla. EI símbolo (°) significa cápsula con chapa o disipador adicional.

11 13 15 16 17 18

Columna 5 («Fabricante») Por motivos de espacio se han abreviado los nombres de los fabricantes; los nombres completos se encuentran listados alfabéticamente en la página XXII. Todos estos datos se indican salvo error u omisión; tampoco puede garanti zarse el suministro. Cuando para un tipo determinado de transistor se indican varios fabricantes sólo se han tomado los datos de uno de ellos, pues los datos de un componente determinado pueden diferir ligeramente de fabricante a fabricante según las condiciones de medida.

++

Columna 6 («Tipos de repuesto») Solamente se indica una selección de los modelos más parecidos al original que desee sustituirse, indicándose sobre todo modelos fáciles de conseguir. En la práctica suelen poderse emplear muchos más modelos de repuesto que los pocos indicados en la tabla por motivos de espacio; esto se destaca mediante el símbolo « + + » después del último modelo de repuesto. Estos manuales ECA deberían tenerse siempre a mano en casos críticos cuando se trate de efectuar una comparación exacta de diferentes modelos. De no indicarse lo contrario mediante notas a pie de página, los modelos de repuesto indicados poseen características eléctricas iguales o mejores, y pueden usarse sin problemas mecánicos. Solamente para los componentes de potencia y los circuitos integrados se ha tenido en cuenta que los modelos de repuesto tengan la misma distribución de los terminales que los originales, pues para los modelos pequeños es relativemente fácil intercambiar adecuada-mente los terminales. De todas maneras se recomienda encarecida-mente comprobar la distribución de los terminales, lo cual es muy sencillo con la presente tabla. Cuando a un tipo de repuesto le siga el nombre (abrevi ado) de un fabricante entre corchetes, los datos correspondientes proceden de dicho fabricante y no han sido comprobado por los autores (!). A veces ha sido preciso referirse a los manuales ECA exhaustivos, a fin de no sobrepasar el marco de la presente tabla. Resulta imposible tratar exhaustivamente en el marco de la presente tabla la enorme diversidad de las cápsulas y de las posibilidades de comparación existente entre los circuitos lógicos digitales, los reguladores de tensión, los diodos Zener, los tiristores y los amplificadores operacionales. Índice de notas a pie de página para modelos de repuesto indicados entre paréntesis ( ): 1 con con diodo diodo supres supresor or inte integra grado do 2 precisa precisa un diodo diodo supreso supresorr externo externo entre entre el emiso emisorr

XXI

y el colector caja caja no aisl aislad adaa cápsula cápsula difer diferente ente - puede puede resu resultar ltar precisa precisa adaptarla mecánicamente la distrib distribució uciónn de termi terminale naless es disti distinta nta por por lo que puede resultar preciso un montaje diferente el modelo modelo de de repuest repuestoo es algo algo mayor mayor o tiene tiene los los terminales en una trama diferente el modelo modelo de repues repuesto to prese presenta nta datos datos límites límites menores menor menor frec frecuen uencia cia de cort cortee (fT) el tipo tipo existe existe también también con con otros otros datos datos de encendido el circuit circuitoo integra integrado do de repue repuesto sto prese presenta nta una una distribución distinta de los terminales o en una trama diferente el tipo tipo existe existe también también con con otros otros datos datos de encendido y el tipo de recambio tiene una caja diferente. menor menor gananc ganancia ia de corri corriente ente (B, h FE, ß, hfe) No . 1 + 5 tipo de sustit sustitució uciónn con gama gama de tempe temperatu ratura ra limitada. mayor mayor tensi tensión ón de satu saturac ración ión (U (U CESat) precisa precisa la corres correspon pondien diente te resisten resistencia cia externa externa

existen existen otras otras muchas muchas posibili posibilidade dadess de comparación

Columna 7 («Tomo ECA») Nombre del manual ECA en el que pueden encontrarse los datos exactos y otras comparaciones de repuestos para el modelo buscado. En las aplicaciones y casos críticos deberían compararse siempre los parámetros más relevantes de los modelos de repuesto con los del original, para evitar «sorpresas» desagradables. http://www.ecadata.de/search/ A pesar de haber recopilado todos los datos con gran cuidado, no podemos excluir la posibilidad de que se haya deslizado algún error, por lo que no podemos responder de posibles daños y perjuicios.

       l       o         ñ       a       p       s       e

Fmi HERSTELLER UND IHRE ABKÜRZUNGEN Fpm Abbreviations Abbreviations of manufacturers manufacturers - Abréviations des fournisseurs Fu i Abbreviazioni Abbreviazioni dei fabbricanti - Abreviaciones de los fabricantes Fu i ++ More More addi additi tion onal al prod produc ucer er Fu j Acc Accord Accordion ion Electr Electric ic Ltd. Ltd. Co. Co. Fu j Adv Advance Advancedd Research Research Associat Association ion Gdc Aeg Aeg TEMI TEMIC C TELE TELEFU FUNK NKEN EN micr microe oele lect ctro roni nicc www. www.te temi mic. c.de de Gen Aei Aei AEI AEI Sem Semico icond nduct uctors ors,, Ltd Ltd.. Gi e Akm Asahi Kasei Microsystems www.akm.com Gin Ald Advanced Linear Devices Inc. www.aldinc.com Gol Gol Alp Alpha Industries, Inc. www.alphaind.com Gol Amc Ampower Ampower Semicon Semiconduct ductor or Corp. Corp. Gpd Amd Advanced Micro Devices GmbH www.amd.com Gs e Amd Advanced Micro Devices Inc. www.amd.com Gsi Ame Aksjesel Aksjeselska skapet pet Mikro-Ele Mikro-Elektro ktronik nik GUS Amf Americ American an Mach Machine ine & Fou Found ndry ry H af af Amp Amperex Amperex Electron Electronic ic Corp Corp.. Hal Ams American Mi Microsystems, In I nc . www.amis.com Ham Anc Ancom, Ancom, Ishik Ishikawa awa Sangyo Sangyo Ltd. Ltd. Co. Co. Ham And Analog Devices www.analog.com Har Ans Ans Anal Analog og Syst System emss Apt Advanced Power Technology www.advancedpower.com Har Hbc Hbc Apx Apex Microtechnology Corp. www.apexmicrotech.com Hei Hei Atm Atmel www.atmel.com Hew Ava Ava Avan Avante tek, k, Inc Inc.. Hew B&h Bell & Howel Howelll Columbia Columbia Trad Trading ing Ltd. Ltd. Co. Co. Hfo Bbc Bbc BBC BBC Brown Brown Bover Bovery, y, Ltd. Ltd. Hit Bec Bec Beckm Beckman annn Instru Instrumen ments ts Inc. Inc. Hit Bel Bel Bentr Bentron on Elektr Elektron onik ik GmbH GmbH Hon Ben Bendix Bendix Semicon Semiconduct ductor or Products Products Hon Bog Bogue Bogue Electric Electric Manufact Manufacturin uringg Hpa Bra Bradle Bradleyy Semico Semicond nduc ucto torr Corp. Corp. Hsc Hsc Bub Burr-Brown Research Corp. www.burr-brown.com Hsm Hsm Cat Catalyst Semiconductor www.catsemi.com Hug Hug Cbs Cbs CBS CBS ele elect ctro roni nics cs Hun Hun Cdi Continental Device India, Ltd. www.cdil.com Hun Hun Cen Centr Central al Semic Semicon ondu ducto ctorr Corp. Corp. Devis Devision ion www.c www .cent entral ralse semi. mi.co com m Idc Chy Cherry Se Semiconductor Co Corp. www.cherry-semi.com Idi Idi Cla Clairex Technologies Inc. www.clairex.com Idr Idr Clv Clv Clev Clevit itee Tran Transi sist stor or Id t Cml Cml Comp Comput uter er Labs Labs Id t Cod Cod CODI CODI Corp Corpor orat atio ionn Ilc Ilc Com Com Coml Comlin inea earr In f C pc pc C. P. P. C la lare Tr an ansi st stor Cor po por at at ion ww w. w. cp cpc lar e. e. co com Cpd Control Control Produ Products cts Divisi Division on Devar Devar Inc. Inc. I nm Crb CR.BOX I nr Cri Crimso Crimsonn Semic Semicon ondu ducto ctor, r, Inc. Inc. In t Csr Csr CSR CSR Indu Indust stri ries es,, Inc. Inc. In t Ctr Acrian In Inc. Isi Cys Cypress Se Semiconductor Co C or p. www.cypress.com Iso Dal Dal Dall Dallas as Semi Semico cond nduc ucto torr Iss Dat Datel Inc. www.datel.com It e Dat Datel GmbH www.datel.com It l Dci Dynami Dynamicc Commu Communic nicati ation ons, s, Inc Inc.. It l Del Del Delc Delcoo Elec Electr tron onic icss I tr Dic Dickso Dicksonn Electr Electron onics ics Corp. Corp. Itt Die Diotec GmbH www.diotec.com Ixy Dio Dio Dion Dionic ics, s, Inc. Inc. JAP Dmc Dynamic Dynamic Measu Measureme rement nt Corp. Corp. Jno Dpm Dense-Pac Microsystems, Inc. www.dense-pac.com Kec Dsi Discre Discrete te Semicon Semicondu ducto ctors rs Indust Industrie riess Kem Dtc Diode Diode Trans Transist istor or Co., Co., Inc. Inc. Ker Ker Ecg ECG Philips eu2.semiconductors.com Khe Edi Electronic Designs, Inc. (EDI) www.electronic-designs.com Khe Kmc Edl Edl EDAL EDAL Ind Indus ustr trie ies, s, Inc Inc.. Kme Eiy Eiy El, Elektr Elektron onska skaja ja Indu Industr strija ija Ksw Ksw Ela Élantec Semiconductor Inc. www.elantec.com Lam Elc Elcoma Lbd Lbd Ele Ele Elec Electr trom omat atio ionn Co. Co. L ic Elx El ec ec trtr oi oi mp mpex L ic Emi Emi Emihu Emihuss Microco Microcomp mpon onen ents ts Ltd. Ltd. Li f Ems Enhanced Me Memory Sy Systems In Inc. www.enhanced.com Li t Etc Electr Electron onic ic Transis Transistor tor Corpo Corporat ration ion Lr c EUR Lt c Exi EXAR Corp. www.exar.com Lt c Exl Exel Microele Microelectro ctronics nics,, Inc. Inc. (Rohm (Rohm Co. Ltd.) Ltd.) www. www.rohm rohm.co .com m Lte Fag Fagor Electrotecnica, S. Coop. www.fagor.com Ltt Fan Fanon Fanon Trans Transist istor or Corpora Corporatio tionn Fch Fairchild Se Semiconductor Gm GmbH www.fairchildsemi.com Luc Luc Fch Fairchild Se Semiconductor www.fairchildsemi.com Mal Fcs Fairchild Semiconductor GmbH www.fairchildsemi.com M at Fcs Fairchild Semiconductor www.fairchildsemi.com Mat Fer Fer Ferr Ferran anti ti GmbH GmbH Fer Ferranti Ferranti (Electro (Electronics nics)) Semicon Semiconduc ductors tors Ltd. Ltd. M ax Fjd Fuji Denki Seizo Company www.fujielectric.co.jp Mbl Mbl Fjd Fuji Electric GmbH www.fujielectric.co.jp Fjd Fuji Se Semiconductor In Inc. www.fujisemiconductor.com Mcc

XXII

FMI Inc. Fine Products Products Microelec Microelectron tronics ics Corporatio Corporationn Fujitsu Mikroelektronik GmbH www.fujitsu-ede.com Fujitsu Ltd. www.fujitsu.co.jp Fujitsu Ltd. www.fujitsu.co.jp Fujitsu Mikroelektronik GmbH www.fujitsu-ede.com General General Diode Diode Corporat Corporation ion Harri Harriss (Genera (Generall Electri Electric) c) Semico Semicond nduct uctor or www www.se .semi. mi.ha harri rris. s.com com General Instrument www.gi.com Gene General ral Instr Instrume ument nt,, Opto Optoele electr ctron onic ic Div. Div. www.g www .gi.c i.com om Gold Goldst star ar (LG (LG Ele Elect ctro roni nics cs Deu Deuts tsch chla land nd)) www. www.go gold ldst star ar.d .dee Goldstar (LG Electronics Inc.) www.lg.co.kr Germaniu Germanium m Power Power Devices Devices Corpora Corporation tion General Semiconductor www.gensemi.com General Semiconductor www.gensemi.com UdSSR UdSSR States States located located produce producerr ASEA HA HAFO AB AB Halex In Inc. HAMAMATSU PH P HOTONICS K. K.K. www.hpk.co.jp Hamamatsu Hamamatsu Photonics Photonics Deutschland Deutschland GmbH www.hamamatsu.de www.hamamatsu.de Harris Semiconductor www.harris.com Harris Semiconductor www.harris.com Hybrid Hybrid System Systemss Corp Corp.. EG&G EG&G Heiman Heimannn Optoe Optoele lectr ctron onics ics GmbH GmbH www.h www .heim eiman ann-o n-opt pto.d o.dee Hewlett Pa Packard www.hp.com/hp-comp Hewlett-Packard GmbH www.hp.com/hp-comp Halbl Halbleit eiterw erwerk erk Frank Frankfur furt/ t/Od Oder er Hitachi Europe GmbH www.halsp.hitachi.com Hitachi Europe Ltd. www.halsp.hitachi.com Honeywell AG AG Op Optoelectronics www.honeywell.de Honeywell In International Inc. www.honeywell.com Hewlett Packard www.hp.com/hp-comp Helio Helioss Sem Semico icond nduc ucto torr HI-S HI-SIN INCE CERI RITY TY MICR MICROE OELE LECT CTRO RONI NICS CS www. www.hs hsmc mc.c .com om.t .tw w Hughe Hughess Aircra Aircraft ft Compa Company ny Hyund Hyundai ai Elec Electro tronic nicss Ind Indust ustrie riess Co., Co., Ltd. Ltd. www.he www .hei.c i.co.k o.krr Hyund Hyundai ai Electr Electron onics ics Deuts Deutschl chlan andd (HED) (HED) www www.h .hea ea.co .com m Inter Interna natio tiona nall Diode Diode Corp Corpora oratio tionn Inte Intern rnat atio iona nall Devic Devices es,, Inc. Inc. I.P. I.P.R. R.S. S. Bane Baneaasa Int eg egr at at ed ed D ev evi ce ce Tec hn hnology ( ID ID T) T) w ww ww .i.i dt dt.c om om Int eg egr at at ed ed D ev ev ic ice T ec echnol og ogy G mb mbH w ww ww .i.i dt dt.c om om ILC ILC Dat Dataa Dev Devic icee Cor Corp. p. Infineon Te Technologies AG AG www.infineon.com (Siemens Semiconductor Group) INMOS (siehe SGS-Thomson) www.st.com International Re Rectifier C or orporation www.irf.com Intel GmbH www.intel.com Intel Corporation www.intel.com Harris Semiconductor www.semi.harris.com Isocom Inc. (Components, LTD.) www.isocom.com Integrated Silicon Solution, Inc. www.issi.com Intec h/ h/ FM FM I In Inc. Intersil Europe www.intersil.com Intersil Co Corporation He Headquarters www.intersil.com Intronics In Inc. ITT Inte Interme rmetal talll (Micron (Micronas as Semico Semicond nduct uctors ors)) www www.it .itt-s t-sc.d c.dee IXYS Semiconductor GmbH www.ixys.com Unkown Unkown or severa severall japanese japanese Producte Producterr JENOPTIK Laserdiode GmbH www.jold.de KEC, Korea Electronics Co., Ltd. www.kec.co.kr Kemtron Kemtron Electron Electron Product Productss Kert Kertro ron, n, Inc. Inc. KH-E KH-Ele lect ctro roni nics cs KMC-S KMC-Semi emico condu nducto ctorr Kombina Kombinatt Mikroelekt Mikroelektroni ronikk Karl Marx Erfurt Erfurt KSW KSW Electr Electron onics ics Corp Corp.. Lambda Lambda Semicond Semiconducto uctors rs Lamb Lambda da Semic Semicon ondu ducto ctors rs Linear T ec echnology C or orporation www.linear-tech.com L i n e a r T e c h n o l o gy G m b H www.linear-tech.com Littelfuse www.littelfuse.com Taiwan Li Liton El Electronic Co Co., Lt Ltd. www.liteon.com Leshan Radio Company Ltd. www.lrc-china.com Linear Technology Corporation www.linear-tech.com L i n e a r T e c h n o l o gy G m b H www.linear-tech.com Landsd Landsdale ale Transist Transistor or & Electron Electronics, ics, Inc. Ligne Ligness Telegr Telegraph aphiqu iques es et Telep Telepho honiq niques ues www www.st .st.co .com m (SGS-Thomson) Luca Lucass Elect Electric rical al Co., Co., Ltd. Ltd. Mallory Mallory Distribut Distributor or Products Products Co. Matsushita El Electronics Co C or p. www.mei.co.jp Matsu Matsushi shita ta Electr Electron onics ics (Euro (Europe pe)) GmbH GmbH www.ma www .matsu tsush shita ita-europe.com Maxim Integrated Products Ltd. www.maxim-ic.com M.B. M.B.L. L.E. E. (Phi (Phililips ps Semi Semico cond nduc ucto tors rs)) eu2. eu2.se semi mico cond nduc ucto tors rs.c .com om Microchip Technology Inc. www.microchip.com

Mcr Mdc M ed Mhs Mic Min Mis M itit Mit Miv Miv Mmi Mod M os M ot Mot Mot Mpi Mpi Mps Msc Msp Msp Msy Msy Mts Mul Mul Mwa Mws Nac Nae Nas N ec N ec Neq Neq New Ni h Nj r Npp Npp Nsc Nsc Nte Ntn Nuc O dc Oiz Oiz Ok i Oki old old Om r O ns Opa Opa Opt Org Pai Pai Pan Pan Per Per Phb Phc Phc Phi Pih Pih Pls Pls Ply Ply Pmi Pmi Poi Ppc Ppc Ptc Pti Pwi Pwx Qdc Qdc Qs e Qsi Qtc Qua Ray Ray Rca Rec Ren Rfm Rhm Rhm Riz Roc Roe Roh Roh Roi Roi Rtc

MICREL Semiconductor UK Lim. www.micrel.com Microw Microwave ave Diode Diode Corp Corp.. Meder Electronic AG www.meder.com Temic TemicTel Telef efun unke kenn micro microele elect ctron ronic ic GmbH GmbH www www.te .temic mic.de .de Micro Micro Elect Electron ronics ics,, Ltd. Ltd. Micro Micronn Tech Techno nolo logy, gy, Inc. Inc. Mistral (S (SGS-Thomson) www.st.com Mi ts tsubi sh shi El El ec ectr ic ic Eur op ope GmbH w ww ww .m .m it su subi sh shic hi hi ps ps. co com Mitsubishi El Electric Co Corporation www.mitsubishichips.com Micr Microw owav avee Assoc Associa iate tess AMD (Advanced Micro Devices) www.amd.com Modu Modular lar Dev Device icess Inc. Inc. Mostek (SGS-Thomson) www.st.com Motorola GmbH www.mot-sps.com Moto Motoro rola la Sem Semic icon ondu duct ctor or Pro Produ duct ctss Ltd. Ltd. www. www.mo mott-sp sps. s.co com m Micropac Industries Inc. www.micropac.com Micropac Europe www.micropac.com Micro Micro Power Power Syste Systems ms Microsemi Mi MicroPower Pr Products www.microsemi.com MOSP MOSPEC EC SEMI SEMICO COND NDUC UCTO TOR R CORP CORP.. www. www.mo mosp spec ec.c .com om.t .tw w Micr Micros osys yste tems ms Mitsumi Electric Co. Ltd. www.mitsumi.com Mull Mullar ardd Ltd. Ltd. (Ph (Phililip ipss Semi Semico cond nduc ucto tors rs)) eu2. eu2.se semi mico cond nduc ucto tors rs.c .com om Microwave Microwave Associat Associates, es, Inc. Inc. Microwave Microwave Semicon Semiconduc ductor tor Corporati Corporation on Nationa Nationall Aircr Aircraft aft Corporat Corporation ion NAE, In Inc . North North America Americann Semicon Semiconduct ductor or Co., Co., Inc. Inc. NEC El Electronics (G (Germany) Gm GmbH www.nec.de NEC Electronics Inc., www.ic.nec.co.jp Nuclea Nuclearr Equip Equipmen mentt Corp. Corp. Newmarke Newmarkett Transi Transisto stors, rs, Ltd. Ltd. Ni ho hon I nt nt er er E le lec trtr on oni cs cs C or or po por at ati on on ww w. w. ni niec .c .c o. o.j p New Japan Radio Co., Ltd. www.njr.com Nation National al Power Power Prod Produc ucts ts National Se Semiconductor Gm GmbH www.national.com National Semiconductor www.national.com NTE Electronics Inc. www.nteinc.com Hermann Hermann Koehler Koehler Elektrik Elektrik GmbH & Co. Co. Nucleon Nucleonic ic Product Productss Co., Co., Inc. Opto Diode Corporation www.optodiode.com Oizu Oizumi mi Seis Seisak akus usho ho OKI Electric Europe GmbH www.oki.com OKI Electric Industry Co. Ltd. www.oki.com Old Old unk unkno nown wn prod produc ucer er OMRON Europe B.V. (OMCE) www.omron.de ON Semiconductor Inc. www.onsemiconductor.com Opam Opampp Labs Labs Inc Inc.. Optic Optical al Elec Electro tronic nicss Inc. Inc. Origin Origin Electr Electric ic Co. Co.,, Ltd. Ltd. Param Paramet etric ric Indu Indust strie ries, s, Inc. Inc. Panasonic www.panasonic.co.jp Panasonic Deutschland GmbH www.panasonic.de Peri Perico com m Sem Semic icon ondu duct ctor or Corp Corpor orat atio ionn ww www. w.pe peri rico com. m.co com m Philco Philco Radio Radio Telev Televisao isao,, Ltda. Ltda. Philc Philcoo Corpo Corporat ration ion Philips Semiconductor eu2.semiconductors.com Pihe Piherr Semic Semicon ondu duct ctor orss Plesse Plesseyy Semic Semicon ondu ducto ctors, rs, Ltd. Ltd. Plesse Plesseyy Semic Semicon ondu ducto ctors, rs, Ltd. Ltd. Precis Precision ion Mon Monoli olith thics ics Inc. Inc. Power Innovations Ltd. www.powinv.com PPC PPC Produ Product ctss Corpo Corporat ration ion Power Power Trans Transisto istorr Compon Components ents/All /Allen-B en-Bradl radley ey Power Tech, Inc. www.power-tech.com Power Integrations, Inc. www.powerint.com Powerex Inc. www.pwrx.com Quali Qualidy dyne ne Corpo Corporat ration ion Quality Semiconductor Inc. www.qualitysemi.com Quality Se Semiconductor In Inc. www.qualitysemi.com Quality Quality Technolo Technologies gies Corporat Corporation ion Quality Quality Techn Technolog ologies ies Corpor Corporatio ationn Raytheon Ha Halbleiter Gm GmbH www.raytheon.com Raytheon Se Semiconductor Co Co. www.raytheon.com RCA Corporat Corporation ion (Harris (Harris Semicon Semiconduct ductor) or) www. www.semi semi.har .harris. ris.com com Rectron Semiconductor w ww . r e c t r o n . n e t Renesas Renesas Technolo Technology gy Singap Singapore ore Pte. Ltd. Ltd. www. www.rene renesas. sas.com com RF Micro Devices, Inc. www.rfmd.com Rohm Co. Ltd. www.rohm.co.jp Rohm Electronics GmbH www.rohm.com RIZ Radio Radio Indust Industrie rie Zagre Zagreb/Is b/Iskra kra Ljubl Ljubljana jana Rochester El Electronics In Inc. www.rocelec.com Vishay Roederstein GmbH www.vishay.com Rohm Electronics GmbH www.rohm.com Rohm Co. Ltd. www.rohm.co.jp Roit Roitne nerr-La Lase sert rtec echn hnik ik R.T.C. R.T.C. La Radiote Radiotechni chniqueque-Comp Compelec elec

Sak Sam S am Say Say Say Sca Scn Seb Sem Sen Sen Seq Ses Ses Sgs Sgs Sgs Sha Sha Shi Sie Sig Sii Sil Sip Sip Six Skr Sld Sld Smi Smi Smo Smo Smt Sol Sol Son Son Son Sov Spc Spc Spe Spr Spr Spt Ssc Ssi Ssi Sss Sta Stc Stl Stl Stm Stw Stx Sty Stz Stz Syl Syl Sym T ag Tcr Tcs Tdy Tel Tem Tes The Tho Tho Thr Thr Tic Tix Tix T ix T om T os os T os Toy Tra Trw Trw Tsc Tsm Tsm Tun Tun Twa Ucp Unc U ng Uni Uni U nz Upi Upi

XXIII

Sanken El Electric Co Co., Lt Ltd. www.sanken-ele.co.jp (Allegro Micro Systems) SAMSUNG SAMSUNG Semic Semicond onducto uctorr Europe Europe GmbH GmbH www. www.sams samsung ungsemi semi.com .com SAMSUNG EUROPE www.samsungsemi.com PLC. SEMICONDUCTOR DIVISION Tokyo Sanyo Electric Co., Ltd. www.semic.sanyo.co.jp SANYO SANYO Semi Semicon condu ducto ctors rs (Eur (Europ ope) e) GmbH GmbH www www.sa .sanyo nyo.d .dee Semicoa Semicon Components Inc. www.semicon.com Semelab Semitron Semitronics ics Corporat Corporation ion Sensi Sensitro tronn Semic Semicon ondu ducto ctorr SEEQ Technology, Inc. www.seeq.com Sesco Sescosem sem (Thom (Thomson son CSF) CSF) SGS-T SGS-THOM HOMSO SON N Micr Microe oelec lectro tronic nicss GmbH GmbH www www.s .st.c t.com om SGS Semiconductor Ltd www.st.com Sharp Microelectronics www.sharpmeg.com Shar p El ec ect ro ronic s ( Eu Eur op ope) Gm Gm bH bH w ww ww .s .s ha har pp- eu eu.c om om Shindengen Inc. www.shindengen.com Siemens AG www.infineon.com Signetics Corporation www.signetics.com Silonex Inc. www.silonex.com Silicon General Inc. www.linfinity.com (Linfinity Microelectronics) Sipex Corporation www.sipex.com SIPEX GmbH www.sipex.com Siliconix GmbH www.siliconix.com (Temic Telefunken microelectronic GmbH) Semikron GmbH & Co. KG www.semikron.de Solid Solid State State Indu Industr strie ies, s, Inc Inc.. Semi Semitr tron on,, Ltd. Ltd. Semi Semi-O -Oni nics cs Semtech Corporation www.semtech.com Soli Solitr tron on Dev Devic ices es,, Inc. Inc. Sony Europa www.sel.sony.com/semi/   Sony Sony Semi Semico cond nduc ucto torr Euro Europe pe Limi Limite tedd www. www.se sel. l.so sony ny.c .com om/s /sem emi/  i/  UdSSR Solid Solid Power Power Corp Corpora oratio tionn Space Space Power Power Electro Electronic, nic, Inc. Spra Spragu guee Elec Electr tric ic Co. Co. Signal Processing Technologies www.spt.com SSC, SSC, Silec Silec - Semi Semi - Con Condu ducto ctors rs Solid Solid State State Devic Devices es,, Inc. Inc. Solid Solid Stat Statee Scien Scientif tific, ic, Inc. Inc. Stand Standard ard Teleph Telephon ones es & Cab Cables les Silico Siliconn Tran Transis sisto torr Corp. Corp. (STC) (STC) Stanley Electric GmbH www.stanleyelec.com Stanley Electric Co. www.stanleyelec.com STMicroelectronics www.st.com Stow Stow Labo Laborat ratori ories es,, Inc. Inc. Supertex Inc. www.supertex.com Semic Semicon ondu ducto ctorr Techno Technolog logy, y, Inc. Inc. ST Semi Semico con, n, Inc. Inc. Sylva Sylvania nia Semic Semicon ondu ducto ctors rs Symbol Symbol Semic Semicond onducto uctorr Inc. Inc. TAG Semiconductors www.temic.de Teccor Electronics Inc. www.teccor.com Telcom Se Semiconductor In Inc. www.telcom-semi.com (Teledyne Components) TELED TELEDYNE YNE Compo Compone nents nts Temic Temic Telef Telefun unke kenn Microe Microelec lectro troni nicc GmbH GmbH www www.te .temic mic.d .dee Temic Temic Telef Telefun unken ken Micro Microele electr ctroni onicc GmbH www www.te .temic mic.d .dee Tesla Tesla Electr Electronic onic Compone Components nts (Ecimex) (Ecimex) Theta Theta-J -J Corpo Corporat ratio ionn SGSSGS-TH THOM OMSO SON N Mikro Mikroel elek ektr tron onik ik GmbH GmbH www. www.st st.c .com om Tree Tree-F -Fiv ivee Syst System em Inc Inc.. Trans Transist istor or Interna Internatio tiona nall Corpo Corporat ration ion Texa Texass Inst Instru rume ment ntss Deut Deutsc schl hlan andd GmbH GmbH ww www. w.ti ti.c .com om Texas Instruments www.ti.com Thomson Bauelemente GmbH www.tcs.thomson-csf.com T os oshi ba ba El El ec ect ro ronic s Eur op ope Gm Gm bH bH ww w. w. to tos hi hiba. co com Toshiba Electronics U. U.K. Lt Ltd. www.toshiba.com Toyo Denki Denki Seizo Seizo Elect Electroni ronics cs Industr Industryy Corp. Corp. Transi Transitro tronn Elec Electro tronic nic Corp. Corp. TRW Vertriebs GmbH www.trw.com TRW LSI LSI Pr Prod oduct uctss Inc. Inc. (Semic (Semicon ondu ducto ctors) rs) www www.tr .trw.c w.com om Teled Teledyn ynee Sem Semico icond nduc ucto torr Tung Tungsr sram am GmbH GmbH Tung Tung-S -Sol ol Elec Electr tric ic Tokyo Tokyo Wireless Wireless Apparat Apparatures ures Unitra Unitra-Ce -Cemi mi (Polen (Polen)) HI-Tech Co Co., Lt Ltd (U (Unitra-Cemi) www.hitech.com.pl Ungarn Unitrode Corporation www.unitrode.com Unitrode Electronics GmbH www.unitrode.com U niz o n UPI UPI Semi Semico cond nduc ucto torr

USA Usr U TC TC Vac Vac Val Vis Vtc Wab Wea Wea

USA located located produce producerr V/O Elekt Elektron ronza zagra granp npos ostav tavka ka Uni so soni c T ec echnol og ogi es es Co Co., LT LT D. D. EG&G EG&G Vact Vactec ec Valvo (Philips Semiconductor) Vishay Intertechnology, Inc. VTC Inc. Walbern Walbern Devices, Devices, Inc. West West Ace Ace

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Wes Wfb Whs Ze l Ze x Ze x Zi l Ztx

Weste Western rn Elec Electri tricc Co. Werk für Fernseh Fernsehelek elektron tronik ik Berlin Berlin Westingh Westinghouse ouse Electr Electric ic Corporati Corporation on Zeltex In Inc. Z e t ex I n c . Z e t ex G m b H Zi l o g , I n c . Z e t ex G m b H

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www.zetex.com www.zetex.com www.zilog.com www.zetex.com

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XXIV

Typ Type · Tipo

Art Device Genre · Tipo Specie

BB 439

C-Di

=BB 419:

71a(1,7mm) Sie

M A 36 1 , M A 36 4

data pdf

BB 501 BB 502 BB 503 BB 503 DK BB 504

C-Di C-Di C-Di C-Di C-Di

VHF/UHF-AFC VHF-AFC =BB 501: SMD =BB 501: SMD, Dual =BB 502: SMD

7c 7c 3 5e 35 l 3 5e

Sie Sie Sie,Tho Tho Sie,Tho

BA 121, BB 117, BB 417, 1SV89 BA 125, BB 119, 1SV114, 1SV125 -

data pdf data data pdf data data

BB 505 B BB 505 G

C-Di C-Di

UHF-Tuning VHF-Tuning

31 a 31 a

Aeg,Sie Aeg,Sie

BB 105A,B, BB 205A,B, BB 405A,B, ++ BB 105G, BB 205G, BB 405G, ++

data data

BB 509 BB 510

C-Di C-Di

AM-Tuning, 4,43MHz-AFC SMD, Dual, AM-Tuning

7c 35 m 1

Itt Itt

-

data data

BB 512

C-Di

SMD, AM-Tuning

71a(2,7mm) Sie

-

data pdf

BB 515 B,G

C-Di

SMD, VHF/UHF-Tuning

71a(2,7mm) Phi,Sie

BB 721

BB 521

C-Di

=BB 221: verbess./improved Linear.

31 a

Itt

→

BB 523

C-Di

VHF/UHF-Tuning

31a

Itt

BB 105A,B, BB 205A,B, BB 405A,B, BB 505B

data

BB 525

C-Di

SMD, Tuning

71a(2,7mm) Sie

-

data

BB 529

C-Di

=BB 329: verbess./improved Linear.

31 a

Itt

→

BB 531

C-Di

VHF-Tuning

31a

Itt

BB 105G, BB 205G, BB 405G, BB 505G, ++

data pdf

BB 535 BB 545 BB 555 BB 565 BB 601

C-Di C-Di C-Di C-Di C-Di

=BB 515: =BB 525: =BB 535: =BB 545: SMD, Satelliten-TV-Tuning

71a(1,7mm) 71a(1,7mm) 71a(1,3mm) 71a(1,3mm) 71a(2,7mm)

Sie Sie Sie Sie Itt

MA 360, MA 372, 1SV214, 1SV223 -

data pdf data pdf data pdf data pdf data

Kurzbeschreibung Short description · Description succ. Descrizione somm. · Descripción breve

Bild Fig.

Herst. Manu. Fabr. Prod.

Vergleichstypen Compa Compari riso sonty ntypes pes · Typ Types es d’equ d’equiv ival alenc encee Tipi correspondenti · Tipos de repuesto

BB 221

BB 329

ECA-Info more more at www.ecadata.de

data data

data

BB 609 A,B

C-Di

VHF-Tuning, OIRT, CATV

31 a

Aeg,Sie

BB 106, BB 209, BB 229, BB 409, ++

data

BB 610

C-Di

VHF-Tuning

31a

Sie

BB 105G, BB 205G, BB 405G, BB 505G, ++

data

BB 619(A,B) BB 620

C-Di C-Di

SMD, VHF-TV/VC-Tuning, Extend. Band SMD, VHF-TV/VC-Tuning, Hyperband

71a(2,7mm) Phi,Sie 71a(2,7mm) Phi,Sie

BB 515B,G, BB 723, BB 729¼731 -

data data pdf

BB 621 BB 622 BB 623 BB 629

C-Di C-Di C-Di C-Di

=BB 221: SMD =BB 222: SMD SMD, VHF/UHF-Tuning =BB 329: SMD

72a(3,4mm) 72a(3,4mm) 72a(3,4mm) 72a(3,4mm)

BB 215, BB 623 BB 215, BB 623 BB 215, BB 621¼622 BB 219, BB 631

data pdf data pdf data data pdf

BB 631

C-Di

SMD, VHF-Tuning

72a(3,4mm) Itt

BB 219, BB 629

data

BB 639(C) BB 640

C-Di C-Di

=BB 619: =BB 620:

71a(1,7mm) Sie 71a(1,7mm) Sie

MA 365, MA 374, 1SV231 -

data pdf data pdf

BB 644

C-Di

SMD, VHF-Tuning, 35V, 2,6/42pF(28/1V)

71a(1,7mm) Sie

BB 439, MA 361, MA 364

data pdf

BB 659(C) BB 664

C-Di C-Di

=BB 619: =BB 644:

71a(1,3mm) Sie 71a(1,3mm) Sie

-

data pdf data pdf

BB 669

C-Di

71a(1,7mm) Sie

-

BB 689

C-Di

SMD, VHF-Tuning, Hyperband, 35V 2,7/56pF(28/1V) =BB 669:

71a(1,3mm) Sie

-

data pdf pd f data pdf

BB 709 A,B

C-Di

VHF-Tuning

71a(4mm)

BB 106, BB 209, BB 229, BB 409, ++

data

BB 721

C-Di

71a(2,7mm) Itt, Gsi

BB 723

BB 721 S BB 723 BB 729

C-Di C-Di C-Di

71a(1,7mm) Gsi 71a(2,7mm) Itt 71a(2,7mm) Itt, Gsi

BB 721 BB 723, BB 730¼731

BB 729 S BB 730 BB 731

C-Di C-Di C-Di

71a(1,7mm) Gsi 71a(2,7mm) Itt 71a(2,7mm) Itt, Gsi

BB 723, BB 729, BB 731 BB 723, BB 729¼730

Aeg,Itt Aeg,Itt Itt Aeg,Itt

Sie,Tho

BB 731 S

C-Di

SMD, UHF-Tuning, 35V, 2,1¼2,39(25V) 14¼16,3pF(2V), <0,8ê(470MHz) =BB 721: SMD, VHF/UHF-Tuning SMD,VHF-Tuning, 32V, 2,38¼2,93pF(28V) 30¼33pF(28V), <0,8ê(470MHz) =BB 729: SMD, VHF Tuning, 28V, 3,15¼3,55(28V) SMD, VHF-Tuning(Hyperband), 32V 3,15¼3,55/50pF(28/1V), <1ê(300MHz) =BB 731:

71a(1,7mm) Gsi

-

data pdf pd f data pdf data data pdf pd f data pdf data data pdf pd f data pdf

BB 801

C-Di

SMD, Satelliten-TV-Tuning

35a

Sie

-

data

BB 804(-0¼-4)

C-Di

SMD, Dual, FM-Tuning

35 l

Aeg,Phi,Sie

BB 404, BB 814

data

BB 809

C-Di

VHF-Tuning, OIRT, CATV

3 1a

Phi,Tho

BB 106, BB 209, BB 229, BB 409, ++

data pdf

BB 811 BB 813

C-Di C-Di

SMD, Satelliten-TV-Tuning, ¼2GHz SMD, Satelliten-TV-Tuning, ¼2,5GHz

71a(2,7mm) Phi,Sie 71a(2,7mm) Sie

-

data pdf data

BB 814(-1,-2) BB 824

C-Di C-Di

SMD, Dual, FM-Tuning SMD, Dual, Tuning

35 l 35 l

BB 404, BB 804 -

data data pdf

BB 831 BB 833

C-Di C-Di

=BB 811: =BB 813:

71a(1,7mm) Sie 71a(1,7mm) Sie

1SV245 1SV245

data pdf data pdf

BB 835

C-Di

SMD, Satelliten-TV-Tuning, ¼2,8GHz

71a(1,7mm) Sie

1SV245

data pdf

BB 857

C-Di

SMD, Satelliten-TV-Tuning, 35V

71a(1,3mm) Sie

-

data pdf

BB 901

C-Di

SMD, Sat-TV-Tuning, <1,055pF(28V)

35 e

Phi

-

data pdf

BB 909 A,B

C-Di

VHF-Tuning, CATV

3 1a

Phi,Tho

BB 106, BB 209, BB 229, BB 409, ++

data

BB 910

C-Di

31 a

Phi

-

BB 911(A)

C-Di

VHF-Tuning, Band B, ¼460MHz 2,4¼2,7/>38pF(28/0,5V) SMD, VHF-Tuning, Band A, ¼160MHz

31 a

Phi

-

data pdf pd f data

Aeg,Sie Aeg

  — 100 —

Schrift N6.50, Schrift B8.00

02.08.2007 13:50:25

Typ Type · Tipo

Art Device Genre · Tipo Specie

Kurzbeschreibung Short description · Description succ. Descrizione somm. · Descripción breve

Bild Fig.

Herst. Manu. Fabr. Prod.

Vergleichstypen Compa Compari riso sonty ntypes pes · Typ Types es d’equ d’equiv ival alenc encee Tipi correspondenti · Tipos de repuesto

BSS 229

MOS-N-FET-d

=B = BSS 139: 0,07A

7c

Sie

-

data pdf

BSS 284

MOS-P-FET-e

SMD, V-MOS, LogL, 50V, 0,13A, 19/30ns

3 5a

Sie

BSS 84, 2SJ185

data pdf

BSS 295 BSS 296 BSS 297

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, LogL, 50V, 1,4A, 1W, <0,3ê V-MOS, LogL, 100V, 0,8A, 1W, <0,8ê V-MOS, LogL, 200V, 0,48A, 1W, <2ê

7c 7c 7c

Sie Sie Sie

2SK1272, 2SK1274, 2SK1733, 2SK1736, ++ 2SK941, 2SK1484, 2SK1729 -

data pdf data pdf data pdf

BSS 395 BSS 396 BSS 397

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, LogL, 50V, 4,4A, 10W, <0,3ê V-MOS, LogL, 100V, 2A, 10W, <0,8ê V-MOS, LogL, 200V, 1,5A, 10W, <2ê

13 c 13 c 13 c

Sie Sie Sie

-

data data data

BSS 7728

MOS-N-FET-e

SMD, V-MOS, 60V, 0,15A, 11/27ns

35 a

Sie

BSS 123, 2SK1590

data pdf

BST 15 BST 16

Si-P Si-P

SMD, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz =BST 15: 350V

3 9b 3 9b

Phi, Ztx Phi, Ztx

-

data pdf data pdf

BST 39 BST 40

Si-N Si-N

SMD, NF/S/Vid, 450V, 1A, >70MHz =BST 39: 300V

3 9b 3 9b

Phi, Ztx Phi, Ztx

-

data pdf data pdf

BST 50 BST 51 BST 52

Si-N-Darl+Di Si-N-Darl Si-N-Darl

SMD, 60V, 0,5/1,5A, 350MHz, B>2000 =BST 50: 80V =BST 50: 100V

3 9b 3 9b 3 9b

Phi Phi, Ztx Phi, Ztx

2SD1470, 2SD1472, 2SD1511 2SD1472 2SD1472

data pdf data pdf data pdf

BST 60 BST 61 BST 62 BST 62-20

Si-P-Darl+Di Si-P-Darl Si-P-Darl Si-P-Darl

SMD, 60V, 0,5/1,5A, 350MHz, B>2000 =BST 60: 80V =BST 60: 100V =BST 60: 85V

39b 39b 3 9b 39 b

Phi Phi, Ztx Phi Ztx

2SB1048 -

data pdf data pdf data pdf data

BST 70 BST 70 A BST 72 BST 72 A BST 74 BST 74 A BST 76 BST 76 A BST 78 BST 80 BST 82 BST 84 BST 86 BST 90 BST 95 BST 97

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 80V, 0,5A, 1W, <3ê, <10/15ns =BST 70: V-MOS, 80V, 0,3A, 0,83W,<10ê, <10/10ns =BST 72: V-MOS, 200V, 0,25A, 1W, <12ê, <10/25ns =BST 74: V-MOS, 180V, 0,3A, 1W, <10ê, <10/15ns =BST 76: V-MOS,450V, 0,75A, 15W,<14ê, <10/100ns =BST 70: SMD =B =BST 72: SMD = BST 74: SMD = BST 76: SMD =BST 70: 2,5W V-MOS, S, 200V, 2A, <2ê, <35/50ns =BST 76: 0,4W

7c 7a 7c 7a 7c 7a 7c 7a 1 4b $ 39 b 35 a 39 b 39 b 2 a$ 2 a$ 2a

Phi

Phi Phi Phi Phi Phi Phi Phi Phi

BSS 296, 2SK423, 2SK940¼41 BST 70 BSS 88¼89, BSS 91, 2SK1337 →BST 72 BSS 88¼89, BSS 91, BSN 205 →BST 74 BSS 89, BSS 91, BSS 297 →BST 76 2SK601, 2SK1078¼1079 BSS 87 BSS 87 -

data pdf data pdf data data pdf data data pdf data pdf data pdf data data pdf data pdf data pdf data pdf data data data

BST 100 BST 110 BST 120 BST 122

MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e

V-MOS, 60V, 0,3A, 1W, <6ê, 4/20ns V-MOS, 60V, 0,25A, 0,83W, <10ê, 4/10ns =BST 100: SMD =BST 110: SMD

7a 7a 39b 39b

Phi Phi Phi Phi

2SJ198, 2SJ228, 2SJ231 BSP 204, 2SJ198, 2SJ228, 2SJ231 2SJ199, 2SJ212¼213 2SJ199, 2SJ212¼213

data pdf data data pdf data pdf

BST 124

MOS-N-FET-d

V-MOS, 250V, 0,45A, <12ê, <10/30ns

1 4b

Phi

-

data

BSt A30 26 BSt A3 A30 26 26 M BSt A30 33 BSt A30 33 M BSt A30 40 BSt A30 40 M BSt A30 46 BSt A30 46 M BSt A30 53 BSt A30 53 M

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

400V, 0,6A(Ta=45ÊC), Igt/Ih<10/<40mA 400V, 0, 0,8A(Ta=45ÊC), Ig Igt/Ih<10/<40mA =BStA3026: 500V =BStA3026M: 500V =BStA3026: 600V =BStA3026M: 600V =BStA3026: 700V =BStA3026M: 700V =BStA3026: 800V =BStA3026M: 800V

27b 27b 2 7b 27 b 2 7b 27 b 2 7b 27 b 2 7b 27 b

Sie Sie

CS0,8-04, BStA3026M, CS1,2-049 CS08-04,CS1,2-04,(TAG612-400,TAG606-400)11 CS0,8-05, BStA3033M, CS1,2-059 CS08-05,CS1,2-05,(TAG612-600,TAG606-600)11 CS0,8-06, BStA3040M, CS1,2-069 CS08-06,CS1,2-06,(TAG612-600,TAG606-600)11 CS0,8-07, BStA3046M, CS1,2-079 CS08-07,CS1,2-07,(TAG612-700,TAG606-700)11 BStA3053M, (TAG613-800, TAG606-800)11 (TAG612-800, TAG606-800)11

data data data data data data data data data data

BSt B01 06 BSt B01 13 BSt B01 26 BSt B01 33 BSt B01 40 BSt B01 46

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

100V, 0,8A(Ta=45ÊC), Igt/Ih<10/<60mA =BStB0106: 200V =BStB0106: 400V =BStB0106: 500V =BStB0106: 600V =BStB0106: 700V

27b 2 7b 2 7b 2 7b 2 7b 2 7b

Sie

CS0,8-02, BStA3026M, CS1,2-029 CS0,8-02, CS1,2-02, BStA3026M9 CS0,8-04, BStA3026M, CS1,2-049 CS0,8-05, BStA3033M, CS1,2-059 CS0,8-06, BStA3040M, CS1,2-069 CS0,8-07, BStA3046M, CS1,2-079

data data data data data data

BSt B02 06 BSt B02 13 BSt B02 26 BSt B02 33 BSt B02 40 BSt B02 46

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

100V, 3A(Tc=64ÊC), Igt/Ih<10/<60mA =BStB0206: 200V =BStB0206: 400V =BStB0206: 500V =BStB0206: 600V =BStB0206: 700V

2 8a 2 8a 2 8a 2 8a 2 8a 2 8a

Sie

(TAG621-100, TAG626/100, T3,5N400,++)11 (TAG621-200, TAG626-200, T3,5N400,++)11 (TAG621-400, TAG626-400, T3,5N400,++)11 (TAG621-500, TAG626-500, T3,5N600,++)11 (TAG621-600, TAG626-600, T3,5N600,++)11 (TAG621-700, TAG626-700, T3,5N800,++)11

data data data data data data

BSt C01 06 BSt C01 13 BSt C01 26 BSt C01 33 BSt C01 40 BSt C01 46

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

100V, 5A(Tc=82ÊC), Igt/Ih<35/<90mA =BStC0106: 200V =BStC0106: 400V =BStC0106: 500V =BStC0106: 600V =BStC0106: 700V

2 1b$ 2 1b$ 2 1b$ 2 1b$ 2 1b$ 2 1b$

Sie

BStC0313, BStD0313, CS5-02, CS8-029 BStC0313, BStD0313, CS5-02, CS8-029 BStC0326, BStD0326, CS5-04, CS8-049 BStC0340, BStD0340, CS5-06, CS8-069 BStC0340, BStD0340, CS5-06, CS8-069 BStC0353, BStD0353, CS5-08, CS8-089

data data data data data data

BSt C02 06 BSt C02 13 BSt C02 26 BSt C02 33 BSt C02 40 BSt C02 46

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

100V, 3,5A(Tc=67ÊC), Igt/Ih<20/<60mA =BStC0206: 200V =BStC0206: 400V =BStC0206: 500V =BStC0206: 600V =BStC0206: 700V

28a 2 8a 2 8a 2 8a 2 8a 2 8a

Sie

(TAG620-100, BStC1026, TAG625-100,++)11 (TAG620-200, BStC1026, TAG625-200,++)11 (TAG620-400, BStC1026, TAG625-400,++)11 (TAG620-500, BStC1033, TAG625-500,++)11 (TAG620-600, BStC1040, TAG625-600,++)11 (TAG620-700, BStC1046, TAG625-700,++)11

data data data data data data

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BST 

→

Phi Phi Phi

  — 177 —

Schrift N6.50, Schrift B8.00

02.08.2007 13:50:31

Typ Type · Tipo

Art Device Genre · Tipo Specie

Kurzbeschreibung Short description · Description succ. Descrizione somm. · Descripción breve

Bild Fig.

Herst. Manu. Fabr. Prod.

Vergleichstypen Compa Compari riso sonty ntypes pes · Typ Types es d’equ d’equiv ival alenc encee Tipi correspondenti · Tipos de repuesto

BSt C03 13 BSt C03 26 BSt C03 40 BSt C03 53 BSt C03 66 BSt C03 80

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

200V, 11,4A(Tc=85ÊC), Igt/Ih<40/<30mA =BStC0313: 400V =BStC0313: 600V =BStC0313: 800V =BStC0313: 1000V =BStC0313: 1200V

21b $ 2 1b$ 2 1b$ 2 1b$ 21 b$ 21 b$

Sie

BStD0313, CS5-02, CS8-029 BStD0326, CS5-04, CS8-049 BStD0340, CS5-06, CS8-069 BStD0353, CS5-08, CS8-089 BStD0366, CS5-10, CS8-109 BStD0380, CS5-12, CS8-129

data data data data data data

BSt C05 06 BSt C05 13 BSt C05 26 BSt C05 33 BSt C05 40 BSt C05 46

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

100V, 5A(Tc=76ÊC), Igt/Ih<20/<60mA =BStC0506: 200V =BStC0506: 400V =BStC0506: 500V =BStC0506: 600V =BStC0506: 700V

2 2a$ 2 2a$ 2 2a$ 2 2a$ 2 2a$ 2 2a$

Sie

TAG671-100, TAG676-1009 TAG671-200, TAG676-2009 TAG671-400, TAG676-4009 TAG671-500, TAG676-5009 TAG671-600, TAG676-6009 TAG671-700, TAG676-7009

data data data data data data

BSt C06 06 BSt C06 13 BSt C06 26 BSt C06 33 BSt C06 40 BSt C06 43 BSt C06 46 BSt C06 50 BSt C06 53

F-Thy F-Thy F-Thy F-Thy F-Thy F-Thy F-Thy F-Thy F-Thy

100V, 3,2A(Tc=65ÊC), Igt/Ih<50/<100mA =BStC0606: 200V =BStC0606: 400V =BStC0606: 500V =BStC0606: 600V =BStC0606: 650V =BStC0606: 700V =BStC0606: 750V =BStC0606: 800V

22a $ 22 a$ 22 a$ 22 a$ 22 a$ 22 a$ 22 a$ 22 a$ 22 a$

Sie

S3700B, T3S400, TAG670S-100, TAG675S-1009 data S3700B, T3S400, TAG670S-200, TAG675S-2009 data S3700D, T3S400, TAG670S-400, TAG675S-4009 data S3700M, T3S500, TAG670S-500, TAG675S-5009 data S3700M, T3S600, TAG670S-600, TAG675S-6009 data T3S700, TAG670S-700, TAG675S-7009 data T3S700, TAG670S-700, TAG675S-7009 data TAG670S-800, TAG675S-8009 data TAG670S-800, TAG675S-8009 data

BSt C07 06 BSt C07 13 BSt C07 26 BSt C07 33 BSt C07 40 BSt C07 46

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

100V, 0,9A(Tc=45ÊC), Igt/Ih<20/<60mA =BStC0706: 200V =BStC0706: 400V =BStC0706: 500V =BStC0706: 600V =BStC0706: 700V

27b 2 7b 2 7b 2 7b 2 7b 2 7b

Sie

BStC3026, (TAG2,5-100, TAG611-100,++)11 BStC3026, (TAG2,5-200, TAG611-200,++)11 BStC3026, (TAG2,5-400, TAG611-400,++)11 BStC3033, (TAG2,5-500, TAG611-500,++)11 BStC3040, (TAG2,5-600, TAG611-600,++)11 BStC3046, (TAG2,5-700, TAG611-700,++)11

data data data data data data

BSt C09 26T92 BSt C09 30T92

F-Thy F-Thy

400V, Igt<50mA 450V, Igt<50mA

22 a$ 22 a$

Sie

-

data data

BSt C10 26 BSt C10 26 M BSt C10 33 BSt C10 33 M BSt C10 40 BSt C10 40 M BSt C10 46 BSt C10 46 M BSt C10 53 BSt C10 53 M

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

400V, 4A(Tc=85ÊC), Igt/Ih<25/<80mA 400V, 6A(Tc=85ÊC), Igt/Ih<25/<80mA =BStC1026: 500V =BStC1026M: 500V =BStC1026: 600V =BStC1026M: 600V =BStC1026: 700V =BStC1026M: 700V =BStC1026: 800V =BStC1026M: 800V

1 7h$ 17h $ 1 7h$ 17 h$ 1 7h$ 17 h$ 1 7h$ 17 h$ 1 7h$ 17 h$

Sie Sie

TAG625-400, C122D, TIC116D, CS6-04, ++9 CS6-04, TAG660-400, S2800D, CS3,5-04, ++9 TAG625-500, C122E, TIC116E, CS6-06, ++9 CS6-06, TAG660-500, S2800E, CS3,5-06, ++9 TAG625-600, C122M, TIC116M, CS6-06, ++9 CS6-06, TAG660-600, S2800M, CS3,5-06, ++9 TAG625-700, TIC116S, CS6-07, BStC1046M++9 CS6-07, TAG660-700, S2800S, CS3,5-07, ++9 TAG625-800, TIC116N, CS6-08, BStC1053M++9 CS6-08, TAG660-800, S2800N, 2N6399, ++9

data data data data data data data data data data

BSt C12 26

F-Thy

400V, 2,5A(Tc=80ÊC), Igt/Ih<50/<100mA

17h $

Sie

BSt C12 33

F-Thy

=BStC1226: 500V

17 h$

BSt C12 40

F-Thy

=BStC1226: 600V

17 h$

BSt C12 46

F-Thy

=BStC1226: 700V

17 h$

BSt C12 50

F-Thy

=BStC1226: 750V

17 h$

BSt C12 53

F-Thy

=BStC1226: 800V

17 h$

S5800D, BT153, CSF11-04, CSF0,7-04 (BStCC0233H, S3900E, 17088)15 S5800E, BT153, CSF11-06 (BStCC0233H, S3900E, 17088)15 S5800M, CSF11-06 (BStCC0240H, S3900MF, 17088)15 S5800S, CSF11-08 (BStCC0246H, S3900S, 17088)15 S5800N, CSF11-08 (BStCC0253H, S3900SF, 17088)15 S5800N, CSF11-08 (BStCC0253H, 17088)15

data data data data data data data data data data data data

BSt C30 26 BSt C30 33 BSt C30 40 BSt C30 46 BSt C30 53

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

400V, 1A 1A(Ta=45ÊC), Ig Igt/Ih<25/<80mA =BStC3026: 500V =BStC3026: 600V =BStC3026: 700V =BStC3026: 800V

27 b 2 7b 2 7b 2 7b 2 7b

Sie

(TAG2,5-400, TAG611-400, TA TAG605-400)11 (TAG2,5-500, TAG611-600, TAG605-600)11 (TAG2,5-600, TAG611-600, TAG605-600)11 (TAG2,5-700, TAG611-700, TAG605-700)11 (TAG2,5-800, TAG611-800, TAG605-800)11

data data data data data

BSt C31 26 BSt C31 26 M BSt C31 33 BSt C31 33 M BSt C31 40 BSt C31 40 M BSt C31 46 BSt C31 46 M BSt C31 53 BSt C31 53 M

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

400V, 1,5A(Tc=85ÊC), Igt/Ih<25/<80mA 400V, 2,5A(Tc=85ÊC),Igt/Ih<25/<80mA =BStC3126: 500V =BStC3126M: 500V =BStC3126: 600V =BStC3126M: 600V =BStC3126: 700V =BStC3126M: 700V =BStC3126: 800V =BStC3126M: 800V

28a 28 a 2 8a 28 a 2 8a 28 a 2 8a 28 a 2 8a 28 a

Sie Sie

BStC3126M, (TAG630-400, TAG620-400,++)11 (TAG630-400, TAG620-400, BStC1026,++)11 BStC3133M, (TAG630-500, TAG620-500,++)11 (TAG630-500, TAG620-500, BStC1033,++)11 BStC3140M, (TAG630-600, TAG620-600,++)11 (TAG630-600, TAG620-600, BStC1040,++)11 BStC3146M, (TAG630-700, TAG620-700,++)11 (TAG630-700, TAG620-700, BStC1046,++)11 BStC3153M, (TAG630-800, TAG620-800,++)11 (TAG630-800, TAG620-800, BStC1053,++)11

data data data data data data data data data data

BSt CC01 26H BSt CC01 26R BSt CC01 33H BSt CC01 33R BSt CC01 40H BSt CC01 40R BSt CC01 46H BSt CC01 46R BSt CC01 53H BSt CC01 53R

F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di

TV-HA,400V,3,2A,Igt/Ih<50/<100mA,<3æs TV-HA,400V,3,2A,Igt/Ih<50/<100mA,<5æs =BStCC0126H: 500V =BStCC0126R: 500V =BStCC0126H: 600V =BStCC0126R: 600V =BStCC0126H: 700V =BStCC0126R: 700V =BStCC0126H: 800V =BStCC0126R: 800V

2 2a$ 2 2a$ 2 2a$ 2 2a$ 2 2a$ 2 2a$ 2 2a$ 2 2a$ 2 2a$ 2 2a$

Sie Sie

S6087B, TD3F400H, TD4F400H9 S6087A, TD3F400R, TD4F400R9 S6087B, TD3F500H, TD4F500H9 S6087A, TD3F500R, TD4F500R9 S6087B, TD3F600H, TD4F600H9 S6087A, TD3F600R, TD4F600R9 S6087B, TD3F700H, TD4F700H9 S6087A, TD3F700R, TD4F700R9 TD3F800H, TD4F800H9 TD3F800R, TD4F800R9

data data data data data data data data data data

BSt CC02 33H BSt CC02 33R BSt CC02 40H BSt CC02 40R BSt CC02 46H

F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di

TV-HA, 500V, 5A, Igt/Ih<50/<100mA,<3æs TV-HA, 500V, 5A, Igt/Ih<50/<100mA, 5æs =BStCC0233H: 600V =BStCC0233R: 600V =BStCC0233H: 700V

17j$ 17j$ 17j$ 17j$ 17j$

Sie Sie

S3900E, 17088 S3901E, 17089 S3900MF, 17088 S3901MF, 17089 S3900S, 17088

data data data data data

TO-220

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  — 178 —

Schrift N6.50, Schrift B8.00

02.08.2007 13:50:31

Typ Type · Tipo

Art Device Genre · Tipo Specie

Kurzbeschreibung Short description · Description succ. Descrizione somm. · Descripción breve

Bild Fig.

BSt CC02 46R BSt CC02 53H BSt CC02 53R BSt CC02 60H BSt CC02 60R

F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di F-Thy+Di

=BStCC0233R: 700V =BStCC0233H: 800V =BStCC0233R: 800V =BStCC0233H: 900V =BStCC0233R: 900V

17j$ 17j$ 17j$ 17j$ 17j$

BSt D02 20 BSt D02 40 BSt D02 60

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

300V, 8,5A(Tc=82ÊC), Igt/Ih<50/120mA =BStD0220: 600V =BStD0220: 900V

21b $ 2 1b$ 2 1b$

BSt D03 13 BSt D03 26 BSt D03 40 BSt D03 53 BSt D03 66 BSt D03 80

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

200V, 16A(Tc=85ÊC), Igt/Ih<30/<80mA =BStD0313: 400V =BStD0313: 600V =BStD0313: 800V =BStD0313: 1000V =BStD0313: 1200V

BSt D10 26 BSt D10 26 M BSt D10 33 BSt D10 33 M BSt D10 40 BSt D10 40 M BSt D10 46 BSt D10 46 M BSt D10 53 BSt D10 53 M

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

BSt D16 66 M BSt D16 66 N BSt D16 66 P BSt D16 80 M BSt D16 80 N BSt D16 80 P

Herst. Manu. Fabr. Prod.

Vergleichstypen Compa Compari riso sonty ntypes pes · Typ Types es d’equ d’equiv ival alenc encee Tipi correspondenti · Tipos de repuesto

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S3901S, 17089 1 70 88 1 70 89 1 70 88 1 70 89

data data data data data

Sie

BTW42/600R BTW42/600R BTW42/1000R

data data data

2 1b $ 2 1b$ 2 1b$ 2 1b$ 21 b$ 21 b$

Sie

CS8-029 CS8-049 CS8-069 CS8-089 CS8-109 CS8-129

data data data data data data

400V, 8A(Tc=85ÊC), Igt/Ih<25/<80mA 400V, 10A(Tc=85ÊC),Igt/Ih<25/<80mA =BStD1026: 500V =BStD1026M: 500V =BStD1026: 600V =BStD1026M: 600V =BStD1026: 700V =BStD1026M: 700V =BStD1026: 800V =BStD1026M: 800V

1 7h$ 17h $ 1 7h$ 17 h$ 1 7h$ 17 h$ 1 7h$ 17 h$ 1 7h$ 17 h$

Sie Sie

BStD1026M, TIC126D, T7,5N400, TAG680-4009 T9,5N400, CS15-049 BStD1033M, TIC126E, T7,5N600, TAG680-5009 T9,5N500, CS15-069 BStD1040M, TIC126M, T7,5N600, TAG680-6009 T9,5N600, CS15-069 BStD1046M, TIC126S, T7,5N700, TAG680-7009 T9,5N700, CS15-079 BStD1052M, TIC126N, T7,5N800, TAG680-8009 T9,5N800, CS15-089

data data data data data data data data data data

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

1000V, 7,5A(Tc=85ÊC), Igt/Ih<10/<50mA =BStD1666M: Igt/Ih<20/<80mA =BStD1666M: Igt/Ih<50/<150mA =BStD1666M: 1200V =BStD1680M: Igt/Ih<20/<80mA =BStD1680M: Igt/Ih<50/<150mA

17 h$ 17 h$ 17 h$ 17 h$ 17 h$ 17 h$

Sie Sie

-

data data data data data data

BSt D36 66 M BSt D36 66 N BSt D36 66 P BSt D36 80 M BSt D36 80 N BSt D36 80 P

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

1000V, 1A(Ta=45ÊC),Igt/Ih<10/<50mA =BStD3666M: Igt/Ih<20/<80mA =BStD3666M: Igt/Ih<50/<150mA =BStD3666M: 1200V =BStD3680M: Igt/Ih<20/<80mA =BStD3680M: Igt/Ih<50/<150mA

2 7b 27 b 27 b 27 b 27 b 27 b

Sie

(BStD1666M)4 (BStD1666N)4 (BStD1666P)4 (BStD1680M)4 (BStD1680N)4 (BStD1680P)4

data data data data data data

BSt D40 26 BSt D40 26 M BSt D40 33 BSt D40 33 M BSt D40 40 BSt D40 40 M BSt D40 46 BSt D40 46 M BSt D40 53 BSt D40 53 M BSt D41 26 BSt D41 26 M BSt D41 33 BSt D41 33 M BSt D41 40 BSt D41 40 M BSt D41 46 BSt D41 46 M BSt D41 53 BSt D41 53 M

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

400V, 12A, Igt<10mA 400V, 15A, Igt<10mA =BStD4026: 500V =BStD4026M: 500V =BStD4026: 600V =BStD4026M: 600V =BStD4026: 700V =BStD4026M: 700V =BStD4026: 800V =BStD4026M: 800V =BStD4026: =BStD4026M: =BStD4033: =BStD4033M: =BStD4040: =BStD4040M: =BStD4046: =BStD4046M: =BStD4053: =BStD4053M:

2 9b 2 9b 2 9b 29 b 2 9b 29 b 2 9b 29 b 2 9b 29 b 2 1b$ 21 b$ 2 1b$ 21 b$ 2 1b$ 21 b$ 2 1b$ 21 b$ 2 1b$ 21 b$

Sie Sie

T10N400H, S6200D, BStD4026M, C232D9 data C 232D9 data 9 T10N500H, S6200M, BStD4033M, C232E data C 232M9 data T10N600H, S6200M, BStD4040M, C232M9 data 9 C 2 32 M data 9 T10N700H, BStD4046M data -9 data T10N800H, BStD4053M9 data data 9 T10N400C, S6210D, BStD4126M, BStE4126,++ data C230D, BStE4126, BStE4126M9 data T10N500C, S6210M, BStD4133M, BStE4133,++9 data C230E, BStE4133, BStE4133M9 data T10N600C, S6210M, BStD4140M, BStE4140,++9 data 9 C230M, BStE4140, BStE4140M data T10N700C, BStD4146M, BStE4146, BStE4146M9 data BStE4146, BStE4146M9 data T10N800C, BStD4153M, BStE4153, BStE4153M9 data 9 BStE4153, BStE4153M data

BSt E03 26 BSt E03 33 BSt E03 40 BSt E03 46

F-Thy F-Thy F-Thy F-Thy

400V, 0,6A(Ta=45ÊC),Igt/Ih<35/<50mA =BStE0326: 500V =BStE0326: 600V =BStE0326: 700V

2 7b 27 b 27 b 27 b

Sie

(S5800D, BT153, TAG650S-400,TAG655S-400)11 data (S5800E, BT153, TAG650S-500,TAG655S-500)11 data (S5800M, TAG650S-600, TAG655S-600)11 data (S5800S, CSF11-08)11 data

BSt E04 26 BSt E04 33 BSt E04 40 BSt E04 46

F-Thy F-Thy F-Thy F-Thy

400V, 4A(Tc=77ÊC),Igt/Ih<50/<100mA =BStE0426: 500V =BStE0426: 600V =BStE0426: 700V

2 2a$ 22 a$ 22 a$ 22 a$

Sie

T3S400, TAG670S-400, TAG675S-4009 T3S500, TAG670S-500, TAG675S-5009 T3S600, TAG670S-600, TAG675S-6009 T3S700, TAG670S-700, TAG675S-7009

data data data data

BSt E40 26 BSt E40 26 M BSt E40 33 BSt E40 33 M BSt E40 40 BSt E40 40 M BSt E40 46 BSt E40 46 M BSt E40 53 BSt E40 53 M BSt E41 26 BSt E41 26 M BSt E41 33 BSt E41 33 M BSt E41 40 BSt E41 40 M BSt E41 46

50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy 50Hz-Thy

400V, 18A, Igt<50mA 400V, 22A, Igt<50mA =BStE4026: 500V =BStE4026M: 500V =BStE4026: 600V =BStE4026M: 600V =BStE4026: 700V =BStE4026M: 700V =BStE4026: 800V =BStE4026M: 800V =BStE4026: =BStE4026M: =BStE4033: =BStE4033M: =BStE4040: =BStE4040M: =BStE4046:

29 b 2 9b 2 9b 29 b 2 9b 29 b 2 9b 29 b 2 9b 29 b 21b $ 21 b$ 21b $ 21 b$ 21b $ 21 b$ 21b $

Sie Sie

BStE4026M9 BStE4033M9 BStE4040M9 BStE4046M9 BStE4053M9 -9 CS13-04, T15,1N400, TAG16N400, BTW40/4009 T17N400, T24N400, TAG24N400, CS23-04, ++9 CS13-06, T15,1N600, TAG16N600, BTW40/6009 T17N600, T24N600, TAG24N600, CS23-06, ++9 CS13-06, T15,1N600, TAG16N600, BTW40/6009 T17N600, T24N600, TAG24N600, CS23-06, ++9 CS13-08, T15,1N800, TAG16N800, BTW40/8009

data data data data data data data data data data data data data data data data data

  — 179 —

Schrift N6.50, Schrift B8.00

02.08.2007 13:50:31

Typ Type · Tipo

Art Device Genre · Tipo Specie

Kurzbeschreibung Short description · Description succ. Descrizione somm. · Descripción breve

Bild Fig.

Herst. Manu. Fabr. Prod.

Vergleichstypen Compa Compari riso sonty ntypes pes · Typ Types es d’equ d’equiv ival alenc encee Tipi correspondenti · Tipos de repuesto

IR 2136

CMOS/LIN-IC

IR 2137

CMOS/LIN-IC

IR 2151 IR 2152 IR 2153 IR 2154 IR 2154 S IR 2155

CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC

MOSFET Gate Drv,Uoffs=600V, 0,12/0,25A 3-Phase Bridge Driver MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V, 0,2/0,46A 3-Phase Bridge Driver MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V, 0,1/0,21A MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V, 0,1/0,21A MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V, 0,2/0,4A MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V SMD,MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V MOSFET Gate Driver, Uoffs=-5¼600V

28-DIP

Inr

-

pd f

68-PLCC

Inr

-

pd f

8-DIP 8-DIP 8-DIP 8-DIP 8-MDIP 8-DIP

Inr Inr Inr Inr

-

pd f pd f pd f pd f

IR 2157 IR 2157 S IR 2159 IR 2159 S

LIN-IC LIN-IC LIN-IC LIN-IC

600V Ballast Control SMD,600V Ballast Control 600V Dimming Ballast Control SMD,600V Dimming Ballast Control

16-DIP 16-MDIP 16-DIP 16-MDIP

Inr

IR 2213 IR 2213 S IR 2233 IR 2235

CMOS/LIN-IC LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC

MOSFET Gate Drv, Uoffs=1200V, 1,7/2A SMD,MOSFET Gate Drv, Uoffs=1200V MOSFET Gate Drv,Uoffs=1200V, 0,2/0,42A MOSFET Gate Drv,Uoffs=1200V, 0,2/0,42A

14-DIP 16-MDIP 44 - M P 44 - M P

Inr

IR 2403-2

IC

IR 3220 S /8 IR 6000

IC DMOS-IC

PROTECTED H-BRIDGE FOR D.C. MOTOR TSOP High-Side Power Switch, 5¼35V, 3,5A

Inr Inr

-

pdf pinout

IR 6210

MOS-IC

86/5Pin

Inr

-

pd f

IR 6216

MOS-IC

86/5Pin

Inr

-

pd f

IR 6220

MOS-IC

86/5Pin

Inr

-

pd f

IR 6224

MOS-IC

86/5Pin

Inr

-

pd f

IR 6226

MOS-IC

Intelligent High Side MOSFET Power Sw. 5¼50V, 28W, on=0,2ê, Ilim=5A Intelligent High Side MOSFET Power Sw. 5¼50V, 28W, on=0,2ê, Ilim=10A Intelligent High Side MOSFET Power Sw. 5¼50V, 28W, on=0,1ê, Ilim=10A Intelligent High Side MOSFET Power Sw. 5¼50V, 28W, on=0,1ê, Ilim=20A Intelligent High Side MOSFET Power Sw. 5¼50V, 28W, on=0,1ê, Ilim=20A

86/5Pin

Inr

-

pd f

IR 6311 G

MOS-IC

8-MDIP

Inr

-

IR 6320 G

MOS-IC

Intelligent High Side MOSFET Power Sw. 5¼50V, on=0,15ê, Ilim=5A Intelligent High Side MOSFET Power Sw. 5¼50V, on=85mê, Ilim=10A

8-MDIP

Inr

-

IR 9161 IR 9161 N

KOP-IC KOP-IC

Quad, ±18V, 0¼+70Ê =IR 9161: SMD

16-DIP 16-MDIP

Sha

-

IR 9331 IR 9331 N

LIN-IC LIN-IC

V/F-Converter SMD, V/F-Converter

8-DIP 8-MDIP

Sha

-

IR 9431 IR 9494 IR 9494 N

LIN-IC LIN-IC LIN-IC

Regler/shunt reg., Uref=2,5V S-Reg, +41V, 0,25A, 1¼300kHz =IR 9494: SMD

8-DIP 16-DIP 16-MDIP

Sha Sha

-

IR 21014 IR 21014 S IR 21024 IR 21024 S IR 21034 IR 21034 S IR 21044 IR 21044 S IR 21064 IR 21064 S IR 21074 IR 21074 S IR 21084 IR 21084 S IR 21094 IR 21094 S IR 21362

CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC

14-DIP 14-MDIP 14-DIP 14-MDIP 14-DIP 14-MDIP 14-DIP 14-MDIP 14-DIP 14-MDIP 14-DIP 14-MDIP 14-DIP 14-MDIP 14-DIP 14-MDIP 28-DIP

Inr

-

IR 21531(D) IR 21531(D)S IR 21541 IR 21541 S

CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC CMOS/LIN-IC

MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V, 0,1/0,21A SMD,MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V, 0,1/0,21A SMD,MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V, 0,1/0,21A SMD,MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V, 0,1/0,21A SMD,MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V MOSFET Gate Drv,Uoffs=600V, 0,12/0,25A SMD,MOSFET Gate Drv,Uoffs=600V MOSFET Gate Drv,Uoffs=600V, 0,12/0,25A SMD,MOSFET Gate Drv,Uoffs=600V MOSFET Gate Drv,Uoffs=600V, 0,12/0,25A SMD,MOSFET Gate Drv,Uoffs=600V MOSFET Gate Drv,Uoffs=600V, 0,12/0,25A SMD,MOSFET Gate Drv,Uoffs=600V MOSFET Gate Drv,Uoffs=600V, 0,12/0,25A 3-Phase Bridge Driver MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V SMD,MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V SMD,MOSFET Gate Drv, Uoffs=600V

8-DIP 8-MDIP 8-DIP 8-MDIP

Inr

IR 3220 S /20 IRC 150 IRC 250 IRC 254 IRC 350 IRC 450

IC MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

PROTECTED H-BRIDGE FOR D.C. MOTOR V-MOS, L, Current Sense, 100V, 30A V-MOS, L, Current Sense, 200V, 29A V-MOS, L, Current Sense, 250V, 22,2A V-MOS, L, Current Sense, 400V, 14,5A V-MOS, L, Current Sense, 500V, 12,2A

TSOP 23/4Pin 23/4Pin 23/4Pin 23/4Pin 23/4Pin

Inr Inr Inr Inr Inr Inr

-

pdf pinout data data data data data

IRC 530 IRC 531

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, Current Sense, 100V, 14A, 79W =I = IRC 530: 80V

86/5Pin 86/5Pin

Inr Inr

-

data pdf data

IRC 540

MOS-N-FET-e

V-MOS, Current Sense, 100V, 28A, 150W

86/5Pin

Inr

-

data pdf

IRC 630 IRC 634 IRC 640 IRC 644

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, Current Sense, 200V, 9A, 74W V-MOS, Current Sense, 250V, 8,1A, 74W V-MOS, Current Sense, 250V, 18A, 125W V-MOS, Current Sense, 250V, 14A, 125W

86/5Pin 86/5Pin 86/5Pin 86/5Pin

Inr Inr Inr Inr

-

data pdf data pdf data pdf data pdf

IRC 730

MOS-N-FET-e

V-MOS, Current Sense, 400V, 5,5A, 74W

86/5Pin

Inr

-

data pdf

Inr

Inr

Inr Inr

ECA-Info more more at www.ecadata.de

pd f

-

pd f

-

pd f pd f

-

Inr Inr Inr Inr Inr Inr Inr Inr

Inr

pd f pd f

pd f pd f pd f pd f pd f

-

  — 428 —

Schrift N6.50, Schrift B8.00

02.08.2007 13:50:48

Typ Type · Tipo

Art Device Genre · Tipo Specie

Kurzbeschreibung Short description · Description succ. Descrizione somm. · Descripción breve

Bild Fig.

Herst. Manu. Fabr. Prod.

IRC 740

MOS-N-FET-e

IRC 830 IRC 832

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, Current Sense, 400V, 10A, 125W

86/5Pin

Inr

-

data pdf

V-MOS, Current Sense, 500V, 4,5A, 74W V-MOS, Current Sense, 500V, 4A

86/5Pin 86/5Pin

Inr Inr

-

data pdf data

IRC 840 IRCP 054

MOS-N-FET-e

V-MOS, Current Sense, 500V, 8A, 125W

86/5Pin

Inr

-

data pdf

MOS-N-FET-e

V-MOS, Current Sense, 60V, 70A, 230W

85/5Pin

Inr

-

data pdf

IRCZ 24 IRCZ 34 IRCZ 44

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, Current Sense, 60V, 17A, 60W V-MOS, Current Sense, 60V, 30A, 88W V-MOS, Current Sense, 60V, 50A, 150W

86/5Pin 86/5Pin 86/5Pin

Inr Inr Inr

-

data pdf data pdf data pdf

IRD IRE

Si-P Si-P

=2SA1484-D (T (Typ-Code/Stempel/marking) =2SA1484-E (T (Typ-Code/Stempel/marking)

35 35

Hit Hit

→

IRF 9 Z10 IRF 9 Z12 IRF 9 Z14 IRF 9 Z14L,S IRF 9 Z15 IRF 9 Z20 IRF 9 Z22 IRF 9 Z24 IRF 9 Z24L,S IRF 9 Z24N IRF 9 Z24NL,NS IRF 9 Z25 IRF 9 Z30 IRF 9 Z32 IRF 9 Z34 IRF 9 Z34N IRF 9 Z34(N)L,S IRF 9 Z35

MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e MOS-P-FET-e

V-MOS, 50V, 4,7A, 20W, <0,5ê(2,5A) =IRF 9Z10: 4A, <0,7ê(2,5A) V-MOS, 60V, 6,7A, 43W, <0,5ê(4A) =IRF 9Z14: =IRF 9Z14: 4A, <0,7ê(2,5A) V-MOS, 50V, 9,7A, 40W, <0,28ê(5,6A) =IRF 9Z20: 8,9A, <0,33ê(5,6A) V-MOS, 60V, 11A, 60W, <0,28ê(6,6A) =IRF 9Z24: V-MOS, 55V, 12A, 45W, <0,175ê(7,2A) =IRF 9Z24N: =IRF 9Z24: 8,9A, <0,33ê(5,6A) V-MOS, 50V, 18A, 74W, <0,14ê(9,3A) =IRF 9Z30: 15A, <0,21ê(9,3A) V-MOS, 60V, 18A, 88W, <0,14ê(11A) V-MOS, 55V, 19A, 68W, <0,1ê(10A) =IRF 9Z34¼: =IRF 9Z34: 15A, <0,21ê(9,3A)

17c$ 17c$ 17c$ 30c$ 17c$ 17c$ 17c$ 17c$ 30c$ 17c$ 30c$ 17c$ 17c$ 17c$ 17c$ 17c$ 30c$ 17c$

Inr,Sam Inr,Sam Inr,Sam

Inr,Sam

BUZ 171¼172, IRF 9521, 2SJ102, 2SJ153 IRF 9Z10 IRF 9630¼33, MTP 8P08, 2SJ247 2SJ266 →IRF 9Z14 IRF 9531, IRF 9533, 2SJ122¼123, 2SJ169+ →IRF 9Z20 IRF 9530¼31, 2SJ122¼123, 2SJ169, ++ 2SJ219, 2SJ268, 2SJ296, 2SJ384 IRF 9530¼31, 2SJ122, 2SJ140, 2SJ169, ++ 2SJ219, 2SJ268, 2SJ296, 2SJ384 →IRF 9Z24 BUZ 271, IRF 9541, 2SJ174, 2SJ291 →IRF 9Z30 IRF 9540¼41, 2SJ174, 2SJ291 IRF 9540¼41, 2SJ174, 2SJ291 2SJ220, 2SJ241, 2SJ297, 2SJ401 →IRF 9Z34

IRF 034 IRF 035

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 60V, 30A, 90W, <0,05ê(18A) V-MOS, 60V, 25A, 90W, <0,07ê(18A)

23 a$ 23 a$

Inr Inr

BUZ 24, 2N6763, 2SK561, 2SK906, 2SK1429+ data pdf BUZ 24, 2N6763, 2SK561, 2SK906, 2SK1429+ data

IRF 044 IRF 045

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 60V, 30A, 150W, <0,028ê(33A) V-MOS, 60V, 30A, 150W, <0,035ê(33A)

2 3a $ 2 3a $

Inr Inr

BUZ 24, 2N6764, 2SK561, 2SK906, 2SK1429+ data pdf BUZ 24, 2N6764, 2SK561, 2SK906, 2SK1429+ data

IRF 120 IRF 121 IRF 122 IRF 123

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 100V, 9,2A, 60W, <0,27ê(5,6A) =IRF 120: 80V V-MOS, 100V, 8A, 60W, <0,36ê(5,6A) =IRF 122: 80V

2 3a $ 23 a$ 23 a$ 23 a$

Inr,Fch,Sam Inr,Fch,Sam Inr,Fch,Sam Inr,Fch,Sam

MTM 12N10, 2N6765, 2SK398¼399, 2SK405++ MTM 12N08, 2N6765, 2SK398¼399, 2SK405++ MTM 12N10, 2N6765, 2SK398¼399, 2SK405++ MTM 12N08, 2N6765, 2SK398¼399, 2SK405++

data pdf data pdf data pdf data pdf

IRF 130 IRF 131 IRF 132 IRF 133

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 100V, 14A, 79W, <0,16ê(8,3A) =IRF 130: 80V V-MOS, 100V, 12A, 79W, <0,23ê(8,3A) =IRF 132: 80V

2 3a$ 23 a$ 2 3a$ 23 a$

Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++

BUZ 36, MTM 12N10, 2N6765, 2SK572 BUZ 36, MTM 12N08, 2N6765, 2SK572 BUZ 36, MTM 12N10, 2N6765, 2SK572 BUZ 36, MTM 12N08, 2N6765, 2SK572

data pdf data pdf data pdf data pdf

IRF 140 IRF 141 IRF 142 IRF 143

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 100V, 28A, 150W, <0,077ê(17A) =IRF 140: 80V V-MOS, 100V, 25A, 150W, <0,1ê(17A) =IRF 142: 80V

2 3a$ 23 a$ 2 3a $ 23 a$

Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++

BUZ 24, BUZ 349, 2N6764, 2SK906, 2SK1433 BUZ 24, BUZ 349, 2N6764, 2SK906, 2SK1433 BUZ 24, BUZ 349, 2N6764, 2SK906, 2SK1433 BUZ 24, BUZ 349, 2N6764, 2SK906, 2SK1433

data pdf data pdf data pdf data pdf

IRF 150 IRF 151 IRF 152 IRF 153

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 100V, 30A, 150W, <0,055ê(20A) =IRF 150: 60V V-MOS, 100V, 30A, 150W, <0,08ê(20A) =IRF 152: 60V

2 3a$ 23 a$ 2 3a $ 23 a$

Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++

BUZ 24, BUZ 349, 2N6764, 2SK906, 2SK1433 BUZ 24, BUZ 349, 2N6763, 2SK906, 2SK1433 BUZ 24, BUZ 349, 2N6764, 2SK906, 2SK1433 BUZ 24, BUZ 349, 2N6763, 2SK906

data pdf data pdf data pdf data pdf

IRF 220 IRF 221 IRF 222 IRF 223

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 200V, 5A, 40W, <0,8ê(2,5A) =IRF 220: 150V V-MOS, 200V, 4A, 40W, <1,2ê(2,5A) =IRF 222: 150V

2 3a$ 23 a$ 2 3a$ 23 a$

Inr,Fch,Sam Inr,Fch,Sam Inr,Fch,Sam Inr,Fch,Sam

BUZ 63, MTM 8N20, 2SK400 BUZ 63, MTM 8N18, 2SK400 BUZ 63, MTM 8N20, 2SK400 BUZ 63, MTM 8N18, 2SK400

data pdf data pdf data pdf data pdf

IRF 224 IRF 225

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 250V, 3,8A, 40W, <1,1ê(2,1A) V-MOS, 250V, 3,3A, 40W, <1,5ê(2,1A)

23a $ 23a $

Inr Inr

BUZ 63, 2SK259¼260, 2SK2264 BUZ 63, 2SK259¼260, 2SK2264

data data

IRF 230 IRF 231 IRF 232 IRF 233

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 200V, 9A, 75W, <0,4ê(5A) =IRF 230: 150V V-MOS, 200V, 8A, 75W, <0,6ê(5A) =IRF 232: 150V

23 a$ 23 a$ 23 a$ 23 a$

Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++

MTM 8N20, 2SK400¼401, 2SK412 MTM 8N18, 2SK400¼401, 2SK412 MTM 8N20, 2SK400¼401, 2SK412 MTM 8N18, 2SK400¼401, 2SK412

data pdf data pdf data pdf data pdf

IRF 234 IRF 235 IRF 236 IRF 237

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 250V, 8,1A, 75W, <0,45ê(4,1A) V-MOS, 250V, 6,5A, 75W, <0,68ê(4,1A) =IRF 234: 275V =IRF 235: 275V

2 3a $ 2 3a $ 23 a$ 23 a$

Inr Inr Inr Inr

BUZ 64, BUZ 325, 2SK293, 2SK501, ++ BUZ 64, BUZ 325, 2SK293, 2SK501, ++ BUZ 64, BUZ 325, 2SK293, 2SK501, ++ BUZ 64, BUZ 325, 2SK293, 2SK501, ++

data pdf data pdf data pdf data pdf

IRF 240 IRF 241 IRF 242 IRF 243

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 200V, 18A, 125W, <0,18ê(10A) =IRF 240: 150V V-MOS, 200V, 16A, 125W, <0,22ê(10A) =IRF 242: 150V

2 3a $ 23 a$ 2 3a $ 23 a$

Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++

BUZ 36, BUZ 350, MTM 15N20, 2SK901 BUZ 36, BUZ 350, MTM 15N20, 2SK901 BUZ 36, BUZ 350, MTM 15N20, 2SK901 BUZ 36, BUZ 350, MTM 15N20, 2SK901

data pdf data pdf data pdf data pdf

IRF 244 IRF 245 IRF 246 IRF 247

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 250V, 14A, 125W, <0,28ê(8A) V-MOS, 250V, 13A, 125W, <0,34ê(8A) =IRF 244: 275V =IRF 245: 275V

2 3a $ 2 3a $ 23 a$ 23 a$

Inr Inr Inr Inr

BUZ 323, 2SK559¼560, 2SK573, 2SK1135,++ BUZ 323, 2SK559¼560, 2SK573, 2SK1135,++ BUZ 323, 2SK559¼560, 2SK868, 2SK1401,++ BUZ 323, 2SK559¼560, 2SK868, 2SK1401

data pdf data pdf data pdf data pdf

IRF 250 IRF 251 IRF 252 IRF 253

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 200V, 30A, 150W, <85mê(16A) =IRF 250: 150V V-MOS, 200V, 25A, 150W, <0,12ê(16A) =IRF 250: 150V

2 3a $ 23 a$ 2 3a $ 23 a$

Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++ Inr,Sam++

BUZ 341, 2N6766, 2SK851, 2SK902, 2SK1492 data pdf BUZ 341, 2N6766, 2SK851, 2SK902, 2SK1492 data pdf BUZ 341, 2N6766, 2SK851, 2SK902, 2SK1492 data pdf BUZ 341, 2N6766, 2SK851, 2SK902, 2SK1492 data pdf

IRF 254 IRF 255

MOS-N-FET-e MOS-N-FET-e

V-MOS, 250V, 22A, 150W, <0,14ê(12A) V-MOS, 250V, 20A, 150W, <0,17ê(12A)

2 3a $ 2 3a $

Inr,Sam Inr,Sam

2SK623, 2SK901, 2SK944, 2SK1641, 2SK2007 data 2SK623, 2SK901, 2SK944, 2SK1641, 2SK2007 data

Inr,Sam Inr,Sam Inr,Sam Inr,Sam Inr Inr,Sam Inr,Sam Inr,Sam Inr,Sam Inr

Vergleichstypen Compa Compari riso sonty ntypes pes · Typ Types es d’equ d’equiv ival alenc encee Tipi correspondenti · Tipos de repuesto

→

ECA-Info more more at www.ecadata.de

2SA1484 2SA1484

→

data data data data data pdf data data data data data pdf data data pdf data data data data data data pdf data data

  — 429 —

Schrift N6.50, Schrift B8.00

02.08.2007 13:50:48

100

100

95

95

75

75

25

25

5

5

0

0

100

100

95

95

75

75

25

25

5

5

0

0

gehause-2006 Samstag, 15. Oktober 2005 16:31:10

100

100

95

95

75

75

25

25

5

5

0

0

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100

95

95

75

75

25

5

SOT-23 2,9 x 1,6 mm mm SOT-153 2,9 x 1,5 mm SOT-353 2 x 1,25 mm

SOT-23 2,9 x 1,6 mm SOT-163 2,9 x 1,5 mm SOT-363 2 x 1,25 mm

Fig.47

0

gehause-2006 Samstag, 15. Oktober 2005 16:31:12

25

SOT-23 2,9 x 1,6 mm SOT-163 SOT-16 3 2,9 x 1,5 mm SOT-363 SOT-36 3 2 x 1,25 mm

5 (von oben/ top view)

0

100

100

95

95

75

75

25

25

5

5

0

0

100

100

95

95

75

75

25

25

5

5

0

0

gehause-2006 Samstag, 15. Oktober 2005 16:31:13

100

100

95

95

75

75

25

25

5

5

0

0

Fig.87

(von oben/ top view)

CSP

100

100

95

95

75

75

25

25

5

5

0

0

gehause-2006 Samstag, 15. Oktober 2005 16:31:15

GRID

LPP SMDIP: 1,0mm HSMDIP: 0,8mm SSMDIP: 0,65mm VSMDIP: 0,45mm

MLP

100

95

75

25

5

QFN

CASE5 Donnerstag, 2. August 2007 12:51:52

TSOP

0

Darlington 1

a b c d e f g h

E E B B C C E E j B k B l C m C n E o E p C q C r E s E t E u E v B w B x E y E1 z E1 za B zb E/ K zc E2 zd input ze C zf C zg C zh B zj E1 / 2 zk E zm output zn E

2

B C C E B E B C C E B B B C Geh C C B C B C E B B B E C E1 US E B

C2 E US2

3

4

1

2

C E2 B1 B E2 C 1 /2 E B1 C 1 /2 C E C 1 /2 B1 B C Geh E2 B1 B Geh E2 C1/2 C1 E Geh B1 C1/2 C1 C Geh E Geh E C Geh C C1 E 1/ B 2 Geh Ge B E B E B E B E2 B1 E C E2 B1 B C E2 E 1/ B 2 C B B2 E 1/ 2 B E C 1 /2 E 1 / B 2 B C B2 E 1/ 2 E1 C E E2 B1 E2 E2 C C E2 C E A B C1 B1/2 C2 C1 output Gnd B1 B E E B B E E C B 1/ 2 C1 NPN B C US1 i n p ut B C

Weitere

Pincode linke Seite Continuation on the left side

& = B + G eh eh/c as as e/ e/b oî oî te te /i/i nv nv ol ol . *

= E + Geh/case/boîte /i/invol.

Geh = Geh Gehäus äuse/c e/case ase/bo /boîti îtier/ er/inv involu olucro cro Gnd Gn d = Mas Masse/ se/gro groun und/c d/comm ommun un/ma /massa ssa  /masa

pincodevrt2006.p65

3

4

C1/2 B1 E2 E2 C 1 /2 C1 Geh B1 B1 Geh E2 E2 Geh E2 C 1 /2 E 1 /B 2 C1 E1/B2 C1/2 B1 C1/2 C2/B1 C1 B1 E2 C1 C1 C2/B1 C1/2 E2 -

C1/2

1

2

3

S S G G D D S S G D D D D G S S S D G1 S G1 D S S G G G2 G2 S G G G

G D D S G S G D D G S G S S ub D G1 G1 G2 G2 D G2 S G D S

D G S D S G D G S S G S ub S ub S G D G2 G1 D G2 S G1 S S D D S G1 G S S S

D D S D S

4

S ub S ub S ub S ub Su S ub S G D G G2 D S/Sub S/ S /S u b G1 D G2 D G S S G1 S D D D D

E2

C1/2

B1

Weitere

a b c d e f g h j k l m n o p q r s t u v w x y z za zb zc zd ze zf zg zh zj zk zm zn

Pincode linke Seite on the left side

Continuation

PNP

§ = C + Geh/case/boîte /i/invol.

3

E2

§

=

D

+

Ge h/case /boîte/invol.

&

=

G

+

Ge h/case /boîte/invol.

*

=

S

+

Ge h/case /boîte/invol.

+

=

Sub +

Geh/ca se/b oîte/inv.

=

=

G2

Geh/ca se/b oîte/inv.

S ub ub

=

S ub ub st st ra ra t/t/ bu bu lk lk /s /s ub ub st st ra ra t/t/ so so st st ra ra to to

02.08.2007, 12:23

+

1 a aa ab ac al b b1 b2 c c1 c2 c3 d d1 e f g h j j3 j4 j5 j6 j7 j8 l l1 l2 m m1 m2 n n1 n2 o o1 o2 o4 o5 p q r r1 r2 r3 s s0 s1 s2 s3 s4 s5 s6 s7 s8 s9 t t1 t2 t3 t4 t5 u u1 v v1 w x x1 x2 x3 x4 x5 x6 x7 y z

2

3

4

A K K1 K2 A1-2 A1 A1 A2 K1-2 K1 A1 K2 K 1 /A 2 A K A K K A A 1 / K 2 A 2 /K 1 K A K A K A A K A 1 /K 2 A 2 /K 1 K2 A1 K A K K A A K K A A K Geh K A Geh A K A A K K A K A A1 A2 A1 A2 A 1 /A 2 K1 K1 K2 K 1 /K 2 A1 A1 A2 A 1 /K 2 K1 K1 A2 A1 A2 K1-2 K1 K1-2 A2 A1 A1 A2 K1-2 K1 K1 K2 A 1-2 A1 A1-2 K2 K1 K1 A 1/ 2 K2 A1 K2 A 2 /K 1 A1 A 2 /K 1 K2 A 2 /K 1 K2 A1 K1 A2 A 1 /K 2 K1 A 1 /K 2 A2 K2 A1 A2/K1 A2 K1 A 1 /K 2 A2 A 1 /K 2 A1 K 1 /K 2 A2 A2 K 1-2 K1 A1 A1 K2 A 1-2 A1 K1 K1 A1 A2 A3 K1 - 3 K1 A1 A2 K1-3 A3 K1-3 A1 A2 A3 A1-3 K1 K2 K3 K1 K2 K3 A1 - 3 A1 A1 K1 K2 A2 K1 K2 A1-3 K3 A1 A2 K2 K1 K1 A1 A2 K2 K1 K2 A2 A1 K1 K2 A1 A2 K1 A2 K2 A1 A1 A2 K1 K2 A1 K2 K1 A2 A1 K2 A2 K1 K A Geh A K Geh n .c . A K n .c . K A A A K K A K A 2 /K 1 A1 Geh K2 A 2 /K 1 K2 Geh A1 A A K K K K A A ~ ~ + ~ + ~ + ~ ~ + ~ ~ + ~ ~ ~ ~ + + ~ ~ ~ + ~ ~ ~ + A1/K4 A2 A2/K1 A3 A3/K2 A4 A4/K3 A uf uf dr dr uc uc kI kI mp mp ri ri nt nt I mp mp r. r. Weitere Pincode linke Seite  Continuation on the left side

Thy

K1...3 A1

A2 A

K G

A3

Pin-Code: ba

GTO-Thy

∼

-

A

+

K G

∼

Pin-Code: x, x1, x2, x3, x4, bn

Tetrode GA

A1

A

K

A2

G

K1...

K

A3

Thy + Di (ITR) G

A

K

Pin-Code: r, r1, r2, cc, ce, cg, cj, da, dc

a b c d e f g h h1 j k l m n o p q r s § & *

5

2

3

K K G G A A K K K G G A A K K A T1 A1 A1

G A A K G K G A A A K G K A T2 G A2 A2

A G K A K G A G G K A K G G A G G A2 A2 G

4

Geh Geh A Geh Geh Geh Geh A G K T2

A + G eh eh ././ ca ca se se /b /b oî oî te te r/ r/ in in vo vo l.l. K + G eh eh ././ ca ca se se /b /b oî oî te te r/ r/ in in vo vo l.l. K= A1 (Triac) A= A2 (Triac)

Triac G

A1/K4

A1

A2

K1/A2

K2/A3 K

A

Trigger-Di

K3/A4

Pin-Code: y

a b c d e f §

K A Gk K Gk K

Gk K K Gk Gk K Ga Ga

Ga Ga G a Ga A A Gk

A Gk A Ga Ga Ga A

G a + G eh eh ./ ./ ca ca se se /b /b oî oî te te r/ r/ in in vo vo l.l.

A2

A1

K1 K2 A1...

Diac

K3

A2

A1 G

SAS, SBS

Pin-Code: s, s1, cd, cf, ch, ck, db A

K

K1/A2 A1

K2

G

SUS Pin-Code: n, n1, o, o1, u, u1, bm, cm, bo

B1

E

B2

UJT

A1/A2 K1

a b c d e f g h m n o p q r s t

A K A K A2 A2 K A B1 B1 B2 E B1 E E B2

K A G A1 G K E E B1 B2 B2 B1 B1 B2 B1

K A A1 G A G B2 B2 B1 B2 E B1 E

E

B2

K2 G

Pin-Code: m, m1, q

A

K

PUT

§ & **

B 2 + G eh eh ././ ca ca se se /b /b oî oî te te r/ r/ in in vo vo l.l. G + G eh eh ./ ./ ca ca se se /b /b oî oî te te r/ r/ in in vo vo l.l. K= A 1 (Dia c) A= A2 (Diac)

K1/K2 A1

A2

Pin-Code: p, l, l1

a b c d e f g h j k l m n o R eg eg

pincodevrt2006.p65

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02.08.2007, 12:23

o u tp u t input Gnd o u tp u t input Gnd A A K input reg o u tp u t reg input

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34-0 34-06 6

vrt vrt 1 A-Z A-Z co compar mparis ison on tabl table e bo book 200 2006

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35-0 35-06 6

vrt vrt 2 0-µ 0-µ co compar mparis ison on tabl table e boo book k 200 2006

19,90

€0,00

14

m em data book memories

17,60

€0,00

32

ddv 1 data book diodes A-ZZY

30,17

€0,00

33

ddv 2 da data book diodes 0..1N..1S.. µ

25,03

€0,00

101

tdv 1 data book transist or or A-BUZ

30,17

€0,00

104

t dv dv 4 dat a book tr tran si sist or or 2. 2.. 40 400 00 00..µ

35,28

€0,00

113

ttl-lex

40,39

€0,00

114

STK and STR data book hy hybrid ICs

19,90

€0,00

115

Audio Amp d at ata bo book au audi o amp lilifie r  

19,90

€0,00

201

transistor 1 co comparison ta table AA-Z

7,60

€0,00

202

transistor 2 co comparison ta table 00-µ

7,60

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403403-06 06

vrtvrt-d disk isk 200 2006 6 CD CD-ROM -ROM

52,00

€0,00

403-07

v rrtt-dvd 2 00 007 DV DVD

52,00

€0,00

404

m em em-disk 20 2000 me mem or ory data b as ase CD CD-ROM

25,00

€0,00

405405-06 06

cmos cmos/t /ttltl-di disk sk 200 2006 6 dat data a bas base e CDCD-RO ROM M

52,00

€0,00

406-05 406-05

tdv-d tdv-disk isk 2005 2005 tra transi nsist stor or data data base base CD-ROM CD-ROM

89,00

€0,00

407407-05 05

lin-d lin-dis isk k 2005 2005 linear linear data data base base CD-R CD-ROM OM

52,00

€0,00

408408-06 06

opto opto-d -disk isk 2006 2006 opto opto elec electr tron onic ic CDCD-RO ROM M

52,00

€0,00

409409-05 05

ddvddv-di disk sk 200 2005 5 diod diodes es dat data a base base CDCD-RO ROM M

52,00

€0,00

403-07u

Update to vrt-dvd 2007 (Serial number of a previous version is necessary)

35,90

0,00

405-06u

Update to cmos/ttl-disk 2006 (Serial number of a previous version is necessary)

35,90

0,00

406-05u

Update to tdv-disk 2005 (Serial number of a previous version is necessary)

61,45

0,00

407-05u

Update to lin-disk 2005 (Serial number of a previous version is necessary)

35,90

0,00

408-06u

Update to opto-disk 2006 (Serial number of a previous version is necessary)

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0,00

409-05u

Update to ddv-disk 2005 (Serial number of a previous version is necessary)

35,90

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