Memoria RAM
Memoria RAM La memoria de acceso aleatorio, (en inglés: Random Access Memory cuyo acrónimo es RAM) es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados. Es el área de trabajo para la mayor parte del software de un computador [1] . Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada caché, pero ésta sólo es una copia de acceso rápido de la memoria principal almacenada en los módulos de RAM[1] . Los módulos de RAM son la presentación comercial de este tipo t ipo de memoria, se compone de chips soldados sobre un circuito impreso.
Se trata de una memoria de estado sólido en la que se puede tanto leer como escribir información. Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se carga todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se dicen "de acceso aleatorio" o "de acceso directo" porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo ti empo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible.
La frase memoria RAM suele referirse a esa memoria modular que es parte de los computadores personales, pero en sentido estricto también se refiere a otros tipos de memoria volátil presentes en componentes como el procesador, la tarjeta madre, tarjetas de video, discos duros.
Historia La denominación "de Acceso Aleatorio" surgió para diferenciarlas de las memoria de acceso secuencial, debido a que en los comienzos de la computación, las memorias principales (o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo t ipo RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial (cintas o tarjetas perforadas). Es frecuente que se hable de memoria RAM para hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero actualmente la denominación no es precisa. Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Antes que eso, las computadoras usaban reles y líneas de retardo r etardo de varios tipos construidas con tubos de vacio para implementar las funciones f unciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
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Módulos de memoria RAM La frase "Memoria RAM" se utiliza frecuentemente para referirse a los módulos de memoria que se usan en los computadores personales y servidores. En el sentido estricto, estos dispositivos son solo un tipo de memoria de acceso aleatorio, ya que las ROM, memorias Flash , caché , los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición.
Los módulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados circuitos integrados por una o ambas caras. La mayoría de integrados son memorias del tipo DRAM, una topología de circuito electrónico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o miles de Kilobits. Algunos módulos poseen integrados que permiten la identificación de los mismos ante el computador por medio del protocolo SPD y poseen otros integrados que ayudan a la corrección de errores.
Los módulos de memoria RAM han sido construidos en diversos factores de forma, entre los que se encuentran: - Módulos DIMM Usado en computadores computadores de escritorio. - Módulos SO-DIMM Usado en computadores portatiles. - Módulos SIMM Un formato usado usado en computadores antiguos. Tecnologías Las tecnologías de módulos de memoria para computadores personales, pueden dividirse en dos grandes grupos: la asíncrona y la síncrona. La primera simplemente responde a señales de control, de manera que las operaciones de lecto-escritura tienen t ienen un tiempo máximo pero no predeterminado para ser finalizadas. La segunda usa una señal de sincronización para realizar las funciones de lecto-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj del bus de memoria.
Por antigüedad, las memorias asíncronas fueron las primeras, seguidas posteriormente por
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las síncronas; así, el orden en el que se presentan aquí coincide con su orden cronológico. Módulos de memoria RAM Asíncronos FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)
Memoria asíncrona, más rápida que la anterior (modo de Página Rápida) y con tiempos t iempos de acceso de 70 ó 60 ns. Esta memoria se encuentra instalada en muchos sistemas de la primera generación de Pentium. Incorpora un sistema de paginado debido a que considera probable que el próximo dato a acceder este en la misma columna, ganando tiempo en caso afirmativo.
EDO-RAM II (Extended Data Output RAM)
Memoria asíncrona, esta memoria permite a la CPU acceder más rápido porque envía bloques enteros de datos; con tiempo de accesos de 40 o 30ns. La EDO o Salida de Información Mejorada, tiene la ventaja que permite al CPU acceder más rápido porque posee una técnica de envío de bloques de datos, es decir direcciona la columna que va utilizar util izar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo. Su tiempo de acceso es cerca de 40 y 50 ns.
BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.
ESDRAM (Enhanced SDRAM)
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Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la l a memoria caché utilizada en los procesadores actuales.
Módulos de memoria RAM Síncronos SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM)
Memoria síncrona (misma velocidad que el sistema), con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium_II y en los Pentium_III , así como en los AMD K6, K7 AMD_Athlon y Duron. Según la frecuencia de trabajo se dividen en: - PC66: la velocidad velocidad de bus de memoria memoria es de de 66 MHz, MHz, temporización de 15 ns ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MiB/s. - PC100: la velocidad velocidad de bus de de memoria es de 100 MHz, temporización temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MiB/s. - PC133: la velocidad velocidad de bus de de memoria es de 133 MHz, temporización temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MiB/s.
Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son Memorias Síncronas Dinámicas.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos.
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DDR 2 SDRAM
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Se presentan en módulos DIMM de 240 contactos.
DDR 3 SDRAM
Considerado el sucesor de la actual memoria estándar DDR 2, DDR 3 promete proporcionar significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Los módulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.
* RDRAM (Rambus DRAM)
Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa Rambus, lo cual obliga a sus compradores a pagar regalías en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la memoria DDR de uso libre, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la famosa PlayStation 2. Se presenta en módulos RIMM de 184 contactos. Aunque competidora de la DDR, la RDRAM funciona de modo muy distinto: la DDR utiliza los flancos de subida y bajada del reloj para duplicar su frecuencia efectiva (hasta DDR-400) con un bus de datos de 64 bits, mientras que la RDRAM eleva la frecuencia de los chips para evitar cuellos de botella (hasta PC800) con un bus de datos de 16 bits.
Memoria VRAM Este tipo de memoria fue utilizada en las tarjetas gráficas (controladores gráficos) para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema, y podría ser incluida
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dentro de la categoría de Peripheral RAM. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported. No obstante, fue sustituida inicialmente por la SDRAM (más rápida y barata) y posteriormente por la DDR, DDR 2, DDR 3 y DDR 4 (también denominada GDDR 4: Graphics DDR 4), más rápidas y eficientes. Se están fabricando para 2009 DDR 5 con características similares a la DDR.
Corrección y detección de errores Se usan técnicas de detección de errores para detectar si los datos leídos de la memoria han sido alterados por algún error. La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos, y en la lectura se comprueba si el número de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar), detectándose así el error. Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir errores que afecten a un sólo bit esta técnica se usa sólo en sistemas que requieren alta fiabilidad.
Cabe añadir que en ocasiones se produce un fallo. Se producen fallos cuando dos gestores de memoria actúan al mismo tiempo. Es entonces cuando se puede llegar a producir un fallo de protección general. Aparece el mensaje "a fatal exception has occured". Normalmente la mejor opción ante esto es reiniciar el pc,si el problema persiste, hay que revisar las tarjetas de memoria, en su defecto,limpiarlas, ya que pueden tener polvo o suciedad que es muy común en estos equipos, para lo cual existen material disponible para la respectiva limpieza como limpiacontactos.
Cuidado al retirar la memoria ya que si se trata de un equipo ya bastante usado (viejo) puede haber desprendimiento de pines si se realiza de una forma muy brusca o sencillamente por el pasar de los tiempos se quedan pegados casi fundido e imposibles de retirar sin dañar la tarjeta de memoria.
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