Descripción: trabajo preparatorio dispoditivos electronicos
Diodo semiconductor, Paretto, UNMSM
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informe final de laboratorio
Descripción: FIEE UNMSM
Descripción: solucionario
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Descripción: solucionario
MODELO EQUIVALENTE DE GIACOLETTO De acuerdo a un análisis físico del transistor se obtiene un modelo para utilizar en la teoría de circuitos para resolver o estudiar circuitos donde existan transistores. Resulta así el modelo híbrido-π o de Giacoletto. Modelo elemental: la transconductancia
IC = − dI C = −
qADb pbo qVEB / kT e W
qADb pbo q qVEB / kT e dVBE W kT
dI C = − | I C |
|I | q dVEB = − C dVEB VT kT
Para pequeña señal, < 5 ~ 10 mV
dVEB → veb dIC → ic ic = -gm veb ic = gm vbe gm = |IC|q/kT = |IC|/VT
Modelo equivalente de Giacoletto
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Admitancia de entrada
qF = qA
qAWpbo qVEB / kT 1 pb (0)W = e 2 2
dqF = dqF =
qAWpbo q qVEB / kT e dVEB 2 kT
qAWpbo q qVEB / kT DbW dVEB e 2 DbW kT
W2 q W2 dVEB dVEB = g m dqF =| I C | kT 2 Db 2 Db Esta variación de carga dqF produce dos componentes de corriente
ib1 = −
dqF
τ BF
ib 2 = −
dqF dt
ib1 → recombinación de portadores minoritarios en la base e inyección de mayoritarios desde la base al emisor comprendidos en el tiempo de recombinación ficticio τBF ib2 → por la base entran los portadores necesarios para neutralizar electrostáticamente las cargas
ib1 = − Modelo equivalente de Giacoletto
dq F
τ BF
W2 dV EB = −gm 2 Dbτ BF 27
Si vbe = − dVEB
W2 ib1 = g m vbe = δg m vbe 2 Dbτ BF W2 δ= 2 Dbτ BF ib 2
dq F W 2 dV EB =− = −gm 2 Db dt dt
Como VEB = VEBcont + veb y dVEB/dt = dveb/dt = - dvbe/dt
ib 2
dv W 2 dvbe = gm = C be dt 2 Db dt
W2 d vbe ib1 + ib 2 = δg m + g m D dt 2 b W2 d Yi = δg m + g m 2 Db dt
Modelo equivalente de Giacoletto
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Modulación del ancho de la base (Efecto Early)
Como puede escribirse W = f(VCB)
dW =
∂W dVCB ∂VCB
dq F =
qApb (0) qApb (0) ∂W dVCB dW = 2 2 ∂VCB
dq F =
qApb (0) ∂W q kT Db W dVCB kT q W Db 2 ∂VCB
dq F = g m
W kT ∂W dVCB 2 Db q ∂VCB
W 2 1 kT ∂W dVCB dq F = g m 2 Db W q ∂VCB
η=
1 kT ∂W W q ∂VCB
W2 dVCB dq F = ηg m 2 Db ib3 e ib4 aparecen por las mismas causas que ib1 e ib2, pero dependientes de vcb en lugar de vbe Modelo equivalente de Giacoletto
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ib 3 = −
dq F
ib 4 = −
y
τb dq F W2 ib 3 = − dVCB = −ηg m 2 Dbτ b τb ib 3 = −ηg mδ b vcb
W2 δb = 2 Dbτ b
y
dq F dt
vcb = dVCB
dq F W 2 dvcb ib 4 = − = −ηg m dt 2 Db dt VCB = VCBcont + vcb
W2 d vcb ib = ib 3 + ib 4 = −ηδ b g m + ηg m 2 D dt b W2 d Yr = −ηδ b g m + ηg m 2 D dt b
Modelo equivalente de Giacoletto
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Admitancia de salida qADb pb (0) dW W2 ∂W dW = dVCB ∂VCB dI C =
dI C =
qADb pb (0) q kT ∂W dVCB kT q ∂VCB W2
dI C = ηg m dVCB ic = ηg m vcb = g o vcb Parámetros extrínsecos
rbb’ rc Cs
resistencia de base extrínseca resistencia de colector extrínseca capacidad de colector base extrínseca
