MODUL 6 KARAKTERSTIK TRANSISTOR Dyah Apriliana (H1E014015) Asisten: Rafi Bagaskara Aulia Utama Tanggal Percobaan: 02/12/2015
PAF15210P-Praktikum Elektronika Dasar I
Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika – Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Unsoed
Abstrak Telah dilakukan percobaan elektronika dasar I mengenai karakteristik transistor. Alat yang digunakan adalah transistor, baterai 9V, dua buah multimeter digital sebagai ampermeter dan voltmeter, dua buah resistor 1KΩ, dua buah potensiometer 100KΩ, jumper dan breadboard . Percobaan ini dilakukan untuk menentukan jenis transistor, kaki-kaki transistor dan nilai hfe serta untuk membuat lengkung ciri keluaran transistor. Menentukan jenis kapasitor, kaki-kaki dan nilai hfe dengan menggunakan multimeter dengan menancapkan kaki-kaki transistor pada tempat yang disediakan pada MMD. Kemudian membuat rangkaian ciri keluaran transistor dengan memasang semua komponen, nilai IB yang digunakan adalah 1306 µA, variasi Vcc dari 0 sampai 1 dengan kenaikan 0,1 volt. Hasil yang diperoleh adalah Ic akan naik apabila nilai VCE juga dinaikkan namun pada saat nilai tertentu I c akan konstan. Kata kunci: transistor, ciri keluaran transistor. 1. PENDAHULUAN Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3 terminal. Secara harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘ Transfer resistor’, yaitu suatu komponen yang nilai resistansi antara terminalnya dapat diatur. Secara umum karakteristik transistor terbagi dalam 3 jenis : 1. Karakteristik masukan 2. Karakteristik keluaran
3. Karakteristik transfer Untuk dapat bekerja, sebuah transistor membutuhkan tegangan bias pada basisnya. Kebutuhan tegangan bias ini berkisar antara 0.5 sampai 0.7 Volt tergantung jenis dan bahan semikonduktor yang digunakan. 2. STUDI PUSTAKA Transistor merupakan komponen aktif tiga terminal yang secara umum dapat dimanfaatkan sebagai penguat, sirkuit penskalaran (switching), penstabil tegangan (stabilizer), modulasi sinyal dan lain-lain. Pada dasarnya, terdapat dua tipe dasar transistor bipolar atau bipolar junction transistors (BJT) dan transistor efek medan atau field-effect transistors (FET)[1]. BJT atau Bipolar Junction Transistor cara kerjanya dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada 3 terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emitor (E), kolektor (C), dan basis (B). Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Emitor berasal dari kata bahasa Inggris ’emmiter’ yang berarti pengeluar. Basis berasal dari kata Inggris ’base’ yang berarti tumpuan atau landasan, dan kolektor berasal dari kata’kolektor’ yang berarti pengumpul. Prinsip ini adalah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.[2}
Laporan Praktikum – Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika – FMIPA Unsoed
1
Transistor adalah semikonduktor yang terdiri atas sebuah bahan semikonduktor tipe p dan diapit oleh dua tipe n (transistor npn) atau terdiri atas dua tipe n diapit oleh tipe p (transistor pnp). Di samping itu yang perlu diperhatikan adalah bahwa ukuran basis sangatlah tipis dibandingkan dengan emitor dan kolektor. Perbandingan antara basis, emitor dan kolektor kurang lebih 1:150. Pada kaki emitor terdapat tanda panah yang nanti bisa diketahui bahwa itu merupakan arah arus konvensional.[3]
Gambar 6.2. Karakteristik keluaran ( hubungan antara IC dan VCE )
3. METODOLOGI
Gambar 6.1 Transistor npn dan transistor pnp
Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian dasar (yang disebut konfigurasi) untuk mengoperasikan transistor. a. Basis ditanahkan (Common Base – CB) b. Emiter ditanahkan (Common Emitter –
b. Karakteristik output. c. Karakteristik transfer arus konstan.
a. Transistor
1 buah
b. Resistor
2 buah
c. Potensiometer 2 buah
CE) c. Kolektor ditanahkan (Common Kolektor CC) Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga karakteristik statik, yang digambarkan dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan tegangan pada transistor. Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu dalam mempelajari operasi dari suatu transistor ketika diterapkan dalam suatu rangkaian. Ada tiga karakteristik yang sangat penting dari suatu transistor, yaitu : a. Karakteristik input.
Alat dan bahan yang digunakan adalah :
d. Breadboard
1 buah
e. Multimeter
2 buah
f.
1 buah
Baterai 9 V
g. Kabel jumper h. Kabel penghubung
Langkah kerja
Memasukkan transistor pada lubang-lubang yang tersedia di multimeter sampai nilai hfe muncul pada display MMD. Untuk percobaan karakteristik Output yang diukur yang menunjukkan bagaimana arus kolektor IC bervariasi dengan perubahan VCE ketika IB dibuat konstan. Pertama, IB diatur pada suatu nilai yang konstan lalu VCE divariasikan secara linier, IC akan menunjukkan nilai tertentu dan nilai ini dicatat. Selanjutnya, VCE dikembalikan ke keadaan nol dan IB diatur pada nilai yang lain dan seterusnya.
Flowchart
Laporan Praktikum – Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika – FMIPA Unsoed
2
4. HASIL DAN ANALISIS Dari hasil percobaan yang telah dilakukan, jenis transistor yang digunakan adalah NPN dengan seri C828A R518, kaki-kakinya ECB dengan nilai hfe 296. Nilai Hfe merupakan nilai penguatan transistor.
Tabel 1 Data percobaan lengkung ciri keluaran transistor Nilai IB – I
Nilai IC
Nilai VCE
(µA)
(mA)
(V)
1306
0,1
0
5,7
0,1
8,0
0,2
8,2
0,3
8,2
0,4
8,2
0,5
8,2
0,6
8,2
0,7
8,2
0,8
8,2
0,9
8,2
1
Laporan Praktikum – Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika – FMIPA Unsoed
3
sebaliknya sebagian besar elektron-elektron yang berada pada emitor tertarik ke kolektor, karena tegangan Vcc jauh lebih besar dari pada tegangan Veb dan mengakibatkan aliran elektron dari emitor menuju kolektor melewati basis. Elektron-elektron ini tidak semuanya tertarik ke kolektor tetapi sebagian kecil menjadi arus basis (IB).
Transistor ini bekerja dengan terkendali tegangan. Artinya karakteristik keluaran bergantung kepada arus masukan pada transistor. Transistor dapat bekerja apabila diberi tegangan, tujuan pemberian tegangan pada transistor adalah agar transistor tersebut dapat mencapai suatu kondisi menghantar atau menyumbat. Baik transistor NPN maupun PNP tegangan antara emitor dan basis adalah forward bias, sedangkan antara basis dengan kolektor adalah reverse bias. Tegangan pada Vcc jauh lebih besar dari tegangan pada Veb. Diode basis-emitor mendapat forward bias, akibatnya elektron mengalir dari emitor ke basis, aliran elektron ini disebut arus emitor (IE). Elektron elektron ini tidak mengalir dari kolektor ke basis, tetapi 5.
Karakteristik output merupakan keadaan dimana tegangan kolektor-basis (VCE) dan arus basis dibuat konstan sehingga arus yang melewati colllector yang menjadi respon. Sedangkan pada karakteristik transfer tegangan dan arus konstan ialah keadaan dimana arus yang yang masuk pada basis dimanipulasi sedangkan VCE dijadikan konstan. Pada praktikum ini tidak didapatkan nilai penguatan transistor karena data yang berhasil diambil hanya satu variasi IB. Faktor penguatan ini merupakan perbandingan perubahan arus pada kolektor (IC) dan arus pada basis (IB). Hal inilah yangmendasari transistor berfungsi sebagai penguat arus. Sedangkan apabila melihat kurva karakteristik maka bisa dilihat bagaimana perubahab IC jika VCE terus dinaikkan. Namun pada VCE tertentu arus seakan konstan, hal ini dikarenakan celah deplesinya menyempit sehingga sehingga arus terhambat untuk lewat.
KESIMPULAN Setelah melakukan praktikum ini, maka dapat disimpulkan bahwa : a. Jenis transistor , kaki-kaki dan nilai penguatan transistor dapat diketahui dengan menggunakan multimeter. b. Arus keluaran (IC) akan bertambah seiring dengan
meningkatnya
VCE,
namun
konstan.
Hal
ini
[1]
Hartono, Modul Elektronika Dasar I, 2015.
[2]
Sutrisno. 1986. Elektronika, Teori dan Penerapannya. Jakarta: Salemba Teknika.
[3]
https://www.academia.edu, Desember 2015, pukul 05.26 WIB.
jika
mencapai keadaan tertentu maka arus akan dominan
DAFTAR PUSTAKA
dikarenakan
Praktikum Purwokerto,
03
menyempitnya lebar celah depesi.
Laporan Praktikum – Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika – FMIPA Unsoed
4