Polarizacion y Ganancia Del Amplificador en Emisor Común

ELECTRÓNICA ANALOGICA. “polarización y ganancia del amplificador en emisor común”

REPORTEDEPRÁCTICA PRÁCTICAN°:2 “Revisión

del manejo y uso del equipo utilizado en el curso”

ESTUDIANTE: jovani Hernández Uriostegui Nº DE CONTROL: 13570281 FECHA DE REALIZACIÓN:13 de julio del 2017. FECHA DE ENTREGA: 14de julio del 2017. OBSERVACIONES: () Nocumple con lasespecificaciones,oel resultadonoescorrecto () La redacción nocumple los parámetrosacordados () Reporte entregadoenformaextemporánea () Otro: _

CALIFICACION: NA

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Práctica # 2

fecha: 13 de julio del 2017

Título: Polarización Y GANANCIA DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN

1.-Objetivos: General:  Examinar, clasificar, e interpretar las características aplicaciones básicas del BJT y FET, en aplicaciones básicas.

y

 Analizar, Identificar, diseñar y aplicar el uso del transistor BJT como amplificador.  Armar un amplificadorde ca con un transistorcon configuración enemisor común mediantela polarización de divisorde voltaje. 2.-Introduccion: El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos uniones pn, como lo muestra la estructura plana epitaxial de la figura 4-1(a). Las tres regiones se llaman emisor, base y colector. En las figuras 4-1(b) y (c) se muestran representaciones físicas de los dos tipos de BJT. Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una región n (pnp). El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de corriente en la estructura de transistor.

La unión pnque une la región de la base y la región del emisor se llama unión base-emisor. La unión pnque une la región de la base y la región del colector se llama unión base-colector, como la figura 4-1 (b) lo muestra: un conductor conecta a cada una de estas tres regiones. Estos conductores se designan E, B y C por emisor, base y colector, respectivamente. La región de la base

está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las regiones del emisor, excesivamentedopada, y la del colector, moderadamente dopada (la siguiente sección explica la razón de esto). La figura 4-2 muestra los símbolos esquemáticos para los transistores npny pnp.

Análisis del circuito de un BJT Considere la configuración del circuito de polarización de transistor básico que aparece en la figura 4-8. Es posible identificar tres corrientes de cd y tres voltajes de cd. IB: corriente de cd de base IE: corriente de cd de emisor IC: corriente de cd de colector VBE: voltaje de cd en la base con respecto al emisor VCB: voltaje de cd en el colector con respecto a la base VCE: voltaje de cd en el colector con respecto al emisor

La fuente de voltaje, VBB, polariza en directa la unión base-emisor y la fuente de voltaje, VCC polariza en inversa la unión base-colector. Cuando la unión baseemisor se polariza en directa,opera como un diodo polarizado en directa y la caída de voltaje con polarización en directa nominales Aunque en un transistor VBE puede ser tan alto como 0.9 V y éste depende de la corriente, se utilizará 0.7 V en todo este texto para simplificar el análisis de los conceptos básicos. Tenga en cuenta que la característica de la unión base-emisor es la misma que la curva de diodo normal (como la de la figura 1-28). Como el emisor está conectado a tierra (0 V), de acuerdo con la ley del voltaje de Kirchhoff, el voltaje a través de RB es VRB = VBB - VBE

3.-Desarrollo: 1.-Curva amplificada con un transistor 2n3904 con tres capacitores cuatro resistencias y otros elementos, al cual se puede observar en el osciloscopio como amplifica en el canal 2 el canal 1 es la entrada.

2.-La segunda parte consiste en el mismo circuito solo desconectar un capacitor del emisor y observar que ocurre.

3.-Ahora prosigue a desconectar la resistencia y llevar a tierra el emisor.

 En cada una de las partes que se hicieron con el circuito se tuvieron que hacer varias mediciones tanto para medir tensión como corriente y anotar los datos en una tabla.

4.-Resultados esperados: 1.-curva con la resistencia y el capacitor2.-curva con la resistencia pero sin capacitor

3.-curva sin resistencia ni capacitor

5.-Implementación de circuito y presentación del funcionamiento al instructor

1.-curva con la resistencia y el capacitor

2.-curva con la resistencia pero sin capacitor

3.-curva sin resistencia ni capacitor

6.-Material y equipo utilizado -multímetro

-resistencia

- osciloscopio

-entrenador

- generador de funciones

-tabla protoboard

-transistor

-capacitores

7.-Conclusiones ESTA PRACTICA SE ASE CON EL PROPOSITO DE ANPLIAR NUESTRO CONOSIMIENTO DELAS FUNSIONES DE CADA UNOS DELOS CONPONENTES I OCSERVAR SUS REACSIONES DENTRO DELOS RANGOS PERMITIDOS QUENOS PERMITER DESARRLLAR BARIOS ASPECTOS DE LAS

PRACTICAS DESENPEÑADAS CON LOS CONPONENTES DE APLICADOS EN LAS MISMAS CON MATERIALES PARA DESARROLLARLA COMO SON LOS DIODOS TRANSISTORES RESISTENSIAS DE BARIOS BALORES PARA QUE NOS MUESTRE LAS ONDAS ESPERADAS Y LOS BALORES DENTRO DEL RANGO ESPERADOS.

8.-Referencias bibliográficas

 Dispositivos electrónico-floyd-8ta edición.  Electrónica teoría de circuitos-6ta edición—boylestad.